JPH04249402A - 電力合成分配装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばマイクロ波帯、
準ミリ波帯又はミリ波帯などにおいて用いられる電力合
成分配装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１４は、第１の従来例のブランチライ
ン型ハイブリッド回路の平面図である。（例えば、宮内
ほか「通信用マイクロ波回路」電子情報通信学会，１９
８１年１０月，ｐｐ５９参照。）

【０００３】図１４において、裏面全面に接地導体（図
示せず。）が形成された誘電体基板１００上に、正方環
形状にかつ電気的に直列に接続されそれぞれλｇ／４の
長さを有する４個のマイクロストリップ導体１１５乃至
１１８が形成される。ここで、λｇは上記各マイクロス
トリップ導体１１５乃至１１８と接地導体によって形成
されるマイクロストリップ線路内の管内波長である。マ
イクロストリップ導体１１５とマイクロストリップ導体
１１７との接続点Ｐ１０１に、入出力端子１０１を有す
る入出力用マイクロストリップ導体１１１が接続され、
また、マイクロストリップ導体１１６とマイクロストリ
ップ導体１１７との接続点Ｐ１０２に、入出力端子１０
２を有する入出力用マイクロストリップ導体１１２が接
続される。さらに、マイクロストリップ導体１１５とマ
イクロストリップ導体１１８との接続点Ｐ１０３に、入
出力端子１０３を有する入出力用マイクロストリップ導
体１１３が接続され、また、マイクロストリップ導体１
１６とマイクロストリップ導体１１８との接続点Ｐ１０
３に、入出力端子１０４を有する入出力用マイクロスト
リップ導体１１４が接続される。ここで、各マイクロス
トリップ導体１０１乃至１０４，１１７，１１８と接地
導体によってそれぞれ構成される各マイクロストリップ
線路の特性インピーダンスがＺ０となるように、当該各
マイクロストリップ導体の幅が予め決定され、各マイク
ロストリップ導体１１５，１１６と接地導体によってそ
れぞれ構成される各マイクロストリップ線路の特性イン
ピーダンスが「数１」となるように、当該各マイクロス
トリップ導体の幅が予め決定される。

【０００４】

【数１】

【０００５】以上のように構成されたブランチライン型
ハイブリッド回路の入出力端子１０１，１０２にそれぞ
れ第１と第２のマイクロ波信号を入力したとき、上記第
１と第２のマイクロ波信号が合成され、合成されたマイ
クロ波信号が入出力端子１０３，１０４に分配されて出
力される。このブランチライン型ハイブリッド回路は、
可逆回路であり、上記入出力端子１０３，１０４にそれ
ぞれ第１と第２のマイクロ波信号を入力したとき、上記
第１と第２のマイクロ波信号が合成され、合成されたマ
イクロ波信号が入出力端子１０１，１０２に分配されて
出力される。

【０００６】図１５は、特開昭６３−４２２０２号公報
において開示された第２の従来例の分配回路の回路図で
ある。

【０００７】図１５に示すように、この第２の従来例の
分配回路は、上述のブランチライン型ハイブリッド回路
を２個用いて、各ハイブリッド回路の１辺を共有して梯
子状に構成し、これによって、当該ハイブリッド回路を
小型化したことを特徴としている。ここで、Ｔ１は入力
端子であり、Ｔ２乃至Ｔ４は出力端子であり、Ｒ０は終
端抵抗である。なお、各伝送線路の特性インピーダンス
Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４については、公知のバウエル法
又はニュートン法を用いてシミュレーションを行って、
最適なインピーダンスを求めている。

【０００８】図１６は、同軸線路を用いた第３の従来例
のウィルキンソン型電力分配器の斜視図である。（例え
ば、小西「マイクロ波回路の基礎とその応用」総合電子
出版社，１９９０年８月，ｐｐ２０５参照。）

【０００
９】図１６に示すように、この同軸線路を用いたウィル
キンソン型電力分配器は、入力端子に入力されたマイク
ロ波信号に対して所定のインピーダンス変換を行なうイ
ンピーダンス変換部ＩＣＯＶと、インピーダンス変換部
ＩＣＯＶの終端部に設けられた短絡板ＳＰと、短絡板Ｓ
Ｐから分岐し同軸状に形成された８本の伝送線路ＬＬと
、各伝送線路ＬＬの終端部と共通接続部Ｐｃとを接続す
る内部負荷の吸収抵抗Ｒｉと、各伝送線路ＬＬの終端部
にそれぞれ接続される出力端子ＴＯとから構成される。 なお、この第３の従来例では、１つの出力端子ＴＯに外
部負荷抵抗Ｒ０が接続されている。

【００１０】以上のように構成されたウィルキンソン型
電力分配器の入力端子ＴＩにマイクロ波信号を入力した
とき、上記マイクロ波信号が分配され、分配された各マ
イクロ波信号が外部負荷抵抗が接続されていない各出力
端子ＴＯに出力される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
第１の従来例のハイブリッド回路は、最大２つのマイク
ロ波信号を分配又は合成することができるが、それ以上
の個数のマイクロ波信号を処理することができない。ま
た、第２の従来例の分配回路を用いれば１つのマイクロ
波信号を複数のマイクロ波信号に分配することができる
が、上述のように、各伝送線路の特性インピーダンスＺ
１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４についての最適なインピーダンス
を求めるために、複雑な計算を行なう必要があるという
問題点があった。さらに、第３の従来例においては、内
部負荷の吸収抵抗を必要とするとともに、図１６に示す
ように、各伝送線路を同軸状に配置する必要があるため
、装置が大型になり、製作がむずかしくなるという問題
点があった。

【００１２】本願発明の目的は以上の問題点を解決し、
設計及び製作が従来例に比較し容易であって、４個以上
の高周波信号を処理することができる電力合成分配装置
を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の電力合成分配装置は、それぞれ環状にかつ直列に接
続された４本の伝送線路からなる４個のブランチライン
型ハイブリッド回路を備え、上記各ブランチライン型ハ
イブリッド回路の１本の伝送線路を環状にかつ電気的に
直列に接続したことを特徴とする。

【００１４】また、請求項２記載の電力合成分配装置は
、請求項１記載の電力合成分配装置において、上記環状
にかつ直列に接続される上記各ブランチライン型ハイブ
リッド回路の１本の伝送線路はそれぞれ、所定の電気長
の伝送線路を介して電気的に接続されることを特徴とす
る。

【００１５】さらに、請求項３記載の電力合成分配装置
は、請求項１記載の電力合成分配装置が、他の各ブラン
チライン型ハイブリッド回路に接続されていない互いに
対向する１対の上記各ブランチライン型ハイブリッド回
路の入出力端子である４個の入力端子と、他の各ブラン
チライン型ハイブリッド回路に接続されていない互いに
対向する他の１対の上記各ブランチライン型ハイブリッ
ド回路の入出力端子である４個の出力端子とを有し、請
求項１記載の電力合成分配装置を第１の誘電体基板上に
形成し、請求項１記載の別の電力合成分配装置を上記第
１の誘電体基板に対向して配設される第２の誘電体基板
上に形成し、上記第１の誘電体基板に形成された上記電
力合成分配装置の各出力端子と、上記第２の誘電体基板
に形成された上記別の電力合成分配装置の各出力端子と
を、請求項１記載の４個のブランチライン型ハイブリッ
ド回路を介して電気的に接続したことを特徴とする。

【００１６】またさらに、請求項４記載の電力合成分配
装置は、請求項３記載の電力合成分配装置において、上
記第１の誘電体基板に形成された上記電力合成分配装置
の各出力端子と、上記第２の誘電体基板に形成された上
記別の電力合成分配装置の各出力端子とを電気的に接続
する請求項１記載の４個のブランチライン型ハイブリッ
ド回路はそれぞれ、上記第１と第２の誘電体基板を貫通
するスルーホールに形成されたスルーホール導体を含む
伝送線路を備えたことを特徴とする。

【００１７】さらに、請求項５記載の電力合成分配装置
は、請求項３記載の電力分配装置において、上記第１の
誘電体基板に形成された上記電力合成分配装置の各出力
端子と、上記第２の誘電体基板に形成された上記別の電
力合成分配装置の各出力端子とを電気的に接続する請求
項１記載の４個のブランチライン型ハイブリッド回路は
それぞれ、上記第１と第２の誘電体基板間に挟設される
別の誘電体基板を貫通するスルーホールに形成されたス
ルーホール導体を含む伝送線路を備えたことを特徴とす
る。

【００１８】

【作用】以上のように構成された請求項１記載の電力合
成分配装置は、他の各ブランチライン型ハイブリッド回
路に接続されていない互いに対向する１対の上記各ブラ
ンチライン型ハイブリッド回路の入出力端子である４個
の入力端子と、他の各ブランチライン型ハイブリッド回
路に接続されていない互いに対向する他の１対の上記各
ブランチライン型ハイブリッド回路の入出力端子である
４個の出力端子とを有する。上記各入力端子にそれぞれ
高周波信号を入力されたとき、各高周波信号が合成及び
分配された後、上記各出力端子に出力される。なお、こ
の電力合成分配装置において、各入力端子と各出力端子
を入れ換えることができるので、可逆回路である。

【００１９】従って、４入力４出力の電力合成分配装置
を実現することができるとともに、上記各ブランチライ
ン型ハイブリッド回路の各伝送線路を例えばマイクロス
トリップ線路などの平面線路で構成することが可能であ
って、また、４個のブランチライン型ハイブリッド回路
を上述のように簡単な構成で電気的に接続するだけ構成
できるので、設計及び製作が従来例に比較し容易である
。

【００２０】また、請求項２記載の電力合成分配装置に
おいては、請求項１記載の電力合成分配装置において、
好ましくは、上記環状にかつ直列に接続される上記各ブ
ランチライン型ハイブリッド回路の１本の伝送線路はそ
れぞれ、所定の電気長の伝送線路を介して電気的に接続
される。

【００２１】さらに、請求項３記載の電力合成分配装置
のように構成することにより、上記第１と第２の誘電体
基板上に形成された上記各電力合成分配装置の各入力端
子をそれぞれ、当該電力合成分配装置の入力端子とし、
上記第１の誘電体基板に形成された請求項１記載の電力
合成分配装置の各出力端子と、上記第２の誘電体基板に
形成された請求項１記載の別の電力合成分配装置の各出
力端子とを電気的に接続するための請求項１記載の４個
のブランチライン型ハイブリッド回路の各出力端子をそ
れぞれ、当該電力合成分配器の出力端子とすることがで
き、８入力８出力の電力合成分配装置を実現することが
できる。また、上記各ブランチライン型ハイブリッド回
路の各伝送線路を例えばマイクロストリップ線路などの
平面線路で構成することが可能であって、また、上述の
ように簡単な構成で実現できるので、設計及び製作が従
来例に比較し容易である。

【００２２】またさらに、請求項４記載の電力合成分配
装置においては、請求項３記載の電力合成分配装置にお
いて、好ましくは、上記第１の誘電体基板に形成された
上記電力合成分配装置の各出力端子と、上記第２の誘電
体基板に形成された上記別の電力合成分配装置の各出力
端子とを電気的に接続する請求項１記載の４個のブラン
チライン型ハイブリッド回路はそれぞれ、上記第１と第
２の誘電体基板を貫通するスルーホールに形成されたス
ルーホール導体を含む伝送線路を備える。

【００２３】さらに、請求項５記載の電力合成分配装置
においては、請求項３記載の電力分配装置において、好
ましくは、上記第１の誘電体基板に形成された上記電力
合成分配装置の各出力端子と、上記第２の誘電体基板に
形成された上記別の電力合成分配装置の各出力端子とを
電気的に接続する請求項１記載の４個のブランチライン
型ハイブリッド回路はそれぞれ、上記第１と第２の誘電
体基板間に挟設される別の誘電体基板を貫通するスルー
ホールに形成されたスルーホール導体を含む伝送線路を
備える。

【００２４】

【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例に
ついて説明する。

【００２５】＜第１の実施例＞図１は、本発明に係る第
１の実施例である、４個のブランチライン型ハイブリッ
ド回路を用いて構成された４入力４出力の電力合成分配
装置の平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線につい
ての縦断面図である。

【００２６】この第１の実施例の電力合成分配装置にお
いては、４個のブランチライン型ハイブリッド回路Ｈ１
乃至Ｈ４を用いて、各ハイブリッド回路Ｈ１乃至Ｈ４の
１辺のマイクロストリップ導体１４，２４，３４，４４
を正方環状にかつ電気的に直列に接続して４入力４出力
の電力合成分配装置を構成したことを特徴としている。

【００２７】図１と図２に示すように、裏面全面に接地
導体１０ｇが形成された誘電体基板１０上に、４個のブ
ランチライン型ハイブリッド回路Ｈ１乃至Ｈ４が、例え
ば公知の導体パターン形成法により形成される。

【００２８】ここで、ハイブリッド回路Ｈ１は、互いに
対向して形成されるマイクロストリップ導体１１，１２
と、互いに対向して形成されるマイクロストリップ導体
１３，１４とからなり、マイクロストリップ導体１１，
１３，１２，１４の順で正方環状にかつ電気的に直列に
接続されて構成され、各マイクロストリップ導体１１，
１２と接地導体１０ｇによってそれぞれ「数１」の特性
インピーダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ１１
，Ｌ１２を構成し、各マイクロストリップ導体１３，１
４と接地導体１０ｇによってそれぞれＺ０の特性インピ
ーダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ１３，Ｌ１
４を構成している。マイクロストリップ導体１１とマイ
クロストリップ導体１３の接続点に、一端に入力端子１
を有するマイクロストリップ導体１１１の他端が電気的
に接続され、また、マイクロストリップ導体１２とマイ
クロストリップ導体１３の接続点に、一端に入力端子２
を有するマイクロストリップ導体１１２の他端が電気的
に接続される。各マイクロストリップ導体１１１，１１
２と接地導体１０ｇによってそれぞれ入力用マイクロス
トリップ線路を構成している。

【００２９】また、ハイブリッド回路Ｈ２は、互いに対
向して形成されるマイクロストリップ導体２１，２２と
、互いに対向して形成されるマイクロストリップ導体２
３，２４とからなり、マイクロストリップ導体２１，２
３，２２，２４の順で正方環状にかつ電気的に直列に接
続されて構成され、各マイクロストリップ導体２１，２
２と接地導体１０ｇによってそれぞれ「数１」の特性イ
ンピーダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ２１，
Ｌ２２を構成し、各マイクロストリップ導体２３，２４
と接地導体１０ｇによってそれぞれＺ０の特性インピー
ダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ２３，Ｌ２４
を構成している。マイクロストリップ導体２１とマイク
ロストリップ導体２３の接続点に、一端に出力端子３を
有するマイクロストリップ導体１１３の他端が電気的に
接続され、また、マイクロストリップ導体２２とマイク
ロストリップ導体２３の接続点に、一端に出力端子４を
有するマイクロストリップ導体１１４の他端が電気的に
接続される。各マイクロストリップ導体１１３，１１４
と接地導体１０ｇによってそれぞれ出力用マイクロスト
リップ線路を構成している。

【００３０】さらに、ハイブリッド回路Ｈ３は、互いに
対向して形成されるマイクロストリップ導体３１，３２
と、互いに対向して形成されるマイクロストリップ導体
３３，３４とからなり、マイクロストリップ導体３１，
３３，３２，３４の順で正方環状にかつ電気的に直列に
接続されて構成され、各マイクロストリップ導体３１，
３２と接地導体１０ｇによってそれぞれ「数１」の特性
インピーダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ３１
，Ｌ３２を構成し、各マイクロストリップ導体３３，３
４と接地導体１０ｇによってそれぞれＺ０の特性インピ
ーダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ３３，Ｌ３
４を構成している。マイクロストリップ導体３１とマイ
クロストリップ導体３３の接続点に、一端に入力端子５
を有するマイクロストリップ導体１１５の他端が電気的
に接続され、また、マイクロストリップ導体３２とマイ
クロストリップ導体３３の接続点に、一端に入力端子６
を有するマイクロストリップ導体１１６の他端が電気的
に接続される。各マイクロストリップ導体１１５，１１
６と接地導体１０ｇによってそれぞれ入力用マイクロス
トリップ線路を構成している。

【００３１】またさらに、ハイブリッド回路Ｈ４は、互
いに対向して形成されるマイクロストリップ導体４１，
４２と、互いに対向して形成されるマイクロストリップ
導体４３，４４とからなり、マイクロストリップ導体４
１，４３，４２，４４の順で正方環状にかつ電気的に直
列に接続されて構成され、各マイクロストリップ導体４
１，４２と接地導体１０ｇによってそれぞれ「数１」の
特性インピーダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ
４１，Ｌ４２を構成し、各マイクロストリップ導体４３
，４４と接地導体１０ｇによってそれぞれＺ０の特性イ
ンピーダンスを有するマイクロストリップ線路Ｌ４３，
Ｌ４４を構成している。マイクロストリップ導体４１と
マイクロストリップ導体４３の接続点に、一端に出力端
子７を有するマイクロストリップ導体１１７の他端が電
気的に接続され、また、マイクロストリップ導体４２と
マイクロストリップ導体４３の接続点に、一端に出力端
子８を有するマイクロストリップ導体１１８の他端が電
気的に接続される。各マイクロストリップ導体１１７，
１１８と接地導体１０ｇによってそれぞれ出力用マイク
ロストリップ線路を構成している。

【００３２】なお、各マイクロストリップ導体１１１，
１１，４４，３２，１１６の長手方向は互いに平行とな
り、かつ各マイクロストリップ導体１１１，１１，４４
，３２，１１６が１直線上で延在するように形成され、
各マイクロストリップ導体１１２，１２，２４，３１，
１１５の長手方向は互いに平行となり、かつ各マイクロ
ストリップ導体１１２，１２，２４，３１，１１５が１
直線上で延在するように形成される。また、各マイクロ
ストリップ導体１１３，２１，１４，４２，１１８の長
手方向は互いに平行となり、かつ各マイクロストリップ
導体１１３，２１，１４，４２，１１８が１直線上で延
在するように形成され、各マイクロストリップ導体１１
４，２２，３４，４１，１１７の長手方向は互いに平行
となり、かつ各マイクロストリップ導体１１４，２２，
３４，４１，１１７が１直線上で延在するように形成さ
れる。さらに、ハイブリッド回路Ｈ１のマイクロストリ
ップ導体１１，１４の各一端が接続点Ｐ１においてハイ
ブリッド回路Ｈ４のマイクロストリップ導体４２，４４
の各一端に電気的に接続され、また、ハイブリッド回路
Ｈ１のマイクロストリップ導体１２の一端とマイクロス
トリップ導体１４の他端とが接続点Ｐ２においてハイブ
リッド回路Ｈ２のマイクロストリップ導体２１，２４の
各一端に電気的に接続される。また、ハイブリッド回路
Ｈ２のマイクロストリップ導体２２の一端とマイクロス
トリップ導体２４の他端が接続点Ｐ３においてハイブリ
ッド回路Ｈ３のマイクロストリップ導体３１，３４の各
一端に電気的に接続され、ハイブリッド回路Ｈ３のマイ
クロストリップ導体３２の一端とマイクロストリップ導
体３４の他端とが接続点Ｐ４においてハイブリッド回路
Ｈ４のマイクロストリップ導体４１の一端とマイクロス
トリップ導体４４の他端に電気的に接続される。

【００３３】図３は、図１及び図２に図示した電力合成
分配装置において入出力用マイクロストリップ導体１１
１乃至１１８が無い場合の等価回路の回路図であり、図
４は、図３の等価回路を図１の形状に書き換えた場合の
等価回路の回路図である。図３と図４から明らかなよう
に、図３の接続点Ｐ３と接続点Ｐ４とが立体的に交差し
ているが、各ハイブリッド回路Ｈ１乃至Ｈ４を図１すな
わち図４の形状で配置することにより、立体的に交差し
て接続する必要がなくなり、公知の１回の導体パターン
法により、各マイクロストリップ導体を誘電体基板１０
上に形成することができる。従って、第３の従来例に比
較し容易に製作することができる。

【００３４】以上のように構成された電力合成分配装置
において、各入力端子１，２，５，６にそれぞれ第１乃
至第４の高周波信号を入力したとき、これらの高周波信
号が合成及び分配された後、「表１」に示す所定の位相
関係で各出力端子３，４，７，８に出力される。

【００３５】

【表１】

【００３６】「表１」においては、各入力端子１，２，
５，６に入力される高周波信号の位相を基準とし、各出
力端子３，４，７，８に出力される高周波信号の位相を
示している。

【００３７】この第１の実施例の電力合成分配装置につ
いてシミュレーションを行って、以下に示す当該電力合
成分配装置の電気的特性を測定した。なお、このシミュ
レーションにおいては、伝送線路である各マイクロスト
リップ線路Ｌ１１乃至Ｌ４４の伝送損失を無視した。

【００３８】図５は、第１の実施例の電力合成分配装置
の入力端子１における反射係数│Ｓ１１│と入力端子１
から入力端子２への透過係数│Ｓ２１│の各周波数特性
を示すグラフである。図５から明らかなように、当該装
置の中心周波数８００ＭＨｚにおいて、入力端子１にお
ける反射係数│Ｓ１１│が最小となり、良好なインピー
ダンス整合状態で周波数８００ＭＨｚの極超短波信号を
入力することができるとともに、上記中心周波数８００
ＭＨｚにおいて透過係数│Ｓ２１│が最小となり、入力
端子１と入力端子２との間で十分に大きなアイソレーシ
ョンが得られることがわかる。

【００３９】図６は、第１の実施例の電力合成分配装置
の入力端子１から出力端子３への透過係数│Ｓ３１│と
入力端子１から出力端子４への透過係数│Ｓ４１│の各
周波数特性を示すグラフである。図６から明らかなよう
に、当該装置の中心周波数８００ＭＨｚにおいて、入力
端子１から出力端子３及び４への各透過係数│Ｓ３１│
，│Ｓ４１│が最大となり、入力端子１に周波数８００
ＭＨｚの極超短波信号を入力したときに、約６．０２ｄ
Ｂの減衰度で出力端子３及び４に出力することができる
ことがわかる。

【００４０】図７は、第１の実施例の電力合成分配装置
の入力端子１から入力端子５への透過係数│Ｓ５１│と
入力端子１から入力端子６への透過係数│Ｓ６１│の各
周波数特性を示すグラフである。図７から明らかなよう
に、上記中心周波数８００ＭＨｚにおいて各透過係数│
Ｓ５１│，│Ｓ６１│が最小となり、入力端子１と入力
端子５との間、及び入力端子１と入力端子６との間で十
分に大きなアイソレーションが得られることがわかる。

【００４１】図８は、第１の実施例の電力合成分配装置
の入力端子１から出力端子７への透過係数│Ｓ７１│と
入力端子１から出力端子８への透過係数│Ｓ８１│の各
周波数特性を示すグラフである。図８から明らかなよう
に、当該装置の中心周波数８００ＭＨｚにおいて、入力
端子１から出力端子７及び８への各透過係数│Ｓ７１│
，│Ｓ８１│が最大となり、入力端子１に周波数８００
ＭＨｚの極超短波信号を入力したときに、約６．０２ｄ
Ｂの減衰度で出力端子７及び８に出力することができる
ことがわかる。

【００４２】以上のシミュレーションの結果から、入力
端子１に周波数８００ＭＨｚの極超短波信号を入力した
とき、当該極超短波信号が４分配され、各分配された極
超短波信号がそれぞれ各出力端子３，４，７，８に出力
される。また、各入力端子２，５，６に周波数８００Ｍ
Ｈｚの極超短波信号を入力したとき、上記と同様に、当
該極超短波信号が４分配されてそれぞれ各出力端子３，
４，７，８に出力される。また、本実施例の電力合成分
配装置は可逆回路であって、入力端子１，２，５，６と
出力端子３，４，７，８を入れ換えても動作可能である
。従って、図１と図２に図示した構成によって、４入力
４出力の電力合成分配装置を、従来例に比較し小型化さ
れた平面回路で実現することができる。

【００４３】以上の第１の実施例において、信号をすべ
ての入力端子１，２，５，６に入力しない場合は、入力
する信号の数に応じて各入力端子１，２，５，６のうち
最大３個の入力端子を、インピーダンスＺ０の終端抵抗
で終端してもよい。また、信号をすべての出力端子３，
４，７，８から出力させない場合は、出力する信号の数
に応じて各出力端子３，４，７，８のうち最大３個の出
力端子を、インピーダンスＺ０の終端抵抗で終端しても
よい。

【００４４】＜第２の実施例＞図９は、本発明に係る第
２の実施例である、１２個のブランチライン型ハイブリ
ッド回路を用いて構成された８入力８出力の電力合成分
配装置の平面図であり、図１０は、図９のＢ−Ｂ’線に
ついての縦断面図であり、図１３は、図９及び図１０に
図示した電力合成分配装置において入出力用マイクロス
トリップ線路が無い場合の等価回路の回路図である。

【００４５】この第２の実施例の電力合成分配装置にお
いては、１２個のブランチライン型ハイブリッド回路Ｈ
１１乃至Ｈ１４，Ｈ２１乃至Ｈ２４，Ｈ３１乃至Ｈ３４
，Ｈ４１乃至Ｈ４４を用いて、接地導体１０ｇを介して
対向するように形成された２枚の誘電体基板１０ａ，１
０ｂ上に上記各ハイブリッド回路を梯子状に形成して、
８入力８出力の電力合成分配装置を構成したことを特徴
としている。

【００４６】図９と図１０に示すように、接地導体１０
ｇを介して対向するように形成された２枚の誘電体基板
１０ａ，１０ｂのうち、誘電体基板１０ａ上にハイブリ
ッド回路Ｈ１３，Ｈ１４，Ｈ２３，Ｈ２４と、ハイブリ
ッド回路Ｈ３１乃至Ｈ３４の各半分部分（以下、上半分
部分という。）とが、例えば公知の導体パターン形成法
により形成され、一方、誘電体基板１０ｂ上にハイブリ
ッド回路Ｈ１１，Ｈ１２，Ｈ２１，Ｈ２２と、ハイブリ
ッド回路Ｈ３１乃至Ｈ３４の各半分部分（以下、下半分
部分という。）とが、例えば公知の導体パターン形成法
により形成され、各ハイブリッド回路Ｈ３１乃至Ｈ３４
の各上半分部分と各下半分部分とが、各ハイブリッド回
路毎に、誘電体基板１０ａ，１０ｂ及び接地導体１０ｇ
にそれらの厚さ方向に貫通するように形成された各スル
ーホール３２４ｈ，３２１ｈ，３４１ｈ，３４４ｈ，３
１４ｈ，３１１ｈ，３３１ｈ，３３４ｈ内の各スルーホ
ール導体３２４ｃ，３２１ｃ，３４１ｃ，３４４ｃ，３
１４ｃ，３１１ｃ，３３１ｃ，３３４ｃを介して、各ス
ルーホール導体が接地導体１０ｇに接続されないように
電気的に接続される。

【００４７】図９に示すように、ハイブリッド回路Ｈ１
３は、互いに対向して形成されるマイクロストリップ導
体１３３，１３４と、互いに対向して形成されるマイク
ロストリップ導体１３１，１３２とからなり、マイクロ
ストリップ導体１３１，１３３，１３２，１３４の順で
正方環状にかつ電気的に直列に接続されて構成される。 各マイクロストリップ導体１３１，１３２と接地導体１
０ｇによってそれぞれ「数１」の特性インピーダンスを
有するマイクロストリップ線路Ｌ１３１，Ｌ１３２を構
成し、各マイクロストリップ導体１３３，１３４と接地
導体１０ｇによってそれぞれＺ０の特性インピーダンス
を有するマイクロストリップ線路Ｌ１３３，Ｌ１３４を
構成している。マイクロストリップ導体１３１とマイク
ロストリップ導体１３３の接続点に、一端に入力端子Ｔ
Ｉ５を有するマイクロストリップ導体２０５の他端が電
気的に接続され、また、マイクロストリップ導体１３２
とマイクロストリップ導体１３３の接続点に、一端に入
力端子ＴＩ６を有するマイクロストリップ導体２０６の
他端が電気的に接続される。各マイクロストリップ導体
２０５，２０６と接地導体１０ｇによってそれぞれ入力
用マイクロストリップ線路を構成している。

【００４８】また、ハイブリッド回路Ｈ１４は、互いに
対向して形成されるマイクロストリップ導体１４１，１
４２と、互いに対向して形成されるマイクロストリップ
導体１４３，１４４とからなり、マイクロストリップ導
体１４１，１４３，１４２，１４４の順で正方環状にか
つ電気的に直列に接続されて構成される。各マイクロス
トリップ導体１４１，１４２と接地導体１０ｇによって
それぞれ「数１」の特性インピーダンスを有するマイク
ロストリップ線路Ｌ１４１，Ｌ１４２を構成し、各マイ
クロストリップ導体１４３，１４４と接地導体１０ｇに
よってそれぞれＺ０の特性インピーダンスを有するマイ
クロストリップ線路Ｌ１４３，Ｌ１４４を構成している
。マイクロストリップ導体１４１とマイクロストリップ
導体１４３の接続点に、一端に入力端子ＴＩ７を有する
マイクロストリップ導体２０７の他端が電気的に接続さ
れ、また、マイクロストリップ導体１４２とマイクロス
トリップ導体１４３の接続点に、一端に入力端子ＴＩ８
を有するマイクロストリップ導体２０８の他端が電気的
に接続される。各マイクロストリップ導体２０７，２０
８と接地導体１０ｇによってそれぞれ入力用マイクロス
トリップ線路を構成している。

【００４９】さらに、ハイブリッド回路Ｈ２３は、互い
に対向して形成されるマイクロストリップ導体２３１，
２３２と、互いに対向して形成されるマイクロストリッ
プ導体２３３，２３４とからなり、マイクロストリップ
導体２３１，２３３，２３２，２３４の順で正方環状に
かつ電気的に直列に接続されて構成される。各マイクロ
ストリップ導体２３１，２３２と接地導体１０ｇによっ
てそれぞれ「数１」の特性インピーダンスを有するマイ
クロストリップ線路Ｌ２３１，Ｌ２３２を構成し、各マ
イクロストリップ導体２３３，２３４と接地導体１０ｇ
によってそれぞれＺ０の特性インピーダンスを有するマ
イクロストリップ線路Ｌ２３３，Ｌ２３４を構成してい
る。

【００５０】またさらに、ハイブリッド回路Ｈ２４は、
互いに対向して形成されるマイクロストリップ導体２４
１，２４２と、互いに対向して形成されるマイクロスト
リップ導体２４３，２４４とからなり、マイクロストリ
ップ導体２４１，２４３，２４２，２４４の順で正方環
状にかつ電気的に直列に接続されて構成される。各マイ
クロストリップ導体２４１，２４２と接地導体１０ｇに
よってそれぞれ「数１」の特性インピーダンスを有する
マイクロストリップ線路Ｌ２４１，Ｌ２４２を構成し、
各マイクロストリップ導体２４３，２４４と接地導体１
０ｇによってそれぞれＺ０の特性インピーダンスを有す
るマイクロストリップ線路Ｌ２４３，Ｌ２４４を構成し
ている。

【００５１】ハイブリッド回路Ｈ３２は、誘電体基板１
０ａと接地導体１０ｇと誘電体基板１０ｂとを介して互
いに対向して形成されるマイクロストリップ導体３２３
とマイクロストリップ導体（図示せず。）と、図１０に
示すように、誘電体基板１０ａ上に形成されるマイクロ
ストリップ導体３２４ａとスルーホール導体３２４ｃと
誘電体基板１０ｂ上に形成されるマイクロストリップ導
体３２４ｂとが電気的に直列に接続されてなる伝送線路
導体３２４と、誘電体基板１０ａ上に形成されるマイク
ロストリップ導体３２１ａとスルーホール導体３２１ｃ
と誘電体基板１０ｂ上に形成されるマイクロストリップ
導体３２１ｂとが電気的に直列に接続されてなる伝送線
路導体３２１とからなる。ハイブリッド回路Ｈ３２を構
成する上記各導体が電気的に直列に接続され、マイクロ
ストリップ導体３２３と接地導体１０ｇによってそれぞ
れ「数１」の特性インピーダンスを有するマイクロスト
リップ線路Ｌ３２３を構成し、マイクロストリップ導体
３２３に上記対向するマイクロストリップ導体（図示せ
ず。）と接地導体１０ｇによってそれぞれ「数１」の特
性インピーダンスを有するマイクロストリップ線路を構
成し、伝送線路導体３２４と接地導体１０ｇによってＺ
０の特性インピーダンスを有する伝送線路Ｌ３２４を構
成し、伝送線路導体３２１と接地導体１０ｇによってＺ
０の特性インピーダンスを有する伝送線路Ｌ３２１を構
成している。マイクロストリップ導体３２３とマイクロ
ストリップ導体３２４ａの接続点に、一端に出力端子Ｔ
Ｏ４を有するマイクロストリップ導体２１４の他端が電
気的に接続され、マイクロストリップ導体２１４と接地
導体１０ｇによってそれぞれ出力用マイクロストリップ
線路を構成している。

【００５２】また、ハイブリッド回路Ｈ３４は、誘電体
基板１０ａと接地導体１０ｇと誘電体基板１０ｂとを介
して互いに対向して形成されるマイクロストリップ導体
３４３とマイクロストリップ導体（図示せず。）と、図
１０に示すように、誘電体基板１０ａ上に形成されるマ
イクロストリップ導体３４４ａとスルーホール導体３４
４ｃと誘電体基板１０ｂ上に形成されるマイクロストリ
ップ導体３４４ｂとが電気的に直列に接続されてなる伝
送線路導体３４４と、誘電体基板１０ａ上に形成される
マイクロストリップ導体３４１ａとスルーホール導体３
４１ｃと誘電体基板１０ｂ上に形成されるマイクロスト
リップ導体３４１ｂとが電気的に直列に接続されてなる
伝送線路導体３４１とからなる。ハイブリッド回路Ｈ３
４を構成する上記各導体が電気的に直列に接続され、マ
イクロストリップ導体３４３と接地導体１０ｇによって
それぞれ「数１」の特性インピーダンスを有するマイク
ロストリップ線路Ｌ３４３を構成し、マイクロストリッ
プ導体３４３に上記対向するマイクロストリップ導体（
図示せず。）と接地導体１０ｇによってそれぞれ「数１
」の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ線
路を構成し、伝送線路導体３４４と接地導体１０ｇによ
ってＺ０の特性インピーダンスを有する伝送線路Ｌ３４
４を構成し、伝送線路導体３４１と接地導体１０ｇによ
ってＺ０の特性インピーダンスを有する伝送線路Ｌ３４
１を構成している。マイクロストリップ導体３４３とマ
イクロストリップ導体３４４ａの接続点に、一端に出力
端子ＴＯ８を有するマイクロストリップ導体２１８の他
端が電気的に接続され、マイクロストリップ導体２１８
と接地導体１０ｇによってそれぞれ出力用マイクロスト
リップ線路を構成している。

【００５３】さらに、ハイブリッド回路Ｈ３１が、ハイ
ブリッド回路Ｈ１３を間に挟んでハイブリッド回路Ｈ３
２と対称な位置にハイブリッド回路Ｈ３２と同様に形成
され、また、ハイブリッド回路Ｈ３３が、ハイブリッド
回路Ｈ１４を間に挟んでハイブリッド回路Ｈ３４と対称
な位置にハイブリッド回路Ｈ３４と同様に形成される。

【００５４】ハイブリッド回路Ｈ１３のマイクロストリ
ップ導体１３１，１３４の各一端が接続点Ｐ１５におい
てハイブリッド回路Ｈ２３のマイクロストリップ導体２
３１，２３３の各一端に電気的に接続され、ハイブリッ
ド回路Ｈ１３のマイクロストリップ導体１３２の一端と
マイクロストリップ導体１３４の他端とが接続点Ｐ１６
においてハイブリッド回路Ｈ２４のマイクロストリップ
導体２４１，２４３の各一端に電気的に接続される。ま
た、ハイブリッド回路Ｈ１４のマイクロストリップ導体
１４１，１４４の各一端が接続点Ｐ１７においてハイブ
リッド回路Ｈ２３のマイクロストリップ導体２３２の一
端とマイクロストリップ導体２３３の他端に電気的に接
続され、ハイブリッド回路Ｈ１４のマイクロストリップ
導体１４２の一端とマイクロストリップ導体１４４の他
端とが接続点Ｐ１８においてハイブリッド回路Ｈ２４の
マイクロストリップ導体２４２，２４３の各一端に電気
的に接続される。さらに、ハイブリッド回路Ｈ２３のマ
イクロストリップ導体２３１の他端とマイクロストリッ
プ導体２３４の一端とが接続点Ｐ２５においてハイブリ
ッド回路Ｈ３１のマイクロストリップ導体３１１ａ，３
１３の各一端に電気的に接続され、ハイブリッド回路Ｈ
２３のマイクロストリップ導体２３２，２３４の各他端
が接続点Ｐ２６においてハイブリッド回路Ｈ３３のマイ
クロストリップ導体３３１ａ，３３３の各一端に電気的
に接続される。またさらに、ハイブリッド回路Ｈ２４の
マイクロストリップ導体２４１の他端とマイクロストリ
ップ導体２４４の一端とが接続点Ｐ２７においてハイブ
リッド回路Ｈ３２のマイクロストリップ導体３２１ａ，
３２３の各一端に電気的に接続され、ハイブリッド回路
Ｈ２４のマイクロストリップ導体２４２，２４４の各他
端が接続点Ｐ２８においてハイブリッド回路Ｈ３４のマ
イクロストリップ導体３４１ａ，３４３の各一端に電気
的に接続される。

【００５５】なお、各マイクロストリップ導体２１２，
３１３，２３４，３３３，２１６の長手方向は互いに平
行となり、かつ各マイクロストリップ導体２１２，３１
３，２３４，３３３，２１６が１直線上で延在するよう
に形成され、各マイクロストリップ導体２０５，１３１
，２３３，１４１，２０７の長手方向は互いに平行とな
り、かつ各マイクロストリップ導体２０５，１３１，２
３３，１４１，２０７が１直線上で延在するように形成
される。また、各マイクロストリップ導体２０６，１３
２，２４３，１４２，２０８の長手方向は互いに平行と
なり、かつ各マイクロストリップ導体２０６，１３２，
２４３，１４２，２０８が１直線上で延在するように形
成され、各マイクロストリップ導体２１４，３２３，２
４４，３４３，２１８の長手方向は互いに平行となり、
かつ各マイクロストリップ導体２１４，３２３，２４４
，３４３，２１８が１直線上で延在するように形成され
る。さらに、各マイクロストリップ導体３１１ａ，２３
１，１３４，２４１，３２１ａの長手方向は互いに平行
となり、かつ各マイクロストリップ導体３１１ａ，２３
１，１３４，２４１，３２１ａが１直線上で延在するよ
うに形成され、各マイクロストリップ導体３３１ａ，２
３２，１４４，２４２，３４１ａの長手方向は互いに平
行となり、かつ各マイクロストリップ導体３３１ａ，２
３２，１４４，２４２，３４１ａが１直線上で延在する
ように形成される。

【００５６】さらに、同様に、誘電体基板１０ｂの下面
上に、入力端子ＴＩ１，ＴＩ２，ＴＩ３，ＴＩ４と、出
力端子ＴＯ１，ＴＯ３，ＴＯ５，ＴＯ７と、ハイブリッ
ド回路Ｈ１１，Ｈ１２，Ｈ２１，Ｈ２２と、ハイブリッ
ド回路Ｈ３１，Ｈ３２，Ｈ３３，Ｈ３４の下半分部分と
が、誘電体基板１０ａ上に形成された導体パターンと同
様の導体パターンで形成される。

【００５７】以上のように構成された第２の実施例の電
力合成分配装置において、各入力端子ＴＩ１乃至ＴＩ８
にそれぞれ第１乃至第８の高周波信号を入力したとき、
これらの高周波信号が合成及び分配された後、「表２」
に示す所定の位相関係で各出力端子ＴＯ１乃至ＴＯ８に
出力される。

【００５８】

【表２】

【００５９】「表２」においては、各入力端子ＴＩ１乃
至ＴＩ８に入力される高周波信号の位相を基準とし、各
出力端子ＴＯ１乃至ＴＯ８に出力される高周波信号の位
相を示している。

【００６０】この第２の実施例の電力合成分配装置を、
上述のように公知の２回の導体パターン法により、各マ
イクロストリップ導体を容易に形成することができるの
で、当該装置全体を容易に製作することができる。また
、本実施例の電力合成分配装置は第１の実施例と同様に
、可逆回路であって、入力端子ＴＩ１乃至ＴＩ８と出力
端子ＴＯ１乃至ＴＯ８を入れ換えても動作可能である。 従って、図９と図１０に図示した構成によって、８入力
８出力の電力合成分配装置を、従来例に比較し小型化さ
れた平面回路で実現することができる。

【００６１】以上の第２の実施例において、信号をすべ
ての入力端子ＴＩ１乃至ＴＩ８に入力しない場合は、入
力する信号の数に応じて各入力端子ＴＩ１乃至ＴＩ８の
うち最大７個の入力端子を、インピーダンスＺ０の終端
抵抗で終端してもよい。また、信号をすべての出力端子
ＴＯ１乃至ＴＯ８から出力させない場合は、出力する信
号の数に応じて各出力端子ＴＯ１乃至ＴＯ８のうち最大
７個の出力端子を、インピーダンスＺ０の終端抵抗で終
端してもよい。

【００６２】以上の第２の実施例において、各伝送線路
としてマイクロストリップ線路を用いているが、本発明
はこれに限らず、図１１に示すように、各マイクロスト
リップ線路をトリプレート線路に置き換えてもよい。す
なわち、図９及び図１０の構造の電力合成分配装置にお
いて、各ハイブリッド回路Ｈ１３，Ｈ１４，Ｈ２３，Ｈ
２４及び各ハイブリッド回路Ｈ３１乃至Ｈ３４の上半分
部分が形成された誘電体基板１０ａ上に誘電体基板１５
を形成し、さらに、誘電体基板１５上に接地導体１５ｇ
が形成される。一方、各ハイブリッド回路Ｈ１１，Ｈ１
２，Ｈ２１，Ｈ２２及び各ハイブリッド回路Ｈ３１乃至
Ｈ３４の下半分部分が上面に形成された誘電体基板１０
ｂの下面上に誘電体基板１６を形成し、さらに、誘電体
基板１６下面上に接地導体１６ｇが形成される。

【００６３】また、図１２に示すように、各マイクロス
トリップ線路をＢＤＬＳ（Ｂａｌａｎｃｅｄ　　Ｄｏｕ
ｂｌｅ　　Ｌａｙｅｒｅｄ　　Ｓｔｒｉｐｌｉｎｅ）に
置き換えてもよい。（ＢＤＬＳについては、例えば特開
昭６２−２６３７０２号公報参照。）すなわち、上面全
面に接地導体１０ｂｇが形成された誘電体基板１０ｂ下
面上に各ハイブリッド回路Ｈ１３，Ｈ１４，Ｈ２３，Ｈ
２４及び各ハイブリッド回路Ｈ３１乃至Ｈ３４の上半分
部分を形成し、一方、下面全面に接地導体１０ａｇが形
成された誘電体基板１０ａ上面上に各ハイブリッド回路
Ｈ１１，Ｈ１２，Ｈ２１，Ｈ２２及び各ハイブリッド回
路Ｈ３１乃至Ｈ３４の下半分部分を形成する。別の誘電
体基板１７に、図９で図示したスルーホール３１１ｈ，
３１４ｈ，３２１ｈ，３２４ｈ，３３１ｈ，３３４ｈ，
３４１ｈ，３４４ｈに対応するスルーホール３２１ｒ，
３２４ｒ，３４１ｒ，３４４ｒ，…を形成し、それらの
各スルーホール内にスルーホール導体３２１ｃ，３２４
ｃ，３４１ｃ，３４４ｃ，…を形成する。次いで、上記
２枚の誘電体基板１０ａ，１０ｂを各ハイブリッド回路
が形成された面が内側になり互いに対向するように、か
つ第２の実施例と同様に各ハイブリッド回路の所定の各
マイクロストリップ導体が各スルーホール導体３２１ｃ
，３２４ｃ，３４１ｃ，３４４ｃ，…を介して電気的に
接続されるように、上記誘電体基板１７を介して接着す
る。 これによって、ＢＤＬＳを用いた８入力８出力の電力合
成分配装置を得ることができる。

【００６４】以上の第２の実施例において、誘電体基板
１０ａ上に各ハイブリッド回路Ｈ３１乃至Ｈ３４の各上
半分部分を形成し、誘電体基板１０ｂ上に各ハイブリッ
ド回路Ｈ３１乃至Ｈ３４の各下半分部分を形成している
が、本発明はこれに限らず、例えば誘電体基板１０ａ上
にハイブリッド回路Ｈ３１，Ｈ３３のすべての部分を形
成し、誘電体基板１０ｂ上にハイブリッド回路Ｈ３２，
Ｈ３４のすべての部分を形成し、第２の実施例と同様に
、所定の各接続点を誘電体基板１０ａ，１０ｂを貫通す
る各スルーホール内に形成する各スルーホール導体を介
して電気的に接続して構成してもよい。

【００６５】＜他の実施例＞以上の実施例の各ハイブリ
ッド回路において、対向する２対のマイクロストリップ
線路の特性インピーダンスが各対毎に等しい場合につい
て例示したが、本発明はこれに限らず、１対のマイクロ
ストリップ線路の特性インピーダンスが等しく、他の対
のマイクロストリップ線路の特性インピーダンスが公知
の倍数関係にあってもよい。例えば、図３におけるハイ
ブリッド回路Ｈ１において、マイクロストリップ線路Ｌ
１３とＬ１４の各特性アドミタンスａＹ０は等しいが、
マイクロストリップ線路Ｌ１２の特性アドミタンスｂＹ
０がマイクロストリップ線路Ｌ１２の特性アドミタンス
Ｙ０のｂ倍であるように構成してもよい。ここで、定数
ａ，ｂはａ２＝２ｂの関係を保持する必要がある。

【００６６】以上の実施例において、伝送線路としてマ
イクロストリップ線路、トリプレート線路又はＢＤＬＳ
線路を用いた実施例を例示したが、本発明はこれに限ら
ず、スロット線路などの他の種類の伝送線路を用いても
良い。

【００６７】以上の実施例において、各ハイブリッド回
路はそれぞれ１つの接続点で電気的に接続されているが
、本発明はこれに限らず、接続すべきある１つのハイブ
リッド回路の１点と、接続すべき他のハイブリッド回路
の１点を、例えばλｇ／４又はλｇ／４の奇数倍の線路
長を有する伝送線路を介して電気的に接続してもよい。

【００６８】以上の実施例において、４入力４出力の電
力合成分配装置（以下、第１の電力合成分配装置という
。）、及び８入力８出力の電力合成分配装置（以下、第
２の電力合成分配装置という。）について述べているが
、本発明はこれに限らず、複数個の第１の電力合成分配
装置を梯子状に電気的に接続して、又は複数個の第２の
電力合成分配装置を梯子状に電気的に接続して、もしく
は少なくとも１個の第１の電力合成分配装置と少なくと
も１個の第２の電力合成分配装置とを組み合わせて電気
的に接続して、多入力多出力の電力合成分配装置を構成
してもよい。

【００６９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る請求項
１記載の電力合成分配装置によれば、それぞれ環状にか
つ電気的に直列に接続された４本の伝送線路からなる４
個のブランチライン型ハイブリッド回路を備え、上記各
ブランチライン型ハイブリッド回路の１本の伝送線路を
環状にかつ電気的に直列に接続することによって、４入
力４出力の電力合成分配装置を構成したので、上記各ブ
ランチライン型ハイブリッド回路の各伝送線路を例えば
マイクロストリップ線路などの平面線路で構成すること
が可能であって、また、４個のブランチライン型ハイブ
リッド回路を上述のように簡単な構成で電気的に接続す
るだけ構成できるので、設計及び製作が従来例に比較し
容易であるという利点がある。

【００７０】また、請求項３記載の電力合成分配装置に
おいては、請求項１記載の電力合成分配装置が、他の各
ブランチライン型ハイブリッド回路に接続されていない
互いに対向する１対の上記各ブランチライン型ハイブリ
ッド回路の入出力端子である４個の入力端子と、他の各
ブランチライン型ハイブリッド回路に接続されていない
互いに対向する他の１対の上記各ブランチライン型ハイ
ブリッド回路の入出力端子である４個の出力端子とを有
し、請求項１記載の電力合成分配装置を第１の誘電体基
板上に形成し、請求項１記載の別の電力合成分配装置を
上記第１の誘電体基板に対向して配設される第２の誘電
体基板上に形成し、上記第１の誘電体基板に形成された
上記電力合成分配装置の各出力端子と、上記第２の誘電
体基板に形成された上記別の電力合成分配装置の各出力
端子とを、請求項１記載の４個のブランチライン型ハイ
ブリッド回路を介して電気的に接続したことを特徴とし
ている。これによって、８入力８出力の電力合成分配装
置を実現することができるとともに、上記各ブランチラ
イン型ハイブリッド回路の各伝送線路を例えばマイクロ
ストリップ線路などの平面線路で構成することが可能で
あって、また、上述のように簡単な構成で実現できるの
で、設計及び製作が従来例に比較し容易であるという利
点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明に係る第１の実施例である、４個の
ブランチライン型ハイブリッド回路を用いて構成された
４入力４出力の電力合成分配装置の平面図である。

【図２】　　図１のＡ−Ａ’線についての縦断面図であ
る。

【図３】　　図１及び図２に図示した電力合成分配装置
において入出力用マイクロストリップ線路が無い場合の
等価回路の回路図である。

【図４】　　図３の等価回路を図１の形状に書き換えた
場合の等価回路の回路図である。

【図５】　　図１及び図２に図示した電力合成分配装置
の入力端子１における 特性を示すグラフである。

【図６】　　図１及び図２に図示した電力合成分配装置
の入力端子１から出力 の各周波数特性を示すグラフである。

【図７】　　図１及び図２に図示した電力合成分配装置
の入力端子１から入力 の各周波数特性を示すグラフである。

【図８】　　図１及び図２に図示した電力合成分配装置
の入力端子１から出力 の各周波数特性を示すグラフである。

【図９】　　本発明に係る第２の実施例である、１２個
のブランチライン型ハイブリッド回路を用いて構成され
た８入力８出力の電力合成分配装置の平面図である。

【図１０】　　図９のＢ−Ｂ’線についての縦断面図で
ある。

【図１１】　　図９に図示した電力合成分配装置におい
て各マイクロストリップ線路をトリプレート線路に置き
換えた場合の第１の変形例の電力合成分配装置の縦断面
図である。

【図１２】　　図９に図示した電力合成分配装置におい
て各マイクロストリップ線路をＢＤＬＳに置き換えた場
合の第２の変形例の電力合成分配装置の縦断面図である
。

【図１３】　　図９及び図１０に図示した電力合成分配
装置において入出力用マイクロストリップ線路が無い場
合の等価回路の回路図である。

【図１４】　　第１の従来例のブランチライン型ハイブ
リッド回路の平面図である。

【図１５】　　特開昭６３−４２２０２号公報において
開示された第２の従来例の分配回路の回路図である。

【図１６】　　第３の従来例のウィルキンソン型電力分
配器の斜視図である。

【符号の説明】

１，２，５，６，ＴＩ１乃至ＴＩ８…入力端子、３，４
，７，８，ＴＯ１乃至ＴＯ８…出力端子、１０，１０ａ
，１０ｂ，１５，１６，１７…誘電体基板、 １０ｇ，１０ａｇ，１０ｂｇ，１５ｇ，１６ｇ…接地導
体、 １１乃至１４，２１乃至２４，３１乃至３４，４１乃至
４４，１３１乃至１３４，１４１乃至１４４，２３１乃
至２３４，２４１乃至２４４，３１１ａ，３１３，３１
４ａ，３２１ａ，３２１ｂ，３２３，３２４ａ，３２４
ｂ，３３１ａ，３３３，３３４ａ，３４１ａ，３４１ｂ
，３４３，３４４ａ，３４４ｂ…マイクロストリップ導
体、 ３１１，３１４，３２１，３２４，３３１，３３４，３
４１，３４４…伝送線路導体、 ３１１ｈ，３１４ｈ，３２１ｈ，３２４ｈ，３３１ｈ，
３３４ｈ，３４１ｈ，３４４ｈ，３２１ｒ，３２４ｒ，
３４１ｒ，３４４ｒ…スルーホール、 ３１１ｃ，３１４ｃ，３２１ｃ，３２４ｃ，３３１ｃ，
３３４ｃ，３４１ｃ，３４４ｃ…スルーホール導体、Ｌ
１１乃至Ｌ１４，Ｌ２１乃至Ｌ２４，Ｌ３１乃至Ｌ３４
，Ｌ４１乃至Ｌ４４，Ｌ１１１乃至Ｌ１１４，Ｌ１２１
乃至Ｌ１２４，Ｌ１３１乃至Ｌ１３４，Ｌ１４１乃至Ｌ
１４４，Ｌ２１１乃至Ｌ２１４，Ｌ２２１乃至Ｌ２２４
，Ｌ２３１乃至Ｌ２３４，Ｌ２４１乃至Ｌ２４４，Ｌ３
１１乃至Ｌ３１４，Ｌ３２１乃至Ｌ３２４，Ｌ３３１乃
至Ｌ３３４，Ｌ３４１乃至Ｌ３４４…マイクロストリッ
プ線路、 Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ１１，Ｈ１２，Ｈ１３，Ｈ
１４，Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３，Ｈ２４，Ｈ３１，Ｈ３
２，Ｈ３３，Ｈ３４，Ｈ４１，Ｈ４２，Ｈ４３，Ｈ４４
…ブランチライン型ハイブリッド回路。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　それぞれ環状にかつ直列に接続された
   ４本の伝送線路からなる４個のブランチライン型ハイブ
   リッド回路を備え、上記各ブランチライン型ハイブリッ
   ド回路の１本の伝送線路を環状にかつ電気的に直列に接
   続したことを特徴とする電力合成分配装置。
2. 【請求項２】　　上記環状にかつ直列に接続される上記
   各ブランチライン型ハイブリッド回路の１本の伝送線路
   はそれぞれ、所定の電気長の伝送線路を介して電気的に
   接続されることを特徴とする請求項１記載の電力合成分
   配装置。
3. 【請求項３】　　請求項１記載の電力合成分配装置は、
   他の各ブランチライン型ハイブリッド回路に接続されて
   いない互いに対向する１対の上記各ブランチライン型ハ
   イブリッド回路の入出力端子である４個の入力端子と、
   他の各ブランチライン型ハイブリッド回路に接続されて
   いない互いに対向する他の１対の上記各ブランチライン
   型ハイブリッド回路の入出力端子である４個の出力端子
   とを有し、請求項１記載の電力合成分配装置を第１の誘
   電体基板上に形成し、請求項１記載の別の電力合成分配
   装置を上記第１の誘電体基板に対向して配設される第２
   の誘電体基板上に形成し、上記第１の誘電体基板に形成
   された上記電力合成分配装置の各出力端子と、上記第２
   の誘電体基板に形成された上記別の電力合成分配装置の
   各出力端子とを、請求項１記載の４個のブランチライン
   型ハイブリッド回路を介して電気的に接続したことを特
   徴とする電力合成分配装置。
4. 【請求項４】　　上記第１の誘電体基板に形成された上
   記電力合成分配装置の各出力端子と、上記第２の誘電体
   基板に形成された上記別の電力合成分配装置の各出力端
   子とを電気的に接続する請求項１記載の４個のブランチ
   ライン型ハイブリッド回路はそれぞれ、上記第１と第２
   の誘電体基板を貫通するスルーホールに形成されたスル
   ーホール導体を含む伝送線路を備えたことを特徴とする
   請求項３記載の電力合成分配装置。
5. 【請求項５】　　上記第１の誘電体基板に形成された上
   記電力合成分配装置の各出力端子と、上記第２の誘電体
   基板に形成された上記別の電力合成分配装置の各出力端
   子とを電気的に接続する請求項１記載の４個のブランチ
   ライン型ハイブリッド回路はそれぞれ、上記第１と第２
   の誘電体基板間に挟設される別の誘電体基板を貫通する
   スルーホールに形成されたスルーホール導体を含む伝送
   線路を備えたことを特徴とする請求項３記載の電力合成
   分配装置。