JPH04229482A - Dramメモリ・システム - Google Patents
Dramメモリ・システムInfo
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- JPH04229482A JPH04229482A JP3138640A JP13864091A JPH04229482A JP H04229482 A JPH04229482 A JP H04229482A JP 3138640 A JP3138640 A JP 3138640A JP 13864091 A JP13864091 A JP 13864091A JP H04229482 A JPH04229482 A JP H04229482A
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- Japan
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- row address
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- signal
- dram
- strobe signal
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4094—Bit-line management or control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4072—Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting
-
- G—PHYSICS
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- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイナミック・ランダ
ム・アクセス半導体メモリ(DRAM)に関し、より具
体的には、DRAMにおける行リセット/プリチャージ
時間に利用できる時間を増加させるためのシステムに関
する。
ム・アクセス半導体メモリ(DRAM)に関し、より具
体的には、DRAMにおける行リセット/プリチャージ
時間に利用できる時間を増加させるためのシステムに関
する。
【0002】
【従来の技術】最近のDRAMでは、行アドレスと列ア
ドレスが1対の外部クロックに応答して1組のアドレス
端子を介して多重化されるアドレス方式が採用されてい
る。第1クロックは行アドレス・ストローブ(RASN
)を発生し、第2クロックは列アドレス・ストローブ(
CASN)を発生する。このアドレス指定技法の利点は
、チップへのアドレス入力のために使用される線または
端子の数が半減するために、入出力端子用に必要なチッ
プ面積が大幅に削減できることである。
ドレスが1対の外部クロックに応答して1組のアドレス
端子を介して多重化されるアドレス方式が採用されてい
る。第1クロックは行アドレス・ストローブ(RASN
)を発生し、第2クロックは列アドレス・ストローブ(
CASN)を発生する。このアドレス指定技法の利点は
、チップへのアドレス入力のために使用される線または
端子の数が半減するために、入出力端子用に必要なチッ
プ面積が大幅に削減できることである。
【0003】DRAMの1読出し/書込みサイクル中に
、RASN信号はこの時間の一部分の間活動状態となり
、残りの時間は非活動状態である。RASN信号が活動
状態のとき、RASN信号は論理的低レベルにあり、非
活動状態のときは論理的高レベルにある。RASN信号
が非活動状態にあるとき、DRAM回路のプリセット及
びリチャージが行われ、次のメモリ・サイクルの準備が
できる。DRAMセルにPMOSアクセス・トランジス
タを使用すると仮定すると、この段階で、ワード線(す
なわちXアドレス線)が、活動状態(低論理レベル)か
ら待機状態(高論理レベル)に復元され、内部読出し/
書込みサイクルでメモリ・セル記憶キャパシタに電荷が
再蓄積され、アドレス・バッファ及びセンス振幅器がリ
セットされ、ビット線がプリチャージされる。
、RASN信号はこの時間の一部分の間活動状態となり
、残りの時間は非活動状態である。RASN信号が活動
状態のとき、RASN信号は論理的低レベルにあり、非
活動状態のときは論理的高レベルにある。RASN信号
が非活動状態にあるとき、DRAM回路のプリセット及
びリチャージが行われ、次のメモリ・サイクルの準備が
できる。DRAMセルにPMOSアクセス・トランジス
タを使用すると仮定すると、この段階で、ワード線(す
なわちXアドレス線)が、活動状態(低論理レベル)か
ら待機状態(高論理レベル)に復元され、内部読出し/
書込みサイクルでメモリ・セル記憶キャパシタに電荷が
再蓄積され、アドレス・バッファ及びセンス振幅器がリ
セットされ、ビット線がプリチャージされる。
【0004】DRAMは、パーソナル・コンピュータ(
PC)に広く使用されている。パーソナル・コンピュー
タのクロックが8または10mHzのとき、ほとんどの
DRAMは、PCの中央演算処理装置(CPU)に遅れ
ずについていくのに十分な程度に高速である。CPUの
クロックがより高速になると、通常のDRAMはCPU
のクロック速度についていけず、したがってシステム性
能が低下する。
PC)に広く使用されている。パーソナル・コンピュー
タのクロックが8または10mHzのとき、ほとんどの
DRAMは、PCの中央演算処理装置(CPU)に遅れ
ずについていくのに十分な程度に高速である。CPUの
クロックがより高速になると、通常のDRAMはCPU
のクロック速度についていけず、したがってシステム性
能が低下する。
【0005】一般的に、CPUの性能は、メモリ・アク
セスが2CPUクロック・サイクルで行われるとき、最
良である。しかしながら、別のシステム要件から、しば
しば追加のクロック・サイクルをメモリ・アクセス動作
に使用する必要が生ずる。たとえば、IBM PS/
2などのパーソナル・コンピュータでは、メモリ・アク
セスは3クロック・サイクルで行われる。このようなシ
ステムでは、RASN信号は第1クロック・サイクルの
開始直後に高レベルすなわち非活動状態にプルされ、第
2クロック・サイクルの開始時に低レベルの活動状態に
プルされる。RASN信号が非活動状態にある期間中に
、DRAMはリセット/プリチャージ動作を実行する。
セスが2CPUクロック・サイクルで行われるとき、最
良である。しかしながら、別のシステム要件から、しば
しば追加のクロック・サイクルをメモリ・アクセス動作
に使用する必要が生ずる。たとえば、IBM PS/
2などのパーソナル・コンピュータでは、メモリ・アク
セスは3クロック・サイクルで行われる。このようなシ
ステムでは、RASN信号は第1クロック・サイクルの
開始直後に高レベルすなわち非活動状態にプルされ、第
2クロック・サイクルの開始時に低レベルの活動状態に
プルされる。RASN信号が非活動状態にある期間中に
、DRAMはリセット/プリチャージ動作を実行する。
【0006】CPUが8または10mHzクロックで動
作するかぎり、各クロック・サイクルは少なくとも10
0ナノ秒の長さであり、DRAMのリセット/プリチャ
ージ機能を実行するのに十分すぎる時間がある。しかし
、33mHzのCPUクロックを使用する場合は、各C
PUクロック・サイクルは30ナノ秒であり、コンピュ
ータによって発生されるRASN信号はリセット/プリ
チャージ機能のために約20ナノ秒の時間しか与えない
。これは、30ナノ秒のリセット/プリチャージ時間を
必要とする高速DRAMには不十分である。
作するかぎり、各クロック・サイクルは少なくとも10
0ナノ秒の長さであり、DRAMのリセット/プリチャ
ージ機能を実行するのに十分すぎる時間がある。しかし
、33mHzのCPUクロックを使用する場合は、各C
PUクロック・サイクルは30ナノ秒であり、コンピュ
ータによって発生されるRASN信号はリセット/プリ
チャージ機能のために約20ナノ秒の時間しか与えない
。これは、30ナノ秒のリセット/プリチャージ時間を
必要とする高速DRAMには不十分である。
【0007】CPUの内部RASN発生機能及び回路を
33mHzクロックに対処できるように再設計すること
を避ける様々な代替方法があるが、どれも魅力的ではな
い。第1は、リセット/プリチャージ時間がより高速な
新しいチップが設計できることである。これは、より先
端の(そして高価な)CMOS技術を使用しない限り達
成することがきわめて難しい。同様に、パーソナル・コ
ンピュータの内部再設計によっても同じ操作が達成でき
るが、他の既設計のパーソナル・コンピュータとの互換
性の問題が生ずる。
33mHzクロックに対処できるように再設計すること
を避ける様々な代替方法があるが、どれも魅力的ではな
い。第1は、リセット/プリチャージ時間がより高速な
新しいチップが設計できることである。これは、より先
端の(そして高価な)CMOS技術を使用しない限り達
成することがきわめて難しい。同様に、パーソナル・コ
ンピュータの内部再設計によっても同じ操作が達成でき
るが、他の既設計のパーソナル・コンピュータとの互換
性の問題が生ずる。
【0008】その他に、延長されたオンチップ内部プリ
チャージ・サイクルを使用することによって、この問題
に対処しようとする試みもあった。このサイクルは、R
ASN信号の立上り時に開始し、低レベル(活動)状態
から高レベル(非活動)状態に変化する。このオンチッ
プ発生サイクルは、クロック・チェインによって実施さ
れ、RASN非活動時間の延長をもたらし、DRAMの
リセットとリチャージを共に可能にする。この実施態様
は、標準CPU発生RASN信号の使用を可能にするが
、RASN信号の低レベルから高レベルへの信号遷移の
開始によってトリガされる長いタイミング・チェインを
利用する。その結果、このタイミング・チェインは、常
時、全RASNリセット/プリチャージ時間のためのタ
イムアウト期間を作らなければならない。このタイミン
グ・チェイン中で、温度変化、製造上のばらつきなどか
ら生ずる遅延の変動による、不正確なタイミングが発生
する。このような実施態様は、小林等の“A 47n
s 64KW by 4bCMOS DRAM
with Relaxed Timing
Requirements”,Proceedings
of the 1986 IEEEInte
rnational Solid−State C
ircuits Conference,pp.26
0,261及び小林等の“A High Spee
d 64k by 4 CMOS DRAM
Using On−chipSelf−Timi
ng Techniques”,IEEE Jou
rnalof Solid−State Circ
uits,Vol.SC−21,No.5,Octob
er,1986,pp.655−660に記載されてい
る。
チャージ・サイクルを使用することによって、この問題
に対処しようとする試みもあった。このサイクルは、R
ASN信号の立上り時に開始し、低レベル(活動)状態
から高レベル(非活動)状態に変化する。このオンチッ
プ発生サイクルは、クロック・チェインによって実施さ
れ、RASN非活動時間の延長をもたらし、DRAMの
リセットとリチャージを共に可能にする。この実施態様
は、標準CPU発生RASN信号の使用を可能にするが
、RASN信号の低レベルから高レベルへの信号遷移の
開始によってトリガされる長いタイミング・チェインを
利用する。その結果、このタイミング・チェインは、常
時、全RASNリセット/プリチャージ時間のためのタ
イムアウト期間を作らなければならない。このタイミン
グ・チェイン中で、温度変化、製造上のばらつきなどか
ら生ずる遅延の変動による、不正確なタイミングが発生
する。このような実施態様は、小林等の“A 47n
s 64KW by 4bCMOS DRAM
with Relaxed Timing
Requirements”,Proceedings
of the 1986 IEEEInte
rnational Solid−State C
ircuits Conference,pp.26
0,261及び小林等の“A High Spee
d 64k by 4 CMOS DRAM
Using On−chipSelf−Timi
ng Techniques”,IEEE Jou
rnalof Solid−State Circ
uits,Vol.SC−21,No.5,Octob
er,1986,pp.655−660に記載されてい
る。
【0009】この分野の他の従来技術は、以下の通りで
ある。
ある。
【0010】米国特許第4602356号は、いわゆる
アドレス多重アクセス方式で動作する半導体メモリ素子
を記述している。このメモリ素子の行部分は、行アドレ
ス・ストローブ信号を受け取ることによってイネーブル
される。メモリ素子の列部分は、列アドレス・ストロー
ブ信号と、行部分からそのイネーブル状態中に供給され
たタイミング制御信号の両方を同時に受け取ることによ
ってイネーブルされる。列部分内の列アドレス・バッフ
ァは、列アドレス・ストローブ信号とタイミング制御信
号の両方を同時に受け取ることによってイネーブルされ
る。このタイミング制御信号は、ある回路が行アドレス
・ストローブ信号を検出し保持するとき、その回路から
発生される。
アドレス多重アクセス方式で動作する半導体メモリ素子
を記述している。このメモリ素子の行部分は、行アドレ
ス・ストローブ信号を受け取ることによってイネーブル
される。メモリ素子の列部分は、列アドレス・ストロー
ブ信号と、行部分からそのイネーブル状態中に供給され
たタイミング制御信号の両方を同時に受け取ることによ
ってイネーブルされる。列部分内の列アドレス・バッフ
ァは、列アドレス・ストローブ信号とタイミング制御信
号の両方を同時に受け取ることによってイネーブルされ
る。このタイミング制御信号は、ある回路が行アドレス
・ストローブ信号を検出し保持するとき、その回路から
発生される。
【0011】米国特許第4608666号は、大容量高
速半導体メモリを開示している。ダイナミック・メモリ
・セル・アレイ内のダイナミック・メモリ・セル行に対
応するスタティック・メモリ・セル行が設けられる。情
報は、スタティック・メモリ・セル行内のスタティック
・メモリ・セルと、それに対応するダイナミック・メモ
リ・セルとの間の転送手段によって転送される。必要な
読出し/書込み操作のための外部からのアクセスは、ス
タティック・メモリ・セル行に対して行われる。
速半導体メモリを開示している。ダイナミック・メモリ
・セル・アレイ内のダイナミック・メモリ・セル行に対
応するスタティック・メモリ・セル行が設けられる。情
報は、スタティック・メモリ・セル行内のスタティック
・メモリ・セルと、それに対応するダイナミック・メモ
リ・セルとの間の転送手段によって転送される。必要な
読出し/書込み操作のための外部からのアクセスは、ス
タティック・メモリ・セル行に対して行われる。
【0012】米国特許第4638462号は、メモリ・
アレイ用の自己調時プリチャージ回路を開示している。 この回路は、複数の立下り検出器の出力に接続されたX
線相補回路、及びX線相補回路の出力に接続されたプリ
チャージ発生回路からなる。各立下り検出器は、システ
ム・メモリ・アレイの別々のワード線に接続される。動
作の際には、プリチャージ発生回路は、立下り検出器に
接続された選択されたワード線がリセットしたときに活
動化される、立下り検出器からの出力線上の信号によっ
てトリガされる。
アレイ用の自己調時プリチャージ回路を開示している。 この回路は、複数の立下り検出器の出力に接続されたX
線相補回路、及びX線相補回路の出力に接続されたプリ
チャージ発生回路からなる。各立下り検出器は、システ
ム・メモリ・アレイの別々のワード線に接続される。動
作の際には、プリチャージ発生回路は、立下り検出器に
接続された選択されたワード線がリセットしたときに活
動化される、立下り検出器からの出力線上の信号によっ
てトリガされる。
【0013】米国特許第4636989号は、アドレス
・ストローブ信号に応答してアクセスされ、アドレス・
ストローブ信号が発生されないときリフレッシュ・クロ
ック・パルスを発生するクロック生成機構と、リフレッ
シュ・クロック・パルスをカウントすることによってリ
フレッシュ・アドレスを増分するアドレス・カウンタと
からなる自動リフレッシュ回路をもつDRAMを開示し
ている。メモリ・セル内に保持された情報は、自動リフ
レッシュ回路の動作によって自動的にリフレッシュされ
る。この構成のDRAMは、リフレッシュ動作用の特別
の外部端子、及びそれに関連する外部回路を必要としな
い。したがって、この構成のランダム・アクセス・メモ
リは、実質的に疑似スタティック・ランダム・アクセス
・メモリとなる。
・ストローブ信号に応答してアクセスされ、アドレス・
ストローブ信号が発生されないときリフレッシュ・クロ
ック・パルスを発生するクロック生成機構と、リフレッ
シュ・クロック・パルスをカウントすることによってリ
フレッシュ・アドレスを増分するアドレス・カウンタと
からなる自動リフレッシュ回路をもつDRAMを開示し
ている。メモリ・セル内に保持された情報は、自動リフ
レッシュ回路の動作によって自動的にリフレッシュされ
る。この構成のDRAMは、リフレッシュ動作用の特別
の外部端子、及びそれに関連する外部回路を必要としな
い。したがって、この構成のランダム・アクセス・メモ
リは、実質的に疑似スタティック・ランダム・アクセス
・メモリとなる。
【0014】米国特許第4376989号は、行イネー
ブル・バッファ、行アドレス・バッファ、ワード・デコ
ーダ、列イネーブル・バッファ、列アドレス・バッファ
、及び列デコーダなど、メモリを制御するための複数の
機能ブロックまたはインターフェース回路を含むDRA
Mを記述している。このDRAMの各機能ブロックは、
後続の機能ブロックからの信号によって順次リセットさ
れるので、後続段階の機能ブロックの動力操作がこのリ
セット信号によって示され、したがって次の処理を実行
する準備のできた状態に戻る。
ブル・バッファ、行アドレス・バッファ、ワード・デコ
ーダ、列イネーブル・バッファ、列アドレス・バッファ
、及び列デコーダなど、メモリを制御するための複数の
機能ブロックまたはインターフェース回路を含むDRA
Mを記述している。このDRAMの各機能ブロックは、
後続の機能ブロックからの信号によって順次リセットさ
れるので、後続段階の機能ブロックの動力操作がこのリ
セット信号によって示され、したがって次の処理を実行
する準備のできた状態に戻る。
【0015】米国特許第4618947号は、いわゆる
ニブル、バイト、または拡張ニブル・モードなどの逐次
データ入出力モードを有するDRAMを開示している。 この素子は、改良されたアドレス・カウンタ回路を使用
して選択された行からのデータにアクセスする。初期列
アドレスは、逐次モードが開始されたときラッチされ、
カウンタは、初期アドレスから開始し、プログラミング
された数のビットをステップする。逐次モードで使用さ
れるビット数は、メタル・マスク・プログラミングによ
って選択することができる。速度の損失を避けるため、
逐次モード用の制御信号が検出される前に、ルックアヘ
ッド回路が逐次モードのためのセットアップを開始する
。
ニブル、バイト、または拡張ニブル・モードなどの逐次
データ入出力モードを有するDRAMを開示している。 この素子は、改良されたアドレス・カウンタ回路を使用
して選択された行からのデータにアクセスする。初期列
アドレスは、逐次モードが開始されたときラッチされ、
カウンタは、初期アドレスから開始し、プログラミング
された数のビットをステップする。逐次モードで使用さ
れるビット数は、メタル・マスク・プログラミングによ
って選択することができる。速度の損失を避けるため、
逐次モード用の制御信号が検出される前に、ルックアヘ
ッド回路が逐次モードのためのセットアップを開始する
。
【0016】米国特許第4725945号は、複数のバ
ンクに編成されたマイクロコンピュータ・メモリ・シス
テムを開示している。各バンクは、スタティック列モー
ドのアレイで構成され、このタイプのDRAMは、一行
全体を記憶するためのオンチップ・スタティック・バッ
ファをもつ。各バンクに関連したスタティック・バッフ
ァが、分散キャッシュとして機能し、関連したバンクに
関して最後にアクセスされた行を保持することができる
。メモリ・コントローラは、CPUからまたはメモリ・
バス上の他の素子から実アドレスを受け取り、そのアド
レスからバンク番号及び行番号を抜き出す。メモリ・コ
ントローラは、あるメモリ・バンクに関してアクセスさ
れた行が分散キャッシュ内にあるかどうか判定し、もし
あれば、そのバンクに関する分散キャッシュにアクセス
する。それ以外の場合は、メモリ・コントローラは、分
散キャッシュの内容を、そのバンクに関してアドレスさ
れた行の内容に切り替える。
ンクに編成されたマイクロコンピュータ・メモリ・シス
テムを開示している。各バンクは、スタティック列モー
ドのアレイで構成され、このタイプのDRAMは、一行
全体を記憶するためのオンチップ・スタティック・バッ
ファをもつ。各バンクに関連したスタティック・バッフ
ァが、分散キャッシュとして機能し、関連したバンクに
関して最後にアクセスされた行を保持することができる
。メモリ・コントローラは、CPUからまたはメモリ・
バス上の他の素子から実アドレスを受け取り、そのアド
レスからバンク番号及び行番号を抜き出す。メモリ・コ
ントローラは、あるメモリ・バンクに関してアクセスさ
れた行が分散キャッシュ内にあるかどうか判定し、もし
あれば、そのバンクに関する分散キャッシュにアクセス
する。それ以外の場合は、メモリ・コントローラは、分
散キャッシュの内容を、そのバンクに関してアドレスさ
れた行の内容に切り替える。
【0017】米国特許第4722074号は、第1のプ
リチャージ等化回路がビット線の選択に先立って入出力
バスをプリチャージし、等化し、続いて第2プリチャー
ジ等化回路がセンス増幅器の駆動動作中にそれらの入出
力バスをプリチャージし、等化する回路を記述している
。このように、入出力バスの電位レベルは、センス増幅
器の駆動動作中に寄生キャパシタンスを介してそれらの
入出力バスに伝送されたセンス増幅器の出力レベルの振
動によって変化するのが防止される。
リチャージ等化回路がビット線の選択に先立って入出力
バスをプリチャージし、等化し、続いて第2プリチャー
ジ等化回路がセンス増幅器の駆動動作中にそれらの入出
力バスをプリチャージし、等化する回路を記述している
。このように、入出力バスの電位レベルは、センス増幅
器の駆動動作中に寄生キャパシタンスを介してそれらの
入出力バスに伝送されたセンス増幅器の出力レベルの振
動によって変化するのが防止される。
【0018】米国特許第4754433号は、第1及び
第2の入出力バス、第1及び第2の入出力センス増幅器
、及び第1及び第2の入出力バス・プリチャージ回路を
含むDRAMを記述している。制御回路は、モード制御
信号の状態に応答して、ある動作モードではDRAMが
CASNサイクル・ページ・モードによって通常の単一
ビットで動作するように、入出力バス及びプリチャージ
回路の動作をイネーブルする。第2の動作モードでは、
CASNサイクル・ページ・モードによる高速デュアル
・ビットが達成され、入出力バスが交互にイネーブルさ
れる。すなわち、一方のバスはCASNが肯定されたと
きイネーブルされ、他方のバスはCASNが肯定されな
いときイネーブルされる。デュアル・ビット動作モード
はまた、他方のバスがイネーブルされている期間中イネ
ーブルされない入出力バスのプリチャージを実現する。 このように、デュアル・ビット動作モードでは、CAS
Nが肯定されたときも肯定されなかったときも、DRA
Mとの間でデータ転送が行われる。したがって、データ
転送速度が従来のページ動作モードのデータ転送速度の
2倍になる。
第2の入出力バス、第1及び第2の入出力センス増幅器
、及び第1及び第2の入出力バス・プリチャージ回路を
含むDRAMを記述している。制御回路は、モード制御
信号の状態に応答して、ある動作モードではDRAMが
CASNサイクル・ページ・モードによって通常の単一
ビットで動作するように、入出力バス及びプリチャージ
回路の動作をイネーブルする。第2の動作モードでは、
CASNサイクル・ページ・モードによる高速デュアル
・ビットが達成され、入出力バスが交互にイネーブルさ
れる。すなわち、一方のバスはCASNが肯定されたと
きイネーブルされ、他方のバスはCASNが肯定されな
いときイネーブルされる。デュアル・ビット動作モード
はまた、他方のバスがイネーブルされている期間中イネ
ーブルされない入出力バスのプリチャージを実現する。 このように、デュアル・ビット動作モードでは、CAS
Nが肯定されたときも肯定されなかったときも、DRA
Mとの間でデータ転送が行われる。したがって、データ
転送速度が従来のページ動作モードのデータ転送速度の
2倍になる。
【0019】米国特許第4800531号は、第1段が
NORゲートである入力アドレス・バッファをもつDR
AMを開示している。このNORゲートの出力は、この
NORゲートの低速状態にプリセットされているラッチ
にクロックされる。NORゲートは、そのNORゲート
の出力がラッチにクロックされるのとは独立にクロック
される。リフレッシュ制御回路は、やはりラッチにクロ
ックされる出力をもつ。ラッチは、ワード線を選択する
ための内部アドレス信号を提供する。この内部アドレス
信号は、DRAMがデータ・サイクルを実行していると
きはNORゲートの出力を表し、DRAMがリフレッシ
ュ・サイクルを実行しているときはリフレッシュ制御回
路の出力を表す。
NORゲートである入力アドレス・バッファをもつDR
AMを開示している。このNORゲートの出力は、この
NORゲートの低速状態にプリセットされているラッチ
にクロックされる。NORゲートは、そのNORゲート
の出力がラッチにクロックされるのとは独立にクロック
される。リフレッシュ制御回路は、やはりラッチにクロ
ックされる出力をもつ。ラッチは、ワード線を選択する
ための内部アドレス信号を提供する。この内部アドレス
信号は、DRAMがデータ・サイクルを実行していると
きはNORゲートの出力を表し、DRAMがリフレッシ
ュ・サイクルを実行しているときはリフレッシュ制御回
路の出力を表す。
【0020】米国特許第4758987号は、メモリ・
セルのワード線がビット線とほぼ直交して設けられてい
るダイナミック・ランダム・アクセス・メモリを開示し
ている。メモリ・セルは、ビット線とメモリ・セル・ワ
ード線の交点に設けられる。センス増幅器が、ビット線
対に接続されている。スタティック・メモリ・セルもビ
ット線に接続され、補助メモリ・セルとして働く。ある
メモリ・セル・ワード線が選択されたとき、スタティッ
ク・メモリ・セルは、選択されたワード線に接続された
メモリ・セルのアレイ内に蓄積されたデータ電圧を、別
のワード線が選択されるまで静的に保持する。このよう
に、ビット線のプリチャージ期間中、データ電圧はスタ
ティック・メモリ・セル内に保持される。したがって、
たとえプリチャージ期間中でも、データの読出し/書込
みが可能である。
セルのワード線がビット線とほぼ直交して設けられてい
るダイナミック・ランダム・アクセス・メモリを開示し
ている。メモリ・セルは、ビット線とメモリ・セル・ワ
ード線の交点に設けられる。センス増幅器が、ビット線
対に接続されている。スタティック・メモリ・セルもビ
ット線に接続され、補助メモリ・セルとして働く。ある
メモリ・セル・ワード線が選択されたとき、スタティッ
ク・メモリ・セルは、選択されたワード線に接続された
メモリ・セルのアレイ内に蓄積されたデータ電圧を、別
のワード線が選択されるまで静的に保持する。このよう
に、ビット線のプリチャージ期間中、データ電圧はスタ
ティック・メモリ・セル内に保持される。したがって、
たとえプリチャージ期間中でも、データの読出し/書込
みが可能である。
【0021】特開昭60−211696号は、レベル調
節回路によってプリチャージ・レベルをわずかに下げ、
同時にメモリ・セルの選択動作を同期化することによっ
て、ダイナミックRAMを高速で読み出すための技法に
関するものである。
節回路によってプリチャージ・レベルをわずかに下げ、
同時にメモリ・セルの選択動作を同期化することによっ
て、ダイナミックRAMを高速で読み出すための技法に
関するものである。
【0022】特開昭61−230697号は、アドレス
・デコーダ回路のプリチャージ・レベルを電源電圧の約
半分に下げることによって、ダイナミック半導体メモリ
素子のアクセス時間を短縮し、高速動作を達成する技法
に関するものである。
・デコーダ回路のプリチャージ・レベルを電源電圧の約
半分に下げることによって、ダイナミック半導体メモリ
素子のアクセス時間を短縮し、高速動作を達成する技法
に関するものである。
【0023】特開昭61−222089号は、MOSF
ETを使って高抵抗をもつ能動負荷を時分割でプリチャ
ージすることによって、アクセス時間を短縮し、読出し
動作を安定化するための方法及び回路に関するものであ
る。
ETを使って高抵抗をもつ能動負荷を時分割でプリチャ
ージすることによって、アクセス時間を短縮し、読出し
動作を安定化するための方法及び回路に関するものであ
る。
【0024】特開昭61−126683号は、プリチャ
ージによる遅延を減らし、複数の電流経路をもつビット
線をプリチャージすることによって動作を高速にする回
路を開示している。
ージによる遅延を減らし、複数の電流経路をもつビット
線をプリチャージすることによって動作を高速にする回
路を開示している。
【0025】ヨーロッパ特許出願第80101777.
3号は、低い消費電力で高速で動作可能な記憶装置を開
示している。この装置では、行アドレス情報及び列アド
レス情報が、それぞれ行ストローブ信号及び列ストロー
ブ信号と同期して取り込まれ、行アドレスに応答してリ
フレッシュが行われる。この装置は、複数のグループの
選択ゲートを含み、取り込まれた列アドレス情報を複数
の列アドレス・デコーダの一部に選択的に供給する。
3号は、低い消費電力で高速で動作可能な記憶装置を開
示している。この装置では、行アドレス情報及び列アド
レス情報が、それぞれ行ストローブ信号及び列ストロー
ブ信号と同期して取り込まれ、行アドレスに応答してリ
フレッシュが行われる。この装置は、複数のグループの
選択ゲートを含み、取り込まれた列アドレス情報を複数
の列アドレス・デコーダの一部に選択的に供給する。
【0026】IBM Technical Dis
closure Bulletin,Vol.31,
No.2,July 1988,p.24に記載の論
文“Early Read of Dynami
c RAM in an Intel 80
286 Microprocessor−Based
System”は、Intel 80286マイ
クロプロセッサをベースとするシステムでDRAMの早
期読出しを利用してメモリ読出し中における追加の待機
状態を不要にする。
closure Bulletin,Vol.31,
No.2,July 1988,p.24に記載の論
文“Early Read of Dynami
c RAM in an Intel 80
286 Microprocessor−Based
System”は、Intel 80286マイ
クロプロセッサをベースとするシステムでDRAMの早
期読出しを利用してメモリ読出し中における追加の待機
状態を不要にする。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、DR
AMのリセット/プリチャージ時間の延長を可能にする
システムを提供することである。
AMのリセット/プリチャージ時間の延長を可能にする
システムを提供することである。
【0028】本発明の別の目的は、CPUで発生された
RASN信号の変更を必要とせずに、DRAMのRAS
Nリセット/プリチャージ時間を緩和するためのシステ
ムを提供することである。
RASN信号の変更を必要とせずに、DRAMのRAS
Nリセット/プリチャージ時間を緩和するためのシステ
ムを提供することである。
【0029】本発明の別の目的は、DRAMのRASN
リセット/プリチャージ時間を緩和すると同時に、従来
可能であったよりも正確なリセット/プリチャージ時間
を提供するためのシステムを提供することである。
リセット/プリチャージ時間を緩和すると同時に、従来
可能であったよりも正確なリセット/プリチャージ時間
を提供するためのシステムを提供することである。
【0030】
【課題を解決するための手段】行及び列に配列された複
数のメモリ・セルをもつDRAMメモリ・システムにつ
いて説明する。このシステムは、行アドレス・バッファ
と、行アドレス・ストローブ信号を発生するための回路
とを含む。この行アドレス・ストローブ信号は、各DR
AMメモリ・サイクル中に活動レベルと非活動レベルの
両方、及びそれらのレベル間で第1遷移及び第2遷移を
示す。読込み回路は、DRAMの行アドレス・バッファ
に行アドレスを読み込ませる。遅延回路は、行アドレス
・ストローブ信号の遅延した遅相遷移即ち後縁の遷移に
応答して、行アドレス・バッファからの出力を遅延させ
る、持続時間の延長した制御信号を提供する。リセット
/プリチャージ回路は、非活動行アドレス・ストローブ
信号の間及び持続時間が延長された制御信号の間に活動
状態となって、DRAM内の各回路及び各メモリ・セル
をリセットおよびプリチャージさせる。
数のメモリ・セルをもつDRAMメモリ・システムにつ
いて説明する。このシステムは、行アドレス・バッファ
と、行アドレス・ストローブ信号を発生するための回路
とを含む。この行アドレス・ストローブ信号は、各DR
AMメモリ・サイクル中に活動レベルと非活動レベルの
両方、及びそれらのレベル間で第1遷移及び第2遷移を
示す。読込み回路は、DRAMの行アドレス・バッファ
に行アドレスを読み込ませる。遅延回路は、行アドレス
・ストローブ信号の遅延した遅相遷移即ち後縁の遷移に
応答して、行アドレス・バッファからの出力を遅延させ
る、持続時間の延長した制御信号を提供する。リセット
/プリチャージ回路は、非活動行アドレス・ストローブ
信号の間及び持続時間が延長された制御信号の間に活動
状態となって、DRAM内の各回路及び各メモリ・セル
をリセットおよびプリチャージさせる。
【0031】
【実施例】図1を参照すると、3つのCPUクロック・
サイクルを使用する従来技術のDRAMのメモリ・サイ
クルの波形図が示されている。このようなDRAM動作
は、マイクロチャネル構成を使用したパーソナル・コン
ピュータ(たとえばIBMPS2)で見られる。クロッ
ク・サイクルT0の開始時に、低(活動)レベルから高
(非活動)レベルへのRASN信号遷移と、RASNリ
セット/プリチャージ・サイクルが開始する。次の読出
し、書込み、またはリフレッシュ・サイクルに備えて、
DRAM内でリセット/プリチャージ動作が行われるの
はこの期間中である。
サイクルを使用する従来技術のDRAMのメモリ・サイ
クルの波形図が示されている。このようなDRAM動作
は、マイクロチャネル構成を使用したパーソナル・コン
ピュータ(たとえばIBMPS2)で見られる。クロッ
ク・サイクルT0の開始時に、低(活動)レベルから高
(非活動)レベルへのRASN信号遷移と、RASNリ
セット/プリチャージ・サイクルが開始する。次の読出
し、書込み、またはリフレッシュ・サイクルに備えて、
DRAM内でリセット/プリチャージ動作が行われるの
はこの期間中である。
【0032】T0クロック・サイクルで、アドレス線が
遷移して、DRAMへの読込みに備えて時刻Aでアドレ
スがDRAMコントローラ・レジスタに読み込めるよう
にする。時刻Bで、RASN信号が低レベルに遷移し、
DRAMコントローラ・レジスタ内のアドレスがDRA
Mチップの行アドレス・バッファに読み込まれる。続い
て時刻Cで、列アドレスが、DRAMコントローラ内の
列アドレス・レジスタに読み込まれる。クロック・サイ
クルT2の始めに、列アドレス・ストローブ(CASN
)が低レベルの活動状態に遷移して、列アドレス信号を
DRAMチップ上の列アドレス・バッファに読み込ませ
る。その後、アドレスがデコードされ、読出し動作、書
込み動作、またはリフレッシュ動作のいずれかが行われ
る。
遷移して、DRAMへの読込みに備えて時刻Aでアドレ
スがDRAMコントローラ・レジスタに読み込めるよう
にする。時刻Bで、RASN信号が低レベルに遷移し、
DRAMコントローラ・レジスタ内のアドレスがDRA
Mチップの行アドレス・バッファに読み込まれる。続い
て時刻Cで、列アドレスが、DRAMコントローラ内の
列アドレス・レジスタに読み込まれる。クロック・サイ
クルT2の始めに、列アドレス・ストローブ(CASN
)が低レベルの活動状態に遷移して、列アドレス信号を
DRAMチップ上の列アドレス・バッファに読み込ませ
る。その後、アドレスがデコードされ、読出し動作、書
込み動作、またはリフレッシュ動作のいずれかが行われ
る。
【0033】上述したように、CPUを動作させるため
に33mHz以上のクロックが使用されるとき、RAS
N信号が高レベルの非活動状態にある時間は、高速DR
AMの完全なリセット/プリチャージを行うには不十分
である。
に33mHz以上のクロックが使用されるとき、RAS
N信号が高レベルの非活動状態にある時間は、高速DR
AMの完全なリセット/プリチャージを行うには不十分
である。
【0034】図2には、図1の波形を実施した従来技術
の高速DRAMメモリ・チップの図が示されている。記
憶セルの1対の64Kアレイ10及び12が、列デコー
ダ14及びワード線(WL)(行)ドライバ16によっ
てアクセスされる。行アドレスは行アドレス・バッファ
18中に受け取られ、列アドレスは列アドレス・バッフ
ァ20中に受け取られる。CPUによって発生されたR
ASN信号が、端子22を介してRAS発生回路24に
印加され、回路24が2つの信号を発生する。第1のも
のは、PRASBIと呼ばれる信号で、行(ワード)ア
ドレス信号をラッチするよう行アドレス・バッファ18
に指示する。これは、図1の時刻Bに行われる。行アド
レス・バッファ18はただちに、線26上の行アドレス
に対応する真信号(T)と補信号(C)を表す。
の高速DRAMメモリ・チップの図が示されている。記
憶セルの1対の64Kアレイ10及び12が、列デコー
ダ14及びワード線(WL)(行)ドライバ16によっ
てアクセスされる。行アドレスは行アドレス・バッファ
18中に受け取られ、列アドレスは列アドレス・バッフ
ァ20中に受け取られる。CPUによって発生されたR
ASN信号が、端子22を介してRAS発生回路24に
印加され、回路24が2つの信号を発生する。第1のも
のは、PRASBIと呼ばれる信号で、行(ワード)ア
ドレス信号をラッチするよう行アドレス・バッファ18
に指示する。これは、図1の時刻Bに行われる。行アド
レス・バッファ18はただちに、線26上の行アドレス
に対応する真信号(T)と補信号(C)を表す。
【0035】RAS発生回路24はまた、PRASBI
Iと呼ばれる信号(新しいメモリ・サイクルを開始する
信号)を発生する。このPRASBII信号は、ブース
ト・ワード線クロック(BWL)28をトリガさせる。 それに応えて、BWL28からの出力PXが、ワード線
ドライバ16及びサンプル・アレイ34に印加される。 線26上のアドレス真補信号が、行アドレス・デコーダ
(RPD)30内でデコードされ、ワード線ドライバ1
6に印加される。BWL28からの出力は、デコードさ
れたアドレス信号に従ってアレイ10及び12にアクセ
スするためにワード線をゲートさせ、また読み出された
データをセンス増幅器32内にラッチさせる。
Iと呼ばれる信号(新しいメモリ・サイクルを開始する
信号)を発生する。このPRASBII信号は、ブース
ト・ワード線クロック(BWL)28をトリガさせる。 それに応えて、BWL28からの出力PXが、ワード線
ドライバ16及びサンプル・アレイ34に印加される。 線26上のアドレス真補信号が、行アドレス・デコーダ
(RPD)30内でデコードされ、ワード線ドライバ1
6に印加される。BWL28からの出力は、デコードさ
れたアドレス信号に従ってアレイ10及び12にアクセ
スするためにワード線をゲートさせ、また読み出された
データをセンス増幅器32内にラッチさせる。
【0036】センス増幅器32のラッチ動作は、サンプ
ル・アレイ34からの出力によって引き起こされ、それ
によってトリガ・ラッチ・クロック(PSCG)36が
センス増幅器ラッチング・クロック38(PSBCG)
に出力を送る。センス増幅器ラッチング・クロック38
からの出力が、選択されたセルからのデータ信号をセン
ス増幅器32内にロックする。
ル・アレイ34からの出力によって引き起こされ、それ
によってトリガ・ラッチ・クロック(PSCG)36が
センス増幅器ラッチング・クロック38(PSBCG)
に出力を送る。センス増幅器ラッチング・クロック38
からの出力が、選択されたセルからのデータ信号をセン
ス増幅器32内にロックする。
【0037】列アドレスが、列アドレス・バッファ20
から列プリデコーダ40(CPD)に供給され、次に、
メモリ・サイクル中に動作するように列デコーダ14に
供給される。リセット/プリチャージ回路33は、行ア
ドレス・デコーダ30から線31を介してリセット/プ
リチャージ回路33に送られる出力に応答し、アレイ1
0及び12内のメモリ回路をリセットおよびプリチャー
ジできるようにする。線31上のレベルは、デコーダ3
0へのアドレス入力が非活動状態のとき、活動化入力を
リセット/プリチャージ回路33に提供するだけである
。アドレス回路が活動状態になると、リセット/プリチ
ャージ回路33は非活動化される。図2の回路は従来技
術のものなので、その動作についてはこれ以上は説明し
ない。
から列プリデコーダ40(CPD)に供給され、次に、
メモリ・サイクル中に動作するように列デコーダ14に
供給される。リセット/プリチャージ回路33は、行ア
ドレス・デコーダ30から線31を介してリセット/プ
リチャージ回路33に送られる出力に応答し、アレイ1
0及び12内のメモリ回路をリセットおよびプリチャー
ジできるようにする。線31上のレベルは、デコーダ3
0へのアドレス入力が非活動状態のとき、活動化入力を
リセット/プリチャージ回路33に提供するだけである
。アドレス回路が活動状態になると、リセット/プリチ
ャージ回路33は非活動化される。図2の回路は従来技
術のものなので、その動作についてはこれ以上は説明し
ない。
【0038】図4には、本発明を取り入れたDRAMが
示されている。具体的には、RAS発生回路24が新し
い信号PRASDを提供するように修正され、PRAS
BI及びPRASBIIのタイミング及び機能が変更さ
れている。PRASBIが活動状態になったとき、行ア
ドレス・バッファ18は行アドレスをラッチインする。 行アドレス・バッファ18からの出力(アドレス T
/C)は、RAS発生回路24からの線42上のPRA
SD信号が活動化されるまで遅延される。RAS信号に
対してPRASD信号及びPRASBII制御信号を遅
延させることによって、以前の行アドレス・ストローブ
・サイクルの遅相遷移が即ち後縁の遷移が延長される。
示されている。具体的には、RAS発生回路24が新し
い信号PRASDを提供するように修正され、PRAS
BI及びPRASBIIのタイミング及び機能が変更さ
れている。PRASBIが活動状態になったとき、行ア
ドレス・バッファ18は行アドレスをラッチインする。 行アドレス・バッファ18からの出力(アドレス T
/C)は、RAS発生回路24からの線42上のPRA
SD信号が活動化されるまで遅延される。RAS信号に
対してPRASD信号及びPRASBII制御信号を遅
延させることによって、以前の行アドレス・ストローブ
・サイクルの遅相遷移が即ち後縁の遷移が延長される。
【0039】図3では、PRASD信号及びPRASB
II信号の結果、RASリセット/プリチャージ波形が
CPUクロック・サイクルT1にまで十分に延長されて
、リセット/プリチャージ機能に使用できる時間が大幅
に増加することが理解できる。
II信号の結果、RASリセット/プリチャージ波形が
CPUクロック・サイクルT1にまで十分に延長されて
、リセット/プリチャージ機能に使用できる時間が大幅
に増加することが理解できる。
【0040】図5には、図4のRAS発生回路24の概
略図が示されている。RASN信号が、端子22を介し
てトランジスタQ1及びQ2に印加され、次にトランジ
スタQ3及びQ4を介してノードN3及びNOR回路5
0の入力端に印加される。NOR回路50の入力端にN
OR状態が存在するかぎり、その出力は活動レベルにあ
る。これによって、PRASBI信号、PRASBII
信号、及びPRASD信号が高レベルの非活動状態にさ
れる。
略図が示されている。RASN信号が、端子22を介し
てトランジスタQ1及びQ2に印加され、次にトランジ
スタQ3及びQ4を介してノードN3及びNOR回路5
0の入力端に印加される。NOR回路50の入力端にN
OR状態が存在するかぎり、その出力は活動レベルにあ
る。これによって、PRASBI信号、PRASBII
信号、及びPRASD信号が高レベルの非活動状態にさ
れる。
【0041】3サイクル・メモリ動作の場合、ヒューズ
52が切れて、ノードN3に現れる信号を遅延回路54
を介してNOR回路50の入力端に印加させる。(遅延
回路54の細部が、図5の56に拡大して示してある)
。従って、ノードN5にNOR回路50からの活動出力
が存在するのは、ノードN3のレベルが高レベル状態か
ら低レベル状態に遷移した(RASNリセット/プリチ
ャージ状態の終了を示す)後だけである。この遷移は遅
延され、遅延回路54を介してNOR回路50に達する
。ノードN3はRASN入力22と同じ極性をもつので
、ノードN5が活動状態に遷移したときに取り出される
PRASD信号60及びPRASBII62信号は、遅
延されたRASN信号の終りに活動化される。これとは
対照的に、ノード58に現れるPRASBI信号は、ノ
ードN3が低レベルになり、ただちに行アドレス・バッ
ファ18内の行アドレスをラッチさせるときに活動化さ
れる。
52が切れて、ノードN3に現れる信号を遅延回路54
を介してNOR回路50の入力端に印加させる。(遅延
回路54の細部が、図5の56に拡大して示してある)
。従って、ノードN5にNOR回路50からの活動出力
が存在するのは、ノードN3のレベルが高レベル状態か
ら低レベル状態に遷移した(RASNリセット/プリチ
ャージ状態の終了を示す)後だけである。この遷移は遅
延され、遅延回路54を介してNOR回路50に達する
。ノードN3はRASN入力22と同じ極性をもつので
、ノードN5が活動状態に遷移したときに取り出される
PRASD信号60及びPRASBII62信号は、遅
延されたRASN信号の終りに活動化される。これとは
対照的に、ノード58に現れるPRASBI信号は、ノ
ードN3が低レベルになり、ただちに行アドレス・バッ
ファ18内の行アドレスをラッチさせるときに活動化さ
れる。
【0042】2サイクル・メモリを使用する場合は、ヒ
ューズ52は切れず、回路は、図2に示した従来技術の
回路と同様に動作する。
ューズ52は切れず、回路は、図2に示した従来技術の
回路と同様に動作する。
【0043】図6には、行アドレス・バッファ回路18
の概略図が示されている。この回路は、米国特許第46
97108号に示された従来技術の回路の修正形である
。修正された部分は、破線の枠64内に示されている。 アドレス真信号と補信号が、それぞれ端子72と74に
現れる。これらの信号は、端子60に現れるPRASD
信号によってNANDゲート66及び68中をゲートさ
れる。端子58のPRASBI信号が活動化され次第、
この回路は、行アドレス入力70に現れるアドレスをラ
ッチする。端子72及び74上のアドレス真出力と補出
力は、端子入力60のPRASD信号が活性化されるま
で活動状態にならない。
の概略図が示されている。この回路は、米国特許第46
97108号に示された従来技術の回路の修正形である
。修正された部分は、破線の枠64内に示されている。 アドレス真信号と補信号が、それぞれ端子72と74に
現れる。これらの信号は、端子60に現れるPRASD
信号によってNANDゲート66及び68中をゲートさ
れる。端子58のPRASBI信号が活動化され次第、
この回路は、行アドレス入力70に現れるアドレスをラ
ッチする。端子72及び74上のアドレス真出力と補出
力は、端子入力60のPRASD信号が活性化されるま
で活動状態にならない。
【0044】上記のことからわかるように、RASNリ
セット/プリチャージ時間は、図5のNOR回路50か
ら導かれるオンチップで発生された制御信号によって延
長される。その出力及びその持続時間は、ノード3での
RASN信号の立下り、及び遅延回路54を介するその
時間遅延によって制御される。このように、遅延回路に
よる延長は、RASNリセット時間の一部分だけであり
、したがってRASNサイクルのより正確なタイミング
が可能になる。
セット/プリチャージ時間は、図5のNOR回路50か
ら導かれるオンチップで発生された制御信号によって延
長される。その出力及びその持続時間は、ノード3での
RASN信号の立下り、及び遅延回路54を介するその
時間遅延によって制御される。このように、遅延回路に
よる延長は、RASNリセット時間の一部分だけであり
、したがってRASNサイクルのより正確なタイミング
が可能になる。
【0045】
【発明の効果】本発明によって、CPU発生のRASN
信号の変更を必要とせずに、DRAMのRASNリセッ
ト/プリチャージ時間を緩和することができる。
信号の変更を必要とせずに、DRAMのRASNリセッ
ト/プリチャージ時間を緩和することができる。
【図1】従来技術の3クロック・サイクル・メモリ・ア
クセスを示すタイミング図である。
クセスを示すタイミング図である。
【図2】図1のタイミング図に従って動作する従来技術
のDRAMのブロック図である。
のDRAMのブロック図である。
【図3】3クロック・サイクル・メモリ・アクセス、及
び本発明を示すタイミング図である。
び本発明を示すタイミング図である。
【図4】図3に示した新しい信号を実施できるように修
正された、図2のDRAMのブロック図である。
正された、図2のDRAMのブロック図である。
【図5】図4に示した新しいタイミング信号を提供する
ためのRASN回路の概略図である。
ためのRASN回路の概略図である。
【図6】図4のブロック図で使用されている行アドレス
回路の概略図である。
回路の概略図である。
Claims (5)
- 【請求項1】行及び列に配列された複数のメモリ・セル
をもつDRAMメモリ・システムにおいて、行アドレス
・バッファ手段と、各DRAMメモリ・サイクル中に活
動レベルと非活動レベルの両方、及び前記レベル間に第
1遷移及び第2遷移を示す、アドレス・ストローブ信号
を発生させるための回路手段と、行アドレスを前記行ア
ドレス・バッファ手段に読み込むための読込み回路手段
と、前記行アドレス・ストローブ信号の遅延された遅相
遷移に応答して、前記行アドレス・バッファ手段からの
出力を遅延させる、持続時間が延長した制御信号を発生
させる遅延手段と、前記行アドレス・ストローブ信号が
非活動レベルにある間及び前記制御信号の延長された持
続時間の間前記DRAMのリセット/プリチャージを行
わせるためのリセット回路手段とを含むメモリ・システ
ム。 - 【請求項2】前記メモリ・システムが各読出し/書込み
動作ごとに3クロック・サイクルを使用し、前記行アド
レス・ストローブ信号が、1つの前記クロック・サイク
ルで前記非活動レベルへの第1の遷移、及び次のクロッ
ク・サイクルの始めに前記活動レベルへの第2の遷移を
示し、前記制御信号が前記次クロック・サイクルで前記
行アドレス・ストローブ信号よりも後に前記非活動レベ
ルから前記活動レベルへの遷移を示す、請求項1に記載
のシステム。 - 【請求項3】読込み回路手段が、前記非活動レベルから
前記活動レベルへの前記制御信号の遷移に応答して、行
アドレスの読込みを開始する、請求項1に記載のシステ
ム。 - 【請求項4】前記非活動レベルが高電位レベルであり、
前記活動レベルが低電位レベルである、請求項3に記載
のシステム。 - 【請求項5】前記遅延手段が、前記行アドレス・ストロ
ーブ信号を受け取る1つの前記入力と、遅延された行ア
ドレス・ストローブ信号を受け取る別の入力とからなる
1対の入力を有するOR論理回路を含み、前記OR論理
回路は、活動レベルから非活動レベルへの前記行アドレ
ス・ストローブ信号の遷移から、非活動レベルから活動
レベルへの前記の遅延された行アドレス信号の遷移まで
、前記の持続時間が延長された制御信号を発生する、請
求項2に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/545,797 US5185719A (en) | 1989-10-14 | 1990-06-29 | High speed dynamic, random access memory with extended reset/precharge time |
US545797 | 2000-04-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04229482A true JPH04229482A (ja) | 1992-08-18 |
JPH06103595B2 JPH06103595B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=24177584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3138640A Expired - Lifetime JPH06103595B2 (ja) | 1990-06-29 | 1991-05-15 | Dramメモリ・システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0468135B1 (ja) |
JP (1) | JPH06103595B2 (ja) |
DE (1) | DE69126253D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007052903A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Qimonda Ag | 半導体メモリデバイス |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970001699B1 (ko) * | 1994-03-03 | 1997-02-13 | 삼성전자 주식회사 | 자동프리차아지기능을 가진 동기식 반도체메모리장치 |
USRE36532E (en) * | 1995-03-02 | 2000-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Synchronous semiconductor memory device having an auto-precharge function |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6052513B2 (ja) * | 1981-12-02 | 1985-11-19 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2511910B2 (ja) * | 1986-11-11 | 1996-07-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPS63133395A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPS63244494A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
-
1991
- 1991-03-21 DE DE69126253T patent/DE69126253D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-21 EP EP19910104396 patent/EP0468135B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-15 JP JP3138640A patent/JPH06103595B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007052903A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Qimonda Ag | 半導体メモリデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0468135A2 (en) | 1992-01-29 |
JPH06103595B2 (ja) | 1994-12-14 |
DE69126253D1 (de) | 1997-07-03 |
EP0468135A3 (en) | 1994-08-17 |
EP0468135B1 (en) | 1997-05-28 |
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