JPH04258151A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Publication number
JPH04258151A
JPH04258151A JP3019592A JP1959291A JPH04258151A JP H04258151 A JPH04258151 A JP H04258151A JP 3019592 A JP3019592 A JP 3019592A JP 1959291 A JP1959291 A JP 1959291A JP H04258151 A JPH04258151 A JP H04258151A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ground
bus line
power supply
circuit
output buffer
Prior art date
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Pending
Application number
JP3019592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Okamura
均 岡村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04258151A publication Critical patent/JPH04258151A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent the malfunction of a circuit by voltage effect, etc., without reducing signal pins by separating the ground bus lines of a plurality of circuits systems such as inner circuits, outer buffer circuits, etc., and further shorting them at a power pad part. CONSTITUTION:A ground bus line 4 for ECL output buffer and a gourd bus line 5 for inner cell are connected by a ground power pad 1, a connecting pattern 2 between the power source pad and the bus line, and a through hole 3. The ground bus line 4 for ECL output buffer is connected to the ground pattern 7 in ECL output buffer. And it supplies a ground current to the base of the output emitter follower transistor of the ECL output buffer. On the other hand, the ground bus line 5 for inner cell supplies a ground current to the inner circuit by a ground supply pattern 8 for inner cell. Hereby, it does not reduce signal pins and the malfunction of the circuit by voltage effect, etc., can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に電源供給線のレイアウトに関する。
[Industrial Application Field] The present invention relates to semiconductor integrated circuits.
Especially regarding the layout of power supply lines.

【0002】0002

【従来の技術】半導体集積回路において、グランドバス
ライン等電源バスラインは、半導体チップ周辺部にレイ
アウトし、一部をボンディングパッドと接続して、ボン
ディング線またはTABによってパッケージのグランド
と接続するのが一般的である。図3に従来の半導体集積
回路のレイアウトの一例を示す。半導体チップの表面に
電源バスライン11,一点鎖線に示す下層のバスライン
パッド間接続パタン12,内部回路への電源電圧供給パ
タン13及び破線に境界を示す外部バッファへの電源電
圧供給パタン14を有している。
BACKGROUND OF THE INVENTION In semiconductor integrated circuits, power bus lines such as ground bus lines are laid out around the semiconductor chip, a part of which is connected to a bonding pad, and connected to the package ground using a bonding line or TAB. Common. FIG. 3 shows an example of the layout of a conventional semiconductor integrated circuit. The surface of the semiconductor chip has a power supply bus line 11, a connection pattern 12 between lower layer bus line pads indicated by a dashed line, a power supply voltage supply pattern 13 to the internal circuit, and a power supply voltage supply pattern 14 to an external buffer whose boundary is indicated by a broken line. are doing.

【0003】次に内部回路及び外部バッファが動作して
電源バスライン11に電流が流れる様子を説明する。I
1を内部回路に流れる電流、I2を外部バッファに流れ
る電流及びRを電源バスライン11の抵抗値とすると、
電源バスライン11には(I1+I2)の電流が流れ、
Rによって(I1+I2)Rの電位差が電源パッド位置
と電流取り出し点A点との間に生じる。
Next, a description will be given of how the internal circuit and external buffer operate and current flows through the power supply bus line 11. I
If 1 is the current flowing in the internal circuit, I2 is the current flowing in the external buffer, and R is the resistance value of the power bus line 11, then
A current of (I1+I2) flows through the power bus line 11,
Due to R, a potential difference of (I1+I2)R is generated between the power supply pad position and the current extraction point A.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体集積
回路では、複数の回路系への電源電流供給を1つのバス
ラインで行なっているため、バスラインを流れる電流量
が多くなりバスラインの抵抗による電位ドロップに起因
する回路性能の劣化,誤動作、及び出力バッファの出力
レベルがずれてしまう等の欠点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In this conventional semiconductor integrated circuit, power supply current is supplied to multiple circuit systems through one bus line, so the amount of current flowing through the bus line increases and the resistance of the bus line increases. There have been drawbacks such as deterioration of circuit performance, malfunction, and shift in the output level of the output buffer due to the potential drop caused by this.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は複数の回路系用に用意した同一電位の複数の電源バス
ラインと、少なくとも一箇所で該電源バスラインの複数
個を短絡する電源パッド−電源バスライン間接続パタン
と、該電源パッド−電流バスライン間接続パタンに接続
された電源パッドとを有して構成されている。
[Means for Solving the Problems] A semiconductor integrated circuit of the present invention has a plurality of power supply bus lines of the same potential prepared for a plurality of circuit systems, and a power supply pad that short-circuits the plurality of power supply bus lines at at least one place. - A power supply bus line connection pattern and a power supply pad connected to the power supply pad-current bus line connection pattern.

【0006】また本発明の半導体集積回路は内部回路セ
ル領域と外部バッファセル領域を有するマスタースライ
ス方式の内部回路用と外部回路用のグランドバスライン
を有して構成されている。
Further, the semiconductor integrated circuit of the present invention is configured to have a ground bus line for an internal circuit and an external circuit of a master slice type having an internal circuit cell area and an external buffer cell area.

【0007】[0007]

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1は本発明の一実施例のマスタースライス方式半導
体装置の平面図である。グランド電源パッド1と、一点
鎖線に示す電源パッド−バスライン間接続パタン2と、
スルーホール3によってECL出力バッファ用グランド
バスライン4と、内部セル用グランドバスライン5に接
続されている。ECL出力バッファグランドバスライン
4は一点鎖線のECL出力バッファ内グランドパタン7
に接続され、ECL出力バッファの出力エミッタフォロ
ワトランジスタのベースにグランド電流を供給している
。一方、内部セル用グランドバスライン5は、内部セル
用グランド供給パタン8によって内部回路にグランド電
流を供給している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a master slice type semiconductor device according to an embodiment of the present invention. A ground power supply pad 1, a power supply pad-bus line connection pattern 2 shown by a dashed line,
It is connected to an ECL output buffer ground bus line 4 and an internal cell ground bus line 5 through a through hole 3. The ECL output buffer ground bus line 4 corresponds to the ECL output buffer internal ground pattern 7 indicated by a dashed-dotted line.
is connected to supply ground current to the base of the output emitter follower transistor of the ECL output buffer. On the other hand, the internal cell ground bus line 5 supplies ground current to the internal circuit by the internal cell ground supply pattern 8.

【0008】本実施例はECLレベル入出力バッファを
有する半導体集積回路を実現した例であるが、図2に概
略の回路構成図を示す。共通グランド7はグランド電源
パッド1に対応しており、ECL出力バッファグランド
バスライン4と内部セル用グランドバスラインに接続さ
れており、ECL出力バッファ用グランドバスライン4
はECL出力回路の出力エミッタフォロワトランジスタ
のベースに抵抗を介して接続されている。出力エミッタ
フォロワトランジスタQのコレクタは、このトランジス
タ動作時の大電流によるノイズがECL出力バッファ用
グランドバスライン4等に影響するのを避けるため、専
用グランドバスライン9に接続している。
This embodiment is an example of realizing a semiconductor integrated circuit having an ECL level input/output buffer, and FIG. 2 shows a schematic circuit configuration diagram. The common ground 7 corresponds to the ground power supply pad 1 and is connected to the ECL output buffer ground bus line 4 and the internal cell ground bus line, and is connected to the ECL output buffer ground bus line 4.
is connected to the base of the output emitter follower transistor of the ECL output circuit via a resistor. The collector of the output emitter follower transistor Q is connected to a dedicated ground bus line 9 in order to prevent noise caused by a large current during operation of this transistor from affecting the ECL output buffer ground bus line 4 and the like.

【0009】この時ECL出力バッファ用グランドバス
ライン4には専用グランドバスライン9に流れる電流の
電流増幅率分の一の電流しか流れないが、出力レベルに
直接影響するためECL出力バッファ用グランドバスラ
イン4の電圧レベルの安定性は極めて重要である。
At this time, only a current equal to one of the current amplification factor of the current flowing through the dedicated ground bus line 9 flows through the ECL output buffer ground bus line 4, but since this directly affects the output level, the ECL output buffer ground bus line 4 The stability of the voltage level on line 4 is extremely important.

【0010】一方、内部セル用グランドバスライン5に
流れる電流は、内部回路15の規模動作周波数によって
は極めて大きくなる。ECL出力バッファ用グランドバ
スライン4の抵抗値をr1,内部セル用グランドバスラ
イン5の抵抗値をr2とすると本実施例では、ECL出
力バッファ部A点と、グランド電源バッド1との電位差
はr2・I2となり、I2が前述の様に小さいから、こ
の電位差の値を小さく抑えられる。
On the other hand, the current flowing through the internal cell ground bus line 5 becomes extremely large depending on the scale and operating frequency of the internal circuit 15. If the resistance value of the ECL output buffer ground bus line 4 is r1, and the resistance value of the internal cell ground bus line 5 is r2, then in this embodiment, the potential difference between the ECL output buffer section A point and the ground power supply pad 1 is r2. -I2, and since I2 is small as mentioned above, the value of this potential difference can be kept small.

【0011】一方、内部回路7は、ECL出力回路程の
グランド電圧レベルの安定性を要しないから電位差r1
・I1が多少大きくても問題ない。本実施例で(I1+
I2)の電流が流れる部分は電源パッド−電源バスライ
ン間接続パタン2のみであり、その電流路は非常に短い
のでこの部分の電圧効果は極めて小さい。また、それぞ
れの電源バスライン専用の電源パッドとせず、共用の電
源パッドとしているため、信号ピン数を減少する必要は
ない。
On the other hand, since the internal circuit 7 does not require as much stability of the ground voltage level as the ECL output circuit, the potential difference r1
- There is no problem even if I1 is a little large. In this example, (I1+
The only portion through which the current I2) flows is the power pad-power bus line connection pattern 2, and the current path is very short, so the voltage effect in this portion is extremely small. Furthermore, since the power supply pads are shared and not dedicated to each power supply bus line, there is no need to reduce the number of signal pins.

【0012】0012

【発明の効果】以上説明したように本発明は、内部回路
と外部バッファ回路等複数の回路系統のグランドバスラ
インを分離して、さらに電源パッド部で短絡する事によ
り、信号ピンを減らさず、しかも電圧効果等による回路
の誤動作等を防ぐ事ができるという効果を有する。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention separates the ground bus lines of multiple circuit systems such as internal circuits and external buffer circuits, and further short-circuits them at the power supply pad, thereby eliminating the need to reduce the number of signal pins. Moreover, it has the effect of preventing circuit malfunctions due to voltage effects and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例の平面レイアウト図である。FIG. 1 is a plan layout diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】図1のレイアウトを使用した半導体集積回路の
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit using the layout of FIG. 1;

【図3】従来の半導体集積回路の一例の平面レイアウト
図である。
FIG. 3 is a plan layout diagram of an example of a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    電源パッド 2    電源パッド−電源バスライン間接続パタン3
    スルーホール 4    ECL出力バッファ用グランドバスライン5
    内部回路用グランドバスライン6    信号
パッド 7    ECL出力バッファ内グランドパタン8  
  内部回路用グランドパタン 9    ECL出力バッファエミッタフォロワ用専用
グランド 10    負電源 11    電源バスライン 12    電源パッド−電源バスライン間接続パタン
13    内部回路用電源バスライン14    外
部回路用電源バスライン15    内部回路
1 Power supply pad 2 Connection pattern between power supply pad and power bus line 3
Through hole 4 Ground bus line 5 for ECL output buffer
Internal circuit ground bus line 6 Signal pad 7 ECL output buffer internal ground pattern 8
Ground pattern for internal circuit 9 Dedicated ground for ECL output buffer emitter follower 10 Negative power supply 11 Power bus line 12 Connection pattern between power pad and power bus line 13 Power bus line for internal circuit 14 Power bus line for external circuit 15 Internal circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  複数の回路系用に用意した同一電位の
複数の電源バスラインと、少なくとも一箇所で該電源バ
スラインの複数個を短絡する電源パッド−電源バスライ
ン間接続パタンと、該電源パッド−電流バスライン間接
続パタンに接続された電源パッドとを有することを特徴
とする半導体集積回路。
1. A plurality of power supply bus lines with the same potential prepared for a plurality of circuit systems, a connection pattern between a power supply pad and a power supply bus line that short-circuits a plurality of the power supply bus lines at at least one point, and the power supply bus line. 1. A semiconductor integrated circuit comprising a power supply pad connected to a pad-current bus line connection pattern.
【請求項2】  内部回路セル領域と外部バッファセル
領域を有するマスタースライス方式の内部回路用と外部
回路用のグランドバスラインを有することを特徴とする
請求項1記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising ground bus lines for an internal circuit and an external circuit of a master slice type having an internal circuit cell area and an external buffer cell area.
JP3019592A 1991-02-13 1991-02-13 Semiconductor integrated circuit Pending JPH04258151A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017197926A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 京东方科技集团股份有限公司 Power supply cord structure, array substrate, and display panel

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US10617004B2 (en) 2016-05-20 2020-04-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Power line structure, array substrate and display panel
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