JPH04253181A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
- Publication number
- JPH04253181A JPH04253181A JP3029366A JP2936691A JPH04253181A JP H04253181 A JPH04253181 A JP H04253181A JP 3029366 A JP3029366 A JP 3029366A JP 2936691 A JP2936691 A JP 2936691A JP H04253181 A JPH04253181 A JP H04253181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent electrode
- electrode layer
- light
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半透過形液晶表示装置
にバックライトとして用いられる電界発光素子に関する
。
にバックライトとして用いられる電界発光素子に関する
。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置には、液晶の種類
によって反射形、半透過形及び透過形の３つのタイプが
ある。反射形の液晶はバックライトを必要とせず低消費
電力であるが、文字等の表示の視認性の点で他のタイプ
に比べて劣る。一方、透過形の液晶では、反射形と逆で
視認性が非常に優れているが、バックライト無しでは見
えず、そのため、消費電力が大である。半透過形の液晶
は両者の中間に当たり、バックライトの点灯・非点灯の
いずれでも使用可能であって視認性も両者の中間である
。
によって反射形、半透過形及び透過形の３つのタイプが
ある。反射形の液晶はバックライトを必要とせず低消費
電力であるが、文字等の表示の視認性の点で他のタイプ
に比べて劣る。一方、透過形の液晶では、反射形と逆で
視認性が非常に優れているが、バックライト無しでは見
えず、そのため、消費電力が大である。半透過形の液晶
は両者の中間に当たり、バックライトの点灯・非点灯の
いずれでも使用可能であって視認性も両者の中間である
。
【０００３】半透過形の液晶表示装置に対しては、通常
、バックライトと液晶表示との間に半透過フィルタを装
着し、これにより、液晶表示の外面から入射した光がそ
の約半分を半透過フィルタにより反射されるので、半透
過形の液晶表示装置は、外光が多い場合には、反射形と
同様に液晶表示の機能をし、又、外光が少ない場合には
、バックライトを点灯することによる背面照明光がその
約半分を透過するので、透過形と同様に液晶表示の機能
をする。
、バックライトと液晶表示との間に半透過フィルタを装
着し、これにより、液晶表示の外面から入射した光がそ
の約半分を半透過フィルタにより反射されるので、半透
過形の液晶表示装置は、外光が多い場合には、反射形と
同様に液晶表示の機能をし、又、外光が少ない場合には
、バックライトを点灯することによる背面照明光がその
約半分を透過するので、透過形と同様に液晶表示の機能
をする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半透過形の液晶表示装置では、液晶表示に対しては
バックライトの光を約半分しか使用せず、特に現在多用
されているポータブルなパソコン等の液晶表示装置では
、バックライトに貴重な電力の大半を消費してしまうと
いうことから、半透過形の液晶表示装置において、バッ
クライトの電力消費の無駄をなくし、より発光効率の良
いバックライトが望まれ、特に、半透過形の液晶表示装
置のバックライトとして多用されている電界発光素子に
おいて、改良が切望されていた。
うな半透過形の液晶表示装置では、液晶表示に対しては
バックライトの光を約半分しか使用せず、特に現在多用
されているポータブルなパソコン等の液晶表示装置では
、バックライトに貴重な電力の大半を消費してしまうと
いうことから、半透過形の液晶表示装置において、バッ
クライトの電力消費の無駄をなくし、より発光効率の良
いバックライトが望まれ、特に、半透過形の液晶表示装
置のバックライトとして多用されている電界発光素子に
おいて、改良が切望されていた。
【０００５】ところで、従来、電界発光素子の透明電極
層には、酸化インジウム・酸化錫の合金であるＩＴＯが
用いられている。
層には、酸化インジウム・酸化錫の合金であるＩＴＯが
用いられている。
【０００６】このＩＴＯでは、発光の透過率が高く、且
つ電気抵抗も高い。一方、電界発光をする発光層では、
電力消費の力率が低く、流れる電流の大半は容量成分へ
の充電電流である。このため、通常、透明電極層では、
ＩＴＯの抵抗成分に相当量の電力が消費されるので、Ｉ
ＴＯの膜厚を厚くして抵抗値を下げようとすることが考
えられるが、この場合、必然的に発光の透過率が下がる
ことになるので、電界発光素子全体としての発光効率は
さほど上がらない。又、ＩＴＯは脆い材料であるので、
膜厚を厚くすると、クラックが発生し、これにより、断
線がよく生じる。
つ電気抵抗も高い。一方、電界発光をする発光層では、
電力消費の力率が低く、流れる電流の大半は容量成分へ
の充電電流である。このため、通常、透明電極層では、
ＩＴＯの抵抗成分に相当量の電力が消費されるので、Ｉ
ＴＯの膜厚を厚くして抵抗値を下げようとすることが考
えられるが、この場合、必然的に発光の透過率が下がる
ことになるので、電界発光素子全体としての発光効率は
さほど上がらない。又、ＩＴＯは脆い材料であるので、
膜厚を厚くすると、クラックが発生し、これにより、断
線がよく生じる。
【０００７】このため、ＩＴＯから構成されない透明電
極層の開発が望まれていた。
極層の開発が望まれていた。
【０００８】従って、本発明の目的は、透明電極層にＩ
ＴＯを使うことなく、液晶表示装置のバックライトとし
て駆動電力の浪費を少なくし発光効率の優れた電界発光
素子を提供することにある。
ＴＯを使うことなく、液晶表示装置のバックライトとし
て駆動電力の浪費を少なくし発光効率の優れた電界発光
素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的は、透明電極
層が半透過性の金属薄膜からなっていることを特徴とす
る電界発光素子により、解決される。
層が半透過性の金属薄膜からなっていることを特徴とす
る電界発光素子により、解決される。
【００１０】好適には、金属薄膜の透過率が、電界発光
素子の各発光波長において、３０％以上７０％以下であ
る。
素子の各発光波長において、３０％以上７０％以下であ
る。
【００１１】好適には、金属薄膜が、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ
、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＳｎからなる群から選ばれる金
属の蒸着によって形成されている。
、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＳｎからなる群から選ばれる金
属の蒸着によって形成されている。
【００１２】
【作用】透明電極層を半透過性の金属薄膜にすることに
より、従来のＩＴＯに比べて抵抗値が２桁程低下する。 一方で、当然のことながら、金属薄膜の厚さを増加させ
ると、発光の透過率が下がることになるが、意外にも、
膜厚を調整することにより、半透過の状態で発光をある
程度透過させ、しかも抵抗値がＩＴＯよりもはるかに低
い領域を利用できる。
より、従来のＩＴＯに比べて抵抗値が２桁程低下する。 一方で、当然のことながら、金属薄膜の厚さを増加させ
ると、発光の透過率が下がることになるが、意外にも、
膜厚を調整することにより、半透過の状態で発光をある
程度透過させ、しかも抵抗値がＩＴＯよりもはるかに低
い領域を利用できる。
【００１３】この場合、好適なことには、半透過性の金
属薄膜によって透過されなかった光は全て発光層側で吸
収されるのではなく、大半は発光層から再び反射光とし
て半透過性の金属薄膜に戻る。
属薄膜によって透過されなかった光は全て発光層側で吸
収されるのではなく、大半は発光層から再び反射光とし
て半透過性の金属薄膜に戻る。
【００１４】換言すれば、透明電極層を半透過性の金属
薄膜にすることにより、透明電極層の低抵抗化による発
光層の大幅な発光効率の向上と、透明電極層での不透過
光が発光層で再反射されることによる反射光の増量とが
生じるので、電界発光素子全体として、透明電極層をＩ
ＴＯから構成された従来のものと比較して遜色がないし
、さらに、従来の半透過形の液晶表示装置における電界
発光素子と半透過フィルタとの構成に比較して、従来、
半透過フィルタによりほぼ半減していたものを２５乃至
３５％も発光輝度を向上できると共に、液晶表示装置と
して見た場合、半透過フィルタを省略できる。
薄膜にすることにより、透明電極層の低抵抗化による発
光層の大幅な発光効率の向上と、透明電極層での不透過
光が発光層で再反射されることによる反射光の増量とが
生じるので、電界発光素子全体として、透明電極層をＩ
ＴＯから構成された従来のものと比較して遜色がないし
、さらに、従来の半透過形の液晶表示装置における電界
発光素子と半透過フィルタとの構成に比較して、従来、
半透過フィルタによりほぼ半減していたものを２５乃至
３５％も発光輝度を向上できると共に、液晶表示装置と
して見た場合、半透過フィルタを省略できる。
【００１５】さらに、好適なことには、透明電極層を金
属薄膜にすることにより、従来のＩＴＯからなるものに
比較して、金属薄膜では、クラックによる導電不良がほ
とんどない。
属薄膜にすることにより、従来のＩＴＯからなるものに
比較して、金属薄膜では、クラックによる導電不良がほ
とんどない。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１７】（実施例１）図１には、本発明の一実施例
に係る電界発光素子の断面図が示されている。
に係る電界発光素子の断面図が示されている。
【００１８】この電界発光素子は、透明電極層２と、Ａ
ｌ箔からなる背面電極層４と、この背面電極層４上に積
層された反射絶縁層６と、透明電極層２及び反射絶縁層
６に挟まれてＺｎＳ：Ｃｕ等の電界発光螢光体粒子を高
誘電率の有機バインダで分散してなる発光層８と、透明
電極層２及び背面電極層４の外側にそれぞれ積層されて
吸湿ナイロンからなる一対の捕水層１０、１２と、これ
ら捕水層１０、１２にそれぞれ積層されて三フッ化塩化
エチレンからなると共にその周縁部を熱圧着によって封
止された一対の外皮フィルム１４、１６とから構成され
ている。
ｌ箔からなる背面電極層４と、この背面電極層４上に積
層された反射絶縁層６と、透明電極層２及び反射絶縁層
６に挟まれてＺｎＳ：Ｃｕ等の電界発光螢光体粒子を高
誘電率の有機バインダで分散してなる発光層８と、透明
電極層２及び背面電極層４の外側にそれぞれ積層されて
吸湿ナイロンからなる一対の捕水層１０、１２と、これ
ら捕水層１０、１２にそれぞれ積層されて三フッ化塩化
エチレンからなると共にその周縁部を熱圧着によって封
止された一対の外皮フィルム１４、１６とから構成され
ている。
【００１９】特に注目すべきことの１つには、透明電極
層２側の外皮フィルム１４の表面にはマット加工により
凹凸が形成されている。これは、液晶表示装置のバック
ライトとして組み込んだとき、バックライトによる鏡面
反射を防止し、液晶表示の文字等を見やすくするためで
ある。
層２側の外皮フィルム１４の表面にはマット加工により
凹凸が形成されている。これは、液晶表示装置のバック
ライトとして組み込んだとき、バックライトによる鏡面
反射を防止し、液晶表示の文字等を見やすくするためで
ある。
【００２０】次に、透明電極層２が、例えば、厚さ７５
μｍのポリエステル樹脂からなるシート層２２と、厚さ
１００〜２００オングストローム程度の厚さのＡｌ蒸着
により形成された金属薄膜２４とからなっている。
μｍのポリエステル樹脂からなるシート層２２と、厚さ
１００〜２００オングストローム程度の厚さのＡｌ蒸着
により形成された金属薄膜２４とからなっている。
【００２１】このような透明電極層２は、基板として前
記シート層２２に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｓｎ等の金属を真空蒸着することによって金
属薄膜２４を形成し、好適には、この金属薄膜２４上に
銀ペーストかななる集電極を所望のパターンで印刷して
得られる。但し、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＡｕに比べてＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＳｎの金属薄膜の場合には、その剛
性から、取扱いに一層注意が必要ではある。又、金属薄
膜２４は、真空蒸着できるその他の金属でもよいが、材
料の種類及び膜厚によって着色することがあり、この場
合、所望の発光色にとって不適等な着色は蒸着金属の中
から選択から除外する。
記シート層２２に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｓｎ等の金属を真空蒸着することによって金
属薄膜２４を形成し、好適には、この金属薄膜２４上に
銀ペーストかななる集電極を所望のパターンで印刷して
得られる。但し、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＡｕに比べてＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＳｎの金属薄膜の場合には、その剛
性から、取扱いに一層注意が必要ではある。又、金属薄
膜２４は、真空蒸着できるその他の金属でもよいが、材
料の種類及び膜厚によって着色することがあり、この場
合、所望の発光色にとって不適等な着色は蒸着金属の中
から選択から除外する。
【００２２】このような構成の透明電極層２は、従来の
ＩＴＯからなるもので、約３００Ω／ｃｍ２ であった
のが、約１０Ω／ｃｍ２ と著しく低い抵抗となった。
ＩＴＯからなるもので、約３００Ω／ｃｍ２ であった
のが、約１０Ω／ｃｍ２ と著しく低い抵抗となった。
【００２３】又、このような電界発光素子を駆動すると
、発光層８から出た発光が金属薄膜２４で一部透過し、
一部遮断され、この遮断光の大半は再び発光層８に戻っ
て螢光体粒子等で反射され、この反射光の一部が金属薄
膜２４と透過し、一部が発光層に戻る。このような繰り
返しの結果、金属薄膜２４の透過率は、全体として約５
５％であるが、上述のように、金属薄膜２４における著
しく低い抵抗値のため、電界発光素子としては、従来の
ＩＴＯを使用したものと、遜色のない発光輝度（１２０
ｃｄ／ｍ２ ）が得られた。
、発光層８から出た発光が金属薄膜２４で一部透過し、
一部遮断され、この遮断光の大半は再び発光層８に戻っ
て螢光体粒子等で反射され、この反射光の一部が金属薄
膜２４と透過し、一部が発光層に戻る。このような繰り
返しの結果、金属薄膜２４の透過率は、全体として約５
５％であるが、上述のように、金属薄膜２４における著
しく低い抵抗値のため、電界発光素子としては、従来の
ＩＴＯを使用したものと、遜色のない発光輝度（１２０
ｃｄ／ｍ２ ）が得られた。
【００２４】さらに、好適なことには、このような電界
発光素子を用いた液晶表示装置では、従来のＩＴＯを使
用したものと異なり、半透過フィルタを必要とせず、本
実施例の電界発光素子は約１０５ｃｄ／ｍ２ の高輝度
のバックライトを実現できた。このことは、従来のＩＴ
Ｏを使用した電界発光素子では、液晶表示素子が半透過
フィルタを必要とし、しかも半透過フィルタによって約
６５ｃｄ／ｍ２ とほぼ半減するのを見れば、本実施例
の優秀さを示す。
発光素子を用いた液晶表示装置では、従来のＩＴＯを使
用したものと異なり、半透過フィルタを必要とせず、本
実施例の電界発光素子は約１０５ｃｄ／ｍ２ の高輝度
のバックライトを実現できた。このことは、従来のＩＴ
Ｏを使用した電界発光素子では、液晶表示素子が半透過
フィルタを必要とし、しかも半透過フィルタによって約
６５ｃｄ／ｍ２ とほぼ半減するのを見れば、本実施例
の優秀さを示す。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
透明電極層にＩＴＯを使うことなく、液晶表示装置のバ
ックライトとして駆動電力の浪費を少なくし発光効率の
優れた電界発光素子を提供することができる。
透明電極層にＩＴＯを使うことなく、液晶表示装置のバ
ックライトとして駆動電力の浪費を少なくし発光効率の
優れた電界発光素子を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る電界発光素子を示す断
面図である。
面図である。
２ 透明電極層
４ 背面電極層
６ 反射絶縁層
８ 発光層
１０、１２ 捕水層
１４、１６ 外皮フィルム
２２ シート層
２４ 金属電極
Claims (3)
- 【請求項１】 透明電極層が半透過性の金属薄膜から
なっていることを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項２】 上記金属薄膜の透過率が、電界発光素
子の各発光波長において、３０％以上７０％以下である
ことを特徴とする請求項１項に記載の電界発光素子。 - 【請求項３】 上記金属薄膜が、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、
Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＳｎからなる群から選ばれ
る金属の蒸着によって形成されていることを特徴とする
請求項１項に記載の電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029366A JPH04253181A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029366A JPH04253181A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04253181A true JPH04253181A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=12274170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029366A Pending JPH04253181A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04253181A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000348870A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Polymatech Co Ltd | Ｅｌ表示シート |
| JP2005529450A (ja) * | 2001-12-24 | 2005-09-29 | サン−ゴバン グラス フランス | 透明表面電極とエレクトロルミネッセント発光素子を備えた多層エレメントの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP3029366A patent/JPH04253181A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000348870A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Polymatech Co Ltd | Ｅｌ表示シート |
| JP2005529450A (ja) * | 2001-12-24 | 2005-09-29 | サン−ゴバン グラス フランス | 透明表面電極とエレクトロルミネッセント発光素子を備えた多層エレメントの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11003009B2 (en) | Display device and electronic device | |
| JP6863803B2 (ja) | 表示装置 | |
| US6747723B2 (en) | Liquid crystal device having multi-layer electrode, method of making the same, and electronic apparatus | |
| US8698978B2 (en) | Electroluminescent displays | |
| TW201027174A (en) | Transflective display panel | |
| CN108091772B (zh) | Oled显示单元及显示面板 | |
| CN111816681B (zh) | 一种oled显示面板和oled显示装置 | |
| JP2002156633A (ja) | 照明付き液晶表示装置および面状発光素子光源の製造方法 | |
| WO2021031517A1 (zh) | 一种显示面板及其显示装置 | |
| KR20050013940A (ko) | 유기 ｅｌ 소자 | |
| US5521465A (en) | Sunlight viewable thin film electroluminscent display having darkened metal electrodes | |
| JP2003149641A (ja) | 反射層付き照明装置及び液晶表示装置 | |
| US7274042B2 (en) | Electroluminescent device having anti-reflective member | |
| JP4608768B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04253181A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2002198167A (ja) | 照明装置及びその製造方法、表示装置、並びに電子機器 | |
| KR101097452B1 (ko) | 전자시계 | |
| JP2004342521A (ja) | 自発光デバイス | |
| JP2004342522A (ja) | 自発光デバイス | |
| JP2004342523A (ja) | 自発光デバイス | |
| CN100363802C (zh) | 液晶显示装置 | |
| JP2004087439A (ja) | 照明装置及び液晶表示装置 | |
| JP2002198168A (ja) | 電界発光灯及びその製造方法 | |
| JP4113366B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN109917968A (zh) | 一种导电结构、触控结构及触控显示装置 |