JPH0424992A - Wiring board - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、配線基板に関し、特に、電子部品の実装に用
いられるセラミックス配線基板などに適用して有効な技
術に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wiring board, and particularly to a technique that is effective when applied to a ceramic wiring board used for mounting electronic components.
たとえば、半田付けなどの方法によって、所望の機能の
回路素子などを収載して電子計算機システムなどを構築
する場合の実装基板として、絶縁性のセラミックス基板
上に、たとえばタングステン（Ｗ）などからなるメタラ
イズ層によって配線パターンを形成した、いわゆるセラ
ミックス配線基板が用いられる場合がある。For example, metallization made of tungsten (W) or the like is used on an insulating ceramic substrate as a mounting board for constructing a computer system by mounting circuit elements with desired functions by methods such as soldering. A so-called ceramic wiring board in which a wiring pattern is formed by layers is sometimes used.
通常、このようなセラミックス配線基板は次のようにし
て製造される。Usually, such a ceramic wiring board is manufactured as follows.
すなわち、まず、セラミックスのグリーンシート上に、
タングステンパターンを印刷などの方法によって被着形
成した後に、所望の温度に焼成して硬化させる。That is, first, on a ceramic green sheet,
After the tungsten pattern is deposited and formed by a method such as printing, it is baked to a desired temperature and hardened.
その後、タングステンパターンの表面にニッケル（Ｎ１
）メツキを施し、所定の温度に加熱することによって、
Ｎ１−Ｗ拡散層を形成する。After that, nickel (N1
) By applying plating and heating to a predetermined temperature,
Form a N1-W diffusion layer.
さらに、半田付は性の向上などを目的として、ニッケル
メッキの表面に金（Ａｕ）メツキを施して、最終的なメ
タライズパターンとする。Furthermore, for the purpose of improving soldering properties, gold (Au) plating is applied to the nickel-plated surface to form a final metallized pattern.
そして、こうして形成されたセラミックス基板上のメタ
ライズパターンに、電子部品の端子を直接的に半田付け
することによって、実装作業が行われる。Then, mounting work is performed by directly soldering the terminals of the electronic component to the metallized pattern on the ceramic substrate thus formed.
なお、セラミックス配線基板におけるメタライズ層の形
成技術に関する同様の技術としては、たとえば特開昭５
９−１６９６１号公報に開示される技術がある。Note that similar techniques for forming metallized layers in ceramic wiring boards include, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 5
There is a technique disclosed in Japanese Patent No. 9-16961.
ところが、上記の従来技術の場合には、タングステンパ
ターンの上からはみ出したニッケルメッキ層が、当該タ
ングステンパターンの外縁部において下地のセラミック
ス基板から浮き上がった状態となり楔形の間隙が形成さ
れるため、メタライズ層の外縁部における応力集中によ
って、下地のセラミックス基板や、メタライズ層の破壊
を生じやすいという問題がある。However, in the case of the above-mentioned conventional technology, the nickel plating layer protruding from the top of the tungsten pattern is lifted from the underlying ceramic substrate at the outer edge of the tungsten pattern, forming a wedge-shaped gap. There is a problem in that the underlying ceramic substrate and metallized layer are likely to be destroyed due to stress concentration at the outer edge of the substrate.
さらに、通常の実装工程などにおいては、不良品の交換
などのために、−旦メタライズ層に半田付けした電子部
品を、半田付は部の再加熱によって取り外し、他の電子
部品を新たに半田付けするという作業が繰り返される場
合がある。Furthermore, in the normal mounting process, in order to replace defective products, electronic components that have been previously soldered to the metallized layer are removed by reheating the soldered area, and other electronic components are newly soldered. This process may be repeated.
このため、前記の従来のメタライズ層の場合には、再加
熱の間にタングステンパターン内部へのニッケルの拡散
が進行し、タングステンパターンの表面がニッケルメッ
キ層から露出した状態となり、半田付けに際しての濡れ
性や接合強度の劣化を生じるという他の問題もある。For this reason, in the case of the conventional metallized layer mentioned above, nickel diffuses into the tungsten pattern during reheating, and the surface of the tungsten pattern is exposed from the nickel plating layer, causing wetting during soldering. Other problems include deterioration of properties and bond strength.
そこで、本発明の目的は、実装される電子部品の接合強
度を大きくすることが可能な配線基板を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a wiring board that can increase the bonding strength of electronic components mounted thereon.
本発明の他の目的は、電子部品の交換などに伴う寿命の
劣化を防止することが可能な配線基板を提供することに
ある。Another object of the present invention is to provide a wiring board that can prevent deterioration in life due to replacement of electronic components.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、本発明になる配線基板は、絶縁基板上に形成
されたメタライズパターンに所望の電子部品を半田付け
して実装する配線基板であって、メタライズパターンを
、絶縁基板に、所望のタングステンパターンを形成する
第１の工程と、このタングステンパターン上に、少なく
ともニッケルメッキを施す第２の工程と、所定の温度に
加熱する第３の工程と、少な（とも錫を成分とする半田
浴中に浸漬する第４の工程とを経て形成するようにした
ものである。That is, the wiring board according to the present invention is a wiring board on which desired electronic components are soldered and mounted to a metallized pattern formed on an insulating substrate, and the metallized pattern and a desired tungsten pattern are formed on the insulating substrate. A first step of forming the tungsten pattern, a second step of applying at least nickel plating on the tungsten pattern, a third step of heating it to a predetermined temperature, and a step of immersing it in a solder bath containing tin as a component. The fourth step is as follows.
上記した本発明になる配線基板によれば、第２および第
３の工程を経ることによって、タングステンパターンと
ニッケルメッキとの界面に、適正なＮ１−Ｗ拡散層が形
成され、さらに、第４の工程で、錫を成分とする半田洛
中に浸漬することによって、ニッケルメッキ層が半田浴
中に拡散して消失し、タングステンパターン外縁部にお
ける当該ニッケルメッキ層の突起がなくなり、応力集中
が回避される結果、接合強度が向上する。According to the wiring board of the present invention described above, an appropriate N1-W diffusion layer is formed at the interface between the tungsten pattern and the nickel plating through the second and third steps. During the process, the nickel plating layer is immersed in a solder bath containing tin, which causes the nickel plating layer to diffuse into the solder bath and disappear, eliminating the protrusions of the nickel plating layer at the outer edge of the tungsten pattern, thereby avoiding stress concentration. As a result, bonding strength is improved.
さらに、第４の工程中に、Ｎ１−Ｗ拡散層中のニッケル
が半田浴中の錫に置換されることにより、熱的に安定か
つ強固で、半田に対する濡れ性の良好な５ｎ−Ｗ反応相
が形成されるので、たとえば、電子部品の交換作業など
に際して、繰り返し加熱されるような場合でも、半田に
対するメタライズパターンの安定な濡れ性、すなわち接
合強度が得られ、配線基板の寿命が向上する。Furthermore, during the fourth step, nickel in the N1-W diffusion layer is replaced with tin in the solder bath, resulting in a thermally stable and strong 5n-W reaction phase with good solder wettability. As a result, stable wettability of the metallized pattern with respect to solder, that is, bonding strength, is obtained, and the life of the wiring board is improved, even if the metallized pattern is repeatedly heated during, for example, the replacement of electronic components.
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例である配線
基板の一例について詳細に説明する。Hereinafter, an example of a wiring board which is an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は、本発明の一実施例である配線基板の一部を拡
大して示す断面図であり、第２図〜第５図は、その製造
工程の一例を工程順に示す説明図、また、第６図は、前
記第４図の工程における配線基板の要部を拡大して示す
断面図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a part of a wiring board according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are explanatory diagrams showing an example of the manufacturing process in order , FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the wiring board in the process shown in FIG. 4.
第１図に示されるように本実施例の配線基板は、たとえ
ば炭化シリコンＳｉＣやアルミナ八β、０などからなる
セラミックス基板１の上には、タングステンペース）２
ａを印刷し、焼成して固化させたタングステンパターン
２が形成されている。As shown in FIG. 1, the wiring board of this embodiment has a ceramic substrate 1 made of, for example, silicon carbide SiC or alumina 8β,0, and a tungsten paste) 2
A tungsten pattern 2 is formed by printing a and firing it to solidify it.
この場合、タングステンパターン２の表面には、後述の
ような方法によって、たとえば５ｎ−Ｐｂ系や、Ｓｎ−
Ａｇ系などのようにＳｎを成分とする半田３に対する濡
れ性が良好で、しかも熱的に安定な、厚さ１μｍ程度の
５ｎ−Ｗ反応相４を形成することによって、メタライズ
パターンＭが構成されている。In this case, the surface of the tungsten pattern 2 is coated with, for example, 5n-Pb or Sn-
The metallized pattern M is formed by forming a 5n-W reaction phase 4 with a thickness of about 1 μm, which has good wettability with the solder 3 containing Sn as a component, such as Ag-based, and is thermally stable. ing.
また、メタライズパターンＭを構成するタングステンパ
ターン２の表面には、厚さ１μｍ程度の薄い５ｎ−Ｗ反
応相４が存在するだけなので、当該タングステンパター
ン２の外縁部には、従来のように、たとえば数μｍ程度
の厚さにニッケルメッキを施す場合に生じていた、楔状
の隙間が存在せず、当該領域における応力集中が回避さ
れる結果、メタライズパターンＭやその下地のセラミッ
クス基板１の強度が向上する。Further, since only a thin 5n-W reaction phase 4 with a thickness of about 1 μm exists on the surface of the tungsten pattern 2 constituting the metallized pattern M, the outer edge of the tungsten pattern 2 has, for example, There is no wedge-shaped gap that occurs when nickel plating is applied to a thickness of several μm, and stress concentration in this area is avoided, resulting in improved strength of the metallized pattern M and the underlying ceramic substrate 1. do.
そして、メタライズパターンＭの５ｎ−Ｗ反応相４の上
に、半田３を介して、たとえば、図示しない電子部品の
、鉄系や銅系の材料からなるり−ド５を接合することに
よって、当該電子部品の実装作業が行われるものである
。Then, on the 5n-W reaction phase 4 of the metallized pattern M, a wire 5 made of an iron-based or copper-based material, for example, of an electronic component (not shown) is bonded via the solder 3. This is where electronic component mounting work is performed.
なお、メタライズパターンＭに接合されるものとしては
、電子部品のリード５などに限らず、たとえば他のセラ
ミックス基板上に形成され、半田３を介して当該メタラ
イズパターンＭと拡散接合可能な他の配線パターンなど
でもよい。Note that the material to be bonded to the metallized pattern M is not limited to the lead 5 of an electronic component, but also other wiring formed on another ceramic substrate and which can be diffusion bonded to the metallized pattern M via the solder 3. It can also be a pattern.
一方、上述のようなメタライズパターンＭを形成する工
程の一例を次に説明する。On the other hand, an example of the process of forming the metallized pattern M as described above will be described next.
まず、第２図に示されるように、セラミックス基板１の
上に、タングステンペース）２ａを印刷などの方法によ
って所望の配線パターンに転写し、さらに、焼成処理に
よってタングステンパターン２を形成する（第１の工程
〉。First, as shown in FIG. 2, a tungsten paste 2a is transferred onto a ceramic substrate 1 into a desired wiring pattern by a method such as printing, and then a tungsten pattern 2 is formed by a firing process (first process〉.
次に、第３図に示されるように、タングステンパターン
２の上に、たとえば電気メツキなどの方法によって、た
とえば５〜１０μｍ程度の厚さのニッケルメッキ層６を
形成し、さらにこのニッケルメッキ層６の上に、５ｎ−
Ｐｂ系の半田に対する濡れ性を向上させるべく、金メツ
キ層７を形成する（第２の工程）。Next, as shown in FIG. 3, a nickel plating layer 6 having a thickness of, for example, about 5 to 10 μm is formed on the tungsten pattern 2 by, for example, electroplating. on top of 5n-
A gold plating layer 7 is formed in order to improve wettability with Pb-based solder (second step).
さらに、たとえば熱線１００などの照射によって、たと
えば、７５０℃で１０分開程度の加熱処理を施すことに
より、タングステンパターン２と、ニッケルメッキ層６
との界面に、Ｎ１−Ｗ拡散層８を形成する（第３の工程
）。Further, the tungsten pattern 2 and the nickel plating layer 6 are heated by heating at 750° C. for about 10 minutes by irradiation with a hot wire 100, for example.
An N1-W diffusion layer 8 is formed at the interface with (third step).
この状態におけるタングステンパターン２の外縁部を拡
大して模式的に示したものが第７図であり、同図に示さ
れるように、ニッケルメッキ層６の外縁部は下地のセラ
ミックス基板１から浮き上がった突起６ａをなしており
、当該セラミックス基板１との間には、楔状の間隙６ｂ
が形成されている。FIG. 7 is a schematic enlarged view of the outer edge of the tungsten pattern 2 in this state, and as shown in the figure, the outer edge of the nickel plating layer 6 has risen from the underlying ceramic substrate 1. A wedge-shaped gap 6b is formed between the projection 6a and the ceramic substrate 1.
is formed.
なお、ここまでの処理では、たとえば、前記第２の工程
における金メツキ層７を形成する前に、前記第３の工程
における加熱処理によってＮｉＷ拡散層８を形成しても
よい。In addition, in the processing up to this point, for example, before forming the gold plating layer 7 in the second step, the NiW diffusion layer 8 may be formed by heat treatment in the third step.
次に、第５図に示されるように、上述のようにして形成
されたメタライズパターンＭを、ヒータ２０１によって
所定の温度に加熱されている、たとえばＳｎ−Ａｇ共晶
系の半田浴２００に浸漬することにより、ニッケルメッ
キ層６および金メツキ層７を、完全に当該半田浴２００
の中に拡散させ、前述のようなニッケルメッキ層６の突
起６ａを消失させる。この結果、メタライズパターンＭ
の外縁部における応力集中などの懸念がなくなり、当該
メタライズパターンＭや下地のセラミックス基板１など
における強度が確実に向上する。Next, as shown in FIG. 5, the metallized pattern M formed as described above is immersed in a Sn--Ag eutectic solder bath 200, for example, which is heated to a predetermined temperature by a heater 201. By doing so, the nickel plating layer 6 and the gold plating layer 7 are completely immersed in the solder bath 200.
The protrusions 6a of the nickel plating layer 6 as described above disappear. As a result, the metallized pattern M
There is no need to worry about stress concentration at the outer edge of the metallized pattern M, the underlying ceramic substrate 1, etc., and the strength thereof is reliably improved.
さらに、この処理によって、タングステンパターン２と
、ニッケルメッキ層６との界面に形成されていたＮ１−
Ｗ拡散層８中のＮ１は、半田浴２００中のＳｎ成分によ
って置換され、タングステンパターン２の表面には、前
述のような５ｎ−Ｗ反応相４が形成される。Furthermore, as a result of this treatment, the N1− formed at the interface between the tungsten pattern 2 and the nickel plating layer
N1 in the W diffusion layer 8 is replaced by the Sn component in the solder bath 200, and a 5n-W reaction phase 4 as described above is formed on the surface of the tungsten pattern 2.
そして、上述の一連の工程によって形成されたメタライ
ズパターンＭの上に、半田３を介して、図示しない電子
部品のリード５を接合することにより、前述の第１図に
示される状態となる。Then, the lead 5 of an electronic component (not shown) is bonded via the solder 3 onto the metallized pattern M formed by the series of steps described above, resulting in the state shown in FIG. 1 described above.
ここで、Ｎ１−Ｗ拡散層８中のＮｉが、半田浴２００中
のＳｎ成分によって置換されることによって、タングス
テンパターン２の表面にＳｎ−Ｗ反応相４が形成される
メカニズムは不明であるが。The mechanism by which the Sn-W reaction phase 4 is formed on the surface of the tungsten pattern 2 by replacing Ni in the N1-W diffusion layer 8 with the Sn component in the solder bath 200 is unknown. .
本発明者らの研究によれば、当該５ｎ−Ｗ反応相４は、
たとえば２４０℃で７２時間の半田浴に対する浸漬によ
っても強度が劣化しないことが判明している。According to the research of the present inventors, the 5n-W reaction phase 4 is
For example, it has been found that the strength does not deteriorate even when immersed in a solder bath at 240° C. for 72 hours.
すなわち、−旦、半田３を介して接続された図示しない
電子部品などを、製品不良などのために交換する場合な
どには、再度半田３を加熱溶融させて当該電子部品を取
り外し、その後、さらに加熱によって半田３を介して他
の図示しない電子部品のり−ド５を接合する、というよ
うに、メタライズパターンＭは、繰り返し加熱を受ける
ことになる。That is, when an electronic component (not shown) connected via the solder 3 is to be replaced due to a product defect, etc., the solder 3 is heated and melted again to remove the electronic component, and then further The metallized pattern M is repeatedly heated such that another electronic component glue 5 (not shown) is bonded via the solder 3 by heating.
このため、従来のように、タングステンパターン２の上
にニッケルメッキ層６を被着させた構造では、このよう
な繰り返し加熱の間に、タングステンパターン２の内部
にニッケルメッキ層６のＮ１が拡散して消失し、半田３
に対する濡れ性の劣る当該タングステンパターン２が表
面に露出した状態となるため、所要の接合強度が得られ
なくなり、配線基板の寿命が短くなる。Therefore, in the conventional structure in which the nickel plating layer 6 is deposited on the tungsten pattern 2, N1 of the nickel plating layer 6 is diffused into the inside of the tungsten pattern 2 during such repeated heating. and disappears, solder 3
Since the tungsten pattern 2, which has poor wettability to the substrate, is exposed on the surface, the required bonding strength cannot be obtained, and the life of the wiring board is shortened.
ところが、本実施例の配線基板の場合には、メタライズ
パターンＭを構成するタングステンパターン２の表面に
、前述のように、半田３の融点以上の温度で熱的に安定
で、しかも当該半田３に対する濡れ性の良好な５ｎ−Ｗ
反応相４が形成されるので、電子部品の交換などのため
の繰り返し加熱などの影響を受けることなく、半田３に
対する所定の接合強度を安定に確保することが可能とな
り、メタライズパターンＭ１すなわち配線基板の寿命が
向上する。However, in the case of the wiring board of this embodiment, the surface of the tungsten pattern 2 constituting the metallized pattern M is thermally stable at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder 3, and has a 5n-W with good wettability
Since the reaction phase 4 is formed, it becomes possible to stably secure a predetermined bonding strength to the solder 3 without being affected by repeated heating for replacing electronic parts, etc., and the metallized pattern M1, that is, the wiring board The lifespan of will be improved.
本発明者らの研究によれば、前述のようなニッケルメッ
キ層６の突起６ａの消失による応力集中の回避による強
度向上とあいまって、たとえば従来の１．５倍〜２倍相
当の強度向上の効果が得られている。According to the research conducted by the present inventors, in combination with the above-mentioned strength improvement due to the avoidance of stress concentration caused by the disappearance of the protrusions 6a of the nickel plating layer 6, the strength can be improved by 1.5 to 2 times compared to the conventional method. The effect is being obtained.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by typical inventions are briefly described below.
すなわち、本発明になる配線基板によれば、絶縁基板上
に形成されたメタライズパターンに所望の電子部品を半
田付けして実装する配線基板であって、前記メタライズ
パターンが、絶縁基板に、所望のタングステンパターン
を形成する第１の工程と、このタングステンパターン上
に、少なくともニッケルメッキを施す第２の工程と、所
定の温度に加熱する第３の工程と、少なくとも錫を成分
とする半田浴中に浸漬する第４の工程とを経て形成され
るため、たとえば、！２および第３の工程を経ることに
よって、タングステンパターンとニッケルメッキとの界
面に、適正なＮ１−Ｗ拡散層が形成され、さらに、第４
の工程で、錫を成分とする半田浴中に浸漬することによ
って、ニッケルメッキ層が半田洛中に拡散して消失し、
タングステンパターン外縁部における当該ニッケルメッ
キ層の突起がなくなり、応力集中が回避される結果、接
合強度が向上する。That is, according to the wiring board of the present invention, the wiring board is a wiring board on which a desired electronic component is soldered and mounted on a metallized pattern formed on an insulating substrate, wherein the metallized pattern A first step of forming a tungsten pattern, a second step of applying at least nickel plating on the tungsten pattern, a third step of heating it to a predetermined temperature, and a solder bath containing at least tin as a component. Because it is formed through the fourth step of dipping, for example! By going through the second and third steps, an appropriate N1-W diffusion layer is formed at the interface between the tungsten pattern and the nickel plating.
In the process, the nickel plating layer diffuses into the solder and disappears by immersing it in a solder bath containing tin as an ingredient.
Protrusions of the nickel plating layer at the outer edge of the tungsten pattern are eliminated, stress concentration is avoided, and the bonding strength is improved.
また、第４の工程中に、Ｎ１−Ｗ拡散層中のニッケルが
半田洛中の錫に置換されることにより、熱的に安定かつ
強固で、半田に対する濡れ性の良好な５ｎ−Ｗ反応相が
形成されるので、たとえば、電子部品の交換作業などに
際して、繰り返し加熱されるような場合でも、半田に対
するメタライズパターンの安定な濡れ性、すなちわ接合
強度が得られ、配線基板の寿命が向上する。In addition, during the fourth step, the nickel in the N1-W diffusion layer is replaced with tin in the solder, creating a 5n-W reactive phase that is thermally stable, strong, and has good solder wettability. For example, even if the metallized pattern is repeatedly heated during the replacement of electronic components, stable wettability of the metallized pattern with solder, that is, bonding strength is achieved, and the life of the wiring board is improved. do.
第１図は、本発明の一実施例である配線基板の一部を拡
大して示す断面図、
第２図は、その製造工程の一例を示す説明図、第３図は
同じく、その製造工程の一例を示す説明図、
第４図は同じく、その製造工程の一例を示す説明図、
第５図は同じく、その！ｌ！造工程の一例を示す税サス
、
第６図は、第４図の工程における配線基板の要部を拡大
して示す断面図である。
１・・・セラミックス基板、２・・・タングステンパタ
ーン、２ａ・・・タングステンペースト、３・・・半田
、４・・・５ｎ−Ｗ反応相、５・・・リード、６・ ・
・ニッケルメッキ層、６ａ・ ・・突起、６ｂ・・・
間隙、７・・・金メツキ層、８・・・Ｎ１−Ｗ拡散層、
１００・・・熱線、２００・・・半田浴、２０１・・・
ヒータ、Ｍ・・・メタライズパターン。
第
図
２８：タングステンペースト
第
図
第
図
２０１：ヒータ
第
図FIG. 1 is an enlarged sectional view of a part of a wiring board according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of its manufacturing process, and FIG. Figure 4 is an explanatory diagram showing an example of the manufacturing process, and Figure 5 is an explanatory diagram showing an example of the manufacturing process. l! FIG. 6 is a sectional view showing an enlarged main part of the wiring board in the step of FIG. 4. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Ceramic substrate, 2... Tungsten pattern, 2a... Tungsten paste, 3... Solder, 4... 5n-W reaction phase, 5... Lead, 6...
・Nickel plating layer, 6a... Protrusion, 6b...
Gap, 7... Gold plating layer, 8... N1-W diffusion layer,
100...heat wire, 200...solder bath, 201...
Heater, M...metalized pattern. Figure 28: Tungsten paste diagram Figure 201: Heater diagram
Claims (1)
の電子部品を半田付けして実装する配線基板であって、
前記メタライズパターンが、絶縁基板に所望のタングス
テンパターンを形成する第１の工程と、このタングステ
ンパターン上に、少なくともニッケルメッキを施す第２
の工程と、所定の温度に加熱する第３の工程と、少なく
とも錫を成分とする半田浴中に浸漬する第４の工程とを
経て形成されてなる配線基板。1. A wiring board on which desired electronic components are soldered and mounted on a metallized pattern formed on an insulating board,
The metallized pattern includes a first step of forming a desired tungsten pattern on an insulating substrate, and a second step of applying at least nickel plating on the tungsten pattern.
A wiring board formed through the following steps: a third step of heating to a predetermined temperature; and a fourth step of immersing in a solder bath containing at least tin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12410790A JP2886945B2 (en) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12410790A JP2886945B2 (en) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0424992A true JPH0424992A (en) | 1992-01-28 |
| JP2886945B2 JP2886945B2 (en) | 1999-04-26 |
Family
ID=14877093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12410790A Expired - Lifetime JP2886945B2 (en) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2886945B2 (en) |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12410790A patent/JP2886945B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2886945B2 (en) | 1999-04-26 |
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