JPH04239214A - Acoustic wave device - Google Patents

Acoustic wave device

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Publication number
JPH04239214A
JPH04239214A JP3002034A JP203491A JPH04239214A JP H04239214 A JPH04239214 A JP H04239214A JP 3002034 A JP3002034 A JP 3002034A JP 203491 A JP203491 A JP 203491A JP H04239214 A JPH04239214 A JP H04239214A
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JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
resin layer
surface acoustic
interdigital transducer
comb
Prior art date
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Pending
Application number
JP3002034A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michio Kadota
道雄 門田
Kazuhiko Morozumi
和彦 諸角
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Priority to KR1019920000238A priority patent/KR0126909B1/en
Priority to US07/819,174 priority patent/US5260913A/en
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To simplify a package structure without changing the resonance characteristic of the surface acoustic wave resonator by providing a resin layer so as to cover an interdigital transducer. CONSTITUTION:An acoustic wave resonator element 1 is provided with a piezo-electric substrate 2 polarized in the direction shown by an arrow P, and a pair of comb-shaped electrodes 3 and 4 are formed on the upper surface of the piezo-electric substrate 2, and the comb-shaped electrodes 3 and 4 are provided with plural electrode fingers to be thinned out each other. A BGS wave is excited in the direction shown by an arrow X by applying AC electric field between the comb-shaped electrodes 3 and 4, and this BGS wave is constructed so as to be reflected by face ends 2a and 2b. Since the interdigital transducer composed of the comb-shaped electrodes 3 and 4 are covered by a gelatinous or a less-than-80-Shore-hardness resin layer 5, voids complicating the structure in producing the surface acoustic wave can be omitted.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、BGS波のような変位
が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体とするSH
タイプの表面波を利用した表面波装置に関する。
[Industrial Application Field] The present invention is directed to SH
This invention relates to a surface wave device that utilizes a type of surface wave.

【0002】0002

【従来の技術】従来、表面波装置では、弾性表面波の伝
播路上およびインターデジタルトランスデューサ上に弾
性体を付着させることはタブーとされていた。これは、
弾性体により弾性表面波が吸音され、出力が減衰するか
らである。従って、表面波素子を部品として構成するに
あたり、表面波の伝播路上およびインターデジタルトラ
ンスデューサ上に、弾性表面波の伝播を妨げないための
空洞を設けていた。その結果、表面波装置のパッケージ
構造が複雑かつ高価なものとなっていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in surface acoustic wave devices, it has been considered taboo to attach an elastic body to the surface acoustic wave propagation path and onto the interdigital transducer. this is,
This is because the surface acoustic waves are absorbed by the elastic body, and the output is attenuated. Therefore, when configuring the surface wave element as a component, a cavity is provided on the surface wave propagation path and on the interdigital transducer so as not to interfere with the propagation of the surface acoustic wave. As a result, the package structure of the surface acoustic wave device has become complicated and expensive.

【0003】他方、特開昭54−108551号には、
BGS波を利用した表面波フィルタにおいて、上記空洞
を省略した構造が開示されている。すなわち、この先行
技術では、インターデジタルトランスデューサ上および
表面波伝播路上に、大気中で常温・常圧下で粘液状で加
熱または吸湿作用により硬化する絶縁性ゴムを配置し、
それによって、空洞を省略した構造が開示されている。 ここでは、上記のような絶縁性ゴムをインターデジタル
トランスデューサ上および表面波伝播路上に配置したと
しても、BGS波の出力が減衰しないことが示されてい
る。なお、上記した大気中で常温・常圧下で粘液状で加
熱または吸湿作用により硬化する絶縁性ゴムとしては、
具体的には、吸湿硬化性のシリコンゴムのみが示されて
いる。
[0003] On the other hand, Japanese Patent Application Laid-open No. 108551/1983,
In a surface wave filter using BGS waves, a structure in which the cavity is omitted has been disclosed. That is, in this prior art, an insulating rubber that is sticky and hardens by heating or moisture absorption in the atmosphere at room temperature and pressure is placed on the interdigital transducer and on the surface wave propagation path.
Thereby, a structure is disclosed in which the cavity is omitted. Here, it is shown that even if the above-mentioned insulating rubber is placed on the interdigital transducer and on the surface wave propagation path, the output of the BGS wave is not attenuated. The above-mentioned insulating rubber, which is in the form of mucus and hardens by heating or moisture absorption in the atmosphere at room temperature and pressure, is as follows:
Specifically, only moisture curable silicone rubber is shown.

【0004】0004

【発明が解説しようとする課題】しかしながら、BGS
波を利用した弾性表面波共振子において、インターデジ
タルトランスデューサ上および表面波伝播路上をシリコ
ンゴムで被覆すると、共振抵抗及び伝搬損失がかなり高
くなり、従って共振特性やフィルタ特性が変化するとい
う問題があった。
[Problem to be solved by the invention] However, BGS
In a surface acoustic wave resonator that uses waves, if the interdigital transducer and the surface wave propagation path are coated with silicone rubber, the resonance resistance and propagation loss will become considerably high, which will change the resonance characteristics and filter characteristics. Ta.

【0005】よって、本発明の目的は、SHタイプの表
面波を利用した表面波装置であって、インターデジタル
トランスデューサ上に弾性体を被覆してパッケージ構造
を簡略化し得るだけでなく、共振特性の変動が生じがた
い構造を備えたものを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device using SH type surface waves, which not only simplifies the package structure by coating an interdigital transducer with an elastic body, but also improves resonance characteristics. The purpose is to provide something with a structure that does not easily fluctuate.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】BGS波を利用した共振
子において、インターデジタルトランスデューサ上およ
び表面波伝播路上に単に絶縁性シリコンゴムを設けただ
けでは共振抵抗が劣化することに鑑み、本願発明者らは
、BGS波を用いた種々の表面波装置においてインター
デジタルトランスデューサ上および/または表面波伝播
路上等を種々の樹脂で被覆し、共振特性を検討した。 その結果、BGS波だけでなく、変位が表面波伝播方向
と垂直な方向の変位を主体とする他のSHタイプの表面
波、例えばラブ波等を利用した表面波装置においても、
特定の樹脂層によりインターデジタルトランスデューサ
上を被覆した場合、出力が減衰しないことを見出した。 さらに、種々の樹脂を用いて検討したところ、シリコン
樹脂だけでなく、ウレタン樹脂やエポキシ樹脂等を用い
ても表面波出力の減衰が生じないこと、並びにどのよう
な樹脂を用いても良いのではなく、共振特性の変動を抑
制するには、ゲル状またはショア硬さ30以下の樹脂を
用いることが必要であることを見出し、本発明を成すに
至った。
[Means for Solving the Problems] In view of the fact that simply providing insulating silicone rubber on the interdigital transducer and on the surface wave propagation path in a resonator using BGS waves causes deterioration in resonance resistance, the present inventors investigated the resonance characteristics of various surface acoustic wave devices using BGS waves by coating the interdigital transducer and/or the surface wave propagation path with various resins. As a result, in surface acoustic wave devices that utilize not only BGS waves but also other SH type surface waves whose displacement is mainly perpendicular to the surface wave propagation direction, such as Love waves,
We have found that when an interdigital transducer is coated with a specific resin layer, the output does not attenuate. Furthermore, after examining various resins, we found that not only silicone resin, but also urethane resin, epoxy resin, etc., did not cause attenuation of the surface wave output, and that any resin could be used. However, in order to suppress fluctuations in resonance characteristics, the inventors have discovered that it is necessary to use a gel-like resin or a resin with a Shore hardness of 30 or less, and have accomplished the present invention.

【0007】すなわち、本発明は、圧電基板を伝播する
表面波のうち、変位が表面波伝播方向と垂直な方向の変
位を主体とするSHタイプの表面波を利用した表面波装
置であって、圧電基板と、この圧電基板上に形成された
少なくとも1のインターデジタルトランスデューサと、
前記インターデジタルトランスデューサを少なくとも被
覆するように設けられたゲル状またはショア硬さ30以
下の樹脂層とを備えることを特徴とする。
That is, the present invention is a surface acoustic wave device that utilizes an SH type surface wave, in which the displacement is mainly in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction, among surface waves propagating in a piezoelectric substrate. a piezoelectric substrate and at least one interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate;
It is characterized by comprising a gel-like resin layer or a resin layer having a Shore hardness of 30 or less provided to at least cover the interdigital transducer.

【0008】本発明において用い得る樹脂としては、シ
リコン樹脂、ウレタン樹脂またはエポキシ樹脂等が挙げ
られる。また、「ゲル状」とは、ショア硬さ測定法によ
って測定し得ない程の柔軟性を有する状態のものを示し
、具体的には、JIS  K2220の針入度測定法に
基づいて測定された針入度が100〜40程度の範囲に
入るものを指す。他方、ショア硬さとは、ASTM  
D676により測定された硬度を示す。
[0008] Resins that can be used in the present invention include silicone resins, urethane resins, and epoxy resins. In addition, "gel-like" refers to a state with flexibility that cannot be measured by the Shore hardness measurement method, and specifically, it is measured based on the JIS K2220 penetration measurement method. Refers to those whose penetration is in the range of about 100 to 40. On the other hand, Shore hardness is defined as ASTM
Hardness measured by D676 is shown.

【0009】なお、上記硬度および針入度の測定は、使
用した樹脂を70〜150℃の温度で1〜2時間硬化さ
せた後に行った値である。本発明において、上記ゲル状
またはショア硬さ30以下の樹脂層を用いる必要がある
のは、ショア硬さが30を越える樹脂層によりインター
デジタルトランスデューサを被覆した場合には、共振抵
抗が大幅に高くなり、共振特性の変化を無視し得なくな
るからである。
[0009] The above hardness and penetration were measured after the resin used was cured at a temperature of 70 to 150°C for 1 to 2 hours. In the present invention, it is necessary to use the above-mentioned gel-like resin layer or a resin layer with a Shore hardness of 30 or less.If the interdigital transducer is covered with a resin layer with a Shore hardness of more than 30, the resonance resistance will be significantly higher. This is because changes in resonance characteristics cannot be ignored.

【0010】また、上記樹脂層は、インターデジタルト
ランスデューサを少なくとも覆うように設けられれば良
く、圧電基板のインターデジタルトランスデューサが形
成されている面の全面に形成されていてもよい。もっと
も、表面波伝播路上にも上記樹脂層を被覆形成した場合
には、若干出力が減衰するため好ましくない。また、よ
り好ましくは、上記樹脂層は、インターデジタルトラン
スデューサが形成されている圧電基板表面だけでなく、
圧電基板の側面にも至るように付与される。このように
、圧電基板の側面にも樹脂層を被覆形成することにより
、圧電基板の側面におけるバルク波等の反射を抑制する
ことができ、それによってスプリアスを低減することが
できる。
[0010] The resin layer may be provided to at least cover the interdigital transducer, and may be formed over the entire surface of the piezoelectric substrate on which the interdigital transducer is formed. However, if the surface wave propagation path is also coated with the resin layer, the output will be slightly attenuated, which is not preferable. More preferably, the resin layer covers not only the surface of the piezoelectric substrate on which the interdigital transducer is formed;
It is applied so as to reach the side surface of the piezoelectric substrate. In this way, by coating the side surfaces of the piezoelectric substrate with a resin layer, reflection of bulk waves and the like on the side surfaces of the piezoelectric substrate can be suppressed, thereby reducing spurious waves.

【0011】[0011]

【作用】本発明では、ゲル状またはショア硬さ30以下
の樹脂層により少なくともインターデジタルトランスデ
ューサ上が被覆されているため、表面波装置を製品化す
る場合に構造を複雑化する要因となる空洞を省略するこ
とができる。また、上記特定の樹脂層によりインターデ
ジタルトランスデューサを被覆するものであるため、出
力の減衰が生じ難いだけでなく、共振特性の変化も生じ
難い。
[Operation] In the present invention, at least the top of the interdigital transducer is coated with a gel-like resin layer or a resin layer with a Shore hardness of 30 or less. Therefore, when commercializing a surface acoustic wave device, a cavity which becomes a factor of complicating the structure can be avoided. Can be omitted. Furthermore, since the interdigital transducer is coated with the above-mentioned specific resin layer, not only is output attenuation less likely to occur, but also resonance characteristics are less likely to change.

【0012】0012

【実施例】図2は、本発明の一実施例に用いられる弾性
表面波共振素子を示す。弾性表面波共振素子1は、矢印
P方向に分極処理された圧電基板2を用いて構成されて
いる。圧電基板2の上面には、一組のくし歯電極3,4
が形成されている。くし歯電極3,4は、互いに間挿し
あう複数本の電極指を有する。くし歯電極3,4間に交
流電界を印加することにより、矢印X方向にBGS波が
励振され、該BGS波は端面2a,2bで反射されるよ
うに構成されている。
Embodiment FIG. 2 shows a surface acoustic wave resonator used in an embodiment of the present invention. The surface acoustic wave resonator 1 is constructed using a piezoelectric substrate 2 polarized in the direction of arrow P. On the top surface of the piezoelectric substrate 2, a set of comb-shaped electrodes 3, 4 are provided.
is formed. The comb-teeth electrodes 3 and 4 have a plurality of electrode fingers interposed with each other. By applying an alternating electric field between the comb-teeth electrodes 3 and 4, a BGS wave is excited in the direction of the arrow X, and the BGS wave is reflected by the end faces 2a and 2b.

【0013】本実施例では、表面波共振素子1の上面に
、図1に断面図で示すように、樹脂層5が形成されて表
面波共振子6が構成されている。すなわち、樹脂層5は
、くし歯電極3,4で構成されるインターデジタルトラ
ンスデューサを被覆するように設けられている。樹脂層
5として、種々の針入度のゲル状シリコンゴム(東レ・
ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名SE4
440,SH1851,JCR6110)および種々の
硬度のシリコンゴム(東芝シリコーン株式会社製、商品
名TSE3431H,TSE3251)を用い、表面波
共振子6を構成し、その共振抵抗を測定した。針入度お
よび硬度の測定は、以下の要領で行った。 (1)針入度の測定法  …  JIS  K2220
に基づく測定法、あるいはJIS  K2207に基づ
く測定法(この測定法の場合、JIS  K2220に
基づく測定法で得られるのと同様の値になるように換算
している)。 (2)ショア硬さの測定法  …  ASTM  D6
76に基づく測定法、あるいはJIS  K6301に
基づく測定法(この測定法による測定値はショア硬さに
ほぼ相当している)。
In this embodiment, a resin layer 5 is formed on the upper surface of the surface acoustic wave resonator 1, as shown in a cross-sectional view in FIG. 1, to constitute a surface acoustic wave resonator 6. That is, the resin layer 5 is provided so as to cover the interdigital transducer composed of the comb-shaped electrodes 3 and 4. As the resin layer 5, gel-like silicone rubber (Toray) with various penetration degrees was used.
Manufactured by Dow Corning Silicone Co., Ltd., product name SE4
440, SH1851, JCR6110) and silicone rubbers of various hardnesses (manufactured by Toshiba Silicone Corporation, trade names TSE3431H, TSE3251) to construct a surface acoustic wave resonator 6, and its resonance resistance was measured. Penetration and hardness were measured in the following manner. (1) Measuring method of penetration…JIS K2220
or the measurement method based on JIS K2207 (in the case of this measurement method, the value is converted to the same value as that obtained with the measurement method based on JIS K2220). (2) Shore hardness measurement method…ASTM D6
76, or a measurement method based on JIS K6301 (measured values by this measurement method approximately correspond to Shore hardness).

【0014】また、上記各ゲル状シリコンゴムおよび硬
度を測定したシリコンゴムは、いずれも、70〜150
℃の温度で1〜2時間程度硬化させた後に、針入度また
は硬度を測定した。結果を、図3及び図4に示す。なお
、樹脂層5を設けていない弾性表面波共振素子1の共振
抵抗は、5Ωである。
[0014] In addition, each of the above-mentioned gel-like silicone rubbers and the silicone rubbers whose hardness was measured had a hardness of 70 to 150.
After curing at a temperature of 1 to 2 hours, the penetration or hardness was measured. The results are shown in FIGS. 3 and 4. Note that the resonance resistance of the surface acoustic wave resonator 1 without the resin layer 5 is 5Ω.

【0015】図3および図4から明らかなように、針入
度が100〜40の範囲にあるゲル状シリコンゴムおよ
びショア硬さが30以下のシリコンゴムでは、共振抵抗
が11Ω以下と、樹脂層を設けていない場合の弾性表面
波共振子の共振抵抗5Ωとさほど差がないことがわかる
。これに対して、硬度が30を越えるシリコンゴムを用
いた場合には、共振抵抗が大幅に高くなることがわかる
As is clear from FIGS. 3 and 4, gel-like silicone rubber with a penetration degree in the range of 100 to 40 and silicone rubber with a Shore hardness of 30 or less have a resonance resistance of 11Ω or less, and the resin layer It can be seen that there is not much difference from the resonance resistance of the surface acoustic wave resonator, which is 5Ω, when the surface acoustic wave resonator is not provided. On the other hand, it can be seen that when silicone rubber with a hardness exceeding 30 is used, the resonance resistance becomes significantly higher.

【0016】また、上記実施例では、樹脂層5はゲル状
シリコンゴムや二液製シリコン発泡体等のシリコンゴム
により構成されていたが、ウレタン樹脂やエポキシ樹脂
等の他の樹脂により構成してもよい。図5は、本発明の
他の実施例にかかる表面波共振子を示す。表面波装置1
1では、圧電基板12に、二組のインターデジタルトラ
ンスデューサ13,14が形成されており、インターデ
ジタルトランスデューサ13,14間に、シールド電極
10が形成されている。すなわち、本実施例の表面波装
置11は、二組のインターデジタルトランスデューサ1
3,14を有するフィルタとして構成されている。イン
ターデジタルトランスデューサ13または14で励振さ
れたSHタイプの表面波は、図5の矢印B方向に伝播さ
れる。
Further, in the above embodiment, the resin layer 5 was made of silicone rubber such as gel silicone rubber or two-component silicone foam, but it may be made of other resins such as urethane resin or epoxy resin. Good too. FIG. 5 shows a surface acoustic wave resonator according to another embodiment of the invention. Surface wave device 1
1, two sets of interdigital transducers 13 and 14 are formed on a piezoelectric substrate 12, and a shield electrode 10 is formed between the interdigital transducers 13 and 14. That is, the surface acoustic wave device 11 of this embodiment includes two sets of interdigital transducers 1.
3 and 14. The SH type surface wave excited by the interdigital transducer 13 or 14 is propagated in the direction of arrow B in FIG.

【0017】図5の表面波装置11では、樹脂層は、イ
ンターデジタルトランスデューサ13,14の表面に、
すなわち破線C,Dで示す領域に付与される。なお、樹
脂層は、圧電基板12の上面の全面に形成してもよい。 もっとも、矢印Eで示す表面波伝播路上に樹脂層を形成
した場合には、表面波の出力が減衰する。従って、好ま
しくは、樹脂層は、表面波伝播路上を避けた残りの領域
に形成される。
In the surface wave device 11 shown in FIG. 5, the resin layer is formed on the surfaces of the interdigital transducers 13 and 14.
That is, it is applied to the areas indicated by broken lines C and D. Note that the resin layer may be formed on the entire upper surface of the piezoelectric substrate 12. However, when a resin layer is formed on the surface wave propagation path shown by arrow E, the output of the surface wave is attenuated. Therefore, preferably, the resin layer is formed in the remaining region avoiding the surface wave propagation path.

【0018】さらに好ましくは、樹脂層は、圧電基板1
2の側面12a,12bにも至るように設けられる。こ
のように、側面12a,12bにも至るように樹脂層を
形成することにより、側面12a,12bにおけるバル
ク波の反射を抑制することができ、それによってスプリ
アスを低減することができる。次に、図1に示した表面
波共振子を製品として構成する例を、製造方法を参照し
つつ説明する。
More preferably, the resin layer
It is provided so as to reach the side surfaces 12a and 12b of 2. By forming the resin layer so as to extend to the side surfaces 12a and 12b in this way, it is possible to suppress the reflection of bulk waves on the side surfaces 12a and 12b, thereby reducing spurious waves. Next, an example of configuring the surface acoustic wave resonator shown in FIG. 1 as a product will be described with reference to a manufacturing method.

【0019】まず、図6に斜視図で示すように、長尺状
の金属フレーム21,22を用意する。長尺状の金属フ
レーム21からは、複数の端子部23,24が金属フレ
ーム22側に延びるように形成されている。また、金属
フレーム22から金属フレーム21側に延びるように端
子部25,26が形成されており、端子部25,26の
先端には、ある程度の面積を有する矩形の素子固定部2
7が設けられている。素子固定部27の上面に、図2に
示した弾性表面波共振素子1が導電性接着剤を介して固
定される。
First, as shown in a perspective view in FIG. 6, long metal frames 21 and 22 are prepared. A plurality of terminal portions 23 and 24 are formed from the long metal frame 21 so as to extend toward the metal frame 22 side. Further, terminal parts 25 and 26 are formed so as to extend from the metal frame 22 to the metal frame 21 side, and at the tips of the terminal parts 25 and 26, a rectangular element fixing part 2 having a certain area is provided.
7 is provided. The surface acoustic wave resonator element 1 shown in FIG. 2 is fixed to the upper surface of the element fixing part 27 via a conductive adhesive.

【0020】次に、図7に示すように、弾性表面波共振
子1の上面に、樹脂層5を塗布し、硬化させる。樹脂層
5としては、上述した特定のシリコンゴムが用いられる
。樹脂層5が硬化した段階で、弾性表面波共振子1およ
び素子固定部27等を樹脂モールドし、しかる後、図7
の一点鎖線F,Gで切断する。このようにして、図8に
斜視図で示す表面波共振子部品28を得ることができる
。なお、得られた表面波共振子部品28における端子の
参照番号としては、上述した金属フレーム21,22に
設けられた端子部の参照番号を流用することにする。
Next, as shown in FIG. 7, a resin layer 5 is applied to the upper surface of the surface acoustic wave resonator 1 and cured. As the resin layer 5, the above-mentioned specific silicone rubber is used. At the stage where the resin layer 5 is cured, the surface acoustic wave resonator 1, the element fixing part 27, etc. are molded with resin, and then, as shown in FIG.
Cut along the dashed-dotted lines F and G. In this way, a surface acoustic wave resonator component 28 shown in a perspective view in FIG. 8 can be obtained. Note that as the reference numbers of the terminals in the obtained surface wave resonator component 28, the reference numbers of the terminal portions provided on the metal frames 21 and 22 described above will be used.

【0021】図8の一点鎖線H−Hに沿う断面を図9に
示す。図9から明らかなように、この弾性表面波共振子
部品28では、弾性表面波共振素子1の上面に樹脂層5
が設けられており、その外側が樹脂モールド部29によ
り被覆されている。従って、弾性表面波共振子のインタ
ーデジタルトランスデューサが構成されている部分の上
方に空洞を設ける必要がないため、上記のような樹脂モ
ールド技術により比較的簡単な工程を経て製造すること
ができる。
FIG. 9 shows a cross section taken along the dashed line HH in FIG. As is clear from FIG. 9, in this surface acoustic wave resonator component 28, a resin layer 5 is formed on the upper surface of the surface acoustic wave resonator element 1.
is provided, and the outside thereof is covered with a resin mold part 29. Therefore, since there is no need to provide a cavity above the portion of the surface acoustic wave resonator where the interdigital transducer is constructed, it is possible to manufacture the surface acoustic wave resonator through relatively simple steps using the resin molding technique described above.

【0022】なお、上記のように樹脂モールド部29を
形成する構造だけでなく、ハーメチックシールケースの
ような他の構造を用いてパッケージングした製品にも、
本発明を適用することができる。
[0022] In addition to the structure in which the resin mold part 29 is formed as described above, products packaged using other structures such as a hermetic seal case can also be used.
The present invention can be applied.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明によれば、インターデジタルトラ
ンスデューサの上部を少なくとも被覆するように、上記
特定の材料より成る樹脂層が設けられているので、弾性
表面波共振子の共振特性を変化せさることなく、パッケ
ージ構造を簡略化することができる。従って、弾性表面
波装置の製造工程を簡略化することができ、かつコスト
を低減することが可能となる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, since the resin layer made of the above-mentioned specific material is provided so as to cover at least the upper part of the interdigital transducer, the resonance characteristics of the surface acoustic wave resonator are changed. The package structure can be simplified. Therefore, the manufacturing process of the surface acoustic wave device can be simplified and costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例の弾性表面波共振子を示す断
面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a surface acoustic wave resonator according to an embodiment of the present invention.

【図2】実施例で用いられる表面波共振素子を示す斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a surface acoustic wave resonant element used in the example.

【図3】ゲル状樹脂層を用いた表面波共振子の共振抵抗
を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the resonance resistance of a surface acoustic wave resonator using a gel-like resin layer.

【図4】シリコンゴムを用いた表面波共振子の共振抵抗
を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the resonance resistance of a surface acoustic wave resonator using silicone rubber.

【図5】本発明が適用される他の構造の表面波装置を示
す模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a surface acoustic wave device having another structure to which the present invention is applied.

【図6】図2の表面波共振素子を金属フレーム上に固定
した状態を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing the surface acoustic wave resonator of FIG. 2 fixed on a metal frame.

【図7】表面波共振素子の上面に樹脂層を設けた状態を
示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a state in which a resin layer is provided on the upper surface of the surface wave resonant element.

【図8】樹脂モールド部が形成された表面波共振子部品
を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing a surface acoustic wave resonator component in which a resin molded portion is formed.

【図9】図8に示した表面波共振子部品の断面図である
9 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave resonator component shown in FIG. 8. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1      …  表面波共振素子 2      …  圧電基板 3,4  …  くし歯電極 5      …  樹脂層 6      …  表面波共振子 1…Surface wave resonant element 2 Piezoelectric substrate 3, 4… Comb tooth electrode 5…Resin layer 6…Surface wave resonator

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  圧電基板を伝播する表面波のうち、変
位が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体とするS
Hタイプの表面波を用いた表面波装置であって、圧電基
板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも1のイン
ターデジタルトランスデューサと、前記インターデジタ
ルトランスデューサを少なくとも覆うように設けられた
ゲル状またはショア硬さ30以下の樹脂層とを備えるこ
とを特徴とする、表面波装置。
Claim 1: Of the surface waves propagating in the piezoelectric substrate, S whose displacement is mainly in the direction perpendicular to the surface wave propagation direction.
A surface acoustic wave device using H-type surface waves, comprising a piezoelectric substrate, at least one interdigital transducer formed on the piezoelectric substrate, and a gel-like or A surface wave device comprising: a resin layer having a Shore hardness of 30 or less.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703760B2 (en) 1999-07-22 2004-03-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device and communication apparatus
KR100796073B1 (en) * 2005-05-11 2008-01-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Lamb wave type high frequency device

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