JPH04260692A - Cylinder container for vaporizing feeder of organometallic compound - Google Patents
Cylinder container for vaporizing feeder of organometallic compoundInfo
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属気相成長法(
MOCVD 法)により化合物半導体のエピタキシャル
薄膜を製造するための有機金属化合物の気化供給装置に
用いるシリンダ容器に関するものである。[Industrial Application Field] The present invention is directed to an organometallic vapor phase epitaxy method (
The present invention relates to a cylinder container used in an organometallic compound vaporization supply apparatus for producing an epitaxial thin film of a compound semiconductor by MOCVD (MOCVD method).
【0002】0002
【従来の技術】近年、化合物半導体の結晶成長法として
有機金属化合物を用いた MOCVD法が注目を集めて
いる。
MOCVD法は、化合物あるいは混晶半導体のエピタ
キシャル薄膜を作成するうえで良く用いられる結晶成長
手段の一つで、例えばトリメチルガリウム、トリメチル
アルミニウムのような有機金属化合物を原料とし、その
熱分解反応を利用して薄膜の結晶成長を行なう方法であ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, the MOCVD method using organometallic compounds has been attracting attention as a method for growing crystals of compound semiconductors. The MOCVD method is one of the crystal growth methods often used to create epitaxial thin films of compounds or mixed crystal semiconductors.The MOCVD method uses organometallic compounds such as trimethylgallium and trimethylaluminum as raw materials and utilizes their thermal decomposition reactions. This method involves growing thin film crystals.
【0003】有機金属化合物を結晶成長炉内へ供給する
には、有機金属化合物を収納したシリンダ容器にキャリ
アガスを送り込み、有機金属化合物を気化するとともに
結晶成長炉内へ輸送する方法がある。有機金属化合物が
液体の場合、化合物中にH2等のキャリアガスを導入し
て発泡(バブリング)させ、所定の温度における有機金
属化合物の飽和蒸気を結晶成長炉内に導入している。[0003] In order to supply the organometallic compound into the crystal growth furnace, there is a method of feeding a carrier gas into a cylinder container containing the organometallic compound, vaporizing the organometallic compound, and transporting it into the crystal growth furnace. When the organometallic compound is a liquid, a carrier gas such as H2 is introduced into the compound to cause bubbling, and saturated vapor of the organometallic compound at a predetermined temperature is introduced into the crystal growth furnace.
【0004】図5に従来のシリンダ容器の一例を示す。
同図にはシリンダ容器を気化供給装置に組み込んだ状態
を示してある。FIG. 5 shows an example of a conventional cylinder container. The figure shows the cylinder container installed in the vaporization supply device.
【0005】図5において、42は減圧弁、43はキャ
リアガスの質量流量を制御するマスフローコントローラ
、45はシリンダ容器である。シリンダ容器45には液
状の有機金属化合物44が充填されている。46は恒温
槽で、シリンダ容器45を一定温度に保つ。47は入口
用バルブ、48はディップチューブでありキャリアガス
をシリンダ容器45の下方へ導入する。49は出口用バ
ルブ、51はパージ用バルブである。52はニードルバ
ルブで、結晶成長を減圧下で行なう場合にシリンダ容器
45の入口および出口付近における気体の圧力を1気圧
程度に保つ。53・54は接続金具である。11は結晶
成長を行なう結晶成長炉で、12はヒータ、13は基板
、14は真空ポンプ、15は減圧度調整用バルブである
。In FIG. 5, 42 is a pressure reducing valve, 43 is a mass flow controller that controls the mass flow rate of carrier gas, and 45 is a cylinder container. The cylinder container 45 is filled with a liquid organometallic compound 44 . Reference numeral 46 denotes a constant temperature bath, which keeps the cylinder container 45 at a constant temperature. 47 is an inlet valve, and 48 is a dip tube for introducing carrier gas into the lower part of the cylinder container 45. 49 is an outlet valve, and 51 is a purge valve. Reference numeral 52 denotes a needle valve that maintains the gas pressure near the inlet and outlet of the cylinder container 45 at about 1 atmosphere when crystal growth is performed under reduced pressure. 53 and 54 are connection fittings. 11 is a crystal growth furnace for growing crystals; 12 is a heater; 13 is a substrate; 14 is a vacuum pump; and 15 is a valve for adjusting the degree of reduced pressure.
【0006】この装置は以下のように使用する。シリン
ダ容器45を配管ラインに接続する。減圧弁42から結
晶成長炉11に至る配管ラインには空気等が混入してい
るため、パージ用バルブ51を開いてキャリアガスで系
内を置換する。置換が終了したらパージ用バルブ51を
閉じておく。恒温槽46の温度を正確に設定して有機金
属化合物44の蒸気圧を決める。マスフローコントロー
ラ43で正確に制御したキャリアガスをバルブ47を開
いてシリンダ容器45内に導入してバブリングし、バル
ブ49を開いて所望濃度の有機金属化合物44を含むキ
ャリアガスを結晶成長炉11に導入する。結晶成長炉1
1内は真空ポンプ14で減圧され、導入管16よりV族
の水素化物が予め導入されているため、基板13に化合
物半導体のエピタキシャル薄膜が形成されてゆく。[0006] This device is used as follows. Connect the cylinder container 45 to a piping line. Since air or the like is mixed in the piping line from the pressure reducing valve 42 to the crystal growth furnace 11, the purge valve 51 is opened to replace the inside of the system with carrier gas. When the replacement is completed, the purge valve 51 is closed. The vapor pressure of the organometallic compound 44 is determined by accurately setting the temperature of the constant temperature bath 46. The carrier gas accurately controlled by the mass flow controller 43 is introduced into the cylinder container 45 by opening the valve 47 and bubbled therein, and the carrier gas containing the organometallic compound 44 at the desired concentration is introduced into the crystal growth furnace 11 by opening the valve 49. do. Crystal growth furnace 1
1 is depressurized by a vacuum pump 14, and group V hydride is introduced in advance from an inlet pipe 16, so that an epitaxial thin film of a compound semiconductor is formed on the substrate 13.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このシリンダ
容器45には構造や作用に関する以下のような問題があ
る。However, this cylinder container 45 has the following problems regarding its structure and operation.
【0008】シリンダ容器45は恒温槽46に入れて一
定温度に保つ必要があるためにバルブ47・49は恒温
槽46の外部に配置され、バルブ47・49とシリンダ
容器45との間隔が長くなる。例えば図5のシリンダ容
器45では、バルブ47・49は恒温層46の水面のす
ぐ上に位置し、操作性が良くない。このようなバブリン
グによって有機金属化合物44を導入するシリンダ45
の場合、有機金属化合物の飽和ガスを得るためには底部
の幅寸法よりも高さ寸法を長く設定する必要がある。例
えば 200mlの標準的なシリンダでは、高さ寸法が
250〜300mm の縦長形状になる。また、生産
ラインでは生産性や膜厚制御のために原料一種に対して
複数の供給系を設けているため、例えば4元系の薄膜を
得るには原料の供給系だけでも6〜10系列の供給系が
必要であり、気化供給装置のうちシリンダ容器が占める
容積が大きくなってしまう。シリンダ容器45の大容量
化を図るにはさらに高さを伸長しなければならず、気化
供給装置を小型化する際の障害になっている。Since the cylinder container 45 needs to be kept at a constant temperature by placing it in a constant temperature bath 46, the valves 47 and 49 are arranged outside the constant temperature bath 46, and the distance between the valves 47 and 49 and the cylinder container 45 becomes long. . For example, in the cylinder container 45 shown in FIG. 5, the valves 47 and 49 are located just above the water surface of the constant temperature layer 46, and the operability is not good. A cylinder 45 into which the organometallic compound 44 is introduced by such bubbling.
In this case, in order to obtain a saturated gas of the organometallic compound, it is necessary to set the height dimension longer than the width dimension of the bottom part. For example, a standard cylinder of 200 ml has a vertically elongated shape with a height of 250 to 300 mm. In addition, production lines have multiple supply systems for each type of raw material in order to control productivity and film thickness. For example, to obtain a quaternary thin film, the raw material supply system alone requires 6 to 10 systems. A supply system is required, and the volume occupied by the cylinder container in the vaporization supply device becomes large. In order to increase the capacity of the cylinder container 45, the height must be further increased, which is an obstacle to downsizing the vaporization supply device.
【0009】シリンダ容器45を配管ラインに取付けた
際や、原料供給の開始時や停止時には、キャリアガスを
送気して配管系内をパージすることが必要であるが、従
来のシリンダ容器45の場合、バルブ47・49の構造
が複雑で内部にデッドスペースがあるため、パージやガ
ス置換を完全に行なうことが難しい。配管内部が酸化さ
れた有機金属化合物で汚染されたり、その結果、結晶成
長したデバイスの品質が著しく悪化することがある。When the cylinder container 45 is attached to a piping line or when starting or stopping raw material supply, it is necessary to supply carrier gas to purge the inside of the piping system. In this case, the valves 47 and 49 have a complicated structure and have dead space inside, making it difficult to completely purge or replace gas. The inside of the piping may become contaminated with oxidized organometallic compounds, and as a result, the quality of crystal-grown devices may deteriorate significantly.
【0010】シリンダ容器45を気化供給装置に取付け
る際に、キャリアガスの入口と出口とを誤って逆に取付
けると、有機金属化合物44がシリンダ容器45の外部
に放出される可能性がある。正常に取付けられた場合で
も、ガス導入やバルブの操作ミスによってガス入口側の
気体圧力がガス出口側の圧力よりも低下すると、有機金
属化合物44が逆流してバルブ47やマスフローコント
ローラ43を著しく汚染することがある。このような操
作ミスがシリンダ容器45の着脱の際に発生すると非常
に危険である。[0010] When attaching the cylinder container 45 to the vaporization supply device, if the inlet and outlet of the carrier gas are mistakenly installed in reverse order, the organometallic compound 44 may be released to the outside of the cylinder container 45. Even if it is installed correctly, if the gas pressure on the gas inlet side becomes lower than the pressure on the gas outlet side due to gas introduction or valve operation error, the organometallic compound 44 will flow back and seriously contaminate the valve 47 and mass flow controller 43. There are things to do. It is very dangerous if such an operational error occurs when the cylinder container 45 is attached or detached.
【0011】シリンダ容器45内に有機金属化合物44
が十分満たされている場合、容器上部の空間45aが狭
いため、ディップチューブ48から導入されたキャリア
ガスの気泡がはじける際に、有機金属化合物44の飛沫
がシリンダ容器45の出口に付着したり、液面が激しく
揺れて有機金属化合物44が出口に飛び出すことが頻繁
にある。シリンダ容器45から結晶成長炉11へ至る配
管等に有機金属化合物44が付着すると、目的とする供
給量以上の原料が結晶成長炉11へ導入されるため、結
晶成長の組成を化学量論的に制御することは全く不可能
になる。The organometallic compound 44 is contained in the cylinder container 45.
is sufficiently filled, the space 45a above the container is narrow, so when the carrier gas bubbles introduced from the dip tube 48 burst, droplets of the organometallic compound 44 may adhere to the outlet of the cylinder container 45. Frequently, the liquid level shakes violently and the organometallic compound 44 jumps out to the outlet. If the organometallic compound 44 adheres to the piping etc. leading from the cylinder container 45 to the crystal growth furnace 11, more raw materials than the intended supply amount will be introduced into the crystal growth furnace 11, so the composition of the crystal growth will be stoichiometrically It becomes completely impossible to control.
【0012】本発明は前記の課題を解決するためなされ
たもので、小型で、安全性が高く、高品質な結晶薄膜が
得られる有機金属化合物気化供給装置用のシリンダ容器
を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a cylinder container for an organometallic compound vaporization supply device that is small in size, highly safe, and capable of producing a high-quality crystalline thin film. shall be.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めになされた本発明の有機金属化合物気化供給装置用の
シリンダ容器を実施例に対応する図面を用いて説明する
。[Means for Solving the Problems] A cylinder container for an organometallic compound vaporization supply apparatus of the present invention, which has been made to achieve the above object, will be explained using drawings corresponding to embodiments.
【0014】本発明の第1発明である有機金属化合物気
化供給装置用のシリンダ容器は、図1に示すように、底
部の最大幅寸法よりも高さ寸法が短い扁平形状容器20
の上面に、バルブ22を介して加熱減圧下の結晶成長炉
11に接続する一本の流路21が設けられ、流路21の
容器20側は容器との接続部近傍にて屈曲して水平方向
に延びていることを特徴としている。As shown in FIG. 1, the cylinder container for the organometallic compound vaporization supply apparatus, which is the first invention of the present invention, has a flat container 20 whose height is shorter than the maximum width of the bottom.
A single channel 21 is provided on the top surface of the channel 21 to connect to the crystal growth furnace 11 under heating and depressurization via a valve 22, and the channel 21 on the container 20 side is bent near the connection with the container to form a horizontal It is characterized by extending in the direction.
【0015】本発明の第2発明である有機金属化合物気
化供給装置用のシリンダ容器は、図2に示すように、底
部の最大幅寸法よりも高さ寸法が短い扁平形状容器20
の側面に、バルブ22を介して加熱減圧下の結晶成長炉
に接続する一本の流路21が設けられていることを特徴
としている。As shown in FIG. 2, the cylinder container for the organometallic compound vaporization supply apparatus according to the second aspect of the present invention has a flat container 20 whose height is shorter than the maximum width of the bottom.
The device is characterized in that a single flow path 21 is provided on the side surface thereof, which connects via a valve 22 to a crystal growth furnace under heating and reduced pressure.
【0016】本発明の第3発明である有機金属化合物気
化供給装置用のシリンダ容器は、図4に示すように、底
部の最大幅寸法よりも高さ寸法が短い扁平形状容器20
に、原料ガスバルブ25を介して加熱減圧下の結晶成長
炉11に接続する一本の原料ガス流路21が設けられ、
原料ガスバルブ25の排出側にキャリアガスバルブ35
を介してキャリアガス源に接続するキャリアガス流路3
1が接続され、原料ガスバルブ25とキャリアガスバル
ブ35とが一体化されたブロックバルブ32であること
を特徴としている。As shown in FIG. 4, a cylinder container for an organometallic compound vaporization supply apparatus according to the third aspect of the present invention has a flat container 20 whose height is shorter than the maximum width of the bottom.
A single raw material gas flow path 21 is provided which connects to the crystal growth furnace 11 under heating and reduced pressure via a raw material gas valve 25,
A carrier gas valve 35 is installed on the discharge side of the raw material gas valve 25.
a carrier gas flow path 3 connecting to a carrier gas source via
1 is connected to the block valve 32 in which the raw material gas valve 25 and the carrier gas valve 35 are integrated.
【0017】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。図
1は本発明の第1発明を適用するシリンダ容器の一実施
例である。同図にはシリンダ容器を有機金属化合物の気
化供給装置に取付けた状態の概略図が示してある。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 shows an embodiment of a cylinder container to which the first invention of the present invention is applied. This figure shows a schematic view of the cylinder container attached to the organometallic compound vaporization supply device.
【0018】シリンダ容器20は、底部の最大幅寸法よ
りも高さ寸法が短い扁平形状容器であり、内部には有機
金属化合物26が充填されている。容器20の上面には
一本の導管21が設けられ、その容器20側は、容器2
0との接続部近傍にて屈曲して水平方向に延び、バルブ
22およびマスフローコントローラ23を介して結晶成
長炉11に接続されている。結晶成長炉11には減圧度
調整用バルブ15を介して真空ポンプ14が接続されて
いる。結晶成長炉11はヒータ12で加熱される構造で
あるとともに、V族ガスなどを導入する導入管16が設
けてある。シリンダ容器20およびバルブ22は恒温槽
24に収容されている。The cylinder container 20 is a flat container whose height is shorter than the maximum width of the bottom, and the interior thereof is filled with an organometallic compound 26. A single conduit 21 is provided on the upper surface of the container 20, and the container 20 side is connected to the container 2.
0 and extends horizontally, and is connected to the crystal growth furnace 11 via a valve 22 and a mass flow controller 23. A vacuum pump 14 is connected to the crystal growth furnace 11 via a valve 15 for adjusting the degree of pressure reduction. The crystal growth furnace 11 has a structure that is heated by a heater 12, and is provided with an introduction pipe 16 for introducing group V gas or the like. The cylinder container 20 and the valve 22 are housed in a constant temperature bath 24.
【0019】この装置は以下のように動作させる。先ず
、結晶成長炉11に基板13を装着し、ヒータ12によ
り所定の温度に加熱するとともに真空ポンプ14で系内
を減圧する。恒温槽24内を一定温度に昇温すると、シ
リンダ容器20内の有機金属化合物26の蒸気圧が上昇
して気化をはじめる。この状態でバルブ22を開弁する
と、気体化した有機金属化合物は、導管21のバルブ2
2を経てマスフローコントローラ23に導入される。
有機金属化合物ガスは、マスフローコントローラ23に
て質量流量が計量されて一定値に調整された後、結晶成
長炉11に供給され、基板13に化合物半導体のエピタ
キシャル薄膜が形成されてゆく。所定の膜厚が得られた
ら、バルブ22を閉弁し、有機金属化合物ガスの供給を
停止する。This device operates as follows. First, the substrate 13 is placed in the crystal growth furnace 11, heated to a predetermined temperature by the heater 12, and the pressure inside the system is reduced by the vacuum pump 14. When the temperature inside the constant temperature bath 24 is raised to a constant temperature, the vapor pressure of the organometallic compound 26 inside the cylinder container 20 increases and vaporization begins. When the valve 22 is opened in this state, the gasified organometallic compound is removed from the valve 22 of the conduit 21.
2 and is introduced into the mass flow controller 23. After the mass flow rate of the organometallic compound gas is measured and adjusted to a constant value by a mass flow controller 23, it is supplied to the crystal growth furnace 11, and an epitaxial thin film of a compound semiconductor is formed on the substrate 13. When a predetermined film thickness is obtained, the valve 22 is closed and the supply of the organometallic compound gas is stopped.
【0020】このシリンダ容器20は扁平形状をしてお
り、その上面から水平方向に延びた一本の導管21によ
って結晶成長炉11へ接続しているため、極めて小型で
ある。例えば容量が200ml の場合、その高さ寸法
は50mm程度で、従来(250〜300mm)の1/
5 〜1/6 であるため、気化供給装置全体を小型化
することが出来る。気化供給装置の各構成部品の隙間を
利用してバルブ22を設置でき、バルブ22の操作性が
良い。また、有機金属化合物26が液体の場合でもバブ
リングを行なわないために有機金属化合物44の飛沫が
シリンダ容器45の出口に付着したり、有機金属化合物
44が出口に飛び出すことはない。This cylinder container 20 has a flat shape and is extremely small because it is connected to the crystal growth furnace 11 through a single conduit 21 extending horizontally from its upper surface. For example, if the capacity is 200ml, the height is about 50mm, which is 1/1/2 of the conventional size (250-300mm).
Since it is 5 to 1/6, the entire vaporization supply device can be downsized. The valve 22 can be installed using the gaps between the components of the vaporization supply device, and the valve 22 has good operability. Further, even when the organometallic compound 26 is a liquid, bubbling is not performed, so droplets of the organometallic compound 44 do not adhere to the outlet of the cylinder container 45, and the organometallic compound 44 does not fly out to the outlet.
【0021】図2は本発明の第2発明を適用するシリン
ダ容器の実施例である。このシリンダ容器20は、図1
に示したシリンダ容器20の導管21の取付け位置をシ
リンダ容器20の側面に変更したものである。このよう
に導管21をシリンダ容器20の側面へ取付けると、気
化供給装置全体をさらに小型化することが可能である。
また、バルブ22を操作し易い位置に設置できるため、
作業性が向上する。図3に示すように、導管21の先端
がシリンダ容器20の深部まで達していても良い。図2
および図3に示したシリンダ容器20は、有機金属化合
物26が固体の場合に有効である。FIG. 2 shows an embodiment of a cylinder container to which the second aspect of the present invention is applied. This cylinder container 20 is shown in FIG.
The mounting position of the conduit 21 of the cylinder container 20 shown in FIG. 1 is changed to the side surface of the cylinder container 20. By attaching the conduit 21 to the side surface of the cylinder container 20 in this manner, it is possible to further downsize the entire vaporization supply device. In addition, since the valve 22 can be installed in a position that is easy to operate,
Improves work efficiency. As shown in FIG. 3, the tip of the conduit 21 may reach deep into the cylinder container 20. Figure 2
The cylinder container 20 shown in FIG. 3 is effective when the organometallic compound 26 is solid.
【0022】図4に本発明の第3発明を適用するシリン
ダ容器の実施例を示す。これは、図1に示したシリンダ
容器のマスフローコントローラ23と結晶成長炉11間
に、有機金属化合物ガスを結晶成長炉11に搬送するた
めのキャリアガス源を接続したものである。マスフロー
コントローラ23と結晶成長炉11間には原料ガスバル
ブ25が設けられる。原料ガスバルブ25の排出側には
キャリアガスバルブ35、熱交換器29、マスフローコ
ントローラ28およびバルブ30を介してキャリアガス
源に接続するキャリアガス流路31が接続されている。
原料ガスバルブ25とキャリアガスバルブ35とは一体
化されたブロックバルブ32になっている。シリンダ容
器20をはじめ、バルブ22・30、マスフローコント
ローラ23・28、熱交換器29およびブロックバルブ
32は恒温槽24に収容されている。FIG. 4 shows an embodiment of a cylinder container to which the third aspect of the present invention is applied. In this system, a carrier gas source for conveying organometallic compound gas to the crystal growth furnace 11 is connected between the mass flow controller 23 of the cylinder container shown in FIG. 1 and the crystal growth furnace 11. A source gas valve 25 is provided between the mass flow controller 23 and the crystal growth furnace 11. A carrier gas flow path 31 connected to a carrier gas source is connected to the discharge side of the raw material gas valve 25 via a carrier gas valve 35, a heat exchanger 29, a mass flow controller 28, and a valve 30. The raw material gas valve 25 and the carrier gas valve 35 are integrated into a block valve 32. The cylinder container 20, valves 22 and 30, mass flow controllers 23 and 28, heat exchanger 29, and block valve 32 are housed in a constant temperature bath 24.
【0023】この装置は以下のように動作させる。結晶
成長炉11に基板13を装着し、ヒータ12により所定
の温度に加熱するとともに真空ポンプ14で系内を減圧
する。バルブ30およびキャリアガス35を開弁して所
定量のキャリアガスを流し、減圧度調整用バルブ15を
調整して結晶成長炉11内の減圧度を一定にするととも
に、キャリアガス源から結晶成長炉11に至る流路をパ
ージしておく。原料ガスバルブ25およびキャリアガス
35はブロック化されているため、パージが素早く確実
に行なわれる。空気恒温槽24を一定温度に昇温すると
シリンダ容器20内の有機金属化合物26の蒸気圧が上
昇して気化をはじめる。バルブ22および原料ガスバル
ブ25を開弁すると、気体化した有機金属化合物26は
、バルブ22を経てマスフローコントローラ23に導入
され、質量流量が直接計量されて一定値に調整された後
、バルブ25とバルブ35とが一体化されたブロックバ
ルブ32にてキャリアガスと一定濃度で混合され、結晶
成長炉11へ供給される。This device operates as follows. A substrate 13 is placed in a crystal growth furnace 11, heated to a predetermined temperature by a heater 12, and the pressure inside the system is reduced by a vacuum pump 14. The valve 30 and the carrier gas 35 are opened to allow a predetermined amount of carrier gas to flow, and the degree of pressure reduction adjustment valve 15 is adjusted to maintain a constant degree of pressure reduction in the crystal growth furnace 11. 11 is purged. Since the raw material gas valve 25 and the carrier gas 35 are blocked, purging can be performed quickly and reliably. When the air constant temperature bath 24 is heated to a constant temperature, the vapor pressure of the organometallic compound 26 in the cylinder container 20 increases and vaporization begins. When the valve 22 and the raw material gas valve 25 are opened, the gasified organometallic compound 26 is introduced into the mass flow controller 23 via the valve 22, and the mass flow rate is directly measured and adjusted to a constant value. 35 is integrated with a carrier gas at a constant concentration in a block valve 32, and is supplied to the crystal growth furnace 11.
【0024】[0024]
【発明の作用および効果】以上、詳細に説明したように
本発明のシリンダ容器は、底部の最大幅寸法よりも高さ
寸法が短い扁平形状をしており小型である。そのため、
シリンダ容器が組み込まれる気化供給装置をも小型化す
ることが出来る。バルブ等の流路にデッドスペースが少
なく、パージやガス置換を素早く確実に行なえ、有機金
属化合物の供給量を正確に調節出来るため、組成ばらつ
きが少なく、高品質の大面積の結晶薄膜を効率良く製造
することが可能である。また、シリンダ容器の取付けミ
スやバルブ操作ミスが発生しないため、有機金属化合物
が逆流して系内を汚染したり系外へ放出されることがな
く、安全性が高い。As described above in detail, the cylinder container of the present invention has a flat shape in which the height dimension is shorter than the maximum width dimension of the bottom part, and is compact. Therefore,
The vaporization supply device in which the cylinder container is incorporated can also be downsized. There is little dead space in flow paths such as valves, and purge and gas replacement can be performed quickly and reliably, and the supply amount of organometallic compounds can be adjusted accurately, so there is little compositional variation and high-quality, large-area crystalline thin films can be efficiently produced. It is possible to manufacture. Furthermore, since errors in cylinder container installation and valve operation do not occur, organometallic compounds do not flow back and contaminate the system or are released outside the system, resulting in high safety.
【図1】本発明の第1発明を適用するシリンダ容器を用
いた気化供給装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a vaporization supply device using a cylinder container to which a first aspect of the present invention is applied.
【図2】本発明の第2発明を適用するシリンダ容器を用
いた気化供給装置の概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a vaporization supply device using a cylinder container to which the second invention of the present invention is applied.
【図3】本発明の第2発明を適用するシリンダ容器の別
な実施例を示す概略側面図である。FIG. 3 is a schematic side view showing another embodiment of a cylinder container to which the second invention of the present invention is applied.
【図4】本発明の第3発明を適用するシリンダ容器を用
いた気化供給装置の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a vaporization supply device using a cylinder container to which a third aspect of the present invention is applied.
【図5】従来のシリンダ容器を用いた気化供給装置の概
略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a vaporization supply device using a conventional cylinder container.
11は結晶成長炉、12はヒータ、13は基板、14は
真空ポンプ、15は減圧度調整用バルブ、20はシリン
ダ容器、21は原料ガス流路、22・30はバルブ、2
3・28はマスフローコントローラ、24は恒温槽、2
5は原料ガスバルブ、26は有機金属化合物、29は熱
交換器、31はキャリアガス流路、32はブロックバル
ブ、35はキャリアガスバルブである。11 is a crystal growth furnace, 12 is a heater, 13 is a substrate, 14 is a vacuum pump, 15 is a valve for adjusting the degree of reduced pressure, 20 is a cylinder container, 21 is a source gas flow path, 22 and 30 are valves, 2
3.28 is a mass flow controller, 24 is a constant temperature bath, 2
5 is a raw material gas valve, 26 is an organometallic compound, 29 is a heat exchanger, 31 is a carrier gas flow path, 32 is a block valve, and 35 is a carrier gas valve.
Claims (3)
い扁平形状容器の上面に、バルブを介して加熱減圧下の
結晶成長炉に接続する一本の流路が設けられ、前記流路
の容器側は容器との接続部近傍にて屈曲して水平方向に
延びていることを特徴とする有機金属化合物気化供給装
置用のシリンダ容器。1. A flow path connected to a crystal growth furnace under heating and reduced pressure via a valve is provided on the top surface of a flat container having a height dimension shorter than the maximum width dimension of the bottom part, and the flow path 1. A cylinder container for an organometallic compound vaporization supply device, characterized in that the container side is bent near a connection part with the container and extends in the horizontal direction.
い扁平形状容器の側面に、バルブを介して加熱減圧下の
結晶成長炉に接続する一本の流路が設けられていること
を特徴とする有機金属化合物気化供給装置用のシリンダ
容器。[Claim 2] A flow path connected to a crystal growth furnace under heating and reduced pressure via a valve is provided on the side surface of the flat container whose height dimension is shorter than the maximum width dimension of the bottom part. A cylinder container for an organometallic compound vaporization supply device.
い扁平形状容器に、原料ガスバルブを介して加熱減圧下
の結晶成長炉に接続する一本の原料ガス流路が設けられ
、前記原料ガスバルブの排出側にキャリアガスバルブを
介してキャリアガス源に接続するキャリアガス流路が接
続され、原料ガスバルブとキャリアガスバルブとが一体
化されたブロックバルブであることを特徴とする有機金
属化合物気化供給装置用のシリンダ容器。3. A flat container having a height shorter than the maximum width at the bottom is provided with a raw material gas flow path connected to a crystal growth furnace under heating and reduced pressure via a raw material gas valve. An organometallic compound vaporization and supply device characterized in that a carrier gas flow path connected to a carrier gas source via a carrier gas valve is connected to the discharge side of the gas valve, and is a block valve in which a raw material gas valve and a carrier gas valve are integrated. cylinder container for
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2132791A JP2878462B2 (en) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | Cylinder container for organometallic compound vaporizer |
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JP2132791A JP2878462B2 (en) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | Cylinder container for organometallic compound vaporizer |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04260692A true JPH04260692A (en) | 1992-09-16 |
JP2878462B2 JP2878462B2 (en) | 1999-04-05 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200063946A (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-05 | 주식회사 레이크머티리얼즈 | Apparatus for supplying organometallic compound with double structure |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP2132791A patent/JP2878462B2/en not_active Expired - Fee Related
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