JPH05323404A - Optical wavelength conversion element - Google Patents

Optical wavelength conversion element

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Publication number
JPH05323404A
JPH05323404A JP13062992A JP13062992A JPH05323404A JP H05323404 A JPH05323404 A JP H05323404A JP 13062992 A JP13062992 A JP 13062992A JP 13062992 A JP13062992 A JP 13062992A JP H05323404 A JPH05323404 A JP H05323404A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
wavelength conversion
optical waveguide
optical
face
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP13062992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Chiaki Goto
千秋 後藤
Akinori Harada
明憲 原田
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP13062992A priority Critical patent/JPH05323404A/en
Publication of JPH05323404A publication Critical patent/JPH05323404A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain wavelength converted waves of stable output and high intensity by providing a light shielding plate which shields the laser beam reflected at the end face of an optical waveguide formed in the direction where the laser beam of the basic wave is made incident diagonally. CONSTITUTION:The light shielding plate 15 is disposed in the position deviating from the optical path of the laser beam 11 heading toward the wavelength. conversion element 20 between a collimator lens 12 and a lambda/2 plate 13. This light shielding plate 15 is so disposed as to approach the laser beam 11 as far as possible within the range where the laser beam 11 is not shielded. The rear end face 20a of the wavelength conversion element 20 is diagonally cut overall including the end face 22a of the optical waveguide. The direction of the cut is set at the direction where the optical path of the reflected laser beam 11R is completely separated from the laser beam 11 heading toward the wavelength conversion element 20 and deviates to the light shielding plate 15 side. Then, the laser beam 11R reflected by the end face 22a of the optical waveguide is shielded by the light shielding plate 15 and is prevented from returning to the semiconductor laser 10.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第2高調波等
に波長変換する光波長変換装置、特に詳細には、基本波
光源としての半導体レーザーと光導波路型の光波長変換
素子とからなる光波長変換装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical wavelength conversion device for converting a fundamental wave into a second harmonic or the like, and more particularly to a semiconductor laser as a fundamental wave light source and an optical waveguide type optical wavelength conversion element. The present invention relates to a light wavelength conversion device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、非線形光学材料を利用して、
レーザー光を第2高調波等に波長変換(短波長化)する
試みが種々なされている。このようにして波長変換を行
なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型の
ものや、光導波路型のもの等が知られている。またこの
種の光波長変換素子は、半導体レーザーと組み合わせて
用いられることが多い。
2. Description of the Related Art Conventionally, non-linear optical materials have been used to
Various attempts have been made to convert the wavelength of laser light into a second harmonic wave (shorter wavelength). As a light wavelength conversion element that performs wavelength conversion in this way, specifically, a bulk crystal type, an optical waveguide type, and the like are known. In addition, this type of optical wavelength conversion element is often used in combination with a semiconductor laser.

【0003】このように半導体レーザーを基本波光源と
し、そこから発せられたレーザービームを光導波路型の
光波長変換素子に入力させるためには、半導体レーザー
から発せられたレーザービームを入射光学系で絞って光
導波路端面上で収束させる、という手法が多く用いられ
ている。
As described above, in order to use the semiconductor laser as the fundamental wave light source and input the laser beam emitted from the fundamental laser to the optical wavelength conversion element of the optical waveguide type, the laser beam emitted from the semiconductor laser is used in the incident optical system. A method of squeezing and converging on the end face of the optical waveguide is often used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
して基本波であるレーザービームを光導波路型光波長変
換素子に入力する場合は、光導波路端面で反射したレー
ザービームが半導体レーザーに戻り光となって入射する
ために、ノイズが生じるといった問題や、発振波長変動
による波長変換効率低下のために波長変換波出力が大き
く変化するといった問題が認められている。
However, when the fundamental laser beam is input to the optical waveguide type optical wavelength conversion element as described above, the laser beam reflected by the end face of the optical waveguide returns to the semiconductor laser. It has been recognized that such incidents cause noise, and that the wavelength-converted wave output greatly changes due to a decrease in wavelength conversion efficiency due to fluctuations in the oscillation wavelength.

【0005】従来より、この戻り光による問題を防止す
るために、半導体レーザーの駆動電流に高周波を重畳し
て、半導体レーザーをマルチモード化することも考えら
れている。このような手法は、基本波と波長変換波との
位相整合を取る上での基本波波長許容幅が比較的大きい
いわゆるチェレンコフ放射型の光波長変換素子にあって
は効果的であるが、導波モードの基本波と同じく導波モ
ードの波長変換波との間で位相整合を取る導波−導波タ
イプの光波長変換素子に対しては適用し難いものとなっ
ている。つまりこの導波−導波タイプの光波長変換素子
においては、上記の基本波波長許容幅が狭いので、半導
体レーザーのマルチモードのうちの1つのモードしか波
長変換に利用できず、そのため見かけ上の波長変換効率
が著しく低くなってしまうのである。
In order to prevent the problem due to this return light, it has been conventionally considered to superimpose a high frequency on the driving current of the semiconductor laser to make the semiconductor laser multi-mode. Such a method is effective for a so-called Cerenkov radiation type optical wavelength conversion element, which has a relatively wide fundamental wavelength allowable width for achieving phase matching between the fundamental wave and the wavelength-converted wave. It is difficult to apply to a waveguide-guided type optical wavelength conversion element that achieves phase matching between the fundamental wave of the wave mode and the wavelength conversion wave of the guided mode. In other words, in this waveguide-guided type optical wavelength conversion element, since the fundamental wave wavelength allowable width is narrow, only one mode of the multimodes of the semiconductor laser can be used for wavelength conversion, and therefore, apparently. The wavelength conversion efficiency is extremely low.

【0006】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、基本波光源として単一縦モードの半導体レーザ
ーを、そして光波長変換素子として光導波路型のものを
用いた上で、半導体レーザーへの戻り光を抑えて、出力
が安定した高強度の波長変換波を得ることができる光波
長変換素子を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances. A semiconductor laser of a single longitudinal mode is used as a fundamental wave light source, and an optical waveguide type is used as an optical wavelength conversion element. It is an object of the present invention to provide an optical wavelength conversion element capable of obtaining a high-intensity wavelength-converted wave with stable output by suppressing return light to the.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明による光波長変換
装置は、前述したように非線形光学材料からなる光導波
路を有し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する
光波長変換素子と、基本波としてのレーザービームを発
する単一縦モードの半導体レーザーと、上記レーザービ
ームを光導波路端面上で収束させて該光導波路に入射さ
せる光学系とからなる光波長変換装置において、光導波
路の端面が、基本波としてのレーザービームが斜め入射
する向きに形成されるとともに、この光導波路の端面で
反射して半導体レーザー側に進行するレーザービームを
遮る遮光板が設けられたことを特徴とするものである。
An optical wavelength conversion device according to the present invention includes an optical waveguide made of a non-linear optical material as described above, and an optical wavelength conversion element for wavelength-converting a fundamental wave guided through the optical waveguide. And a single longitudinal mode semiconductor laser that emits a laser beam as a fundamental wave, and an optical system that converges the laser beam on the end face of the optical waveguide and makes it enter the optical waveguide. The end face of is formed in a direction in which the laser beam as the fundamental wave is obliquely incident, and a light-shielding plate that blocks the laser beam that is reflected by the end face of the optical waveguide and proceeds to the semiconductor laser side is provided. To do.

【0008】[0008]

【作用および発明の効果】上述のように光導波路の端面
を、基本波としてのレーザービームが斜め入射する向き
に形成しておくと、この端面で反射したレーザービーム
は半導体レーザーから光波長変換素子に向かうレーザー
ビームとは異なる光路を辿るようになる。そこで上述の
ような遮光板を、半導体レーザーから光波長変換素子に
向かうレーザービームは全くあるいはほとんど遮らない
位置に配して、半導体レーザー側に戻るレーザービーム
を一部あるいは全部遮ることが可能となる。
As described above, when the end face of the optical waveguide is formed in the direction in which the laser beam as the fundamental wave is obliquely incident as described above, the laser beam reflected by this end face is converted from the semiconductor laser into the optical wavelength conversion element. It will follow a different optical path than the laser beam going to. Therefore, it is possible to partially or completely block the laser beam returning to the semiconductor laser side by disposing the light shielding plate as described above at a position where the laser beam traveling from the semiconductor laser to the light wavelength conversion element is not or hardly blocked. ..

【0009】このようにして半導体レーザーへの戻り光
を無くし、あるいは低減できれば、基本波光源として単
一縦モードの半導体レーザーを用いていても、戻り光に
よるノイズあるいは発振波長変動を抑制可能となる。そ
れにより本装置においては、高い波長変換効率の下に安
定した出力の波長変換波を得ることができる。また本発
明の装置は、半導体レーザーをマルチ縦モード化するも
のではないから、光波長変換素子として導波−導波タイ
プのものが用いられる場合でも、レーザービームの利用
効率が高く保たれ、その点からも波長変換効率の向上が
実現される。
If the returning light to the semiconductor laser can be eliminated or reduced in this way, noise or oscillation wavelength fluctuation due to the returning light can be suppressed even if a single longitudinal mode semiconductor laser is used as the fundamental wave light source. .. As a result, in this device, a wavelength-converted wave having a stable output can be obtained with high wavelength conversion efficiency. Further, since the device of the present invention does not convert the semiconductor laser into a multi-longitudinal mode, the utilization efficiency of the laser beam is kept high even when a waveguide-guided type is used as the optical wavelength conversion element. From the point of view, the wavelength conversion efficiency can be improved.

【0010】[0010]

【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図1と図2はそれぞれ、本発明の第1
実施例による光波長変換装置の平面形状、側面形状を示
すものであり、また図3はその斜視図である。図示され
るようにこの光波長変換装置は、基本波光源としての半
導体レーザー10と、コリメーターレンズ12、λ/2板13
および集光レンズ14からなる入射光学系と、光導波路型
の光波長変換素子20とを有している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below based on the embodiments shown in the drawings. 1 and 2 are respectively the first of the present invention.
3A and 3B show a planar shape and a side surface shape of an optical wavelength conversion device according to an example, and FIG. 3 is a perspective view thereof. As shown in the figure, this optical wavelength conversion device includes a semiconductor laser 10 as a fundamental wave light source, a collimator lens 12, and a λ / 2 plate 13
And an incident optical system including a condenser lens 14 and an optical waveguide type optical wavelength conversion element 20.

【0011】光波長変換素子20は、ガラスやプラスチッ
クからなる基板21内に、非線形光学材料からなる3次元
光導波路22が埋め込まれてなる。本例では上記非線形光
学材料として、特開昭62−210432号公報に示さ
れる3,5ージメチルー1ー(4ーニトロフェニル)ピ
ラゾール(以下、DMNPと称する)が用いられてい
る。一方半導体レーザー10としては、基本波長が870
nmのレーザービーム11を発するものが用いられてい
る。これらの光波長変換素子20と半導体レーザー10と
は、半導体レーザー10のビーム出射軸と同方向に光導波
路22が延びる状態にして、図示しない共通のマウントに
固定されている。
The optical wavelength conversion element 20 comprises a three-dimensional optical waveguide 22 made of a non-linear optical material embedded in a substrate 21 made of glass or plastic. In this example, 3,5-dimethyl-1- (4-nitrophenyl) pyrazole (hereinafter referred to as DMNP) disclosed in JP-A-62-210432 is used as the above-mentioned nonlinear optical material. On the other hand, the semiconductor laser 10 has a fundamental wavelength of 870.
A device that emits a laser beam 11 of nm is used. The light wavelength conversion element 20 and the semiconductor laser 10 are fixed to a common mount (not shown) with the optical waveguide 22 extending in the same direction as the beam emission axis of the semiconductor laser 10.

【0012】光波長変換素子20の光導波路端面22bを含
む前方端面20bには、波長870nmの基本波としての
レーザービーム11と、後述する波長435nmの第2高
調波16とをほぼ100 %透過させるコーティングが施され
ている。また光波長変換素子20の後方端面20aには、レ
ーザービーム11をほぼ100 %透過させるコーティングが
施されている。
The front end face 20b including the end face 22b of the optical waveguide of the optical wavelength conversion element 20 transmits almost 100% of the laser beam 11 as a fundamental wave having a wavelength of 870 nm and the second harmonic wave 16 having a wavelength of 435 nm which will be described later. It has a coating. The rear end face 20a of the light wavelength conversion element 20 is coated with a laser beam 11 which is almost 100% transparent.

【0013】半導体レーザー10から出射したレーザービ
ーム11は、コリメーターレンズ12で平行光化され、その
収束スポット形状および偏光方向を光導波路22の形状に
合わせるためのλ/2板13を通過した後、集光レンズ14
により集光されて、光導波路22の端面22a上で収束す
る。それによりレーザービーム11はこの端面22aから光
導波路22内に入射し、そこを導波モードで図中右方向に
進行する。光導波路22を導波するレーザービーム11は、
光導波路22を構成するDMNPにより、波長が1/2
(=435nm)の第2高調波16に変換される。この第
2高調波16は光導波路22を導波モードで伝搬する。位相
整合は一例として、レーザービーム11の光導波路22での
導波モードと、第2高調波16の導波モードとの間で取ら
れる(いわゆる導波−導波タイプの場合)。光波長変換
素子20の前方端面20bからは、上記レーザービーム11と
第2高調波16とが混合したビームが出射する。この出射
ビームは図示しないフィルターに通され、第2高調波16
のみが取り出されて利用される。
The laser beam 11 emitted from the semiconductor laser 10 is collimated by a collimator lens 12, and after passing through a λ / 2 plate 13 for adjusting its convergent spot shape and polarization direction to the shape of the optical waveguide 22. , Condensing lens 14
Is converged by and is converged on the end face 22a of the optical waveguide 22. As a result, the laser beam 11 enters the optical waveguide 22 through this end face 22a and travels there in the waveguide mode to the right in the figure. The laser beam 11 guided through the optical waveguide 22 is
The wavelength is halved by the DMNP that constitutes the optical waveguide 22.
It is converted into the second harmonic wave 16 of (= 435 nm). The second harmonic wave 16 propagates through the optical waveguide 22 in the guided mode. As an example, the phase matching is performed between the guided mode of the laser beam 11 in the optical waveguide 22 and the guided mode of the second harmonic wave 16 (in the case of the so-called guided-waveguide type). A beam obtained by mixing the laser beam 11 and the second harmonic wave 16 is emitted from the front end face 20b of the light wavelength conversion element 20. This emitted beam is passed through a filter (not shown) and the second harmonic wave 16
Only are retrieved and used.

【0014】次に、半導体レーザー10への戻り光を無く
すための構成について説明する。コリメーターレンズ12
とλ/2板13との間には、光波長変換素子20に向かうレ
ーザービーム11の光路から外れた位置において、遮光板
15が配設されている。この遮光板15は、レーザービーム
11を遮らない範囲でできるだけ該レーザービーム11に近
接するように配置されている。そして光波長変換素子20
の後方端面20aは、光導波路端面22aも含んで全体的に
斜めにカットされている。この光導波路端面22aの斜め
カットの向きは、そこで反射したレーザービーム11Rの
光路が光波長変換素子20に向かうレーザービーム11から
完全に分離して遮光板15側にずれる向きとされている。
Next, a structure for eliminating the returning light to the semiconductor laser 10 will be described. Collimator lens 12
Between the λ / 2 plate 13 and the λ / 2 plate 13 at a position deviated from the optical path of the laser beam 11 toward the light wavelength conversion element 20.
15 are arranged. This shading plate 15 is a laser beam
The laser beam 11 is arranged as close as possible to the laser beam 11 within a range that does not block 11. And the optical wavelength conversion element 20
The rear end face 20a of the above is also obliquely cut as a whole including the end face 22a of the optical waveguide. The direction of the oblique cut of the optical waveguide end face 22a is such that the optical path of the laser beam 11R reflected thereat is completely separated from the laser beam 11 directed to the optical wavelength conversion element 20 and is shifted to the light shielding plate 15 side.

【0015】したがって、光導波路端面22aで反射した
レーザービーム11Rは遮光板15で遮られ、半導体レーザ
ー10まで戻ることがない。そうであれば、戻り光のため
に半導体レーザー10がノイズを生じたり、あるいは発振
波長が変動して位相整合条件の変化により波長変換効率
が低下することもなくなる。そこで本装置においては、
常に高い波長変換効率の下に、高強度の第2高調波16を
安定して得ることが可能となる。
Therefore, the laser beam 11R reflected by the end face 22a of the optical waveguide is blocked by the light shielding plate 15 and does not return to the semiconductor laser 10. If so, the semiconductor laser 10 does not generate noise due to the returning light, or the wavelength conversion efficiency does not decrease due to a change in the oscillation wavelength and a change in the phase matching condition. Therefore, in this device,
It is possible to stably obtain the high-intensity second harmonic wave 16 with a constantly high wavelength conversion efficiency.

【0016】また半導体レーザー10は単一縦モード発振
するものであるから、半導体レーザーを高周波重畳駆動
する場合のようにレーザービーム11のうち特定波長の光
以外は波長変換され得ないということがなくなり、この
点から、実質的な波長変換効率が向上するようになる。
Further, since the semiconductor laser 10 oscillates in a single longitudinal mode, there is no possibility that wavelengths other than light of a specific wavelength in the laser beam 11 cannot be wavelength-converted as in the case where the semiconductor laser is driven by high frequency superposition. From this point, the substantial wavelength conversion efficiency is improved.

【0017】また本実施例において、半導体レーザー10
は水平面内でレーザービーム11の拡がり角が最小となる
ように配されており、光導波路端面22aはこの水平面内
でレーザービーム入射方向に対して斜めとなるようにカ
ットされている。それに対応して遮光板15も、光波長変
換素子20に向かうレーザービーム11の光路に対して水平
方向にずれるように配されている。
In the present embodiment, the semiconductor laser 10
Are arranged so that the divergence angle of the laser beam 11 is minimized in the horizontal plane, and the optical waveguide end face 22a is cut in the horizontal plane so as to be oblique to the laser beam incident direction. Correspondingly, the light shielding plate 15 is also arranged so as to be displaced in the horizontal direction with respect to the optical path of the laser beam 11 which is directed to the light wavelength conversion element 20.

【0018】このようにしておくと、互いに光路をずら
すべきレーザービーム11とレーザービーム11R(反射
光)とは、光路をずらす面内でのビーム径が最小とな
る。そこで、光導波路端面22aの斜めカット角度を比較
的小さくしても、レーザービーム11の遮光板15によるケ
ラレを防止した上でレーザービーム11Rを確実に遮光す
ることができる。図4はこのことを分かりやすく示すも
のである。レーザービーム11と11Rとが実線で示すビー
ム径となっていれば、図示の位置に配した遮光板15でレ
ーザービーム11Rを遮ることができるが、もしそれらの
ビーム径が破線表示のように大きければ、光波長変換素
子20に向かうレーザービーム11の一部がケラレる一方、
レーザービーム11Rの一部が遮られなくなる。上記ビー
ム径が大きくても、光導波路端面22aの斜めカット角度
を大きく取れば、上述の不具合を無くすことができる
が、そのようにすると装置の大型化が避けられない。
With this arrangement, the laser beam 11 and the laser beam 11R (reflected light), whose optical paths should be deviated from each other, have the smallest beam diameter in the plane in which the optical paths are deviated. Therefore, even if the oblique cut angle of the optical waveguide end face 22a is made relatively small, the laser beam 11R can be surely shielded while preventing the laser beam 11 from being vignetted by the light shielding plate 15. FIG. 4 clearly shows this. If the laser beams 11 and 11R have the beam diameters shown by the solid lines, the laser beam 11R can be blocked by the shading plate 15 arranged at the position shown in the figure, but if those beam diameters are large as shown by the broken lines. For example, while a part of the laser beam 11 heading for the light wavelength conversion element 20 is vignetted,
A part of the laser beam 11R is no longer blocked. Even if the beam diameter is large, if the oblique cut angle of the optical waveguide end face 22a is made large, the above-mentioned problems can be eliminated, but if this is done, the size of the device cannot be avoided.

【0019】なお、上記のような遮光板15を設けず、レ
ーザービーム11Rの光路をレーザービーム11の光路から
大きくずらすだけで戻り光を無くすことも考えられる。
しかし、レーザービーム11を光導波路端面22a上で収束
させて光導波路22に入射させる場合は、このレーザービ
ーム11を極めて小さなスポットに収束させる必要があ
り、集光レンズ14としてNA(開口数)がかなり大きい
レンズが用いられることになる。そうであると、集光レ
ンズ14と光導波路端面22aとの間の距離は極めて短くな
るから、上述のような構成で戻り光を無くすことは非常
に難しくなる。
It is also possible to eliminate the return light by simply displacing the optical path of the laser beam 11R from the optical path of the laser beam 11 without providing the light shielding plate 15 as described above.
However, when the laser beam 11 is converged on the optical waveguide end face 22a and is incident on the optical waveguide 22, it is necessary to converge the laser beam 11 into an extremely small spot, and the NA (numerical aperture) of the condenser lens 14 is small. A fairly large lens would be used. If this is the case, the distance between the condenser lens 14 and the end face 22a of the optical waveguide becomes extremely short, so it is very difficult to eliminate the return light with the above-mentioned configuration.

【0020】また本実施例では、前述の通り光波長変換
素子20の後方端面20aに、レーザービーム11をほぼ100
%透過させるコーティングが施されているから、レーザ
ービーム11の反射が少なく抑えられ、この点からも戻り
光低減の効果が得られる。
Further, in this embodiment, as described above, the laser beam 11 is applied to the rear end face 20a of the optical wavelength conversion element 20 in an amount of about 100.
%, The reflection of the laser beam 11 is suppressed to a small extent, and the effect of reducing the returning light can be obtained from this point as well.

【0021】次に、図5を参照して本発明の第2実施例
について説明する。なおこの図5において、図1中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 5, elements that are the same as the elements in FIG. 1 are given the same numbers, and duplicated description thereof will be omitted.

【0022】この第2実施例の光導波路型光波長変換素
子30は、LiTaO3 基板31に反転ドメインの周期構造
を有するプロトン交換光導波路32が形成されてなるもの
である。そしてこの光波長変換素子30は、その光導波路
32の延びる方向Nが半導体レーザー10のビーム出射軸M
に対して、スネルの法則を満たすように傾いた状態で配
置されている。すなわち光導波路32の屈折率をnw とす
ると、図5において、 sin θ1 =nw sin θ2 である。
The optical waveguide type wavelength conversion device 30 of the second embodiment comprises a LiTaO 3 substrate 31 on which a proton exchange optical waveguide 32 having a periodic structure of inversion domains is formed. And this optical wavelength conversion element 30 is
The direction N in which 32 extends is the beam emission axis M of the semiconductor laser 10.
On the other hand, they are arranged in an inclined state so as to satisfy Snell's law. That is, assuming that the refractive index of the optical waveguide 32 is n w , sin θ 1 = n w sin θ 2 in FIG.

【0023】この実施例においても、第1実施例におけ
るのと同様の遮光板15が設けられ、そして光波長変換素
子30の後方端面(光導波路端面32aも含む)30aは、光
導波路端面32aで反射したレーザービーム11Rの光路が
光波長変換素子30に向かうレーザービーム11から完全に
分離して遮光板15側にずれる向きとされている。したが
ってこの場合も、第1実施例におけるのと同様に戻り光
防止の効果が得られることになる。
Also in this embodiment, the same light-shielding plate 15 as in the first embodiment is provided, and the rear end face (including the optical waveguide end face 32a) 30a of the light wavelength conversion element 30 is the optical waveguide end face 32a. The optical path of the reflected laser beam 11R is completely separated from the laser beam 11 directed to the light wavelength conversion element 30 and is shifted toward the light shielding plate 15 side. Therefore, also in this case, the effect of preventing returning light can be obtained as in the first embodiment.

【0024】なお、以上説明した実施例における光導波
路22および32は3次元光導波路であるが、本発明は、薄
膜光導波路からなる光波長変換素子を用いる場合にも適
用可能である。さらに本発明は、第2高調波以外の例え
ば和周波や第3高調波等を得る光波長変換装置にも適用
可能である。
Although the optical waveguides 22 and 32 in the above-described embodiments are three-dimensional optical waveguides, the present invention is also applicable to the case of using an optical wavelength conversion element composed of a thin film optical waveguide. Furthermore, the present invention can be applied to an optical wavelength conversion device that obtains, for example, a sum frequency or a third harmonic other than the second harmonic.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例による光波長変換装置を示
す平面図
FIG. 1 is a plan view showing an optical wavelength conversion device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】上記光波長変換装置を示す側面図FIG. 2 is a side view showing the optical wavelength conversion device.

【図3】上記光波長変換装置の斜視図FIG. 3 is a perspective view of the optical wavelength conversion device.

【図4】光導波路端面の斜めカットの向きによる作用の
違いを説明する概略図
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the difference in action depending on the direction of the oblique cut on the end face of the optical waveguide.

【図5】本発明の第2実施例による光波長変換装置を示
す平面図
FIG. 5 is a plan view showing an optical wavelength conversion device according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体レーザー 11 レーザービーム(基本波) 12 コリメーターレンズ 13 λ/2板 14 集光レンズ 15 遮光板 16 第2高調波 20、30 光波長変換素子 22、32 光導波路 22a、22b、32a 光導波路の端面 10 Semiconductor laser 11 Laser beam (fundamental wave) 12 Collimator lens 13 λ / 2 plate 14 Condenser lens 15 Light-shielding plate 16 Second harmonic 20, 30 Optical wavelength conversion element 22, 32 Optical waveguide 22a, 22b, 32a Optical waveguide End face of

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非線形光学材料からなる光導波路を有
し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する光波長
変換素子と、 基本波としてのレーザービームを発する単一縦モードの
半導体レーザーと、 前記レーザービームを前記光導波路の端面上で収束させ
て該光導波路に入射させる光学系とからなる光波長変換
装置において、 前記光導波路の端面が、前記レーザービームが斜め入射
する向きに形成されるとともに、 前記光導波路の端面で反射して半導体レーザー側に進行
するレーザービームを遮る遮光板が設けられたことを特
徴とする光波長変換装置。
1. An optical wavelength conversion element having an optical waveguide made of a non-linear optical material, for converting a wavelength of a fundamental wave guided through the optical waveguide, and a semiconductor laser of a single longitudinal mode for emitting a laser beam as the fundamental wave. And an optical system for converging the laser beam on the end face of the optical waveguide and entering the optical waveguide, the end face of the optical waveguide is formed in a direction in which the laser beam obliquely enters. In addition, the light wavelength conversion device is provided with a light shielding plate that shields a laser beam that is reflected by the end face of the optical waveguide and travels toward the semiconductor laser.
【請求項2】 前記光導波路の端面が、半導体レーザー
から発せられたレーザービームの拡がり角が最小となる
面内で、該レーザービームの入射方向に対して斜めとな
る向きに配置されていることを特徴とする請求項1記載
の光波長変換装置。
2. The end face of the optical waveguide is arranged in a direction oblique to the incident direction of the laser beam within a plane where the divergence angle of the laser beam emitted from the semiconductor laser is minimized. The optical wavelength conversion device according to claim 1, wherein
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