JPH04231493A - 低融点組成物及び電気クロムめっき方法 - Google Patents

低融点組成物及び電気クロムめっき方法

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JPH04231493A
JPH04231493A JP41533190A JP41533190A JPH04231493A JP H04231493 A JPH04231493 A JP H04231493A JP 41533190 A JP41533190 A JP 41533190A JP 41533190 A JP41533190 A JP 41533190A JP H04231493 A JPH04231493 A JP H04231493A
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JP
Japan
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chromium
halide
plating
anhydrous
low melting
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JP41533190A
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English (en)
Inventor
Kazuhiko Ida
和彦 井田
Hitoshi Suzuki
仁 鈴木
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Publication date
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  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、クロムを含有する新規
な低融点組成物及びこの組成物を用いて、室温あるいは
それに近い低温で陰極に高純度のクロムを効率的に電気
めっきする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電気クロムめっきは、水溶液系め
っき液を用いる方法が古くから一般的に使用されている
。しかしながら、これらの水溶液系のめっき液を用いた
場合には、必ず水素の発生を伴うので電流効率が低いと
いう欠点があり、また発生した水素が電析クロム被膜中
に取り込まれるので、得られたクロムに気孔を生じると
いう欠点があった。
【0003】また、溶融塩系クロムの電析法としては、
1−アルキルピリジニウムクロライドと無水ハロゲン化
クロムとからなる電解浴を用いた方法が提案されている
(特開平1−96390号公報)。
【0004】しかしながら、この方法に用いる電解浴は
伝導度が低く、品質が優れた電解クロムを得るための電
解条件の範囲が非常に狭いという欠点があった。このよ
うに、従来の技術には種々の課題があり、技術として未
だ十分に完成されているとは言い難い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高電
流効率かつ高電流密度でクロムを析出させることができ
、品質が優れた高純度クロムを生産性よく得ることがで
きる低融点組成物及びこれを用いる電気クロムめっき方
法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の第1は、無水ハ
ロゲン化クロムと、次式:
【0007】
【化2】
【0008】(式中、R1 は、炭素数1〜12のアル
キル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表し、R
2 は、炭素数1〜6のアルキル基、シクロアルキル基
又はアラルキル基を表し、R3 及びR4 は、水素原
子又はR3 とR4 は、それぞれ結合する炭素原子と
共にベンゼン環を形成していてもよい)で示される1,
3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物とを混合溶
融したことを特徴とする低融点組成物である。
【0009】本発明の第2は、無水ハロゲン化アルミニ
ウム20〜80モル%と前記の1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物80〜20モル%とを混合溶融
した浴に無水ハロゲン化クロムを添加したことを特徴と
する低融点組成物である。
【0010】本発明の第3は、前記第1の発明又は第2
の発明の低融点組成物をめっき浴として用い、陰極にク
ロムを析出させることを特徴とする電気クロムめっき方
法である。
【0011】前記式で示される1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物としては、例えば、1,3−ジ
メチルイミダゾリウムブロマイド、1−エチル−3−メ
チルイミダゾリウムクロライド、1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムアイオダイド、1−n−ブチル−3−
メチルイミダゾリウムクロライド、1−ベンジル−3−
メチルイミダゾリウムクロライド、1−エチル−3−メ
チルベンゾイミダゾリウムクロライド等を挙げることが
できる。
【0012】本発明に用いる無水ハロゲン化クロム(C
rX2 :式中、Xはハロゲン原子を表す)としては、
無水塩化第一クロム、無水塩化第二クロム、無水フッ化
第二クロム等を挙げることができる。
【0013】本発明の組成物を用いた電解浴は、無水ハ
ロゲン化クロム10〜90モル%と1,3−ジアルキル
イミダゾリウムハロゲン化物90〜10モル%とを混合
溶融して製造することができる。この場合、無水ハロゲ
ン化クロム20〜80モル%と1,3−ジアルキルイミ
ダゾリウムハロゲン化物80〜20モル%が電解浴とし
て好ましい。
【0014】無水ハロゲン化クロムの濃度が低過ぎる系
では、工業的に実施するために必要な電流密度が得難く
、一方、無水ハロゲン化クロムの濃度が高過ぎる系では
、電解浴の粘度が上昇する傾向があるので、電解浴とし
て好ましくない。
【0015】本発明の低融点組成物を用いた電解浴の製
造方法は、例えば、次の2工程により行うことができる
【0016】第1工程 アルキルハライドと1−アルキルイミダゾ−ルとを反応
溶媒とともに撹拌機付きオ−トクレ−ブに仕込み、30
〜200℃、好ましくは50〜150℃で四級化反応を
行う。反応後、溶媒及び未反応物を除去して、1,3−
ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物を得る。
【0017】前記反応溶媒としては、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン等の炭化水素;水、メタノ−ル、エタノ−
ル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の極性溶媒を挙げることができる。
【0018】第2工程 第1工程で製造した1,3−ジアルキルイミダゾリウム
ハロゲン化物と無水ハロゲン化クロムの所定量を混合し
、不活性ガスの雰囲気下で加熱するか、適当な溶媒に1
,3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物と無水ハ
ロゲン化クロムを懸濁させて加熱混合した後、溶媒を除
去することにより目的の電解浴を製造することができる
【0019】高純度クロムの電解析出は、電解浴の安定
性の維持及びめっき性状等の点から、一般に乾燥無酸素
雰囲気下で行われる。電解条件としては、直流又はパル
ス電流により、浴温0〜300℃、電流密度0.01〜
50A /dm2 で行うと電流効率がよくかつ均一な
析出を行うことができる。浴温があまり低すぎるとクロ
ムの電析速度が極端に低下し、また浴温が高すぎたり、
極端に電流密度が高すぎると、オニウムカチオンの分解
、めっき層の不均一化、さらには電流効率が低下するの
で好ましくない。
【0020】比較的低温で効率的にクロムの析出を行わ
せる場合、電解浴の粘度を低下させ、同時にイオン導電
性を高めるために、めっき浴に有機溶媒を添加する方法
が有効である。
【0021】その有機溶媒としては、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパ
ノ−ル、エチレングリコ−ル、アセトン、メチルエチル
ケトン、酢酸エチル、プロピレンカ−ボネ−ト、ガンマ
ブチロラクトン等の含酸素化合物;ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリジ
ノン等のアミド化合物;ジメチルスルホキシド、スルホ
ラン等の含イオウ化合物;ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族溶媒などの非水溶媒を挙
げることができる。中でも好ましいのは電気化学的に安
定性が高くかつ電解浴成分との反応性も低い非プロトン
系の溶媒である。
【0022】これらの非水溶媒は、本発明の低融点組成
物に対して、5〜95容量%添加して用いることができ
る。
【0023】これらの非水溶媒は、めっき層の均一化を
図るために有効であるが、さらにめっき層を均一化し、
めっき層を表面制御するために、微量の添加物、例えば
アミン類、リン系化合物或はポリオ−ル類等を電解浴に
加えることができる。
【0024】
【実施例】実施例1 1−メチルイミダゾ−ル1.0モル(82.1 g)、
塩化エチル1.1モル(71.0 g)及び溶媒として
のメタノ−ル100 gをガラス製オ−トクレ−ブに仕
込み、撹拌しながら110℃で4時間反応させた。
【0025】反応生成物からロ−タリ−エバポレ−タを
用いて溶媒及び未反応物を除去し、固形物146.2 
gを得た。この固形物は、1−エチル−3−メチルイミ
ダゾリウムクロライドであり、1−メチルイミダゾ−ル
基準の反応収率は、99.7モル%であった。
【0026】得られた1−エチル−3−メチルイミダゾ
リウムクロライド14.7 g(0.10モル)を窒素
雰囲気のガラス製容器に入れ、無水塩化第二クロム15
.8 g(0.10モル)を徐々に混合し、90℃に加
熱した。この際、1−エチル−3−メチルイミダゾリウ
ムクロライドの固体界面で反応が起こり、徐々に液化が
進行して初期に発熱するので、反応温度が90℃を超え
ないように注意しながら無水塩化第二クロムを全量投入
した。得られた組成物は、常温で液体であり、電導度は
80℃で22.9 mS/cmを示した。また、この系
において、無水塩化第二クロムと1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムクロライドのモル比を0.5から2.
0まで変化させた場合の温度と電導度の関係を表1に示
す。
【0027】
【表1】
【0028】得られた組成物は、表1に示すように、全
モル比の範囲において常温で溶液状態であり、また、高
い電導度を示すことから、高純度クロム析出電解浴とし
て優れている。
【0029】実施例2 電解浴として、無水塩化第二クロム67モル%及び1−
エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライド33モル
%を用い、電解条件として、浴温80℃、電流密度1 
A/dm2、電解時間30分、陽極として、99.5%
のクロム棒を用いて、めっきを行なった。電流効率95
%以上でめっき層の厚みが10μm の緻密なクロムめ
っきを得た。得られたクロムの純度は99.95%であ
った。
【0030】実施例3 実施例1と同様にして調製した無水塩化第二クロムと1
−エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライドのモル
比が1.0のめっき浴に、有機溶媒としてトルエンを1
:1(容量比)で混合した電解浴を調製した。この電解
浴は、70℃で32.4 mS/cmの電導度を示し、
トルエンを混合しないものに比べ2倍以上の高い値を示
した。
【0031】この電解浴を用い、実施例2と同様の電解
方法で、浴温25℃、電流密度0.5 A/dm2、電
解時間60分の電解条件の下にクロムめっきを行った。 電流効率95%以上でめっき層の厚みが10μm の緻
密なクロムめっきを得た。得られたクロムの純度は99
.95%であった。
【0032】実施例4 塩化アルミニウム46モル%及び1−エチル−3−メチ
ルイミダゾリウムクロライド54モル%からなる組成物
に対し、10重量%の無水塩化第一クロムを添加した電
解浴を用い、浴温25℃、電流密度1 A/dm2、電
解時間30分の電解条件の下にめっきを行った。電流効
率95%以上でめっき層の厚みが10μm の緻密なク
ロムめっきを得た。得られたクロムの純度は、99.9
5%であった。
【0033】実施例5 電解浴として無水塩化第一クロム67モル%及び1−エ
チル−3−メチルイミダゾリウムクロライド33モル%
を用い、浴温80℃、電流密度1 A/dm2、電解時
間30分、陽極として、99.5%のクロム棒を用いて
、電流効率95%以上でめっき層の厚みが10μm の
緻密なクロムめっきを得た。得られたクロムの純度は9
9.95%であった。
【0034】
【発明の効果】本発明の組成物によると、常温でも取り
扱いの容易な液体となり、また溶融状態でかなり高いイ
オン導電性を有しているので、高い電流効率でかつ高電
流密度で生産性良く、高純度のクロムめっきを得ること
ができる。
【0035】本発明の方法によると、電解浴が非水溶液
であるので、水の電気分解による電流効率の低下がなく
、相対的に余裕のある電解条件で効率的に高純度クロム
を電解析出でき、効率よく、めっきを行うことができる

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  無水ハロゲン化クロムと、次式:【化
    1】 (式中、R1 は、炭素数1〜12のアルキル基、シク
    ロアルキル基又はアラルキル基を表し、R2 は、炭素
    数1〜6のアルキル基、シクロアルキル基又はアラルキ
    ル基を表し、R3 及びR4 は、水素原子又はR3 
    とR4 は、それぞれ結合する炭素原子と共にベンゼン
    環を形成していてもよい)で示される1,3−ジアルキ
    ルイミダゾリウムハロゲン化物とを混合溶融したことを
    特徴とする低融点組成物。
  2. 【請求項2】  無水ハロゲン化アルミニウム20〜8
    0モル%と請求項1の1,3−ジアルキルイミダゾリウ
    ムハロゲン化物80〜20モル%とを混合溶融した浴に
    無水ハロゲン化クロムを添加したことを特徴とする低融
    点組成物。
  3. 【請求項3】請求項1又は請求項2の低融点組成物をめ
    っき浴として用い、陰極にクロムを析出させることを特
    徴とする電気クロムめっき方法。
JP41533190A 1990-12-27 1990-12-27 低融点組成物及び電気クロムめっき方法 Pending JPH04231493A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010525161A (ja) * 2007-04-17 2010-07-22 ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパストナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー バリヤー層及びその製造方法
CN105821453A (zh) * 2016-04-27 2016-08-03 昆明理工大学 一种低共熔溶剂电沉积亮铬镀层的方法

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