JPH04231493A - 低融点組成物及び電気クロムめっき方法 - Google Patents
低融点組成物及び電気クロムめっき方法Info
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- JPH04231493A JPH04231493A JP41533190A JP41533190A JPH04231493A JP H04231493 A JPH04231493 A JP H04231493A JP 41533190 A JP41533190 A JP 41533190A JP 41533190 A JP41533190 A JP 41533190A JP H04231493 A JPH04231493 A JP H04231493A
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、クロムを含有する新規
な低融点組成物及びこの組成物を用いて、室温あるいは
それに近い低温で陰極に高純度のクロムを効率的に電気
めっきする方法に関する。
な低融点組成物及びこの組成物を用いて、室温あるいは
それに近い低温で陰極に高純度のクロムを効率的に電気
めっきする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電気クロムめっきは、水溶液系め
っき液を用いる方法が古くから一般的に使用されている
。しかしながら、これらの水溶液系のめっき液を用いた
場合には、必ず水素の発生を伴うので電流効率が低いと
いう欠点があり、また発生した水素が電析クロム被膜中
に取り込まれるので、得られたクロムに気孔を生じると
いう欠点があった。
っき液を用いる方法が古くから一般的に使用されている
。しかしながら、これらの水溶液系のめっき液を用いた
場合には、必ず水素の発生を伴うので電流効率が低いと
いう欠点があり、また発生した水素が電析クロム被膜中
に取り込まれるので、得られたクロムに気孔を生じると
いう欠点があった。
【0003】また、溶融塩系クロムの電析法としては、
1−アルキルピリジニウムクロライドと無水ハロゲン化
クロムとからなる電解浴を用いた方法が提案されている
(特開平1−96390号公報)。
1−アルキルピリジニウムクロライドと無水ハロゲン化
クロムとからなる電解浴を用いた方法が提案されている
(特開平1−96390号公報)。
【0004】しかしながら、この方法に用いる電解浴は
伝導度が低く、品質が優れた電解クロムを得るための電
解条件の範囲が非常に狭いという欠点があった。このよ
うに、従来の技術には種々の課題があり、技術として未
だ十分に完成されているとは言い難い。
伝導度が低く、品質が優れた電解クロムを得るための電
解条件の範囲が非常に狭いという欠点があった。このよ
うに、従来の技術には種々の課題があり、技術として未
だ十分に完成されているとは言い難い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高電
流効率かつ高電流密度でクロムを析出させることができ
、品質が優れた高純度クロムを生産性よく得ることがで
きる低融点組成物及びこれを用いる電気クロムめっき方
法を提供することにある。
流効率かつ高電流密度でクロムを析出させることができ
、品質が優れた高純度クロムを生産性よく得ることがで
きる低融点組成物及びこれを用いる電気クロムめっき方
法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の第1は、無水ハ
ロゲン化クロムと、次式:
ロゲン化クロムと、次式:
【0007】
【化2】
【0008】(式中、R1 は、炭素数1〜12のアル
キル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表し、R
2 は、炭素数1〜6のアルキル基、シクロアルキル基
又はアラルキル基を表し、R3 及びR4 は、水素原
子又はR3 とR4 は、それぞれ結合する炭素原子と
共にベンゼン環を形成していてもよい)で示される1,
3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物とを混合溶
融したことを特徴とする低融点組成物である。
キル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表し、R
2 は、炭素数1〜6のアルキル基、シクロアルキル基
又はアラルキル基を表し、R3 及びR4 は、水素原
子又はR3 とR4 は、それぞれ結合する炭素原子と
共にベンゼン環を形成していてもよい)で示される1,
3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物とを混合溶
融したことを特徴とする低融点組成物である。
【0009】本発明の第2は、無水ハロゲン化アルミニ
ウム20〜80モル%と前記の1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物80〜20モル%とを混合溶融
した浴に無水ハロゲン化クロムを添加したことを特徴と
する低融点組成物である。
ウム20〜80モル%と前記の1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物80〜20モル%とを混合溶融
した浴に無水ハロゲン化クロムを添加したことを特徴と
する低融点組成物である。
【0010】本発明の第3は、前記第1の発明又は第2
の発明の低融点組成物をめっき浴として用い、陰極にク
ロムを析出させることを特徴とする電気クロムめっき方
法である。
の発明の低融点組成物をめっき浴として用い、陰極にク
ロムを析出させることを特徴とする電気クロムめっき方
法である。
【0011】前記式で示される1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物としては、例えば、1,3−ジ
メチルイミダゾリウムブロマイド、1−エチル−3−メ
チルイミダゾリウムクロライド、1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムアイオダイド、1−n−ブチル−3−
メチルイミダゾリウムクロライド、1−ベンジル−3−
メチルイミダゾリウムクロライド、1−エチル−3−メ
チルベンゾイミダゾリウムクロライド等を挙げることが
できる。
ダゾリウムハロゲン化物としては、例えば、1,3−ジ
メチルイミダゾリウムブロマイド、1−エチル−3−メ
チルイミダゾリウムクロライド、1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムアイオダイド、1−n−ブチル−3−
メチルイミダゾリウムクロライド、1−ベンジル−3−
メチルイミダゾリウムクロライド、1−エチル−3−メ
チルベンゾイミダゾリウムクロライド等を挙げることが
できる。
【0012】本発明に用いる無水ハロゲン化クロム(C
rX2 :式中、Xはハロゲン原子を表す)としては、
無水塩化第一クロム、無水塩化第二クロム、無水フッ化
第二クロム等を挙げることができる。
rX2 :式中、Xはハロゲン原子を表す)としては、
無水塩化第一クロム、無水塩化第二クロム、無水フッ化
第二クロム等を挙げることができる。
【0013】本発明の組成物を用いた電解浴は、無水ハ
ロゲン化クロム10〜90モル%と1,3−ジアルキル
イミダゾリウムハロゲン化物90〜10モル%とを混合
溶融して製造することができる。この場合、無水ハロゲ
ン化クロム20〜80モル%と1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物80〜20モル%が電解浴とし
て好ましい。
ロゲン化クロム10〜90モル%と1,3−ジアルキル
イミダゾリウムハロゲン化物90〜10モル%とを混合
溶融して製造することができる。この場合、無水ハロゲ
ン化クロム20〜80モル%と1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物80〜20モル%が電解浴とし
て好ましい。
【0014】無水ハロゲン化クロムの濃度が低過ぎる系
では、工業的に実施するために必要な電流密度が得難く
、一方、無水ハロゲン化クロムの濃度が高過ぎる系では
、電解浴の粘度が上昇する傾向があるので、電解浴とし
て好ましくない。
では、工業的に実施するために必要な電流密度が得難く
、一方、無水ハロゲン化クロムの濃度が高過ぎる系では
、電解浴の粘度が上昇する傾向があるので、電解浴とし
て好ましくない。
【0015】本発明の低融点組成物を用いた電解浴の製
造方法は、例えば、次の2工程により行うことができる
。
造方法は、例えば、次の2工程により行うことができる
。
【0016】第1工程
アルキルハライドと1−アルキルイミダゾ−ルとを反応
溶媒とともに撹拌機付きオ−トクレ−ブに仕込み、30
〜200℃、好ましくは50〜150℃で四級化反応を
行う。反応後、溶媒及び未反応物を除去して、1,3−
ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物を得る。
溶媒とともに撹拌機付きオ−トクレ−ブに仕込み、30
〜200℃、好ましくは50〜150℃で四級化反応を
行う。反応後、溶媒及び未反応物を除去して、1,3−
ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物を得る。
【0017】前記反応溶媒としては、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン等の炭化水素;水、メタノ−ル、エタノ−
ル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の極性溶媒を挙げることができる。
ン、ヘキサン等の炭化水素;水、メタノ−ル、エタノ−
ル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の極性溶媒を挙げることができる。
【0018】第2工程
第1工程で製造した1,3−ジアルキルイミダゾリウム
ハロゲン化物と無水ハロゲン化クロムの所定量を混合し
、不活性ガスの雰囲気下で加熱するか、適当な溶媒に1
,3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物と無水ハ
ロゲン化クロムを懸濁させて加熱混合した後、溶媒を除
去することにより目的の電解浴を製造することができる
。
ハロゲン化物と無水ハロゲン化クロムの所定量を混合し
、不活性ガスの雰囲気下で加熱するか、適当な溶媒に1
,3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物と無水ハ
ロゲン化クロムを懸濁させて加熱混合した後、溶媒を除
去することにより目的の電解浴を製造することができる
。
【0019】高純度クロムの電解析出は、電解浴の安定
性の維持及びめっき性状等の点から、一般に乾燥無酸素
雰囲気下で行われる。電解条件としては、直流又はパル
ス電流により、浴温0〜300℃、電流密度0.01〜
50A /dm2 で行うと電流効率がよくかつ均一な
析出を行うことができる。浴温があまり低すぎるとクロ
ムの電析速度が極端に低下し、また浴温が高すぎたり、
極端に電流密度が高すぎると、オニウムカチオンの分解
、めっき層の不均一化、さらには電流効率が低下するの
で好ましくない。
性の維持及びめっき性状等の点から、一般に乾燥無酸素
雰囲気下で行われる。電解条件としては、直流又はパル
ス電流により、浴温0〜300℃、電流密度0.01〜
50A /dm2 で行うと電流効率がよくかつ均一な
析出を行うことができる。浴温があまり低すぎるとクロ
ムの電析速度が極端に低下し、また浴温が高すぎたり、
極端に電流密度が高すぎると、オニウムカチオンの分解
、めっき層の不均一化、さらには電流効率が低下するの
で好ましくない。
【0020】比較的低温で効率的にクロムの析出を行わ
せる場合、電解浴の粘度を低下させ、同時にイオン導電
性を高めるために、めっき浴に有機溶媒を添加する方法
が有効である。
せる場合、電解浴の粘度を低下させ、同時にイオン導電
性を高めるために、めっき浴に有機溶媒を添加する方法
が有効である。
【0021】その有機溶媒としては、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパ
ノ−ル、エチレングリコ−ル、アセトン、メチルエチル
ケトン、酢酸エチル、プロピレンカ−ボネ−ト、ガンマ
ブチロラクトン等の含酸素化合物;ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリジ
ノン等のアミド化合物;ジメチルスルホキシド、スルホ
ラン等の含イオウ化合物;ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族溶媒などの非水溶媒を挙
げることができる。中でも好ましいのは電気化学的に安
定性が高くかつ電解浴成分との反応性も低い非プロトン
系の溶媒である。
ン、ジオキサン、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパ
ノ−ル、エチレングリコ−ル、アセトン、メチルエチル
ケトン、酢酸エチル、プロピレンカ−ボネ−ト、ガンマ
ブチロラクトン等の含酸素化合物;ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリジ
ノン等のアミド化合物;ジメチルスルホキシド、スルホ
ラン等の含イオウ化合物;ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族溶媒などの非水溶媒を挙
げることができる。中でも好ましいのは電気化学的に安
定性が高くかつ電解浴成分との反応性も低い非プロトン
系の溶媒である。
【0022】これらの非水溶媒は、本発明の低融点組成
物に対して、5〜95容量%添加して用いることができ
る。
物に対して、5〜95容量%添加して用いることができ
る。
【0023】これらの非水溶媒は、めっき層の均一化を
図るために有効であるが、さらにめっき層を均一化し、
めっき層を表面制御するために、微量の添加物、例えば
アミン類、リン系化合物或はポリオ−ル類等を電解浴に
加えることができる。
図るために有効であるが、さらにめっき層を均一化し、
めっき層を表面制御するために、微量の添加物、例えば
アミン類、リン系化合物或はポリオ−ル類等を電解浴に
加えることができる。
【0024】
【実施例】実施例1
1−メチルイミダゾ−ル1.0モル(82.1 g)、
塩化エチル1.1モル(71.0 g)及び溶媒として
のメタノ−ル100 gをガラス製オ−トクレ−ブに仕
込み、撹拌しながら110℃で4時間反応させた。
塩化エチル1.1モル(71.0 g)及び溶媒として
のメタノ−ル100 gをガラス製オ−トクレ−ブに仕
込み、撹拌しながら110℃で4時間反応させた。
【0025】反応生成物からロ−タリ−エバポレ−タを
用いて溶媒及び未反応物を除去し、固形物146.2
gを得た。この固形物は、1−エチル−3−メチルイミ
ダゾリウムクロライドであり、1−メチルイミダゾ−ル
基準の反応収率は、99.7モル%であった。
用いて溶媒及び未反応物を除去し、固形物146.2
gを得た。この固形物は、1−エチル−3−メチルイミ
ダゾリウムクロライドであり、1−メチルイミダゾ−ル
基準の反応収率は、99.7モル%であった。
【0026】得られた1−エチル−3−メチルイミダゾ
リウムクロライド14.7 g(0.10モル)を窒素
雰囲気のガラス製容器に入れ、無水塩化第二クロム15
.8 g(0.10モル)を徐々に混合し、90℃に加
熱した。この際、1−エチル−3−メチルイミダゾリウ
ムクロライドの固体界面で反応が起こり、徐々に液化が
進行して初期に発熱するので、反応温度が90℃を超え
ないように注意しながら無水塩化第二クロムを全量投入
した。得られた組成物は、常温で液体であり、電導度は
80℃で22.9 mS/cmを示した。また、この系
において、無水塩化第二クロムと1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムクロライドのモル比を0.5から2.
0まで変化させた場合の温度と電導度の関係を表1に示
す。
リウムクロライド14.7 g(0.10モル)を窒素
雰囲気のガラス製容器に入れ、無水塩化第二クロム15
.8 g(0.10モル)を徐々に混合し、90℃に加
熱した。この際、1−エチル−3−メチルイミダゾリウ
ムクロライドの固体界面で反応が起こり、徐々に液化が
進行して初期に発熱するので、反応温度が90℃を超え
ないように注意しながら無水塩化第二クロムを全量投入
した。得られた組成物は、常温で液体であり、電導度は
80℃で22.9 mS/cmを示した。また、この系
において、無水塩化第二クロムと1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムクロライドのモル比を0.5から2.
0まで変化させた場合の温度と電導度の関係を表1に示
す。
【0027】
【表1】
【0028】得られた組成物は、表1に示すように、全
モル比の範囲において常温で溶液状態であり、また、高
い電導度を示すことから、高純度クロム析出電解浴とし
て優れている。
モル比の範囲において常温で溶液状態であり、また、高
い電導度を示すことから、高純度クロム析出電解浴とし
て優れている。
【0029】実施例2
電解浴として、無水塩化第二クロム67モル%及び1−
エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライド33モル
%を用い、電解条件として、浴温80℃、電流密度1
A/dm2、電解時間30分、陽極として、99.5%
のクロム棒を用いて、めっきを行なった。電流効率95
%以上でめっき層の厚みが10μm の緻密なクロムめ
っきを得た。得られたクロムの純度は99.95%であ
った。
エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライド33モル
%を用い、電解条件として、浴温80℃、電流密度1
A/dm2、電解時間30分、陽極として、99.5%
のクロム棒を用いて、めっきを行なった。電流効率95
%以上でめっき層の厚みが10μm の緻密なクロムめ
っきを得た。得られたクロムの純度は99.95%であ
った。
【0030】実施例3
実施例1と同様にして調製した無水塩化第二クロムと1
−エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライドのモル
比が1.0のめっき浴に、有機溶媒としてトルエンを1
:1(容量比)で混合した電解浴を調製した。この電解
浴は、70℃で32.4 mS/cmの電導度を示し、
トルエンを混合しないものに比べ2倍以上の高い値を示
した。
−エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライドのモル
比が1.0のめっき浴に、有機溶媒としてトルエンを1
:1(容量比)で混合した電解浴を調製した。この電解
浴は、70℃で32.4 mS/cmの電導度を示し、
トルエンを混合しないものに比べ2倍以上の高い値を示
した。
【0031】この電解浴を用い、実施例2と同様の電解
方法で、浴温25℃、電流密度0.5 A/dm2、電
解時間60分の電解条件の下にクロムめっきを行った。 電流効率95%以上でめっき層の厚みが10μm の緻
密なクロムめっきを得た。得られたクロムの純度は99
.95%であった。
方法で、浴温25℃、電流密度0.5 A/dm2、電
解時間60分の電解条件の下にクロムめっきを行った。 電流効率95%以上でめっき層の厚みが10μm の緻
密なクロムめっきを得た。得られたクロムの純度は99
.95%であった。
【0032】実施例4
塩化アルミニウム46モル%及び1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムクロライド54モル%からなる組成物
に対し、10重量%の無水塩化第一クロムを添加した電
解浴を用い、浴温25℃、電流密度1 A/dm2、電
解時間30分の電解条件の下にめっきを行った。電流効
率95%以上でめっき層の厚みが10μm の緻密なク
ロムめっきを得た。得られたクロムの純度は、99.9
5%であった。
ルイミダゾリウムクロライド54モル%からなる組成物
に対し、10重量%の無水塩化第一クロムを添加した電
解浴を用い、浴温25℃、電流密度1 A/dm2、電
解時間30分の電解条件の下にめっきを行った。電流効
率95%以上でめっき層の厚みが10μm の緻密なク
ロムめっきを得た。得られたクロムの純度は、99.9
5%であった。
【0033】実施例5
電解浴として無水塩化第一クロム67モル%及び1−エ
チル−3−メチルイミダゾリウムクロライド33モル%
を用い、浴温80℃、電流密度1 A/dm2、電解時
間30分、陽極として、99.5%のクロム棒を用いて
、電流効率95%以上でめっき層の厚みが10μm の
緻密なクロムめっきを得た。得られたクロムの純度は9
9.95%であった。
チル−3−メチルイミダゾリウムクロライド33モル%
を用い、浴温80℃、電流密度1 A/dm2、電解時
間30分、陽極として、99.5%のクロム棒を用いて
、電流効率95%以上でめっき層の厚みが10μm の
緻密なクロムめっきを得た。得られたクロムの純度は9
9.95%であった。
【0034】
【発明の効果】本発明の組成物によると、常温でも取り
扱いの容易な液体となり、また溶融状態でかなり高いイ
オン導電性を有しているので、高い電流効率でかつ高電
流密度で生産性良く、高純度のクロムめっきを得ること
ができる。
扱いの容易な液体となり、また溶融状態でかなり高いイ
オン導電性を有しているので、高い電流効率でかつ高電
流密度で生産性良く、高純度のクロムめっきを得ること
ができる。
【0035】本発明の方法によると、電解浴が非水溶液
であるので、水の電気分解による電流効率の低下がなく
、相対的に余裕のある電解条件で効率的に高純度クロム
を電解析出でき、効率よく、めっきを行うことができる
。
であるので、水の電気分解による電流効率の低下がなく
、相対的に余裕のある電解条件で効率的に高純度クロム
を電解析出でき、効率よく、めっきを行うことができる
。
Claims (3)
- 【請求項1】 無水ハロゲン化クロムと、次式:【化
1】 (式中、R1 は、炭素数1〜12のアルキル基、シク
ロアルキル基又はアラルキル基を表し、R2 は、炭素
数1〜6のアルキル基、シクロアルキル基又はアラルキ
ル基を表し、R3 及びR4 は、水素原子又はR3
とR4 は、それぞれ結合する炭素原子と共にベンゼン
環を形成していてもよい)で示される1,3−ジアルキ
ルイミダゾリウムハロゲン化物とを混合溶融したことを
特徴とする低融点組成物。 - 【請求項2】 無水ハロゲン化アルミニウム20〜8
0モル%と請求項1の1,3−ジアルキルイミダゾリウ
ムハロゲン化物80〜20モル%とを混合溶融した浴に
無水ハロゲン化クロムを添加したことを特徴とする低融
点組成物。 - 【請求項3】請求項1又は請求項2の低融点組成物をめ
っき浴として用い、陰極にクロムを析出させることを特
徴とする電気クロムめっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41533190A JPH04231493A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 低融点組成物及び電気クロムめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41533190A JPH04231493A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 低融点組成物及び電気クロムめっき方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04231493A true JPH04231493A (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=18523706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP41533190A Pending JPH04231493A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 低融点組成物及び電気クロムめっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04231493A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010525161A (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-22 | ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパストナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー | バリヤー層及びその製造方法 |
CN105821453A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-03 | 昆明理工大学 | 一种低共熔溶剂电沉积亮铬镀层的方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP41533190A patent/JPH04231493A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010525161A (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-22 | ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパストナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー | バリヤー層及びその製造方法 |
CN105821453A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-03 | 昆明理工大学 | 一种低共熔溶剂电沉积亮铬镀层的方法 |
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