JPH04230737A - Optical waveguide device - Google Patents

Optical waveguide device

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JPH04230737A
JPH04230737A JP11053891A JP11053891A JPH04230737A JP H04230737 A JPH04230737 A JP H04230737A JP 11053891 A JP11053891 A JP 11053891A JP 11053891 A JP11053891 A JP 11053891A JP H04230737 A JPH04230737 A JP H04230737A
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optical waveguide
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optical
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純 船崎
Yoshinori Ota
好紀 太田
Takashi Mizusaki
水崎 隆司
Hideo Adachi
日出夫 安達
Atsushi Yusa
遊佐 厚
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Abstract

PURPOSE:To provide the device which is easily controlled by incoherent light without relying on an electrical method, is not affected by vibrations and is not complicated in device constitution even when a light source for control light is included and facilitates the integration of the elements to the same substrate. CONSTITUTION:This optical waveguide has the substrate 11 which is formed of a material of the refractive index changed by an electrical effect and optical waveguides 12, 13 which are formed in a part on the surface of this substrate 11 and in which signal guided light 15 are propagated. An optical path conversion part having the periodic photovoltaic effect to either one of control light 16 or the guided light is provided in the above-mentioned optical waveguide 13.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、光導波路を伝搬する信
号光を他の光により制御し得る光導波路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide device in which signal light propagating through an optical waveguide can be controlled by other light.

【0002】0002

【従来の技術】近年、光導波路を用いた各種の光集積回
路が提案されている(「光集積回路」;オ−ム社、西原
,春名,栖原(著)、1985年)。光集積回路に用い
られる素子の一つにグレ−ティング素子がある。このグ
レ−ティング素子には、光導波路に予め構造的に作り込
まれた受動的グレ−ティング素子と、光導波路として用
いられる材料の電気光学効果・電磁気学効果・熱光学効
果・音響光学効果等を利用した機能的グレ−ティングが
ある。この機能的グレ−ティングは、光波長程度の微細
な周期構造により導波光に対して偏向器,反射器,波長
フィルタ−,結合器,モ−ド変換器等として機能する。 前記受動的グレ−ティングは、その機能が固定されたも
のであり、前記機能的グレ−テングはその機能が電気信
号等で制御されるものである。
2. Description of the Related Art In recent years, various optical integrated circuits using optical waveguides have been proposed ("Optical Integrated Circuits"; Ohmsha, Nishihara, Haruna, Suhara (authors), 1985). One of the elements used in optical integrated circuits is a grating element. This grating element includes a passive grating element that is structurally built in advance in the optical waveguide, and electro-optic effects, electromagnetic effects, thermo-optic effects, acousto-optic effects, etc. of the material used as the optical waveguide. There is a functional grating that uses This functional grating functions as a deflector, reflector, wavelength filter, coupler, mode converter, etc. for guided light due to its fine periodic structure on the order of the optical wavelength. The passive grating has a fixed function, and the functional grating has a function controlled by electrical signals or the like.

【0003】また、前記機能的グレ−ティングとしてフ
ォトリフラクティブ効果を利用したものが提案されてい
る。図9(A)〜(C)はその概念を示す。つまり、基
板1上に光導波路2,3を交差させて配置し、その交差
部4にドナ−型不純物を均一に導入して分布させ、この
交差部4にフォトリフラクティブ効果をもたせ、光導波
路装置が構成されている。ここで、制御光(光束)5a
,5bの照射がなければ、図9(A)に示すように導波
信号6は光導波路2に沿って導波する。また、交差部4
のドナ−レベルと伝導帯端のエネルギ−差ΔEより高い
エネルギ−をもつ短い波長のコヒ−レントな2光束5a
,5bを図9(B)において、矢印の如く空間的に導入
し本光導波路装置上面において干渉させると、交差部4
のフォトリフラクティブ効果により、この部分に屈折率
分布型グレ−ティングが誘起される。更に、照射される
光による干渉縞のピッチと方向を適当に選ぶ事により、
図9(C)に示す如く、光導波路2を伝搬する信号光6
は交差部4に誘起されたグレ−ティングで回折され、光
導波路3を伝搬する信号光7となる。以上により光スイ
ッチが実現されている。
[0003] Furthermore, a functional grating that utilizes a photorefractive effect has been proposed. FIGS. 9A to 9C illustrate the concept. That is, the optical waveguides 2 and 3 are disposed on a substrate 1 so as to intersect with each other, donor type impurities are uniformly introduced and distributed at the intersection 4, and the intersection 4 is given a photorefractive effect, thereby creating an optical waveguide device. is configured. Here, the control light (luminous flux) 5a
, 5b, the waveguide signal 6 is guided along the optical waveguide 2 as shown in FIG. 9(A). Also, the intersection 4
Two coherent beams 5a of short wavelength with energy higher than the energy difference ΔE between the donor level and the conduction band edge.
, 5b are introduced spatially as shown by the arrows in FIG.
A gradient index grating is induced in this portion due to the photorefractive effect. Furthermore, by appropriately selecting the pitch and direction of the interference fringes caused by the irradiated light,
As shown in FIG. 9(C), the signal light 6 propagating through the optical waveguide 2
is diffracted by the grating induced at the intersection 4 and becomes signal light 7 propagating through the optical waveguide 3. An optical switch is realized through the above steps.

【0004】図10は、光スイッチアレイである。これ
は、図9に示された前記光スイッチをマトリックス状に
配置し、その上部に液晶等によるライトバルブアレイ8
を設け、選択的に干渉光を光スイッチアレイに導入し、
任意の光スイッチを動作させるものである。なお、図1
0中の6a,6b,6cは導波信号光、7a,7b,7
cは伝搬する信号光である。
FIG. 10 shows an optical switch array. In this method, the optical switches shown in FIG. 9 are arranged in a matrix, and a light valve array 8 made of liquid crystal or the like is placed above the optical switches.
to selectively introduce interference light into the optical switch array,
It operates any optical switch. Furthermore, Figure 1
6a, 6b, 6c in 0 are waveguide signal lights, 7a, 7b, 7
c is a propagating signal light.

【0005】また、従来、光導波路技術としては「Ph
otorefractive integrated−
opticalswitch arrays in  
LiNbO3 」(OPTICS  LETTERS 
/Vol.15,No.1/January 1,19
90)が知られている。
[0005] Conventionally, as an optical waveguide technology, "Ph
otorefractive integrated-
optical switch arrays in
LiNbO3” (OPTICS LETTERS
/Vol. 15, No. 1/January 1,19
90) is known.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前述した受動的グレ−
ティングにおいては、回折機能を有する周期構造が予め
光導波路構造内に作り込まれているため、その作用は一
定しており、導波光を能動的に制御することができない
[Problem to be solved by the invention] The above-mentioned passive gray
In optical waveguides, since a periodic structure having a diffraction function is built in advance in the optical waveguide structure, its effect is constant and guided light cannot be actively controlled.

【0007】一方、前記機能的グレ−ティングにおいて
は、光導波路基板上に形成された電極に加えられる電気
信号により能動的に導波光が制御されている例が主であ
る。しかし、他の光導波路装置等で変調を受けた光を、
制御信号として用いる場合、あるいは空間的に変調され
た光を制御信号として用いる場合等においては、制御部
に用いる光信号を電気信号等に変換する必要がある。更
に、電気的な信号を光導波路基板へ空間的に導入するこ
とは難しい。
On the other hand, in the above-mentioned functional gratings, guided light is mainly actively controlled by electrical signals applied to electrodes formed on an optical waveguide substrate. However, light modulated by other optical waveguide devices, etc.
When using it as a control signal, or when using spatially modulated light as a control signal, it is necessary to convert the optical signal used in the control section into an electrical signal or the like. Furthermore, it is difficult to spatially introduce electrical signals into the optical waveguide substrate.

【0008】前記機能的グレ−ティングで、フォトリフ
ラクティブを用いた例においては、干渉縞の形成中に振
動等が加わり、干渉縞もしくは光導波路装置自体が動い
た場合、誘起されるグレ−ティングの屈折率変調等に影
響を与え、本来期待された装置動作を得ることができな
い。この為、振動等の影響を受けずに干渉縞を導入する
構造が必要となり、構造が複雑化する。
[0008] In the case of using photorefractive functional gratings, if vibration or the like is applied during the formation of interference fringes and the interference fringes or the optical waveguide device itself moves, the induced grating This affects the refractive index modulation, etc., making it impossible to obtain the originally expected device operation. For this reason, a structure is required that introduces interference fringes without being affected by vibrations, etc., which complicates the structure.

【0009】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
、電気的な方法によらずインコヒ−レント光により容易
に制御され、振動に対して影響を受けず、制御光の光源
を含めた場合においてもその装置構造が複雑にならず、
素子の同一基板への集積化も容易な光導波路装置を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it can be easily controlled by incoherent light without using an electrical method, is not affected by vibration, and includes a light source for control light. The device structure is not complicated even in
It is an object of the present invention to provide an optical waveguide device in which elements can be easily integrated on the same substrate.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】本発明は、電気的作用に
より屈折率を変える材料により形成される基板と、前記
基板の表面の一部に形成され,信号導波光が伝搬される
光導波路とを具備し、制御光又は導波光のいずれか一方
に対して周期的な光起電力効果を有する光路変換部を前
記光導波路に設けたことを特徴とする光導波路装置であ
る。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a substrate formed of a material whose refractive index changes through electrical action, and an optical waveguide formed on a part of the surface of the substrate through which signal guided light is propagated. An optical waveguide device characterized in that the optical waveguide is provided with an optical path converter having a periodic photovoltaic effect on either the control light or the guided light.

【0011】本発明において、制御光がない場合に、ド
ナ−となる第1不純物の分布により光導波路を伝搬する
信号導波光に対して生じる屈折率分布は、制御光に対し
てはドナ−あるいはアクセプタ−として作用しない第2
不純物を前記第1不純物の濃度変調と逆の位相でド−プ
して、光導波路内の信号光に対する屈折率を均一にする
ことができる。
In the present invention, when there is no control light, the refractive index distribution that occurs for the signal guided light propagating in the optical waveguide due to the distribution of the first impurity serving as a donor is The second one does not act as an acceptor.
By doping the impurity with a phase opposite to the concentration modulation of the first impurity, it is possible to make the refractive index of the signal light within the optical waveguide uniform.

【0012】本発明において、ドナ−である第1不純物
のエネルギ−準位と光路変換部の材料内エネルギ−バン
ドの伝導体下端とのエネルギ−差より高いエネルギ−を
もつ短い波長の光を制御光として照射し、かつその光起
電力効果と電気光学効果により光導波路内に屈折率型グ
レ−ディングを誘起し、信号導波光を偏向あるいは変調
することができる。ここで、前記制御光は基板の外部よ
り空間的に導入してもよい。
In the present invention, short-wavelength light having an energy higher than the energy difference between the energy level of the first impurity as a donor and the lower end of the conductor of the energy band within the material of the optical path converter is controlled. It is possible to irradiate it as light and induce refractive index type grading in the optical waveguide by its photovoltaic effect and electro-optic effect, thereby deflecting or modulating the signal guided light. Here, the control light may be introduced spatially from outside the substrate.

【0013】本発明においては、制御光又は導波光のい
ずれか一方に対して周期的な光起電力効果を有する光路
変換部が光導波路に設けられているが、前記光路変換部
としては例えば互いに交差する光導波路の交差部が挙げ
られる。ここで、前記光路変換部は、制御光又は導波光
のいずれか一方に対してドナ−となる第1不純物を、前
記光路変換部に一定の周期で濃度が変調するようにド−
プさせることにより得られる。前記光路変換部は、下記
の2通りにより得られる。
In the present invention, an optical path converter having a periodic photovoltaic effect on either the control light or the guided light is provided in the optical waveguide. Examples include intersections of optical waveguides that intersect. Here, the optical path converter is configured to dope a first impurity, which serves as a donor for either the control light or the guided light, into the optical path converter so that the concentration is modulated at a constant period.
It can be obtained by The optical path conversion section can be obtained in the following two ways.

【0014】(1) 前記第1不純物が前記制御光に対
してドナ−となる場合:制御光及び導波光に対してドナ
−あるいはアクセプタ−として作用しない第2不純物が
、前記光導波路の光路変換部に前記第1不純物の濃度変
調と逆の位相でド−プされている。
(1) When the first impurity acts as a donor for the control light: The second impurity, which does not act as a donor or acceptor for the control light and the guided light, converts the optical path of the optical waveguide. The first impurity is doped in a phase opposite to the concentration modulation of the first impurity.

【0015】(2) 前記第1不純物が前記導波光に対
してドナ−となっている場合:導波光に対してドナ−あ
るいはアクセプタ−として作用しない第2不純物が、前
記光導波路の光路変換部に前記第1不純物の濃度変調と
逆の位相でド−プされている。
(2) When the first impurity acts as a donor for the guided light: the second impurity, which does not act as a donor or acceptor for the guided light, is doped with a phase opposite to the concentration modulation of the first impurity.

【0016】本発明において、前記光導波路の屈折率は
、前記基板の屈折率より0.03〜0.05高くするこ
とが望ましい。その理由は、光を光導波路内部に閉じ込
める導波路構造を形成し、かつ該光導波路の伝播損失を
低くするためである。
In the present invention, it is preferable that the refractive index of the optical waveguide is 0.03 to 0.05 higher than the refractive index of the substrate. The reason for this is to form a waveguide structure that confines light inside the optical waveguide and to reduce the propagation loss of the optical waveguide.

【0017】本発明において、図7のように前記光路変
換部(交差部)にテ−パ面が形成されている場合が考え
られる。これにより、テ−パ部が形成された光導波路造
を伝播する制御光が、該テ−パ部下方に位置する本発明
の作用を持つ交差部に照射可能となる。本構成により、
本発明の装置が形成された同一の基板上に制御光照射の
ための光学系をも設けることが可能であることが示され
る。
In the present invention, a case can be considered in which a tapered surface is formed in the optical path changing portion (crossing portion) as shown in FIG. Thereby, the control light propagating through the optical waveguide structure in which the taper portion is formed can be irradiated to the intersection portion having the effect of the present invention located below the taper portion. With this configuration,
It is shown that it is possible to also provide an optical system for control light irradiation on the same substrate on which the device of the invention is formed.

【0018】本発明において、前記光導波路を構成する
材料としては、ニオブ酸リチウム(LiNbO3 ) 
Z単結晶、BaTiO3 などの強誘電体,BSO(B
i12SiO20)などの常誘電体,GaAsなどの化
合物半導体を用いることができる。
In the present invention, the material constituting the optical waveguide is lithium niobate (LiNbO3).
Z single crystal, ferroelectric materials such as BaTiO3, BSO (B
A paraelectric material such as i12SiO20) or a compound semiconductor such as GaAs can be used.

【0019】本発明において、第1・第2不純物として
は、例えば基板がニオブ酸リチウムの場合、第1不純物
としてFe,第2不純物としてH+ が挙げられる。前
記第1・第2不純物は、イオン注入法あるいは熱拡散等
の手段を用いて光導波路内に導入することができる。
In the present invention, the first and second impurities include, for example, when the substrate is lithium niobate, Fe as the first impurity and H+ as the second impurity. The first and second impurities can be introduced into the optical waveguide using means such as ion implantation or thermal diffusion.

【0020】本発明においては、多数の上記光導波路が
交差する個所をマトリクス状に配置してもよい(図5図
示)。また、制御光に対する透化率が電気的に可変な膜
を、マトリクス状に形成した交差部上に形成してもよい
(図6図示)。図1を用いて、本発明に係る光導波路装
置の概念を示す。
In the present invention, the intersections of a large number of the optical waveguides may be arranged in a matrix (as shown in FIG. 5). Furthermore, a film whose transmittance to control light is electrically variable may be formed on the intersections formed in a matrix (as shown in FIG. 6). The concept of an optical waveguide device according to the present invention will be illustrated using FIG.

【0021】3次元光導波路12,13は、基板11の
表面に形成されている。十字状のクラッド14は、前記
光導波路12,13上に形成されている。前記クラッド
14は電気的効果をもつ材料からなり、この材料にドナ
−型不純物が図2(A)に示す如く周期的に分布されて
いる。
Three-dimensional optical waveguides 12 and 13 are formed on the surface of substrate 11. A cross-shaped clad 14 is formed on the optical waveguides 12 and 13. The cladding 14 is made of a material having an electrical effect, and donor type impurities are periodically distributed in this material as shown in FIG. 2(A).

【0022】なお、前記クラッド14は必ずしも必要な
ものではなく、また基板11全面に形成されていてもよ
い。 また、図中の15は光導波路12を伝搬する導波光、1
6は交差部にグレ−ディングを誘起するために装置外部
より導入される制御光、17は制御光16が照射されて
いる場合に導波光15が交差部19を通りそのまま光導
波路12を伝搬する導波出力光、18は制御光が照射さ
れた場合導波光15が交差部19のグレ−ディングで回
折され,光導波路13を伝搬する導波出力光である。
Note that the cladding 14 is not necessarily required, and may be formed over the entire surface of the substrate 11. In addition, 15 in the figure indicates waveguide light propagating through the optical waveguide 12;
Reference numeral 6 indicates control light introduced from outside the device to induce grading at the intersection, and reference numeral 17 indicates that when the control light 16 is irradiated, the guided light 15 passes through the intersection 19 and propagates through the optical waveguide 12 as it is. Waveguide output light 18 is waveguide output light that propagates through the optical waveguide 13 after the waveguide light 15 is diffracted by the grading at the intersection 19 when the control light is irradiated.

【0023】前記光導波路12,13はラジアンを単位
とし、導波光15と回折導波出力光18が挟む角度θを
もって交差して形成されている。前記ドナ−型不純物の
分布周期は、制御光16の照射により交差部19に誘起
される屈折率分布型グレ−ディングの周期と同じものと
なる為、そのピッチをΛ、導波光15の波長をλ、nを
整数とすると、 COS(θ/2)=nλ/2Λ となるように設定される。これにより、前記交差部19
に誘起された前記グレ−ディングが導波光15を光導波
路13の方向へブラッグ回折させる条件をもつ。
The optical waveguides 12 and 13 are formed so that the guided light 15 and the diffracted waveguide output light 18 intersect with each other at an angle θ in units of radians. The distribution period of the donor type impurity is the same as the period of the refractive index distribution type grading induced at the intersection 19 by the irradiation of the control light 16, so the pitch is Λ and the wavelength of the guided light 15 is When λ and n are integers, it is set so that COS(θ/2)=nλ/2Λ. As a result, the intersection 19
The above-mentioned grading induced by the grading has a condition that causes the guided light 15 to undergo Bragg diffraction in the direction of the optical waveguide 13.

【0024】次に、本発明の光制御方法を示す。図1の
ように装置外部より制御光16が交差部19に照射され
ていない状態では、交差部19には屈折率分布型グレ−
ティングは誘起されない為、導波光15はそのまま光導
波路12を伝搬し、導波出力光17となる。次に、装置
外部より制御光16が交差部19に照射されている状態
では、交差部19が前記構造及び効果をもつ為、屈折率
分布型グレ−ティングが誘起される。このグレ−ティン
グが前記条件で設定されていることにより、光導波路1
2を伝搬している導波光15を光導波路13の方向へ回
折させ導波出力光18となり、信号光である導波光15
の伝搬が光導波路13へ切換えられる。
Next, the light control method of the present invention will be described. When the control light 16 is not irradiated onto the intersection 19 from outside the device as shown in FIG.
Since the waveguide light 15 is not induced, the waveguide light 15 propagates through the optical waveguide 12 as it is, and becomes the waveguide output light 17. Next, when the control light 16 is irradiated onto the intersection 19 from outside the apparatus, the intersection 19 has the structure and effect described above, so that a gradient index grating is induced. By setting this grating under the above conditions, the optical waveguide 1
The guided light 15 propagating through the optical waveguide 2 is diffracted in the direction of the optical waveguide 13 to become the guided output light 18, and the guided light 15, which is signal light, is
The propagation of is switched to the optical waveguide 13.

【0025】また、外部からの制御光16の照射がなく
なると、前記グレ−ティングは消滅し、導波光15は回
折を受けることなく、そのまま光導波路12を伝搬して
導波出力光17となり、信号光である導波光15の伝搬
が光導波路13から光導波路12を伝搬して導波出力光
17となり、信号光である導波光15の伝搬が光導波路
13から光導波路12へ切換えられる。以上のようにし
て、制御光16により導波光15の導波方向を制御する
Furthermore, when the external control light 16 is no longer irradiated, the grating disappears, and the guided light 15 propagates through the optical waveguide 12 as it is without being diffracted, becoming the guided output light 17. The propagation of the guided light 15 that is the signal light propagates from the optical waveguide 13 to the optical waveguide 12 and becomes the guided output light 17, and the propagation of the guided light 15 that is the signal light is switched from the optical waveguide 13 to the optical waveguide 12. As described above, the waveguide direction of the waveguide light 15 is controlled by the control light 16.

【0026】図2(A)〜(D)は、図1の交差部にお
ける屈折率分布型グレ−ティングの誘起原理を示す。即
ち、同図(A)は第1図の交差部19におけるX−Y向
のドナ−型の第1不純物(不純物1)の分布、同図(B
)はX−Y方向の光により発生したキャリアの分布、同
図(C)はX−Y方向のキャリアの拡散による電場分布
、同図(D)はこの電場により誘起される屈折率の分布
状態を示す。
FIGS. 2A to 2D show the principle of inducing the gradient index grating at the intersection of FIG. That is, FIG. 1A shows the distribution of the donor type first impurity (Impurity 1) in the X-Y direction at the intersection 19 in FIG.
) is the distribution of carriers generated by light in the X-Y direction, (C) is the electric field distribution due to carrier diffusion in the X-Y direction, and (D) is the distribution of the refractive index induced by this electric field. shows.

【0027】制御光16の交差部19への照射により、
図2(A)のように分布するドナ−型の第1不純物から
光によるキャリアが図2(B)のように発生するが、キ
ャリアの拡散等の再分布により同図(C)に示されるよ
うな電場分布が形成され、この電場と光導波路材料のも
つ電気光学効果によりドナ−型の第1不純物の分布周期
に等しい屈折率分布が同図(D)のように形成され、屈
折率分布グレ−ティングとなる。
By irradiating the intersection 19 with the control light 16,
Carriers are generated by light as shown in FIG. 2(B) from the donor-type first impurity distributed as shown in FIG. 2(A), but due to redistribution due to carrier diffusion etc., the carriers are generated as shown in FIG. 2(C). An electric field distribution is formed, and due to this electric field and the electro-optic effect of the optical waveguide material, a refractive index distribution equal to the distribution period of the first impurity of the donor type is formed as shown in the same figure (D), and the refractive index distribution is It becomes a grating.

【0028】制御光16が交差部19へ照射されなくな
ると、光によるキャリアが再結合することにより、電場
分布が消滅し、同時に屈折率分布が消滅し、グレ−ティ
ングが消える。
When the control light 16 is no longer irradiated to the intersection 19, carriers caused by the light are recombined, so that the electric field distribution disappears, and at the same time, the refractive index distribution disappears, and the grating disappears.

【0029】次に、交差部19に制御光16の照射以前
にドナ−型不純物の分布により、導波光15に対して屈
折率の分布が生じる場合において、交差部19の屈折率
を均一にする方法を図3を参照して説明する。同図は、
図1の交差部19におけるX−Y方向のドナ−型の第1
不純物の分布(図3(A)図示)、それにより生じる屈
折率の分布(同図(B)図示)、屈折率分布補正のため
導入された第2不純物(不純物2)の分布(同図(C)
図示)、それにより生じる屈折率分布(同図(D)図示
)、更に第1・第2不純物の影響を総合した全体的な屈
折率分布(同図(E)図示)の状態を示す。制御光16
及び導波光15の波長の光に対しては、ドナ−又はアク
セプタ−とならない第2不純物を例えば同図(C)のよ
うな濃度及び分布で交差部に導入し、導波光15に対し
て交差部19の屈折率を均一にすることができる。交差
部19とそれ以外の光導波路12,13部分の屈折率の
差が導波光15に対して生じ、導波光の伝搬にし支障が
ある場合においては第2不純物を交差部19以外の光導
波路12,13部分に均一に導入し分布させ、該部分の
屈折率を交差部のそれと等しくすることができる。なお
、第1・第2不純物の分布は図2,図3に示されたもの
に限らず、例えばステップ状に分布させたり、周期を変
化させて分布させてもよい。
Next, in the case where a refractive index distribution occurs for the guided light 15 due to the distribution of donor type impurities before the intersection 19 is irradiated with the control light 16, the refractive index of the intersection 19 is made uniform. The method will be explained with reference to FIG. The figure is
The first donor mold in the X-Y direction at the intersection 19 in FIG.
The distribution of impurities (shown in Figure 3 (A)), the distribution of the refractive index caused by it (shown in Figure 3 (B)), and the distribution of the second impurity (Impurity 2) introduced to correct the refractive index distribution (shown in Figure 3 (B)). C)
), the resulting refractive index distribution (shown in (D) in the same figure), and the overall refractive index distribution (shown in (E) in the same figure) that integrates the effects of the first and second impurities. control light 16
For the light having the wavelength of the guided light 15, a second impurity that does not become a donor or acceptor is introduced into the intersection with a concentration and distribution as shown in FIG. The refractive index of the portion 19 can be made uniform. If a difference in refractive index between the intersection 19 and the other parts of the optical waveguides 12 and 13 occurs with respect to the guided light 15, and this poses an obstacle to the propagation of the guided light, the second impurity is removed from the optical waveguide 12 other than the intersection 19. , 13 and can be uniformly introduced and distributed to make the refractive index of the portion equal to that of the intersection. Note that the distribution of the first and second impurities is not limited to that shown in FIGS. 2 and 3, and may be distributed in a stepwise manner or with a varying period, for example.

【0030】また、導波光15により前記屈折率分布型
グレ−ティングが交差部19に誘起されないように、導
波光15はドナ−型の第1不純物のドナ−のエネルギ−
準位と伝導体下部のエネルギ−差より低いエネルギ−を
持つ長い波長の光を、また制御光16はドナ−型の第1
不純物の前記エネルギ−差より高いエネルギ−をもつ短
い波長の光を用いる。
Furthermore, in order to prevent the waveguide light 15 from inducing the gradient index grating at the intersection 19, the waveguide light 15 absorbs the energy of the donor of the first impurity of the donor type.
The control light 16 emits long wavelength light with an energy lower than the energy difference between the level and the lower part of the conductor.
A short wavelength light having a higher energy than the energy difference of the impurities is used.

【0031】更に、本発明に係る光導波路装置は、図1
の構成の場合に限らず、例えば図11あるいは図12に
示すような構成でもよい。図11は、前記基板11と同
じように電気的効果を有する材料からなる第1基板11
a,第2基板11b間にこれら基板よりも屈折率のわず
かに大きい光導波路となるコア20を介在させたもので
ある。図12は、前記第2基板を設けずに空気に直接接
する構造にしたものである。
Furthermore, the optical waveguide device according to the present invention is shown in FIG.
The present invention is not limited to the configuration shown in FIG. 11, but may be a configuration shown in FIG. 11 or 12, for example. FIG. 11 shows a first substrate 11 made of a material having an electrical effect like the substrate 11.
A core 20 serving as an optical waveguide having a slightly higher refractive index than those of these substrates is interposed between the second substrate 11b. FIG. 12 shows a structure in which the second substrate is not provided and is in direct contact with air.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照して
説明する。
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0033】(実施例1)図4は、光スイッチを実現す
る装置構成を示している。基板21は、ニオブ酸リチウ
ム単結晶から形成される。屈折率が前記基板21の屈折
率よりも0.03〜0.05程度高い3次元光導波路2
2,23は、前記基板21の表面に互いに交差するよう
に形成されている。 前記光導波路22,23は、前記基板21上にリフトオ
フ法等によりパタ−ニングされたチタンを熱拡散するこ
とにより形成される。ここで、前記光導波路22,23
の交差部61には、電子ビ−ム描画等でパタ−ニングさ
れた第1・第2の不純物が熱拡散等により導入されてい
る。ここで、第1不純物はFeであり、第2不純物はH
+ である。光源24は、前記光導波路22の端面に設
置されている。前記光源24は化合物半導体からなり、
光導波路22に導波光25を励振できるようになってい
る。受光素子28,29は、前記光導波路22の他方の
端面及び前記光導波路23の端面に設置されている。前
記受光素子28,29は、夫々光導波路22,23を伝
搬してきた導波光26,27を検出する機能を有する。
(Embodiment 1) FIG. 4 shows a device configuration for realizing an optical switch. Substrate 21 is formed from lithium niobate single crystal. A three-dimensional optical waveguide 2 whose refractive index is approximately 0.03 to 0.05 higher than the refractive index of the substrate 21.
2 and 23 are formed on the surface of the substrate 21 so as to cross each other. The optical waveguides 22 and 23 are formed by thermally diffusing titanium patterned on the substrate 21 by a lift-off method or the like. Here, the optical waveguides 22, 23
First and second impurities patterned by electron beam drawing or the like are introduced into the intersection 61 by thermal diffusion or the like. Here, the first impurity is Fe, and the second impurity is H
+. The light source 24 is installed on the end face of the optical waveguide 22. The light source 24 is made of a compound semiconductor,
Guided light 25 can be excited in the optical waveguide 22. The light receiving elements 28 and 29 are installed on the other end surface of the optical waveguide 22 and on the end surface of the optical waveguide 23. The light receiving elements 28 and 29 have a function of detecting the guided lights 26 and 27 that have propagated through the optical waveguides 22 and 23, respectively.

【0034】化合物半導体からなる光源31は、前記交
差部61上に、前記光導波路22,23より屈折率の小
さいSiO2 からなるバッファ層30を介して設置さ
れている。なお、SiO2 に代えて他の屈折率の小さ
い材料を用いてもよい。前記光源31は、制御光である
その発光を光導波路22,23の交差部61に照射する
ように適当な膜厚をもつ。前記光導波路22,23の交
差部へ導入されるドナ−型の第1不純物の分布は、光源
31による制御光の照射を受け誘起される屈折率分布型
グレ−ティングが、導波光25を光導波路23へ回折さ
せる前記条件をもつように設定されている。
A light source 31 made of a compound semiconductor is placed on the intersection 61 with a buffer layer 30 made of SiO2 having a smaller refractive index than the optical waveguides 22 and 23 interposed therebetween. Note that other materials with a small refractive index may be used instead of SiO2. The light source 31 has an appropriate film thickness so as to irradiate the intersection 61 of the optical waveguides 22 and 23 with its emitted light, which is control light. The distribution of the donor-type first impurity introduced into the intersection of the optical waveguides 22 and 23 is such that the refractive index grating induced by the control light irradiation from the light source 31 optically guides the guided light 25. It is set to have the above-mentioned conditions for causing diffraction to the wave path 23.

【0035】次に、装置全体の動作について説明する。 光源24により光導波路22に励振される信号導波光2
5は、光源31による制御光の照射がない場合において
は、光源31の下部にある光導波路22,23の交差部
61に前記グレ−ティングは存在しない為、そのまま光
導波路22を伝搬し、受光素子28に入射して検出され
る。また、光源31による制御光の照射がある場合にお
いては、前記交差部61に屈折率分布型グレ−ティング
が誘起され、回折を受けて光導波路23を伝搬し、受光
素子29に入射して検出される。以上のように、制御光
のON/OFFにより信号導波光の光路を切り換えるこ
とができる。なお、前記基板21は、例えばシリコン単
結晶のように導波路材料とは異なる材質の基板上にスパ
ッタ法などを用いて形成してもよい。光導波路22,2
3の上部に前記光導波路より小さい屈折率をもつ材料を
クラッド層として設けることもできる。 (実施例2)図7は、光スイッチを実現する別の装置構
成を示す。なお、図4と同部材は同符号を付して説明を
省略する。
Next, the operation of the entire apparatus will be explained. Signal waveguide light 2 excited in the optical waveguide 22 by the light source 24
5, when the control light is not irradiated by the light source 31, the grating does not exist at the intersection 61 of the optical waveguides 22 and 23 below the light source 31, so the light propagates through the optical waveguide 22 as it is, and the light is received. The light enters the element 28 and is detected. Furthermore, when the control light is irradiated by the light source 31, a gradient index grating is induced at the intersection 61, propagates through the optical waveguide 23 through diffraction, enters the light receiving element 29, and is detected. be done. As described above, the optical path of the signal waveguide light can be switched by turning the control light ON/OFF. Note that the substrate 21 may be formed using a sputtering method or the like on a substrate made of a material different from the waveguide material, such as silicon single crystal, for example. Optical waveguide 22, 2
A material having a refractive index smaller than that of the optical waveguide can also be provided as a cladding layer on the upper part of the optical waveguide. (Embodiment 2) FIG. 7 shows another device configuration for realizing an optical switch. Note that the same members as those in FIG. 4 are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0036】第3の光導波路41は、前記基板21上に
、光導波路22,23の交差部61へ制御光を導入する
ために光導波路23に沿うように設けられている。ここ
で、前記光導波路41は、ニオブ酸リチウム,Si3 
N4 などの材料を、スパッタ法等により基板21上に
成膜し、これをリフトオフ法等の手法を用いてパタ−ニ
ングすることにより形成されている。前記光導波路41
は、前記交差部61上ではテ−パ面42になっており、
下に位置する交差部61へ制御光43を放射するように
RIE法等を用いて加工されている。オプティカル・フ
ァイバ−44は、前記光導波路41の端面に、外部より
制御光を導入するように結合されている。次に、装置の
動作を説明する。
The third optical waveguide 41 is provided on the substrate 21 along the optical waveguide 23 in order to introduce control light to the intersection 61 of the optical waveguides 22 and 23. Here, the optical waveguide 41 is made of lithium niobate, Si3
It is formed by forming a film of a material such as N4 on the substrate 21 by a sputtering method or the like, and patterning this film using a technique such as a lift-off method. The optical waveguide 41
has a tapered surface 42 on the intersection 61,
It is processed using the RIE method or the like so that the control light 43 is emitted to the intersection 61 located below. An optical fiber 44 is coupled to the end face of the optical waveguide 41 so as to introduce control light from the outside. Next, the operation of the device will be explained.

【0037】制御光43がオプティカル・ファイバ−4
4により導入され、光導波路41を伝搬し、光導波路2
2,23の交差部61で光導波路がテ−パ形状となり、
交差部61へ放射され、交差部61に屈折率分布型グレ
−ティングが誘起される。それ以外の動作は実施例1と
同じである。本装置により、外部よりの制御光の導入が
容易である。 (実施例3)図8は、光変調器を実現する装置の構成を
示す。
Control light 43 is optical fiber 4
4, propagates through the optical waveguide 41, and passes through the optical waveguide 2.
The optical waveguide becomes tapered at the intersection 61 of 2 and 23,
The light is radiated to the intersection 61, and a gradient index grating is induced in the intersection 61. The other operations are the same as in the first embodiment. With this device, it is easy to introduce control light from the outside. (Embodiment 3) FIG. 8 shows the configuration of a device realizing an optical modulator.

【0038】実施例3においては、誘起される屈折率分
布型グレ−ティングは導波光25が回折され、光路変換
部62でそれと逆方向に伝搬する導波光51となるよう
に、前記第1不純物が導入されている。なお、光源24
と光導波路22間に、光源の動作を安定させるよう光ア
イソレ−タを設けても良い。また、光源24を用いずに
、装置外部よりオプティカル・ファイバ−等を用いて、
光導波路22へ導波光25を導入してもよい。更に、光
源24を設けずに、制御光を装置外部より空間的に導入
させてもよいし、オプティカル・ファイバ−を用いるこ
ともできる。
In the third embodiment, the induced refractive index gradient grating is formed by the first impurity so that the guided light 25 is diffracted and becomes the guided light 51 which propagates in the opposite direction in the optical path conversion section 62. has been introduced. Note that the light source 24
An optical isolator may be provided between the optical waveguide 22 and the optical waveguide 22 to stabilize the operation of the light source. Also, without using the light source 24, using an optical fiber or the like from outside the device,
Guided light 25 may be introduced into the optical waveguide 22. Furthermore, the control light may be introduced spatially from outside the apparatus without providing the light source 24, or an optical fiber may be used.

【0039】次に、上記構成の装置の動作を説明する。 光源24により光導波路22に励振される導波光25は
、光源31による制御光の照射がない場合には、光源3
1の下部にある,前記処理を行った部分に、屈折率分布
型グレ−ディングは存在しない為、そのまま光導波路2
2を伝搬し、出力光52となる。また、光源31により
制御光が照射されている場合には、光導波路22の光源
31の下となる部分に、屈折率分布型グレ−ティングが
誘起され、導波光25は回折を受け、光導波路22を逆
方向に伝搬する導波光51となり、出力光52は出力さ
れない。以上のように、制御光により導波光を変調する
ことができる。 (実施例4)図5は、光スイッチング・アレイを実現す
る装置の構成を示す。
Next, the operation of the apparatus having the above configuration will be explained. The guided light 25 excited to the optical waveguide 22 by the light source 24 is transmitted to the light source 3 when the light source 31 does not irradiate the control light.
Since there is no refractive index gradient grading in the lower part of the optical waveguide 2 which has undergone the above treatment, the optical waveguide 2
2 and becomes output light 52. Furthermore, when the control light is irradiated by the light source 31, a gradient index grating is induced in the portion of the optical waveguide 22 below the light source 31, and the guided light 25 is diffracted, causing the optical waveguide to pass through the optical waveguide. 22 becomes the guided light 51 that propagates in the opposite direction, and the output light 52 is not output. As described above, guided light can be modulated by control light. (Embodiment 4) FIG. 5 shows the configuration of an apparatus for realizing an optical switching array.

【0040】本装置は、実施例1に示された光スイッチ
ング素子において、2つの光導波路を直交するように構
成し、かつ同一基板21の上にマトリクス状に配列して
形成したものである。従って、各素子における材料,作
成方法,各要素の配置,変形例は、実施例1と同様であ
る。なお、配列数は3×3に限定されない事は勿論の事
である。次に、上記装置の動作を説明する。
The present device is an optical switching element shown in Example 1, in which two optical waveguides are configured to be perpendicular to each other and are arranged in a matrix on the same substrate 21. Therefore, the material, manufacturing method, arrangement of each element, and modification of each element are the same as in the first embodiment. Note that it goes without saying that the number of arrays is not limited to 3×3. Next, the operation of the above device will be explained.

【0041】各スイッチング素子の動作は、実施例1と
同様である。制御光の光源31a 〜31i のうち、
適当なものを発光状態に設定することにより、光源31
a 〜31f による導波光を任意の受光素子28a〜
28fへ導くことができる。なお、図中の24a 〜2
4fは光源である。なお、実施例2による光スイッチン
グ素子を実施例4と同様にアレイ化することも可能であ
る。
The operation of each switching element is the same as in the first embodiment. Among the control light light sources 31a to 31i,
The light source 31 can be set to emit light by setting a suitable one.
The guided light from a to 31f is transmitted to any light receiving element 28a to
It can lead to 28f. In addition, 24a to 2 in the figure
4f is a light source. Note that it is also possible to form the optical switching elements according to the second embodiment into an array as in the fourth embodiment.

【0042】図6は、装置上に制御光の光源31a 〜
31i を設けずに、装置上面に適当なバッファ層63
を介して各光導波路の交差部に対応した液晶等によるラ
イトバルブアレイ64を設け、装置上方に配置された光
源66により一様な光65を前記ライトバルブアレイ6
4により変調して制御光とする変形例を示す。 (実施例5)
FIG. 6 shows control light sources 31a to 31a on the device.
31i, a suitable buffer layer 63 is placed on the top surface of the device.
A light valve array 64 made of liquid crystal or the like corresponding to the intersection of each optical waveguide is provided through the light guide, and a light source 66 disposed above the device emits uniform light 65 to the light valve array 6.
A modification example in which the control light is modulated by 4 is shown. (Example 5)

【0043】図13は自己スイッチング素子を実現する
装置の構成を示す。この実施例5では、交差部61にド
−プされている第1不純物のエネルギ−準位と伝導体下
端のエネルギ−差より高いエネルギ−をもつ光を、導波
信号光6として用いた構成になっている。
FIG. 13 shows the configuration of a device realizing a self-switching element. Embodiment 5 has a configuration in which light having an energy higher than the energy level difference between the first impurity doped in the intersection 61 and the lower end of the conductor is used as the waveguide signal light 6. It has become.

【0044】前記導波信号光6は、交差部61に到達後
は光導波路2を直進するが、導波信号光が交差部61に
到達時点から所定の遅延時間差を持ち、交差部61に屈
折率分布型グレ−ティングが誘起され、導波信号光6の
進路は変更を受けて導波信号出力光7となる。
The waveguide signal light 6 travels straight through the optical waveguide 2 after reaching the intersection 61, but there is a predetermined delay time difference from the time the waveguide signal light reaches the intersection 61, and the waveguide signal light is refracted at the intersection 61. The rate distribution type grating is induced, and the course of the waveguide signal light 6 is changed to become the waveguide signal output light 7.

【0045】このように、実施例5によれば、導波信号
光とその信号照射の時間的な長短により、導波信号光に
よる自己スイッチング素子が形成される。従って、記述
した制御光が不要となり、装置構成が簡略化される。
As described above, according to the fifth embodiment, a self-switching element by the guided signal light is formed depending on the time length of the guided signal light and the signal irradiation. Therefore, the described control light becomes unnecessary, and the device configuration is simplified.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、電気
的な方法によらずインコヒ−レント光により容易に制御
され、振動に対して影響を受けず、制御光の光源を含め
た場合においてもその装置構造が複雑にならず、素子の
同一基板への集積化も容易な光導波路装置を提供できる
Effects of the Invention As detailed above, according to the present invention, it is easily controlled by incoherent light without using an electrical method, is not affected by vibration, and when a light source of control light is included. Also, it is possible to provide an optical waveguide device whose device structure is not complicated and whose elements can be easily integrated on the same substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明に係る光導波路装置の概念を示す説明図
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the concept of an optical waveguide device according to the present invention.

【図2】図1の装置のX−Y方向からみたドナ−型の第
1不純物,キャリア,電場分布及び屈折率を示す分布図
FIG. 2 is a distribution diagram showing donor-type first impurities, carriers, electric field distribution, and refractive index as viewed from the X-Y direction of the device in FIG. 1;

【図3】図1の装置のX−Y方向からみたドナ−型の第
1不純物,屈折率分布,第2不純物を示す分布図。
FIG. 3 is a distribution diagram showing the donor-type first impurity, refractive index distribution, and second impurity as seen from the X-Y direction of the device in FIG. 1;

【図4】実施例1に係る光スイッチの斜視図。FIG. 4 is a perspective view of the optical switch according to the first embodiment.

【図5】実施例4に係る光スイッチの斜視図。FIG. 5 is a perspective view of an optical switch according to Example 4.

【図6】実施例4の変形例を示す光スイッチの斜視図。FIG. 6 is a perspective view of an optical switch showing a modification of the fourth embodiment.

【図7】実施例2に係る光変調器の斜視図。FIG. 7 is a perspective view of an optical modulator according to a second embodiment.

【図8】実施例3に係る光スイッチの斜視図。FIG. 8 is a perspective view of an optical switch according to Example 3.

【図9】フォトエレクティブ効果を利用した機能的グレ
−ティングの概念図。
FIG. 9 is a conceptual diagram of a functional grating using a photoelective effect.

【図10】光スイッチアレイの概念図。FIG. 10 is a conceptual diagram of an optical switch array.

【図11】図1の光導波路装置とは異なる装置の概念を
示す説明図。
11 is an explanatory diagram showing a concept of a device different from the optical waveguide device of FIG. 1. FIG.

【図12】図1の光導波路装置とは異なる装置の概念を
示す説明図。
12 is an explanatory diagram showing a concept of a device different from the optical waveguide device of FIG. 1. FIG.

【図13】実施例3に自己スイッチング素子の斜視図。FIG. 13 is a perspective view of a self-switching element in Example 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,21…基板、14…交差部、15,25,26…
導波光、16…制御光、17…導波出力光、18…回折
導波出力光、24,24a〜24f ,31,31a〜
31i…光源、28,28a〜28f,29…受光素子
、30,61…バッファ層。
11, 21...Substrate, 14...Intersection, 15, 25, 26...
Waveguide light, 16... Control light, 17... Waveguide output light, 18... Diffraction waveguide output light, 24, 24a to 24f, 31, 31a to
31i... Light source, 28, 28a to 28f, 29... Light receiving element, 30, 61... Buffer layer.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  電気的作用により屈折率を変える材料
により形成される基板と、前記基板の表面の一部に形成
され,信号導波光が伝搬される光導波路とを具備し、制
御光又は導波光のいずれか一方に対して周期的な光起電
力効果を有する光路変換部を前記光導波路に設けたこと
を特徴とする光導波路装置。
1. A substrate comprising a substrate made of a material whose refractive index is changed by electrical action, and an optical waveguide formed on a part of the surface of the substrate, through which signal waveguide light is propagated, and a control light or waveguide. An optical waveguide device characterized in that the optical waveguide is provided with an optical path converter having a periodic photovoltaic effect on either one of the wave lights.
【請求項2】  前記制御光又は導波光のいずれか一方
に対してドナ−となる第1不純物を、前記光路変換部に
一定の周期で濃度が変調するようにド−プさせたことを
特徴とする請求項1記載の光導波路装置。
2. A first impurity serving as a donor for either the control light or the guided light is doped in the optical path converting section so that the concentration thereof is modulated at a constant period. The optical waveguide device according to claim 1.
【請求項3】  前記第1不純物が前記制御光に対して
ドナ−となっており、制御光及び導波光に対してドナ−
あるいはアクセプタ−として作用しない第2不純物が、
前記光導波路の光路変換部に前記第1不純物の濃度変調
と逆の位相でド−プされている請求項2記載の光導波路
装置。
3. The first impurity serves as a donor for the control light, and serves as a donor for the control light and the guided light.
Alternatively, a second impurity that does not act as an acceptor is
3. The optical waveguide device according to claim 2, wherein the optical path conversion portion of the optical waveguide is doped with the first impurity in a phase opposite to the concentration modulation of the first impurity.
【請求項4】  前記第1不純物が前記導波光に対して
ドナ−となっており、導波光に対してドナ−あるいはア
クセプタ−として作用しない第2不純物が、前記光導波
路の光路変換部に前記第1不純物の濃度変調と逆の位相
でド−プされている請求項2記載の光導波路装置。
4. The first impurity acts as a donor for the guided light, and the second impurity, which does not act as a donor or acceptor for the guided light, acts as a donor for the guided light. 3. The optical waveguide device according to claim 2, wherein the optical waveguide device is doped in a phase opposite to the concentration modulation of the first impurity.
【請求項5】  前記制御光が、ドナ−である第1不純
物のエネルギ−準位と前記光路変換部の材料内エネルギ
−バンドの伝導体下端とのエネルギ−差より高いエネル
ギ−をもつ光である請求項2記載の光導波路装置。
5. The control light is light having an energy higher than the energy difference between the energy level of the first impurity as a donor and the lower end of the conductor of the energy band within the material of the optical path conversion section. The optical waveguide device according to claim 2.
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