JPH04264785A - Semiconductor laser driver - Google Patents

Semiconductor laser driver

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JPH04264785A
JPH04264785A JP4623591A JP4623591A JPH04264785A JP H04264785 A JPH04264785 A JP H04264785A JP 4623591 A JP4623591 A JP 4623591A JP 4623591 A JP4623591 A JP 4623591A JP H04264785 A JPH04264785 A JP H04264785A
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JP
Japan
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semiconductor laser
impedance
temperature
coaxial cable
module
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JP4623591A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigehiro Endo
遠藤 重広
Satoru Yamamoto
哲 山本
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To contrive to miniaturize a device and reduce costs by a method wherein a semiconductor laser driving circuit is spatially separated from a semiconductor laser without causing a hindrance in driving of the semiconductor laser and only the semiconductor laser having small calorific value is controlled in a temperature. CONSTITUTION:A semiconductor laser module 1b having an optical fiber 1a is spatially separated from a circuit substrate 2a to which a semiconductor laser driving circuit is mounted. A cooler of which a constitutive element is a Peltier element 4b is fitted to the separated semiconductor laser module 1b to solely perform temperature control for the semiconductor laser module 1b. The circuit substrate 2a is electrically connected to the semiconductor laser module 1b through a coaxial cable 10. A resistor 13 is inserted into at least an output end of input and output ends of the coaxial cable 10 to perform impedance matching at the output end of the coaxial cable 10. Thus, the semiconductor laser is driven without causing a deformation strain of a pulse waveform.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザの駆動装置
に係り、特に精度の高い温度制御を要求される大出力半
導体レーザの駆動装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a driving device for a semiconductor laser, and more particularly to a driving device for a high-output semiconductor laser that requires highly accurate temperature control.

【0002】0002

【従来の技術】図4に大出力半導体レーザ駆動装置の従
来例を示す。レーザ光取出用の光ファイバ1aをもつ半
導体レーザモジュール1bは、これをパルス駆動する半
導体レーザ駆動回路の搭載された回路基板2aに密着し
て取り付けられる。そして全体を熱伝導性のよい樹脂3
でモールドしてある。樹脂3内には半導体レーザモジュ
ール1bの温度を検出するための温度センサ9が埋め込
まれ、樹脂3の前面には前記した光ファイバ1aが取り
出される。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a conventional example of a high-output semiconductor laser driving device. A semiconductor laser module 1b having an optical fiber 1a for extracting laser light is attached in close contact with a circuit board 2a on which a semiconductor laser drive circuit for pulse-driving the semiconductor laser module 1b is mounted. And the whole is made of resin 3 with good thermal conductivity.
It is molded with. A temperature sensor 9 for detecting the temperature of the semiconductor laser module 1b is embedded in the resin 3, and the optical fiber 1a described above is taken out from the front surface of the resin 3.

【0003】また、樹脂3の背面には樹脂3内の駆動回
路及び半導体レーザの温度を制御するペルチェ素子4a
が密着して取り付けられる。このペルチェ素子4aには
放熱用ヒートシンク5aが取り付けられ、さらに、この
ヒートシンク5aの放熱用ファン6が取り付けられる。 ペルチェ素子4aには温度制御器8が接続され、この温
度制御器8は、温度センサ9で検出された温度に基づい
てペルチェ素子4aに流す電流を制御する。
Further, on the back side of the resin 3, there is a Peltier element 4a for controlling the temperature of the drive circuit and semiconductor laser inside the resin 3.
are attached closely together. A heat sink 5a for heat radiation is attached to this Peltier element 4a, and a fan 6 for heat radiation of this heat sink 5a is further attached. A temperature controller 8 is connected to the Peltier element 4a, and the temperature controller 8 controls the current flowing through the Peltier element 4a based on the temperature detected by the temperature sensor 9.

【0004】なお、回路基板2aには、半導体レーザ駆
動回路に高電圧を与えるための高圧電源7と、同期信号
を与える同期信号発生部2bとが樹脂3の外部より接続
される。
[0004] A high voltage power supply 7 for applying a high voltage to the semiconductor laser drive circuit and a synchronization signal generating section 2b for providing a synchronization signal are connected to the circuit board 2a from outside the resin 3.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな大出力装置では、半導体レーザ駆動回路で発生する
パルス信号は〜数百MHzと非常に高周波であるため、
信号伝送上、半導体レーザを効率良く駆動するためには
、回路基板2aと半導体レーザモジュール1bを密着接
続させることが好ましい。ところが密着させると、回路
基板2a上の電子部品の発熱が半導体レーザモジュール
1bに伝わり、半導体レーザ光出力の発振波長、出力等
に大幅な変動を引き起こす。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, in the above-mentioned high output device, the pulse signal generated by the semiconductor laser drive circuit has a very high frequency of several hundred MHz.
In order to drive the semiconductor laser efficiently in terms of signal transmission, it is preferable to closely connect the circuit board 2a and the semiconductor laser module 1b. However, when they are brought into close contact, heat generated by the electronic components on the circuit board 2a is transmitted to the semiconductor laser module 1b, causing significant fluctuations in the oscillation wavelength, output, etc. of the semiconductor laser light output.

【0006】このため従来装置では、回路基板2aと半
導体レーザモジュール1bとを樹脂モールドし、これを
一括して温度制御することにより半導体レーザ光出力の
安定化を図るようにしている。
For this reason, in the conventional device, the circuit board 2a and the semiconductor laser module 1b are molded with resin, and the temperature of these is collectively controlled to stabilize the semiconductor laser light output.

【0007】しかし、一括して温度制御することで、本
来制御する必要のある半導体レーザモジュールに加えて
、これよりも発熱量の大きな回路基板2aを制御するこ
とになるため、制御装置が大掛かりになるという欠点が
あった。
However, by controlling the temperature all at once, in addition to the semiconductor laser module that originally needs to be controlled, the circuit board 2a, which generates a larger amount of heat, has to be controlled, which requires a large-scale control device. There was a drawback.

【0008】また、温度制御する部分がモールド樹脂全
体と広いため微妙な温度制御が出来ず、光出力の発振波
長、出力等の変動を有効に抑えることが困難であった。
Furthermore, since the area to be temperature controlled is as wide as the entire mold resin, delicate temperature control is not possible, and it is difficult to effectively suppress fluctuations in the oscillation wavelength, output, etc. of the optical output.

【0009】また、温度センサ9が発熱体のメインであ
る半導体レーザモジュール1bから離れているために、
温度制御すべき半導体レーザの瞬時の温度変化を検知す
ることができなかった。
Furthermore, since the temperature sensor 9 is located far from the semiconductor laser module 1b, which is the main heating element,
It was not possible to detect instantaneous temperature changes in the semiconductor laser whose temperature should be controlled.

【0010】特に、これらの欠点は半導体レーザが大出
力になるほど顕著になっており、その解決が切に望まれ
ていた。
[0010] In particular, these drawbacks become more noticeable as the output of semiconductor lasers increases, and a solution to these problems has been strongly desired.

【0011】本発明の目的は、半導体レーザの温度を単
独制御することによって、前記した従来技術の欠点を解
消し、半導体レーザの微妙な温度制御を容易にでき、半
導体レーザ光出力の安定化を図ることができる半導体レ
ーザ駆動装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art by independently controlling the temperature of the semiconductor laser, to facilitate delicate temperature control of the semiconductor laser, and to stabilize the optical output of the semiconductor laser. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser driving device that can achieve the following objectives.

【0012】0012

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ駆
動装置は、発熱体となる半導体レーザと、同じく発熱体
となる半導体レーザ駆動回路とを空間的に分離する。半
導体レーザと、これを駆動する半導体レーザ駆動回路と
を半導体レーザのインピーダンス相当の特性インピーダ
ンスをもつ線路で電気的に接続する。そして、半導体レ
ーザの温度を独立して制御するようにしたものである。 一般的に、半導体レーザは半導体レーザモジュールとし
て、また、半導体レーザ駆動回路は、パルス駆動回路等
の電子部品を搭載した回路基板として取り扱われる。
[Means for Solving the Problems] A semiconductor laser driving device of the present invention spatially separates a semiconductor laser serving as a heating element and a semiconductor laser driving circuit also serving as a heating element. A semiconductor laser and a semiconductor laser drive circuit for driving the semiconductor laser are electrically connected through a line having a characteristic impedance equivalent to the impedance of the semiconductor laser. Furthermore, the temperature of the semiconductor laser is independently controlled. Generally, a semiconductor laser is handled as a semiconductor laser module, and a semiconductor laser drive circuit is handled as a circuit board on which electronic components such as a pulse drive circuit are mounted.

【0013】ここで、特性インピーダンス線路を同軸ケ
ーブルとすると最も簡易且つ安価に構成することができ
る。そして、同軸ケーブルを複数本並列接続してインピ
ーダンスを整合させてもよい。
[0013] Here, if the characteristic impedance line is a coaxial cable, it can be constructed most simply and inexpensively. A plurality of coaxial cables may be connected in parallel to match impedance.

【0014】また、特性インピーダンス線路の特性イン
ピーダンスが、半導体レーザのインピーダンスあるいは
駆動回路の出力インピーダンスと一致しないときは、特
性インピーダンス線路の入出力端の一端部あるいは両端
部に、適正なインピーダンス素子、例えば抵抗素子を直
列、並列あるいは両者を組合せて挿入し、特性インピー
ダンス線路の一端部あるいは両端部におけるインピーダ
ンスを整合させることが望ましい。
Furthermore, when the characteristic impedance of the characteristic impedance line does not match the impedance of the semiconductor laser or the output impedance of the drive circuit, an appropriate impedance element, such as It is desirable to insert a resistance element in series, in parallel, or in a combination of both to match the impedance at one end or both ends of the characteristic impedance line.

【0015】また、半導体レーザの温度を正確に検出し
てその温度制御を高精度に行うために、半導体レーザを
収納しているモジュールに温度センサ、例えばサーミス
タを内蔵することが望ましい。
Furthermore, in order to accurately detect the temperature of the semiconductor laser and control the temperature with high precision, it is desirable to incorporate a temperature sensor, for example a thermistor, into the module housing the semiconductor laser.

【0016】[0016]

【作用】同じ発熱体といっても、半導体レーザ駆動回路
よりも半導体レーザの方がはるかに発熱量は小さく、し
かも半導体レーザの温度が光出力の発振波長、出力等の
変動に直接関与することから、半導体レーザのみを温度
制御することが望ましい。そのためには、先ず、半導体
レーザの駆動性を損うことなく、両者を空間的に分離す
る必要がある。
[Operation] Even though they are the same heating element, the amount of heat generated by the semiconductor laser is much smaller than that of the semiconductor laser drive circuit, and furthermore, the temperature of the semiconductor laser is directly related to fluctuations in the oscillation wavelength, output, etc. of the optical output. Therefore, it is desirable to control the temperature of only the semiconductor laser. To do this, first of all, it is necessary to spatially separate the two without impairing the drive performance of the semiconductor laser.

【0017】本発明のように、発熱体である駆動回路用
回路基板と半導体レーザとを半導体レーザのインピーダ
ンスと同じ特性インピーダンスの線路、例えば同軸ケー
ブルで接続すると、インピーダンス特性の異なる単線や
撚線で接続する場合と異なり、パルス波形の変歪を発生
せずに半導体レーザに伝送できる。特に、同軸ケーブル
を用いた場合には伝送信号が高周波に対応しているので
、その特性インピーダンスを半導体レーザのインピーダ
ンスである数Ωに整合させたとき、伝送信号の損失反射
等の悪影響を最も有効に防止できる。
As in the present invention, when the circuit board for the driving circuit, which is a heating element, and the semiconductor laser are connected by a line having the same characteristic impedance as the impedance of the semiconductor laser, for example, a coaxial cable, a single wire or twisted wire having different impedance characteristics can be connected. Unlike the case where the pulse waveform is connected, the pulse waveform can be transmitted to the semiconductor laser without distortion. In particular, when using a coaxial cable, the transmission signal corresponds to a high frequency, so matching the characteristic impedance to the impedance of a semiconductor laser, which is several ohms, is most effective against negative effects such as loss and reflection of the transmission signal. can be prevented.

【0018】このように半導体レーザの駆動に支障を生
じることがなく、回路基板と半導体レーザとを空間的に
分離できるので、発熱量の小さい半導体レーザのみを分
離して温度制御することができる。その結果、装置の小
型化、低コストが可能となる。
[0018] As described above, since the circuit board and the semiconductor laser can be spatially separated without causing any trouble in driving the semiconductor laser, it is possible to separate and control the temperature of only the semiconductor laser that generates a small amount of heat. As a result, the device can be made smaller and lower in cost.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の実施例を図1〜図3を用いて
説明する。
Embodiments Examples of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.

【0020】図1に本実施例の半導体レーザ駆動装置の
構成を示す。レーザ光を取り出す光ファイバ1aをもつ
半導体レーザモジュール1bは、これをパルス駆動する
半導体レーザ駆動回路を搭載した回路基板2aと空間的
に分離されている。この回路基板2aと半導体レーザモ
ジュール1bとは同軸ケーブル10で電気的に接続され
、パルス波形の変歪を発生せずに半導体レーザを駆動で
きるようになっている。半導体レーザモジュール1bは
半導体レーザの温度を制御する温度制御用ペルチェ素子
4bと密着接続され、このペルチェ素子4bにはペルチ
ェ素子放熱用ヒートシンク5bが取り付けられている。 半導体レーザを冷却するためにペルチェ素子4bに要求
される冷却能力は、それほど大きくないため放熱用ファ
ンは不要となる。
FIG. 1 shows the configuration of the semiconductor laser driving device of this embodiment. A semiconductor laser module 1b having an optical fiber 1a for extracting laser light is spatially separated from a circuit board 2a on which a semiconductor laser drive circuit for pulse driving is mounted. The circuit board 2a and the semiconductor laser module 1b are electrically connected by a coaxial cable 10, so that the semiconductor laser can be driven without causing distortion of the pulse waveform. The semiconductor laser module 1b is closely connected to a temperature control Peltier element 4b that controls the temperature of the semiconductor laser, and a Peltier element heat sink 5b is attached to the Peltier element 4b. Since the cooling capacity required of the Peltier element 4b to cool the semiconductor laser is not so large, a heat dissipation fan is not required.

【0021】回路基板2aには同期信号発生部2bと高
圧電源7とが接続され、同期信号発生部2bから同期信
号が回路基板2aに入力したとき半導体レーザ駆動パル
スが発生し、これが同軸ケーブル10により伝送されて
半導体レーザ1b内の半導体レーザを駆動する。
A synchronizing signal generator 2b and a high-voltage power supply 7 are connected to the circuit board 2a, and when a synchronizing signal is input from the synchronizing signal generator 2b to the circuit board 2a, a semiconductor laser driving pulse is generated, which is transmitted to the coaxial cable 10. The signal is transmitted to drive the semiconductor laser in the semiconductor laser 1b.

【0022】ここで半導体レーザモジュール1bとは、
図2の示すように、リードを設けたダイ上に半導体レー
ザチップ11を取り付け、キャップを被せたものである
。本実施例では、特に、この半導体レーザモジュール1
b内に、レーザチップ11に近接してサーミスタ12を
設置してある。これによりレーザチップ11の温度変化
を直接的に且つ正確に測定できる構成となっている。
[0022] Here, the semiconductor laser module 1b is:
As shown in FIG. 2, a semiconductor laser chip 11 is mounted on a die provided with leads, and a cap is placed on the die. In this embodiment, in particular, this semiconductor laser module 1
A thermistor 12 is installed in the vicinity of the laser chip 11 in the inside. This provides a configuration in which temperature changes in the laser chip 11 can be directly and accurately measured.

【0023】ペルチェ素子4bには温度制御器8が接続
され、モジュール1bに内蔵したサーミスタ12からの
温度情報を温度制御器8に導き、それによりペルチェ素
子4bに流す電流を制御することにより半導体レーザモ
ジュール1bの温度制御を行っている。
A temperature controller 8 is connected to the Peltier element 4b, and the temperature information from the thermistor 12 built in the module 1b is guided to the temperature controller 8, thereby controlling the current flowing through the Peltier element 4b, thereby controlling the semiconductor laser. The temperature of module 1b is controlled.

【0024】ところで、回路基板2aで発生する高周波
を、パルス波形の変歪を発生させることなく、半導体レ
ーザモジュール1bに伝送するには、同軸ケーブル10
の特性インピーダンスを、半導体レーザモジュール1b
のインピーダンスと等しくする必要がある。半導体レー
ザモジュール1bのインピーダンスは通常数Ωである。 もし、このインピーダンスと等しい同軸ケーブル10が
簡単且つ安価に入手できない場合には、次に述べる様な
変形、あるいは代替品を用いることができる。
By the way, in order to transmit the high frequency generated by the circuit board 2a to the semiconductor laser module 1b without causing distortion of the pulse waveform, the coaxial cable 10 is used.
The characteristic impedance of the semiconductor laser module 1b is
must be equal to the impedance of The impedance of the semiconductor laser module 1b is usually several ohms. If the coaxial cable 10 having the same impedance cannot be easily and inexpensively obtained, the following modifications or substitutes may be used.

【0025】通常入手できる同軸ケーブルの特性インピ
ーダンスは、半導体レーザのそれよりも数十倍と大きい
が、次式のように同軸ケーブルを複数本並列接続するこ
とでインピーダンスを減少させることができる。
The characteristic impedance of commonly available coaxial cables is several tens of times larger than that of semiconductor lasers, but the impedance can be reduced by connecting a plurality of coaxial cables in parallel as shown in the following equation.

【0026】                       Z0 
´=Z0 /n          ただし、Z0  
 ;1本の同軸ケーブルの特性インピーダンス    
              n    ;並列接続本
数                  Z0 ´;並
列接続同軸ケーブルの特性インピーダンス一般の同軸ケ
ーブルの特性インピーダンスは50又は75Ωである。 従って、例えば、コンピュータ機器用としてよく使われ
るZ0 =50Ωの同軸フラットケーブルを用いた場合
には、10本並列に使用すればZ0 ´=5Ωとなるの
で、インピーダンスの整合が容易に実現できる。
Z0
'=Z0 /n However, Z0
;Characteristic impedance of one coaxial cable
n; Number of parallel connections Z0'; Characteristic impedance of parallel connected coaxial cables The characteristic impedance of common coaxial cables is 50 or 75Ω. Therefore, for example, if a coaxial flat cable with Z0 = 50Ω, which is often used for computer equipment, is used, if 10 coaxial cables are used in parallel, Z0' = 5Ω, and impedance matching can be easily achieved.

【0027】以上述べたように本実施例は、半導体レー
ザモジュールと半導体レーザ駆動回路基板とを空間的に
分離し、これらを半導体レーザのインピーダンス相当の
特性インピーダンスをもつ同軸ケーブルで電気的に接続
して、半導体レーザを独立して温度制御するようにした
ものである。従って、本来制御する必要のある半導体レ
ーザモジュールのみを制御できるため、ヒートシンク放
熱用ファンも不要となり、制御装置を小型化できる。ま
た、半導体レーザモジュールと回路基板とを樹脂でモー
ルドする必要もなく、温度制御する部分も半導体レーザ
モジュールのみと非常に狭いため微妙な温度制御が可能
となり、光出力の発振波長、出力等の変動を有効に抑え
ることが容易になる。さらに、サーミスタ12が半導体
レーザモジュール1bに内蔵され、レーザチップの温度
変化をより正確に測定できるため、温度制御すべき半導
体レーザの瞬時の温度変化を検知することができる。こ
のため、大出力半導体レーザの精度の高い温度制御が可
能になる。なお、本発明は小出力半導体レーザにも適用
できることは勿論である。
As described above, in this embodiment, the semiconductor laser module and the semiconductor laser drive circuit board are spatially separated and electrically connected using a coaxial cable having a characteristic impedance equivalent to the impedance of the semiconductor laser. Therefore, the temperature of the semiconductor laser can be controlled independently. Therefore, since only the semiconductor laser module that originally needs to be controlled can be controlled, there is no need for a heat sink heat dissipation fan, and the control device can be downsized. In addition, there is no need to mold the semiconductor laser module and circuit board with resin, and the area for temperature control is only the semiconductor laser module, which is very narrow, making delicate temperature control possible, and fluctuations in the oscillation wavelength, output, etc. of the optical output. It becomes easier to effectively suppress Furthermore, since the thermistor 12 is built into the semiconductor laser module 1b and can more accurately measure temperature changes in the laser chip, it is possible to detect instantaneous temperature changes in the semiconductor laser whose temperature is to be controlled. Therefore, highly accurate temperature control of the high-power semiconductor laser becomes possible. It goes without saying that the present invention can also be applied to low-power semiconductor lasers.

【0028】また、同軸ケーブルを並列、直列、あるい
はこれらを組合せても整合がうまくとれない場合には、
図3に示すように、半導体レーザのインピーダンスと直
列に数Ωのインピーダンス素子、例えば抵抗体13を接
続する。抵抗体13の接続箇所は、同図に示すように、
駆動回路基板2aと接続した同軸ケーブル10の入力端
と反対側の出力端に接続する。この様にすることで、整
合をとることもできる。特に、このような整合補正をす
ることにより、次の様な2つのメリットがある。(1)
 通常、特性インピーダンスの小さい同軸ケーブル線路
を作ることは、規格外であることもあって容易ではない
。しかし、上述のように整合補正して半導体レーザの入
力インピーダンスを上げるようにすれば、同軸ケーブル
線路( 1本あるいは複数本の並列接続) の特性イン
ピーダンスを半導体レーザの固有インピーダンスよりも
大きくすることができるため、望む特性の同軸ケーブル
線路が容易に得られる。
[0028] In addition, if coaxial cables cannot be matched in parallel, in series, or by a combination of these,
As shown in FIG. 3, an impedance element of several Ω, such as a resistor 13, is connected in series with the impedance of the semiconductor laser. The connection points of the resistor 13 are as shown in the figure.
It is connected to the output end of the coaxial cable 10 opposite to the input end connected to the drive circuit board 2a. By doing this, it is also possible to achieve consistency. In particular, by performing such matching correction, there are two advantages as follows. (1)
Normally, it is not easy to create a coaxial cable line with low characteristic impedance, partly because it is non-standard. However, if the input impedance of the semiconductor laser is increased through matching correction as described above, the characteristic impedance of the coaxial cable line (one or more parallel connections) can be made larger than the characteristic impedance of the semiconductor laser. Therefore, a coaxial cable line with desired characteristics can be easily obtained.

【0029】(2) 半導体レーザのインピーダンスが
素子毎にばらつきをもつ場合であっても、同軸ケーブル
線路の特性インピーダンスを半導体レーザの固有インピ
ーダンスのばらつきの上限より高いものを使えば、半導
体レーザのインピーダンスのばらつきによる同軸ケーブ
ル線路との間のインピーダンスの不整合を、直列に挿入
する素子のインピーダンスを適切に選ぶことにより吸収
することができる。この場合、特に、半導体レーザとイ
ンピーダンス素子の接続方法は、直列接続に限らず、並
列接続あるいはこの両者を併用したものでも構わない。
(2) Even if the impedance of the semiconductor laser varies from element to element, if the characteristic impedance of the coaxial cable line is higher than the upper limit of the variation of the inherent impedance of the semiconductor laser, the impedance of the semiconductor laser can be adjusted. The impedance mismatch between the coaxial cable and the coaxial cable line due to variations in the values can be absorbed by appropriately selecting the impedance of the elements inserted in series. In this case, in particular, the method of connecting the semiconductor laser and the impedance element is not limited to series connection, but may be parallel connection or a combination of both.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
効果を発揮する。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention provides the following effects.

【0031】(1) 半導体レーザとこれを駆動する半
導体レーザ駆動回路とを空間的に分離したので、半導体
レーザのみを効率的に温度制御することができる。
(1) Since the semiconductor laser and the semiconductor laser drive circuit that drives it are spatially separated, it is possible to efficiently control the temperature of only the semiconductor laser.

【0032】(2) 温度制御する部分は、半導体レー
ザだけであるため、装置を小型化でき、低コスト化にも
つながる。
(2) Since the only part that controls the temperature is the semiconductor laser, the device can be made smaller and the cost can be reduced.

【0033】(3) 特に、発熱体である半導体レーザ
駆動回路と半導体レーザのインピーダンスとに等しい特
性インピーダンスの同軸ケーブルで接続すれば、波形歪
なしに半導体レーザを駆動できる。
(3) In particular, the semiconductor laser can be driven without waveform distortion by connecting the semiconductor laser drive circuit, which is a heating element, with a coaxial cable having a characteristic impedance equal to the impedance of the semiconductor laser.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の半導体レーザ駆動装置の実施例による
構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of a semiconductor laser driving device of the present invention.

【図2】半導体レーザモジュールの実施例による断面図
FIG. 2 is a cross-sectional view of an embodiment of a semiconductor laser module.

【図3】本発明の他の実施例による構成図。FIG. 3 is a configuration diagram according to another embodiment of the present invention.

【図4】従来の半導体レーザ駆動装置の構成図。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional semiconductor laser driving device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a    光ファイバ 1b    半導体レーザモジュール 2a    半導体レーザ駆動回路基板2b    同
期信号発生部 4a、4b  ペルチェ素子 5a、5b  ヒートシンク 6    ヒートシンク放熱用ファン 7    高圧電源 8    温度制御器 9    温度センサ 10  同軸ケーブル 11  半導体レーザチップ 12  サーミスタ 13  インピーダンス素子
1a Optical fiber 1b Semiconductor laser module 2a Semiconductor laser drive circuit board 2b Synchronous signal generator 4a, 4b Peltier elements 5a, 5b Heat sink 6 Heat sink heat dissipation fan 7 High voltage power supply 8 Temperature controller 9 Temperature sensor 10 Coaxial cable 11 Semiconductor laser chip 12 Thermistor 13 Impedance element

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体レーザとこれを駆動する半導体
レーザ駆動回路とを空間的に分離し、前記半導体レーザ
と半導体レーザ駆動回路とを半導体レーザのインピーダ
ンス相当の特性インピーダンスをもつ線路で電気的に接
続して、半導体レーザを独立して温度制御するようにし
たことを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
1. A semiconductor laser and a semiconductor laser drive circuit for driving the same are spatially separated, and the semiconductor laser and the semiconductor laser drive circuit are electrically connected by a line having a characteristic impedance equivalent to the impedance of the semiconductor laser. A semiconductor laser driving device characterized in that the temperature of the semiconductor laser is independently controlled.
【請求項2】  前記特性インピーダンス線路が同軸ケ
ーブルであることを特徴とする請求項1に記載の半導体
レーザ駆動装置。
2. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein the characteristic impedance line is a coaxial cable.
【請求項3】  前記特性インピーダンス線路の入出力
端の少なくとも一端部に、インピーダンス素子を挿入し
て特性インピーダンス線路の当該端部におけるインピー
ダンス整合を行うようにしたことを特徴とする請求項1
または2に記載の半導体レーザ駆動装置。
3. An impedance element is inserted into at least one input/output end of the characteristic impedance line to perform impedance matching at the end of the characteristic impedance line.
Or the semiconductor laser drive device according to 2.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5422900A (en) * 1994-04-28 1995-06-06 Eastman Kodak Company Integrated laser module
JP2001077455A (en) * 1999-06-29 2001-03-23 Kyocera Corp Optical module and connecting structure thereof
JP2002368326A (en) * 2001-06-05 2002-12-20 Furukawa Electric Co Ltd:The Method of cooling laser diode module and light source consisting thereof
JP2011040764A (en) * 1999-06-29 2011-02-24 Kyocera Corp Optical module and connecting construction therefor

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