JPH04233808A - 高周波数、広帯域、３重平衡ミキサ - Google Patents
高周波数、広帯域、３重平衡ミキサInfo
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- JPH04233808A JPH04233808A JP18701591A JP18701591A JPH04233808A JP H04233808 A JPH04233808 A JP H04233808A JP 18701591 A JP18701591 A JP 18701591A JP 18701591 A JP18701591 A JP 18701591A JP H04233808 A JPH04233808 A JP H04233808A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に高レベル補助
信号を加算或いは減算的に混合することにより所定の周
波数の入射信号を異なる周波数の出力信号へ変換するこ
とを必要とする無線受信機および送信機に関し、特に広
帯域特性を有し高周波数信号を低い歪みで混合できる３
重平衡ミキサに関する。
信号を加算或いは減算的に混合することにより所定の周
波数の入射信号を異なる周波数の出力信号へ変換するこ
とを必要とする無線受信機および送信機に関し、特に広
帯域特性を有し高周波数信号を低い歪みで混合できる３
重平衡ミキサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ミキサは２個の入力信号、すなわち低電
力無線信号（ＲＦ）と、高電力局部発振器信号（ＬＯ）
を受信し、１個の出力信号、すなわち中間周波数信号（
ＩＦ）を生成する。正弦波入力信号は典型的に入力信号
周波数の和と差の周波数成分を有する出力信号で生じる
。さらに、出力信号は入力信号周波数の倍数の和と差を
含む。典型的に、入力信号の和または差のみが望ましく
、他の信号成分はフィルタで除去される。
力無線信号（ＲＦ）と、高電力局部発振器信号（ＬＯ）
を受信し、１個の出力信号、すなわち中間周波数信号（
ＩＦ）を生成する。正弦波入力信号は典型的に入力信号
周波数の和と差の周波数成分を有する出力信号で生じる
。さらに、出力信号は入力信号周波数の倍数の和と差を
含む。典型的に、入力信号の和または差のみが望ましく
、他の信号成分はフィルタで除去される。
【０００３】通常のミキサは能動、受動或いはスイッチ
ング型式である。しかしながら、受動ミキサに対するシ
ョッツキバリヤダイオードの発展は他の型式よりも有効
な受動ダイオードミキサを生成し、したがって、受動ダ
イオードミキサはより幅広く使用されている。
ング型式である。しかしながら、受動ミキサに対するシ
ョッツキバリヤダイオードの発展は他の型式よりも有効
な受動ダイオードミキサを生成し、したがって、受動ダ
イオードミキサはより幅広く使用されている。
【０００４】ミキサは単一ダイオード（シングルエンド
ミキサ）によって構成されるが、最小の十分な性能を与
えるために３個のポート全てにフィルタを含まなければ
ならない。しかしながら、フィルタの使用は任意の２個
のポートの隣接する周波数を処理するためにそのような
ミキサの無能を生じさせる。このミキサのスプリアス特
性は一般的にダイオードの固有する非線形にすぎないも
のであり、分離はフィルタを設けることによってのみ良
好に行うことができる。ＲＦおよびＬＯ周波数とその高
調波と他の不所望な混合生成物はＩＦポートに出力信号
の可成の成分として現れる。
ミキサ）によって構成されるが、最小の十分な性能を与
えるために３個のポート全てにフィルタを含まなければ
ならない。しかしながら、フィルタの使用は任意の２個
のポートの隣接する周波数を処理するためにそのような
ミキサの無能を生じさせる。このミキサのスプリアス特
性は一般的にダイオードの固有する非線形にすぎないも
のであり、分離はフィルタを設けることによってのみ良
好に行うことができる。ＲＦおよびＬＯ周波数とその高
調波と他の不所望な混合生成物はＩＦポートに出力信号
の可成の成分として現れる。
【０００５】単一平衡ミキサは２個のダイオードから構
成されるので、シングルエンドミキサよりもＬＯの高出
力を必要とする。しかし、単一平衡ミキサの利点は少な
くとも１個の漏洩路に対してより良好なスプリアス抑制
および分離を有することである。単一平衡ミキサはＩＦ
ポートから分離するＬＯまたはＲＦポートのいずれかに
バラン（ｂａｌｕｎ：平衡不平衡変成器）を使用するが
、フィルタは他のポート（ＲＦまたはＬＯポート）に必
要とされている。ミキサバランの最も重要な特性は逆電
圧および逆電流（１８０ 度の位相差で等振幅）を平衡
負荷の両側に供給する能力である。
成されるので、シングルエンドミキサよりもＬＯの高出
力を必要とする。しかし、単一平衡ミキサの利点は少な
くとも１個の漏洩路に対してより良好なスプリアス抑制
および分離を有することである。単一平衡ミキサはＩＦ
ポートから分離するＬＯまたはＲＦポートのいずれかに
バラン（ｂａｌｕｎ：平衡不平衡変成器）を使用するが
、フィルタは他のポート（ＲＦまたはＬＯポート）に必
要とされている。ミキサバランの最も重要な特性は逆電
圧および逆電流（１８０ 度の位相差で等振幅）を平衡
負荷の両側に供給する能力である。
【０００６】２重平衡ミキサは４個のダイオードから構
成されるので、単一平衡ミキサよりもＬＯ出力を必要と
する。しかしながら、２重平衡ミキサはすぐれたスプリ
アス抑制と、ダイナミック範囲と、低いＶＳＷＲ（電圧
定型波比）と、低変換損失と、低雑音とを有する。２重
平衡ミキサは互いにＬＯおよびＲＦ信号を分離しさらに
ＩＦ信号からその両者を分離するためにＲＦおよびＬＯ
ポートの２個のバランを使用する。
成されるので、単一平衡ミキサよりもＬＯ出力を必要と
する。しかしながら、２重平衡ミキサはすぐれたスプリ
アス抑制と、ダイナミック範囲と、低いＶＳＷＲ（電圧
定型波比）と、低変換損失と、低雑音とを有する。２重
平衡ミキサは互いにＬＯおよびＲＦ信号を分離しさらに
ＩＦ信号からその両者を分離するためにＲＦおよびＬＯ
ポートの２個のバランを使用する。
【０００７】３重平衡ミキサは８個のダイオードおよび
３個のバラン（或いはより正確に３対のバラン）から構
成される。３重平衡ミキサは広いダイナミック範囲と、
良好なスプリアス抑制と、中間ポート分離を提供し、２
重平衡ミキサよりも高いＩＦポート周波数を許容する。 ３重平衡ミキサの欠点はＬＯの高出力が要求されること
と、ＩＦポートの直流（ＤＣ）に減少する不安定性と、
高コストであることである。
３個のバラン（或いはより正確に３対のバラン）から構
成される。３重平衡ミキサは広いダイナミック範囲と、
良好なスプリアス抑制と、中間ポート分離を提供し、２
重平衡ミキサよりも高いＩＦポート周波数を許容する。 ３重平衡ミキサの欠点はＬＯの高出力が要求されること
と、ＩＦポートの直流（ＤＣ）に減少する不安定性と、
高コストであることである。
【０００８】ミキサ性能が比較的高い入力周波数すなわ
ち１８ギガヘルツより高い入力周波数によって悪影響を
与えることは重要である。周波数が増加すると、ポート
間の分離は減少し、導入線インダクタンスと、寄生キャ
パシタパンスと、部品の物理的位置はミキサの性能をま
すます低下させる傾向がある。結果的に、多くの重要な
手段において、通常のミキサは典型的にそのような高周
波数では十分に動作しない。
ち１８ギガヘルツより高い入力周波数によって悪影響を
与えることは重要である。周波数が増加すると、ポート
間の分離は減少し、導入線インダクタンスと、寄生キャ
パシタパンスと、部品の物理的位置はミキサの性能をま
すます低下させる傾向がある。結果的に、多くの重要な
手段において、通常のミキサは典型的にそのような高周
波数では十分に動作しない。
【０００９】そのようなミキサの高周波数性能を改良す
るための企てにおいて、幾つかの従来のミキサは導波管
ポートを利用してきた。導波管ポートを使用する従来の
ミキサの１例はＷｅｓｔｇａｔｅ氏による米国特許４，
６９１，３８０ 号明細書中に開示されている。Ｗｅｓ
ｔｇａｔｅの装置は３５ギガヘルツまでの高周波数で使
用されるために構成された２重平衡ミキサである。しか
し、Ｗｅｓｔｇａｔｅの装置は上述の２重平衡ミキサの
欠点を有する。
るための企てにおいて、幾つかの従来のミキサは導波管
ポートを利用してきた。導波管ポートを使用する従来の
ミキサの１例はＷｅｓｔｇａｔｅ氏による米国特許４，
６９１，３８０ 号明細書中に開示されている。Ｗｅｓ
ｔｇａｔｅの装置は３５ギガヘルツまでの高周波数で使
用されるために構成された２重平衡ミキサである。しか
し、Ｗｅｓｔｇａｔｅの装置は上述の２重平衡ミキサの
欠点を有する。
【００１０】他の従来のミキサは直交構造を使用するこ
とによってそのような高周波数要求でのポート分離を改
良する。ＲＦおよびＬＯポートに対する直交ハイブリッ
ドＴ接合を利用する従来のミキサの１例はＷｏｎｇ氏他
による米国特許４，４８０，３３６ 号明細書で開示さ
れている。Ｗｏｎｇ氏他によるミキサは単一平衡ミキサ
または２重平衡ミキサであるので、単一および２重平衡
ミキサに対する典型的な欠点を有する。
とによってそのような高周波数要求でのポート分離を改
良する。ＲＦおよびＬＯポートに対する直交ハイブリッ
ドＴ接合を利用する従来のミキサの１例はＷｏｎｇ氏他
による米国特許４，４８０，３３６ 号明細書で開示さ
れている。Ｗｏｎｇ氏他によるミキサは単一平衡ミキサ
または２重平衡ミキサであるので、単一および２重平衡
ミキサに対する典型的な欠点を有する。
【００１１】現在市販されている３重平衡ミキサはハウ
ジング内で１対のパッケージされたダイオードリングを
吊している３対のバランと３組のコネクタのシステムを
利用する。バランはポート分離を改良するために直交し
て配置され、電磁エネルギ吸収材料がハウジング内で生
じた電流を減少するために使用される。そのような従来
の３重平衡ミキサは２６ギガヘルツまでの周波数で動作
するように設計されたが、２０ギガヘルツより高いその
性能は好ましくない。
ジング内で１対のパッケージされたダイオードリングを
吊している３対のバランと３組のコネクタのシステムを
利用する。バランはポート分離を改良するために直交し
て配置され、電磁エネルギ吸収材料がハウジング内で生
じた電流を減少するために使用される。そのような従来
の３重平衡ミキサは２６ギガヘルツまでの周波数で動作
するように設計されたが、２０ギガヘルツより高いその
性能は好ましくない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ミキサは
良好なポート分離と、スプリアス抑制と、高周波数にお
ける低変換損失を提供することが必要とされ、これらの
結果に達成することが可能であり、さらに高帯域性能お
よび低い歪みを設けることができるミキサが必要とされ
ている。
良好なポート分離と、スプリアス抑制と、高周波数にお
ける低変換損失を提供することが必要とされ、これらの
結果に達成することが可能であり、さらに高帯域性能お
よび低い歪みを設けることができるミキサが必要とされ
ている。
【００１３】本発明の主な目的は、高周波数入力信号に
よって良好の性能を可能にする改良されたミキサを提供
することである。
よって良好の性能を可能にする改良されたミキサを提供
することである。
【００１４】本発明の別の目的は、高周波数入力信号に
よって良好の性能を可能にする３重平衡ミキサを提供す
ることである。
よって良好の性能を可能にする３重平衡ミキサを提供す
ることである。
【００１５】本発明のさらに別の目的は、広帯域特性を
有する３重平衡ミキサを提供することである。
有する３重平衡ミキサを提供することである。
【００１６】本発明のさらに別の目的は、高ダイナミッ
ク範囲を有する３重平衡ミキサを提供することである。
ク範囲を有する３重平衡ミキサを提供することである。
【００１７】本発明の目的は、優良なスプリアス特性を
有する改良されたミキサを提供することである。
有する改良されたミキサを提供することである。
【００１８】特に本発明は、同軸または導波管ポートを
利用するか否かに依存して３８ギガヘルツまたは５０ギ
ガヘルツ程度に高周波数に対する通常の高性能３重平衡
ミキサの性能特性を発展させる。
利用するか否かに依存して３８ギガヘルツまたは５０ギ
ガヘルツ程度に高周波数に対する通常の高性能３重平衡
ミキサの性能特性を発展させる。
【００１９】
【課題を解決するための手段】通常当業者は、２０ギガ
ヘルツより高い周波数での満足すべき性能を可能にする
３重平衡ミキサを構成することは不可能であることは信
じていた。これはダイオード四辺形はキャパシタンスお
よび寄生導入線インダクタンスを有し、それらはリボン
コネクタインダクタンスと結合されてローパスフィルタ
としてミキサ回路中で作用するので、ミキサの高周波数
特性が制限されるからである。しかし、低キャパシタパ
ンスビームリードダイオード四辺形リングをバランに直
接接続することによって、最高周波数信号を供給するこ
とが予想され（したがってリボンコネクタは不必要）、
特別に設計されたバランを結合することによって、これ
らの特性および寄生インダクタンスは最小限にされた。 結果的に、本発明のミキサは比較的低い周波数で動作す
る通常の３重平衡ミキサの高性能特性の全てを維持なが
ら、５０ギガヘルツまでの高周波数信号を処理すること
が可能である。
ヘルツより高い周波数での満足すべき性能を可能にする
３重平衡ミキサを構成することは不可能であることは信
じていた。これはダイオード四辺形はキャパシタンスお
よび寄生導入線インダクタンスを有し、それらはリボン
コネクタインダクタンスと結合されてローパスフィルタ
としてミキサ回路中で作用するので、ミキサの高周波数
特性が制限されるからである。しかし、低キャパシタパ
ンスビームリードダイオード四辺形リングをバランに直
接接続することによって、最高周波数信号を供給するこ
とが予想され（したがってリボンコネクタは不必要）、
特別に設計されたバランを結合することによって、これ
らの特性および寄生インダクタンスは最小限にされた。 結果的に、本発明のミキサは比較的低い周波数で動作す
る通常の３重平衡ミキサの高性能特性の全てを維持なが
ら、５０ギガヘルツまでの高周波数信号を処理すること
が可能である。
【００２０】本発明は適切な誘電体シートの両面に配置
された２個のビームリードダイオード四辺形リングを備
える。これらの部品に対する適切なハウジングは３対の
バランに接続されるＲＦ、ＬＯ、およびＩＦポート（入
力および出力信号に対する）を有する。適切なコネクタ
は２対のバランをリングに接続する。しかしながら、他
の対のバランはコネクタを使用せずにダイオードリング
に直接接続される。そのようなコネクタの除去はそのよ
うなコネクタによるンダクタンスを除く。最高周波数を
ミキサに供給するポートはそのようにしなければ大きな
性能低下を生じさせるものである。したがって、高周波
数ポート用の回路中のコネクタは除去されることが好ま
しい。結果として、高周波数ポート用のこの新しい回路
は高周波数の制限を上昇させ、ミキサは処理可能である
ので、大いにその性能を高めることができる。
された２個のビームリードダイオード四辺形リングを備
える。これらの部品に対する適切なハウジングは３対の
バランに接続されるＲＦ、ＬＯ、およびＩＦポート（入
力および出力信号に対する）を有する。適切なコネクタ
は２対のバランをリングに接続する。しかしながら、他
の対のバランはコネクタを使用せずにダイオードリング
に直接接続される。そのようなコネクタの除去はそのよ
うなコネクタによるンダクタンスを除く。最高周波数を
ミキサに供給するポートはそのようにしなければ大きな
性能低下を生じさせるものである。したがって、高周波
数ポート用の回路中のコネクタは除去されることが好ま
しい。結果として、高周波数ポート用のこの新しい回路
は高周波数の制限を上昇させ、ミキサは処理可能である
ので、大いにその性能を高めることができる。
【００２１】本発明は、またコネクタ長を減少するため
に新しく設計されたバランを利用してバランが与えるイ
ンダクタンスを減少することができる。さらに、バラン
の新しい設計はバランの寄生短絡スタブインピーダンス
を最大にし、２個のポートのコネクタ長を最小にし、他
のポートのコネクタの必要性を除去する。したがって、
ユニークなバラン設計はミキサがその帯域幅（従来の場
合には比較的低い周波数でしか得られない）を保持する
ことを可能にさせ、同時に高周波数特性を延在する。必
然的に、バランのユニークな特徴は中間部分で外方向に
屈曲されるフォーク状の特殊な形状にある。このバラン
は短絡スタブインピーダンス、すなわちフォーク状部分
の枝部間のインピーダンスを最大にするために（その長
の大部分に対して）フォーク状の部分の広い間隔を設け
、さらにダイオードリングとフォーク状部分との距離を
最小にするためにフォーク状部分の端部で狭い間隔を設
けるので、コネクタがブリッジするための必要な距離を
最小にし、少なくとも１対のバランのダイオードリング
への直接接続を許容する。
に新しく設計されたバランを利用してバランが与えるイ
ンダクタンスを減少することができる。さらに、バラン
の新しい設計はバランの寄生短絡スタブインピーダンス
を最大にし、２個のポートのコネクタ長を最小にし、他
のポートのコネクタの必要性を除去する。したがって、
ユニークなバラン設計はミキサがその帯域幅（従来の場
合には比較的低い周波数でしか得られない）を保持する
ことを可能にさせ、同時に高周波数特性を延在する。必
然的に、バランのユニークな特徴は中間部分で外方向に
屈曲されるフォーク状の特殊な形状にある。このバラン
は短絡スタブインピーダンス、すなわちフォーク状部分
の枝部間のインピーダンスを最大にするために（その長
の大部分に対して）フォーク状の部分の広い間隔を設け
、さらにダイオードリングとフォーク状部分との距離を
最小にするためにフォーク状部分の端部で狭い間隔を設
けるので、コネクタがブリッジするための必要な距離を
最小にし、少なくとも１対のバランのダイオードリング
への直接接続を許容する。
【００２２】ハウジングはそのほぼ中心部分に空洞を形
成する内壁を有する。空洞はリングと、バランとバラン
コネクタを含む。空洞の大きい寸法はさもなければミキ
サの平衡をだめにさせるバランと空洞との電磁結合を最
小にする。
成する内壁を有する。空洞はリングと、バランとバラン
コネクタを含む。空洞の大きい寸法はさもなければミキ
サの平衡をだめにさせるバランと空洞との電磁結合を最
小にする。
【００２３】
【実施例】図を参照にすると、本発明のミキサが全体を
符号１０で示されている。ミキサ１０は符号１２，１４
で示された１対のダイオード四辺形リングを含むこと
が好ましく、リング１２，１４ はファイバ補強テフロ
ン（デュロイド）材料から構成されるのが好ましい適切
なシート１６上に配置されることが好ましい。またリン
グ１２，１４ は図２で示されたようにシート１６の反
対面上に配置されることが好ましい。
符号１０で示されている。ミキサ１０は符号１２，１４
で示された１対のダイオード四辺形リングを含むこと
が好ましく、リング１２，１４ はファイバ補強テフロ
ン（デュロイド）材料から構成されるのが好ましい適切
なシート１６上に配置されることが好ましい。またリン
グ１２，１４ は図２で示されたようにシート１６の反
対面上に配置されることが好ましい。
【００２４】シート１６は約０．１２７ ミリメータ（
５ミル）の一致した厚さからなることが好ましい。しか
しながら、シート１６はまた他の適当な厚さからなるこ
とができ、デュロイド以外の材料から構成されることも
できる。
５ミル）の一致した厚さからなることが好ましい。しか
しながら、シート１６はまた他の適当な厚さからなるこ
とができ、デュロイド以外の材料から構成されることも
できる。
【００２５】ミキサ１０はまたハウジング２０を含むこ
とが好ましい。ハウジング２０はミキサ１０から或いは
ミキサ１０への信号入力および出力に対するＲＦ（高周
波）ポート２２と、ＬＯ（局部発振）ポート２４と、Ｉ
Ｆ（中間周波数）ポート２６とを有する。ＲＦバラン対
２８はＲＦポート２２に接続され、ＬＯバラン対３０は
ＬＯポート２４に接続され、ＩＦバラン対３２はＩＦポ
ート２６に接続される。バラン対２８はその上部と下部
をそれぞれ示す図９の（ａ）と（ｂ）に示されたように
接地面６０と平行に配置したライン５８を有することが
好ましい。ライン５８および接地面６０は不平衡マイク
ロストリップ伝送ラインを構成する。ライン５８および
接地面６０は１対の平行の平衡ストリップ伝送ライン、
すなわち上部または下部フォーク状部分４４，４５ に
それぞれ信号を供給する。バラン対２８は以下詳細に説
明されるデュロイド層１８の反対面上に付着された金属
パターンの形態であることが好ましい。バラン対３０も
同様に１対の平行の平衡ストリップ伝送ライン、すなわ
ち上部および下部フォーク状部分５０，５３ にそれぞ
れ信号を供給するライン６２および平行接地面６４を有
することが好ましい。バラン対３０はまた相互コネクタ
９６の１つに適応するようにバラン対３０の中心線でカ
ットアウト部分またはホール５９を有することが好まし
い。ホール５９および相互コネクタ９６については以下
詳細に説明される。バラン対３２は上部および下部フォ
ーク状部分５４，５７ にそれぞれ信号を供給するライ
ン６６および平行接地面６８を有する。 図２に示されたようにバラン対２８，３０，３２は互い
に近くに配置され、また四辺形リング１２，１４ を近
くに配置することを容易にするために溝を付けることが
できる。しかし、バラン対２８，３０，３２のいずれか
または全部は図９の（ａ）と（ｂ）に示されたように溝
を付けなくてもよい。
とが好ましい。ハウジング２０はミキサ１０から或いは
ミキサ１０への信号入力および出力に対するＲＦ（高周
波）ポート２２と、ＬＯ（局部発振）ポート２４と、Ｉ
Ｆ（中間周波数）ポート２６とを有する。ＲＦバラン対
２８はＲＦポート２２に接続され、ＬＯバラン対３０は
ＬＯポート２４に接続され、ＩＦバラン対３２はＩＦポ
ート２６に接続される。バラン対２８はその上部と下部
をそれぞれ示す図９の（ａ）と（ｂ）に示されたように
接地面６０と平行に配置したライン５８を有することが
好ましい。ライン５８および接地面６０は不平衡マイク
ロストリップ伝送ラインを構成する。ライン５８および
接地面６０は１対の平行の平衡ストリップ伝送ライン、
すなわち上部または下部フォーク状部分４４，４５ に
それぞれ信号を供給する。バラン対２８は以下詳細に説
明されるデュロイド層１８の反対面上に付着された金属
パターンの形態であることが好ましい。バラン対３０も
同様に１対の平行の平衡ストリップ伝送ライン、すなわ
ち上部および下部フォーク状部分５０，５３ にそれぞ
れ信号を供給するライン６２および平行接地面６４を有
することが好ましい。バラン対３０はまた相互コネクタ
９６の１つに適応するようにバラン対３０の中心線でカ
ットアウト部分またはホール５９を有することが好まし
い。ホール５９および相互コネクタ９６については以下
詳細に説明される。バラン対３２は上部および下部フォ
ーク状部分５４，５７ にそれぞれ信号を供給するライ
ン６６および平行接地面６８を有する。 図２に示されたようにバラン対２８，３０，３２は互い
に近くに配置され、また四辺形リング１２，１４ を近
くに配置することを容易にするために溝を付けることが
できる。しかし、バラン対２８，３０，３２のいずれか
または全部は図９の（ａ）と（ｂ）に示されたように溝
を付けなくてもよい。
【００２６】電気コネクタ３４と３６はリングの適当な
端子にバラン２８と３２をそれぞれ相互接続する。コネ
クタ３４と３６（またはＲＦバランコネクタ３４および
ＩＦバランコネクタ３６）はさもなければミキサ１０の
性能を低下させるリードインダクタンスを最小にするた
めに最小長から構成する薄い、平坦な導電体（リボンコ
ネクタ）であるのが好ましい。
端子にバラン２８と３２をそれぞれ相互接続する。コネ
クタ３４と３６（またはＲＦバランコネクタ３４および
ＩＦバランコネクタ３６）はさもなければミキサ１０の
性能を低下させるリードインダクタンスを最小にするた
めに最小長から構成する薄い、平坦な導電体（リボンコ
ネクタ）であるのが好ましい。
【００２７】リング１２，１４ と、バラン対２８，３
０，３２と、コネクタ３４，３６ はハウジング２０の
側壁４０と上部および下部壁４２によって限定された空
洞３８内に配置される。壁４０，４２ は空洞壁とリン
グ、バラン、およびバランコネクタとの間の電磁相互作
用による信号損失を最小にし空洞３８の寸法を最大にす
るように選択した寸法に定められる。壁４０，４２ は
図１で示されたようにバランと壁の間に２．５４ミリ（
１００ ミル）の間隔を設けるために約５．０８ミリ（
２００ ミル）の高さおよび幅を有することが好ましい
。この近似する間隔は大きい間隔が信号損失を十分に改
良できない点において適していることが決定された。窓
４１およびたな突出部４３は各ポートへのバラン２８，
３０，３２の接続を容易にするために側壁４０に位置さ
れることが好ましい。ハウジング２０はバランの接地側
（接地面６０，６４，６８）の接続に対する導電材料か
ら構成されることが好ましい。
０，３２と、コネクタ３４，３６ はハウジング２０の
側壁４０と上部および下部壁４２によって限定された空
洞３８内に配置される。壁４０，４２ は空洞壁とリン
グ、バラン、およびバランコネクタとの間の電磁相互作
用による信号損失を最小にし空洞３８の寸法を最大にす
るように選択した寸法に定められる。壁４０，４２ は
図１で示されたようにバランと壁の間に２．５４ミリ（
１００ ミル）の間隔を設けるために約５．０８ミリ（
２００ ミル）の高さおよび幅を有することが好ましい
。この近似する間隔は大きい間隔が信号損失を十分に改
良できない点において適していることが決定された。窓
４１およびたな突出部４３は各ポートへのバラン２８，
３０，３２の接続を容易にするために側壁４０に位置さ
れることが好ましい。ハウジング２０はバランの接地側
（接地面６０，６４，６８）の接続に対する導電材料か
ら構成されることが好ましい。
【００２８】高周波ポートは必要に応じて３個のポート
の任意のものでよい。しかし、ミキサ１０の設計の説明
を簡略にするために、ＬＯポートおよびＬＯ回路が高周
波数ポートおよび高周波数回路として以下示されている
。
の任意のものでよい。しかし、ミキサ１０の設計の説明
を簡略にするために、ＬＯポートおよびＬＯ回路が高周
波数ポートおよび高周波数回路として以下示されている
。
【００２９】高周波数は一般的に平衡ミキサの特性、特
に３重平行ミキサの特性を低下させるので、高周波数Ｌ
Ｏ回路のインダクタンスおよびキャパシタパンスが最小
にされることは最も重要である。本発明のミキサ１０は
ＬＯバラン３０をダイオードリング端子に少なくとも部
分的に直接接続することによって上記目的を達成するこ
とができる。この直接接続はＬＯ回路のバランコネクタ
の必要性を除去するので、そのようなコネクタが与える
インダクタンスを除去することができる。
に３重平行ミキサの特性を低下させるので、高周波数Ｌ
Ｏ回路のインダクタンスおよびキャパシタパンスが最小
にされることは最も重要である。本発明のミキサ１０は
ＬＯバラン３０をダイオードリング端子に少なくとも部
分的に直接接続することによって上記目的を達成するこ
とができる。この直接接続はＬＯ回路のバランコネクタ
の必要性を除去するので、そのようなコネクタが与える
インダクタンスを除去することができる。
【００３０】ＲＦおよびＩＦ回路はＬＯポートが伝送す
る周波数ほど高い周波数を伝送しない。しかし、ＲＦバ
ランコネクタ３４およびＩＦバランコネクタ３６の長さ
を最小にすることによって、これらのコネクタのリード
インダクタンスを減少させることができる。適切なＨＰ
ＨＳＣＨ−９３０１ ビームリードショッツキ四辺形リ
ング１２，１４ （他方の四辺形リングもまた適切であ
る）はリードを含まない０．３５６ ミリ（１４ミル）
平方（現在使用されている最小ダイオード四辺形）ので
、バランコネクタ３４，３６ の長さはリング１２，１
４ の寸法に適合しなければならない。結果的に、コネ
クタ３４，３６ の長さの減少はリング１２，１４ の
寸法によって制限される。したがって、各バランコネク
タ３４と３６の長さは、以下詳しく説明される小型リン
グ１２，１４ の寸法およびバラン対２８，３２ の寸
法の両方を考慮に入れると、それぞれ約０．３８１ ミ
リ（１５ミル）と約０．５０８ ミリ（２０ミル）であ
る。
る周波数ほど高い周波数を伝送しない。しかし、ＲＦバ
ランコネクタ３４およびＩＦバランコネクタ３６の長さ
を最小にすることによって、これらのコネクタのリード
インダクタンスを減少させることができる。適切なＨＰ
ＨＳＣＨ−９３０１ ビームリードショッツキ四辺形リ
ング１２，１４ （他方の四辺形リングもまた適切であ
る）はリードを含まない０．３５６ ミリ（１４ミル）
平方（現在使用されている最小ダイオード四辺形）ので
、バランコネクタ３４，３６ の長さはリング１２，１
４ の寸法に適合しなければならない。結果的に、コネ
クタ３４，３６ の長さの減少はリング１２，１４ の
寸法によって制限される。したがって、各バランコネク
タ３４と３６の長さは、以下詳しく説明される小型リン
グ１２，１４ の寸法およびバラン対２８，３２ の寸
法の両方を考慮に入れると、それぞれ約０．３８１ ミ
リ（１５ミル）と約０．５０８ ミリ（２０ミル）であ
る。
【００３１】バラン対２８，３０，３２は構造、形状、
および寸法においてほぼ類似している。代表的なバラン
対を示す図９の（ａ）と（ｂ）はバラン対２８，３０，
３２に対する好ましい形状を示し、バラン対２８，３０
，３２のいずれか或いは全部は必要に応じて図１０に示
された形状を代りに有することができる。図９の（ａ）
と（ｂ）に示されたバラン対は簡明のためにバラン対２
８を代表として示しており、描かれた特徴はその他のバ
ラン対３０，３２ も同様に適用する。バラン対２８は
上部（または上部）フォーク状部分４４および下部（底
部）フォーク状部分４５と、上部枝部４６および下部枝
部４７とを有し、枝部４６と枝部４７の間隔を最大にす
るために外方向に屈曲される中間部分４９を有するので
、広帯域幅を保持することができる。例えば、中間部分
４９の間隔は最も広い分離点において約１．０６７ 乃
至１．１９４ ミリ（４２乃至４７ミル）である。広い
間隔は以下詳細に説明されるパラメータによって決定さ
れる枝部長により制限される。枝部４６，４７ の端部
４８は上述のようにインダクタンスを最小にするために
この端部４８とリング端子を相互接続するバランコネク
タ３４の長さを最小にする狭い間隔を有する。例えば、
端部４８の狭い間隔は約０．５２１ 乃至０．５８４
ミリ（２０．５乃至２３ミル）にすることができる。 端部４８の狭い間隔は四辺形リング１２，１４ の寸法
によって制限される。フォーク状部分４４，４５ は１
端部において開いたほぼ円形形状であるようにその周囲
を湾曲されることが好ましい。しかし、フォーク状部分
４４，４５ はまた同様に他の適切な形状を有すること
ができる。フォーク状部分５０，５３ と、バラン対３
０の枝部５１，５２ と、フォーク状部分５４，５７
と、バラン対３２の枝部５５，５６ は必然的に上述の
ようにフォーク状部分４４，４５およびバランの枝部４
６，４７ と構造的に一致している。
および寸法においてほぼ類似している。代表的なバラン
対を示す図９の（ａ）と（ｂ）はバラン対２８，３０，
３２に対する好ましい形状を示し、バラン対２８，３０
，３２のいずれか或いは全部は必要に応じて図１０に示
された形状を代りに有することができる。図９の（ａ）
と（ｂ）に示されたバラン対は簡明のためにバラン対２
８を代表として示しており、描かれた特徴はその他のバ
ラン対３０，３２ も同様に適用する。バラン対２８は
上部（または上部）フォーク状部分４４および下部（底
部）フォーク状部分４５と、上部枝部４６および下部枝
部４７とを有し、枝部４６と枝部４７の間隔を最大にす
るために外方向に屈曲される中間部分４９を有するので
、広帯域幅を保持することができる。例えば、中間部分
４９の間隔は最も広い分離点において約１．０６７ 乃
至１．１９４ ミリ（４２乃至４７ミル）である。広い
間隔は以下詳細に説明されるパラメータによって決定さ
れる枝部長により制限される。枝部４６，４７ の端部
４８は上述のようにインダクタンスを最小にするために
この端部４８とリング端子を相互接続するバランコネク
タ３４の長さを最小にする狭い間隔を有する。例えば、
端部４８の狭い間隔は約０．５２１ 乃至０．５８４
ミリ（２０．５乃至２３ミル）にすることができる。 端部４８の狭い間隔は四辺形リング１２，１４ の寸法
によって制限される。フォーク状部分４４，４５ は１
端部において開いたほぼ円形形状であるようにその周囲
を湾曲されることが好ましい。しかし、フォーク状部分
４４，４５ はまた同様に他の適切な形状を有すること
ができる。フォーク状部分５０，５３ と、バラン対３
０の枝部５１，５２ と、フォーク状部分５４，５７
と、バラン対３２の枝部５５，５６ は必然的に上述の
ようにフォーク状部分４４，４５およびバランの枝部４
６，４７ と構造的に一致している。
【００３２】任意に、図１０に示されたもっと一般的な
構造のバラン対３１が使用されることができる。バラン
対３１は図示のようにほぼ直線状の上部および底部枝部
３７，３９ を有する上部および下部フォーク状部分３
３，３５ を有する。しかし、この通常の設計では、枝
部３７と枝部３９の間隔は、広帯域を促進させる広い間
隔と、バランコネクタ長（すなわちバランコネクタイン
ダクタンス）を最小（或いは除去）にする狭い間隔の対
立する要求を適合させなればならない。これらの要求に
対する適切な妥協は約１．０１６ ミリ（４０ミル）の
枝部３７と３９の間隔によって生じる。しかしながら、
小型ダイオード四辺形リングの使用は低い寄生キャパシ
タパンスおよびインダクタンスを与えるので望ましいの
で、広い間隔を要求するほぼ直線状の枝部を有するその
ようなバランの結合はミキサの帯域幅を制限する。
構造のバラン対３１が使用されることができる。バラン
対３１は図示のようにほぼ直線状の上部および底部枝部
３７，３９ を有する上部および下部フォーク状部分３
３，３５ を有する。しかし、この通常の設計では、枝
部３７と枝部３９の間隔は、広帯域を促進させる広い間
隔と、バランコネクタ長（すなわちバランコネクタイン
ダクタンス）を最小（或いは除去）にする狭い間隔の対
立する要求を適合させなればならない。これらの要求に
対する適切な妥協は約１．０１６ ミリ（４０ミル）の
枝部３７と３９の間隔によって生じる。しかしながら、
小型ダイオード四辺形リングの使用は低い寄生キャパシ
タパンスおよびインダクタンスを与えるので望ましいの
で、広い間隔を要求するほぼ直線状の枝部を有するその
ようなバランの結合はミキサの帯域幅を制限する。
【００３３】上部フォーク状部分４４と下部フォーク状
部分４５の間隔は図１１に示されている。説明の簡明の
ために、図１１中のフォーク状部分および枝部はそれぞ
れ符号４４，４５，４６，４７ と呼ばれ、必然的に構
造的に一致しており、同様に形成されていることが好ま
しい中間部分４９および端部４８を有するバラン対３０
，３２ の他のフォーク状部分および枝部を代表する。 図１１は上部と下部に関係して配置され、１対の平行ス
トリップ伝送ラインを形成することが好ましいフォーク
状部分４４，４５ を示す。バラン対２８，３０，３２
は誘電体、好ましくはデュロイド（ファイバ補強テフロ
ン）層１８上に付着された金属層をエッチングして形成
されることが好ましい。したがって、デュロイド層１８
は平行なフォーク状部分４４と４５の間に配置され、バ
ラン対２８の全長に沿って延在することが好ましい。枝
部間のデュロイド層１８の部分は図２および図９の（ａ
）と（ｂ）に示されたように電気接続のため枝部間のダ
イオードリングの配置を容易にするためにバラン対２８
，３２ に関係して切取られることができる。また、デ
ュロイドから構成されることが好ましいシート１６は図
２に示されたようにデュロイド層１８と一体されること
が好ましい。 リング１２，１４はシート１６と接触しないようにその
反対面に隣接することが好ましい。リング１２，１４
はまたバラン対２８，３０，３２の１つのデュロイド層
の反対面上に交互に直接配置されることができる。
部分４５の間隔は図１１に示されている。説明の簡明の
ために、図１１中のフォーク状部分および枝部はそれぞ
れ符号４４，４５，４６，４７ と呼ばれ、必然的に構
造的に一致しており、同様に形成されていることが好ま
しい中間部分４９および端部４８を有するバラン対３０
，３２ の他のフォーク状部分および枝部を代表する。 図１１は上部と下部に関係して配置され、１対の平行ス
トリップ伝送ラインを形成することが好ましいフォーク
状部分４４，４５ を示す。バラン対２８，３０，３２
は誘電体、好ましくはデュロイド（ファイバ補強テフロ
ン）層１８上に付着された金属層をエッチングして形成
されることが好ましい。したがって、デュロイド層１８
は平行なフォーク状部分４４と４５の間に配置され、バ
ラン対２８の全長に沿って延在することが好ましい。枝
部間のデュロイド層１８の部分は図２および図９の（ａ
）と（ｂ）に示されたように電気接続のため枝部間のダ
イオードリングの配置を容易にするためにバラン対２８
，３２ に関係して切取られることができる。また、デ
ュロイドから構成されることが好ましいシート１６は図
２に示されたようにデュロイド層１８と一体されること
が好ましい。 リング１２，１４はシート１６と接触しないようにその
反対面に隣接することが好ましい。リング１２，１４
はまたバラン対２８，３０，３２の１つのデュロイド層
の反対面上に交互に直接配置されることができる。
【００３４】バラン対をその各ポートと整合するために
、平行枝部を分離する誘電体に関係する枝部の幅が必要
とされた。ポート整合に必要とされたインピーダンスは
約４２オーム（平行フォーク状部分のインピーダンスの
半分）であることがわかった。１つの枝部４６および代
表的なバラン対２８（他のバラン対３０，３２ と同一
である）の対応する下部の枝部４７の等価回路は図３に
示されている。ＲＦポートの入力ノード７３および接地
ノード７４は抵抗７０に接続される。抵抗７０はリング
１２，１４ と並列に位置するダイオードの等価抵抗を
示す。信号部分は破線で示された構造７２を表すハウジ
ング壁に結合される。偶数モードは枝部４７，４８ と
ハウジング壁との間を伝播し、ハウジング壁は破線で示
された構造７２によって表わされる。 平衡を劣化させる短絡スタブ伝送ラインはハウジング壁
７２に短絡された枝部４７によって形成される。高い偶
数モードインピーダンス（約４００ オームが好ましい
）はこの結合を最小にするために望ましい。枝部とハウ
ジング壁との分離はこのパラメータを制御する。
、平行枝部を分離する誘電体に関係する枝部の幅が必要
とされた。ポート整合に必要とされたインピーダンスは
約４２オーム（平行フォーク状部分のインピーダンスの
半分）であることがわかった。１つの枝部４６および代
表的なバラン対２８（他のバラン対３０，３２ と同一
である）の対応する下部の枝部４７の等価回路は図３に
示されている。ＲＦポートの入力ノード７３および接地
ノード７４は抵抗７０に接続される。抵抗７０はリング
１２，１４ と並列に位置するダイオードの等価抵抗を
示す。信号部分は破線で示された構造７２を表すハウジ
ング壁に結合される。偶数モードは枝部４７，４８ と
ハウジング壁との間を伝播し、ハウジング壁は破線で示
された構造７２によって表わされる。 平衡を劣化させる短絡スタブ伝送ラインはハウジング壁
７２に短絡された枝部４７によって形成される。高い偶
数モードインピーダンス（約４００ オームが好ましい
）はこの結合を最小にするために望ましい。枝部とハウ
ジング壁との分離はこのパラメータを制御する。
【００３５】実効的ダイオードインピーダンスとポート
インピーダンス（５０オーム）を整合するために、誘電
体の厚さに対する枝部の比率が選択された。上述の特定
のダイオードに対して、８４オームの平行ストリップイ
ンピーダンス（フォーク状部分インピーダンス）が５０
オームに整合するために必要とされる。フォーク状部分
４４と４５の間の間隔はデュロイド１８によって設定さ
れ、０．１２７ ミリ（５ミル）が好ましい。幅と高さ
の比率は誘電定数２．２ （すなわち実効誘電定数１．
９２）のデュロイドで８４オームインピーダンスを得る
ために２．０ が好ましい。したがって、枝部４６，４
７，５１，５２，５５，５６ の幅は０．２５４ ミリ
（１０ミル）である。デュロイド１８の厚さおよび枝部
４６，４７，５２，５５，５６の間隔は、枝部の幅と長
さの比を最小にし、各バラン対２８，３０，３２の各フ
ォーク状部分４４，４５，５０，５３，５４，５７ の
間の接続による寄生を最小にするために、比較的薄くし
、０．１２７ ミリ（５ミル）が好ましい。
インピーダンス（５０オーム）を整合するために、誘電
体の厚さに対する枝部の比率が選択された。上述の特定
のダイオードに対して、８４オームの平行ストリップイ
ンピーダンス（フォーク状部分インピーダンス）が５０
オームに整合するために必要とされる。フォーク状部分
４４と４５の間の間隔はデュロイド１８によって設定さ
れ、０．１２７ ミリ（５ミル）が好ましい。幅と高さ
の比率は誘電定数２．２ （すなわち実効誘電定数１．
９２）のデュロイドで８４オームインピーダンスを得る
ために２．０ が好ましい。したがって、枝部４６，４
７，５１，５２，５５，５６ の幅は０．２５４ ミリ
（１０ミル）である。デュロイド１８の厚さおよび枝部
４６，４７，５２，５５，５６の間隔は、枝部の幅と長
さの比を最小にし、各バラン対２８，３０，３２の各フ
ォーク状部分４４，４５，５０，５３，５４，５７ の
間の接続による寄生を最小にするために、比較的薄くし
、０．１２７ ミリ（５ミル）が好ましい。
【００３６】フォーク状部分４４，４５，５０，５３，
５４，５７ の枝部の長さはミキサの予想した且つ好ま
しい動作範囲である１２乃至４０ギガヘルツの適当な性
能を与えるために２６ギガヘルツの信号の１／４波長に
等しいことが好ましい。しかしながら、フォーク状部分
の枝部の長さはミキサ１０の望ましい動作周波数範囲に
応じて他の長さにすることができる。
５４，５７ の枝部の長さはミキサの予想した且つ好ま
しい動作範囲である１２乃至４０ギガヘルツの適当な性
能を与えるために２６ギガヘルツの信号の１／４波長に
等しいことが好ましい。しかしながら、フォーク状部分
の枝部の長さはミキサ１０の望ましい動作周波数範囲に
応じて他の長さにすることができる。
【００３７】図４はダイオードリング１２，１４ の特
定の端子（或いは端子の組）のバラン接続を詳細に示す
。バラン対２８，３０，３２はポート分離を高めるため
に（図示のように）直交して配置されることが好ましい
。ＲＦポート２２の入力ノード７３はＲＦバラン対２８
を通ってリング１２，１４ の端子８０，８２ に接続
され、ＲＦポート２２の接地ノード７４はＲＦバラン対
２８を通ってリング１２，１４ の端子８４，８６ に
接続される。ＬＯ回路接続は幾分異なる。図４および図
６で示されたように、ＬＯポート２４の入力ノード７７
はＬＯバラン対３０を通ってダイオードリング１２の端
子８０，８４ に接続され、ＬＯポート２４の接地ノー
ド７８はＬＯバラン対３０を通ってダイオードリング１
４の端子８２，８６ に接続される。ＩＦ回路接続はＲ
Ｆ回路接続と幾つかの点において類似している。ＩＦノ
ード２６の入力ノード７５は適切な相互コネクタ９６に
よって相互接続される（或いは必要に応じて単に直接接
続される）ダイオードリング端子９２，９４ に接続さ
れる。端子９２，９４ の相互コネクタ９６は端子９２
と９４の相互接続を容易にするためにデュロード層１８
中のカットアウトまたは窓５９を通過することが好まし
い。言換えれば、端子９２と９４は相互コネクタ９６が
電気的に接続されている結合パッド（図示せず）によっ
て接続されることもできる。結合パッドはデュロイド層
１８を通って延在する金属層である。ＩＦポート２６の
接地ノード７６はまた相互コネクタ９６によって相互接
続されるダイオードリング端子８８，９０ に接続され
る（或いは必要に応じて単に直接接続される）。各ＩＦ
バラン対３２のフォーク状部分はリング端子への接続と
同時に接続されることが好ましい。
定の端子（或いは端子の組）のバラン接続を詳細に示す
。バラン対２８，３０，３２はポート分離を高めるため
に（図示のように）直交して配置されることが好ましい
。ＲＦポート２２の入力ノード７３はＲＦバラン対２８
を通ってリング１２，１４ の端子８０，８２ に接続
され、ＲＦポート２２の接地ノード７４はＲＦバラン対
２８を通ってリング１２，１４ の端子８４，８６ に
接続される。ＬＯ回路接続は幾分異なる。図４および図
６で示されたように、ＬＯポート２４の入力ノード７７
はＬＯバラン対３０を通ってダイオードリング１２の端
子８０，８４ に接続され、ＬＯポート２４の接地ノー
ド７８はＬＯバラン対３０を通ってダイオードリング１
４の端子８２，８６ に接続される。ＩＦ回路接続はＲ
Ｆ回路接続と幾つかの点において類似している。ＩＦノ
ード２６の入力ノード７５は適切な相互コネクタ９６に
よって相互接続される（或いは必要に応じて単に直接接
続される）ダイオードリング端子９２，９４ に接続さ
れる。端子９２，９４ の相互コネクタ９６は端子９２
と９４の相互接続を容易にするためにデュロード層１８
中のカットアウトまたは窓５９を通過することが好まし
い。言換えれば、端子９２と９４は相互コネクタ９６が
電気的に接続されている結合パッド（図示せず）によっ
て接続されることもできる。結合パッドはデュロイド層
１８を通って延在する金属層である。ＩＦポート２６の
接地ノード７６はまた相互コネクタ９６によって相互接
続されるダイオードリング端子８８，９０ に接続され
る（或いは必要に応じて単に直接接続される）。各ＩＦ
バラン対３２のフォーク状部分はリング端子への接続と
同時に接続されることが好ましい。
【００３８】ＬＯポートで見られる等価回路は図６で示
されている。端子８８，９０，９２，９４ はＬＯバラ
ン対に対する実質上の接地であるので、各側で平行の２
個のダイオードの平衡負荷が認められる。ＲＦバラン対
は端子８０と８２を横切りさらに端子８４と８６を横切
る短絡スタブである。 ＲＦポート２２で見られる等価回路は、ＬＯバラン対３
０がノード８０，８４，８２，８６ を横切る短絡スタ
ブであることを除いて図６の回路と実質上同一である。 ＩＦポート２６で見られる等価回路は異なり図５で示さ
れている。ＬＯおよびＲＦバラン対によって形成された
４個の短絡スタブは実質上の接地における４個の端子間
で接続される。したがって、ＬＯおよびＲＦバラン対は
ＩＦポート整合または平衡には影響がない。
されている。端子８８，９０，９２，９４ はＬＯバラ
ン対に対する実質上の接地であるので、各側で平行の２
個のダイオードの平衡負荷が認められる。ＲＦバラン対
は端子８０と８２を横切りさらに端子８４と８６を横切
る短絡スタブである。 ＲＦポート２２で見られる等価回路は、ＬＯバラン対３
０がノード８０，８４，８２，８６ を横切る短絡スタ
ブであることを除いて図６の回路と実質上同一である。 ＩＦポート２６で見られる等価回路は異なり図５で示さ
れている。ＬＯおよびＲＦバラン対によって形成された
４個の短絡スタブは実質上の接地における４個の端子間
で接続される。したがって、ＬＯおよびＲＦバラン対は
ＩＦポート整合または平衡には影響がない。
【００３９】本発明のミキサ１０は優良な性能を備える
アップ変換またはダウン変換のいずれかに使用されるこ
とが可能である。図７および図８はアップ変換器として
使用されるときのミキサ１０の性能特性を示す。図７は
信号入力が２乃至１７．５ギガヘルツの範囲内にあり、
ＬＯ信号入力が２２ギガヘルツの固定した出力で２３乃
至４０ギガヘルツ範囲内にあるときの良好である変換損
失（デシベルで）を示す。図８は２３乃至４０ギガヘル
ツの範囲内の高いＬＯ入力周波数を有する−１０ ｄＢ
ｍでの１１ギガヘルツの干渉信号によって良好である２
．０ スプリアス阻止性能を描く。導波管ポート（図示
せず）の設置はミキサ１０の優良な性能を約５０ギガヘ
ルツまで拡張できる。導波管ポートの使用はミキサ１０
の性能を約４６ギガヘルツまで拡張でき、ただ６デシベ
ル程度の変換損失を越えることができる。
アップ変換またはダウン変換のいずれかに使用されるこ
とが可能である。図７および図８はアップ変換器として
使用されるときのミキサ１０の性能特性を示す。図７は
信号入力が２乃至１７．５ギガヘルツの範囲内にあり、
ＬＯ信号入力が２２ギガヘルツの固定した出力で２３乃
至４０ギガヘルツ範囲内にあるときの良好である変換損
失（デシベルで）を示す。図８は２３乃至４０ギガヘル
ツの範囲内の高いＬＯ入力周波数を有する−１０ ｄＢ
ｍでの１１ギガヘルツの干渉信号によって良好である２
．０ スプリアス阻止性能を描く。導波管ポート（図示
せず）の設置はミキサ１０の優良な性能を約５０ギガヘ
ルツまで拡張できる。導波管ポートの使用はミキサ１０
の性能を約４６ギガヘルツまで拡張でき、ただ６デシベ
ル程度の変換損失を越えることができる。
【００４０】したがって、本発明にしたがい上述の目的
を十分に満足にさせる無線受信機および送信機ミキサが
提供される。ここで使用された全ての用語は制限される
ことはないことを理解すべきである。本発明は上述の特
定の実施例に関して記載されたが、多くの置換、変更、
および変化はここで明らかにされた開示を考慮すると当
業者には明らかであろう。したがって、特許請求の範囲
で明らかであるようにそのような全ての置換、実施例、
変更、および変化は本発明の技術的範囲内に含まれるも
のである。
を十分に満足にさせる無線受信機および送信機ミキサが
提供される。ここで使用された全ての用語は制限される
ことはないことを理解すべきである。本発明は上述の特
定の実施例に関して記載されたが、多くの置換、変更、
および変化はここで明らかにされた開示を考慮すると当
業者には明らかであろう。したがって、特許請求の範囲
で明らかであるようにそのような全ての置換、実施例、
変更、および変化は本発明の技術的範囲内に含まれるも
のである。
【図１】本発明のミキサの斜視図。
【図２】空洞およびミキサ部品を詳細に示す図１のミキ
サの１部分の斜視図。
サの１部分の斜視図。
【図３】ミキサの代表バランの等価回路図。
【図４】ミキサ回路の概略図。
【図５】ＩＦポートから見たミキサのダイオード四辺形
リングおよびＩＦ回路の等価図。
リングおよびＩＦ回路の等価図。
【図６】ＬＯポートから見たミキサのダイオード四辺形
リングおよびＬＯ回路の等価図。
リングおよびＬＯ回路の等価図。
【図７】入力周波数の関数としてミキサの変換損失を示
すミキサの動作特性のグラフ。
すミキサの動作特性のグラフ。
【図８】発振器周波数の関数としてミキサのスプリアス
阻止を示すミキサの動作特性のグラフ。
阻止を示すミキサの動作特性のグラフ。
【図９】ミキサに使用された好ましいバラン対設計の上
部および底部の平面図。
部および底部の平面図。
【図１０】ミキサに使用される一般的なバラン対設計の
平面図。
平面図。
【図１１】図９の（ａ）の線１１−１１に沿ったバラン
対の断面図。
対の断面図。
１０…ミキサ、１２，１４ …リング、１６…シート、
１８…層、２０…ハウジング、２２，２４，２６…ポー
ト、２８，３０，３２…バラン対、３４，３６ …コネ
クタ、３８…空洞、４０，４２…壁、４４，４５ …フ
ォーク状部分、４６，４７ …枝部、４８…端部、５８
…ライン、６０…接地面、８０，８２，８４，８６ …
端子。
１８…層、２０…ハウジング、２２，２４，２６…ポー
ト、２８，３０，３２…バラン対、３４，３６ …コネ
クタ、３８…空洞、４０，４２…壁、４４，４５ …フ
ォーク状部分、４６，４７ …枝部、４８…端部、５８
…ライン、６０…接地面、８０，８２，８４，８６ …
端子。
Claims (41)
- 【請求項１】 端子を有する第１のダイオード四辺形
リングと、端子を有する第２のダイオード四辺形リング
と、前記第１および第２のリングを少なくとも部分的に
包囲するハウジングと、前記ハウジングに取付けられた
ＲＦポートと、前記ハウジングに取付けられたＩＦポー
トと、前記ハウジングに取付けられたＬＯポートと、前
記ＲＦポートに電気的に接続されたＲＦバラン対と、前
記ＲＦバラン対と前記リングの選択された端子を電気的
に相互接続するＲＦバランコネクタと、前記ＩＦポート
に電気的に接続されたＩＦバラン対と、前記ＩＦバラン
対と前記リングの選択された端子を電気的に相互接続す
るＩＦバランコネクタと、前記ＬＯポートおよび前記リ
ングの選択された端子に電気的に接続されたＬＯバラン
対とを具備しているミキサ。 - 【請求項２】 前記ＲＦ、ＩＦ、およびＬＯバラン対
はミキサのポート信号分離を高めるために互いに直交し
て配置されている請求項１記載のミキサ。 - 【請求項３】 前記第１および第２のリングは前記Ｒ
Ｆ、ＩＦ、およびＬＯバラン対から吊されている請求項
２記載のミキサ。 - 【請求項４】 壁は前記リングと、バラン対と、バラ
ンコネクタから放出された信号の反射を最小にするため
に内面に電磁エネルギ吸収材料を具備している請求項１
記載のミキサ。 - 【請求項５】 前記吸収材料は焼結した鉄を含む請求
項４記載のミキサ。 - 【請求項６】 前記リングはシートの反対面上に配置
されている請求項１記載のミキサ。 - 【請求項７】 前記シートは誘電体材料から構成され
ている請求項６記載のミキサ。 - 【請求項８】 前記シートはデュロイド材料から構成
されている請求項７記載のミキサ。 - 【請求項９】 前記シートは前記第１および第２のリ
ングがほぼ平行な平面に位置するようにほぼ一致した厚
さに構成されている請求項６記載のミキサ。 - 【請求項１０】 前記ＲＦバラン対は互いに平行に配
置されたＲＦ接地面とＲＦラインとを含み、前記ＩＦバ
ラン対は互いに平行に配置されたＩＦ接地面とＩＦライ
ンとを含み、前記ＬＯバラン対は互いに平行に配置され
たＬＯ接地面とＬＯラインとを含み、前記ＲＦラインお
よび接地面はそれらの間に位置するデュロイド層を使用
し、前記ＩＦラインおよび接地面はそれらの間に位置す
るデュロイド層を使用し、前記ＬＯラインおよび接地面
はそれらの間に位置するデュロイド層を使用する請求項
１記載のミキサ。 - 【請求項１１】 前記シートは前記ＬＯバラン対の前
記デュロイド層と一体である請求項１０記載のミキサ。 - 【請求項１２】 約８４オームの所望のインピーダン
スを与えるために、前記バラン対の前記デュロイド層は
約０．１２７ ミリの厚さを有し、前記バラン対のフォ
ーク状部分の枝部は約０．２５４ ミリの幅を有する請
求項１０記載のミキサ。 - 【請求項１３】 前記ＲＦ、ＩＦ、およびＬＯバラン
対はフォーク状部分を有する請求項１記載のミキサ。 - 【請求項１４】 前記フォーク状部分の枝部は１２乃
至４０ギガヘルツのＬＯ周波数信号のミキサの性能を最
大にするために２６ギガヘルツの信号の１／４波長にほ
ぼ等しい長さを有する請求項１３記載のミキサ。 - 【請求項１５】 前記フォーク状部分の枝部は、それ
ら枝部の端部が枝部のほぼ中間部分により近く位置され
るように共に屈曲されている請求項１３記載のミキサ。 - 【請求項１６】 前記各フォーク状部分の枝部は前記
フォーク状部分のインピーダンスを最大にし前記バラン
コネクタのインダクタンスを最小にするために、中間部
分は約１．１４３ ミリの間隔を隔て、端部は約０．５
５９ ミリの間隔を隔てている請求項１３記載のミキサ
。 - 【請求項１７】 前記フォーク状部分はほぼ湾曲され
ている請求項１３記載のミキサ。 - 【請求項１８】 前記フォーク状部分は１端部におい
てほぼ開かれた円形形状であるように湾曲されている請
求項１７記載のミキサ。 - 【請求項１９】 １対のダイオード四辺形リングと、
前記１対のダイオード四辺形リングが配置される空洞を
少なくとも部分的に限定する壁を有するハウジングと、
前記ハウジングに取付けられたＲＦポートと、前記ハウ
ジングに取付けられたＩＦポートと、前記ハウジングに
取付けられたＬＯポートと、前記ＲＦポートと前記１対
のリングの間を電気的に結合し、フォーク状部分の枝部
の端部が共に枝部のほぼ中間部分より近く位置するよう
に屈曲されているフォーク状部分を有するＲＦバラン対
と、前記ＩＦポートと前記１対のリングの間を電気的に
結合し、前記フォーク状部分の枝部の端部が共に枝部の
ほぼ中間部分より近く位置するように屈曲されているフ
ォーク状部分を有するＩＦバラン対と、前記ＬＯポート
と前記１対のリングの間を電気的に結合し、前記フォー
ク状部分の枝部の端部が共に枝部のほぼ中間部分より近
く位置するように屈曲されているフォーク状部分を有す
るＬＯバラン対とを具備している３重平衡ミキサ。 - 【請求項２０】 ＬＯバラン対枝部の端部は前記１対
のリングの選択された端子に直接接続されている請求項
１９記載のミキサ。 - 【請求項２１】 さらに、前記ＲＦバラン対と前記１
対のリングの選択された端子を相互接続するＲＦバラン
コネクタと、前記ＩＦバラン対と前記１対のリングの選
択された端子を相互接続するＩＦバランコネクタとを含
む請求項２０記載のミキサ。 - 【請求項２２】 前記ＲＦ、ＩＦ、およびＬＯバラン
対の前記フォーク状部分はほぼ円弧形状であるように湾
曲されている請求項１９記載のミキサ。 - 【請求項２３】 前記ＲＦ、ＩＦ、およびＬＯバラン
対はミキサのポート信号分離を高めるために互いにほぼ
直交して配置されている請求項１９記載のミキサ。 - 【請求項２４】 前記ＲＦバラン対はＲＦラインと、
ＲＦ上部フォーク状部分と、ＲＦ接地面と、層によって
分離されたＲＦ下部フォーク状部分とを含む請求項１９
記載のミキサ。 - 【請求項２５】 前記層は誘電体材料から構成されて
いる請求項２４記載のミキサ。 - 【請求項２６】 前記層はデュロイド材料から構成さ
れ、約８４オームの所望なインピーダンスを前記ＲＦバ
ラン対に与えるために前記ＲＦフォーク状部分は約０．
２５４ ミリの幅を有し、前記デュロイド層は約０．１
２７ ミリの厚さを有する請求項２５記載のミキサ。 - 【請求項２７】 前記ＩＦバラン対はＩＦラインと、
ＩＦ上部フォーク状部分と、ＩＦ接地面と、層によって
分離されたＩＦ下部フォーク状部分とを含む請求項１９
記載のミキサ。 - 【請求項２８】 前記層は誘電体材料から構成されて
いる請求項２７記載のミキサ。 - 【請求項２９】 前記層はデュロイド材料から構成さ
れ、約８４オームの所望なインピーダンスを前記ＩＦバ
ラン対に与えるために前記ＩＦフォーク状部分は約０．
２５４ ミリの幅を有し、前記デュロイド層は約０．１
２７ ミリの厚さを有する請求項２８記載のミキサ。 - 【請求項３０】 前記ＬＯバラン対はＬＯラインと、
ＬＯ上部フォーク状部分と、ＬＯ接地面と、層によって
分離されたＬＯ下部フォーク状部分とを含む請求項１９
記載のミキサ。 - 【請求項３１】 前記層は誘電体材料から構成されて
いる請求項３０記載のミキサ。 - 【請求項３２】 前記層はデュロイド材料から構成さ
れ、約８４オームの所望なインピーダンスを前記ＬＯバ
ラン対に与えるために前記ＬＯフォーク状部分は約０．
２５４ ミリの幅を有し、前記デュロイド層は約０．１
２７ ミリの厚さを有する請求項３１記載のミキサ。 - 【請求項３３】 前記１対のリングは前記ＬＯライン
と前記ＬＯ平面を分離し前記ＬＯ上部フォーク状部分と
前記ＬＯ下部フォーク状部分を分離する前記デュロイド
層の反対面上に配置されている請求項３２記載のミキサ
。 - 【請求項３４】 前記デュロイド層は、前記ＬＯライ
ンと前記ＬＯ上部フォーク状部分とを前記ＬＯ平面と前
記ＬＯ下部フォーク状部分から分離し、前記各対のリン
グが前記１対の他方のリングの平面とほぼ平行に位置す
るようにほぼ一致した厚さを有する請求項３３記載のミ
キサ。 - 【請求項３５】 前記バラン対のフォーク状部分は前
記バラン対のインピーダンスを最大にしインダクタンス
を最小にするために約１．１４３ ミリの間隔を隔てて
いる請求項１９記載のミキサ。 - 【請求項３６】 前記バラン対のフォーク状部分の枝
部は１２乃至４０ギガヘルツの所望なＬＯ動作周波数信
号範囲のミキサの性能を最大にするために２６ギガヘル
ツの信号の１／４波長にほぼ等しい長さを有する請求項
１９記載のミキサ。 - 【請求項３７】 前記ハウジングの壁は前記バラン対
と前記壁との電磁結合を最小にするために、前記ＲＦ、
ＩＦ、およびＬＯバランが前記壁の１つとそれぞれ約２
．５４ミリ離れてほぼ平行に位置するように選択的に寸
法が定められている請求項１９記載のミキサ。 - 【請求項３８】 前記壁は前記１対のリングと前記バ
ラン対から放出された信号の反射を最小にするために内
面上に電磁エネルギ吸収材料を具備している請求項３７
記載のミキサ。 - 【請求項３９】 前記１対のリングは前記ＲＦ、ＩＦ
、およびＬＯバラン対から吊されている請求項１９記載
のミキサ。 - 【請求項４０】 デュロイドシートと、前記シートの
片面に隣接して配置された第１のダイオード四辺形リン
グと、前記第１のリングとほぼ平行の平面に位置するよ
うに前記シートの反対面に隣接して配置された第２のダ
イオード四辺形リングと、選択的に寸法が定められるＲ
Ｆバラン対と、前記ＲＦバラン対の入力端部を前記第１
のダイオードリングの第１の組の対向端部の一方および
前記第２のダイオードリングの第１の組の対向端部の一
方に接続し、その接地端部を前記第１のリングの第１の
組の対向端部の他方および前記第２のリングの第１の組
の対向端部の他方に接続する１組のＲＦバランコネクタ
と、選択的に寸法が定められるＩＦバラン対と、前記Ｉ
Ｆバラン対の端部を前記第１のダイオードリングの第２
の組の対向端部の一方および前記第２のダイオードリン
グの第２の組の対向端部の一方に接続し、その端部を前
記第１のリングの第２の組の対向端部の他方および前記
第２のリングの第２の組の対向端部の他方に接続する複
数のＩＦバランコネクタと、選択的に寸法が定められ、
前記第１のダイオードリングの前記第１の組の対向端子
に接続された端部と、前記第２のダイオードリングの前
記第１の組の対向端子に接続された端部とを有するＬＯ
バラン対と、前記第２の組の対向端部を一緒に接続する
手段と、前記第１および第２のリングが配置される空洞
を限定し、前記第１および第２のリングと前記バラン対
と前記バランコネクタとの間の所望な最小距離を選択的
に設けるために選択的に寸法が定められている側壁と上
部および下部壁を有するハウジングと、前記ハウジング
に取付けられ前記ＲＦバラン対に接続されたＲＦポート
と、前記ハウジングに取付けられ前記ＩＦバラン対に接
続されたＩＦポートと、前記ハウジングに取付けられ前
記ＬＯバラン対に接続されたＬＯポートとを具備する３
重平衡ミキサ。 - 【請求項４１】 前記壁の寸法は前記バラン対と前記
壁の間に約２．５４ミリの間隔を設けるために約５．０
８ミリ平方であり、前記空洞壁および前記バラン対は前
記バラン対からの信号損失を最小にするために約４００
オームの偶数モードインピーダンスを有する請求項４
０記載のミキサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US54697290A | 1990-07-02 | 1990-07-02 | |
| US546972 | 1990-07-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233808A true JPH04233808A (ja) | 1992-08-21 |
| JPH0656932B2 JPH0656932B2 (ja) | 1994-07-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18701591A Expired - Fee Related JPH0656932B2 (ja) | 1990-07-02 | 1991-07-02 | 高周波数、広帯域、３重平衡ミキサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0464608B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0656932B2 (ja) |
| CA (1) | CA2042544C (ja) |
| DE (1) | DE69124013T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009239400A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Anritsu Corp | イメージエンハンストミキサ回路 |
| CN111193085A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-05-22 | 南京理工大学 | 双通带巴伦滤波器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI103614B (fi) * | 1997-03-20 | 1999-07-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | Vaiheistus- ja balansointielin |
| KR100982441B1 (ko) * | 2008-11-19 | 2010-09-15 | 한국전자통신연구원 | 평판형 더블 밸런스드 믹서를 위한 3방향 발룬 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4125810A (en) * | 1977-04-08 | 1978-11-14 | Vari-L Company, Inc. | Broadband high frequency baluns and mixer |
| US4186352A (en) * | 1978-03-23 | 1980-01-29 | Rockwell International Corporation | Signal converter apparatus |
| US4245356A (en) * | 1979-04-27 | 1981-01-13 | Rockwell International Corporation | Frequency translator |
| US4355421A (en) * | 1980-12-05 | 1982-10-19 | Vari-L Company, Inc. | Broadband mixer with coplanar balun |
| US4736165A (en) * | 1987-04-17 | 1988-04-05 | Hughes Aircraft Company | Distortion generating circuit |
-
1991
- 1991-05-14 CA CA 2042544 patent/CA2042544C/en not_active Expired - Fee Related
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- 1991-06-25 EP EP19910110491 patent/EP0464608B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-02 JP JP18701591A patent/JPH0656932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009239400A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Anritsu Corp | イメージエンハンストミキサ回路 |
| CN111193085A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-05-22 | 南京理工大学 | 双通带巴伦滤波器 |
| CN111193085B (zh) * | 2020-02-24 | 2021-06-11 | 南京理工大学 | 双通带巴伦滤波器 |
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| JPH0656932B2 (ja) | 1994-07-27 |
| DE69124013D1 (de) | 1997-02-20 |
| DE69124013T2 (de) | 1997-04-17 |
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| CA2042544A1 (en) | 1992-01-03 |
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