JPH04228187A - Random-access-memory-array - Google Patents

Random-access-memory-array

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JPH04228187A
JPH04228187A JP3138671A JP13867191A JPH04228187A JP H04228187 A JPH04228187 A JP H04228187A JP 3138671 A JP3138671 A JP 3138671A JP 13867191 A JP13867191 A JP 13867191A JP H04228187 A JPH04228187 A JP H04228187A
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JP
Japan
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row
memory
latch
random access
access memory
Prior art date
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Pending
Application number
JP3138671A
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Japanese (ja)
Inventor
Heartwig Jenssen Erik
エリック・ハートウィグ・ジェンセン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sun Microsystems Inc
Original Assignee
Sun Microsystems Inc
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Publication date
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    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/106Data output latches
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0215Addressing or allocation; Relocation with look ahead addressing means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
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Abstract

PURPOSE: To shorten the access time for a RAM cell array used for a computer by latching data in a selected row of the RAM cell array to a first and a second latch circuits and selectively making a latch output enable/disable. CONSTITUTION: A row address by means of row address lines a (2), a (3) is decoded by a row decoder 34, one row of RAM cell array 30 is selected and the data in the row are supplied in parallel/latched to a first and a second latch circuits 40, 42. The latched data are outputted from either of the circuits 40 or 4Z to which an enable signal En is supplied, the data in the other circuit 42 or 40 in the disable state are latched as it is and the circuit 42 or 40 functions as a cache memory. Consequently, when the RAM array is used in a computer, the RAM memory cell array whose access time is shortened is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、コンピユータ・メモリ
装置に関し、さらに詳しく言えば、ランダム・アクセス
・メモリにおいて情報をアクセスするのに要する時間を
短縮する装置に関する。
TECHNICAL FIELD This invention relates to computer memory devices and, more particularly, to an apparatus for reducing the time required to access information in random access memory.

【0002】0002

【従来の技術】従来の代表的なランダム・アクセス・メ
モリにおいて、メモリ・ディバイスは、1つの特定の行
中の全メモリ・ディバイスを選択する行アドレス・ライ
ンを備えたマトリックス形式で配置されている。選択さ
れた行のメモリ・セルの値は、要求されているセルから
情報を選択するのに列アドレス・ラインを用いている列
デコーダに、ビット・ラインで供給される。この列デコ
ーダは、ランダム・アクセス・メモリの全部の行が使用
される場合には省くことができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION In a typical conventional random access memory, memory devices are arranged in a matrix format with row address lines that select all memory devices in one particular row. . The values of the memory cells in the selected row are provided on bit lines to a column decoder which uses column address lines to select information from the requested cell. This column decoder can be omitted if all rows of random access memory are used.

【0003】ランダム・アクセス・メモリをアクセスす
るのに必要とされる行および列デコーダの動作によって
、コンピユータ・システムの動作時間がかなり費やされ
てしまう。ランダム・アクセス・メモリが大きくなると
金属ラインも長くなり、それにより生じる容量性負荷も
増大する。したがって、ランダム・アクセス・メモリを
アクセスする時間は、ランダム・アクセス・メモリの大
きさにしたがって増大するということになる。なお、プ
ロセッサにレジスタ・ファイルを供給するためにランダ
ム・アクセス・メモリを使用することが可能である。 ランダム・アクセス・メモリは、高速キャッシュ・メモ
リとして広く使用されている。無論、ランダム・アクセ
ス・メモリは主メモリの重要な構成要素である。その用
途は広範囲なため、ランダム・アクセス・メモリをアク
セスするのに要する時間を短縮することが、コンピユー
タ・システムにおける第1の課題となっている。
The row and column decoder operations required to access random access memory consume a significant amount of computer system operating time. As random access memories become larger, the metal lines become longer and the resulting capacitive load increases. Therefore, it follows that the time to access random access memory increases with the size of the random access memory. Note that random access memory can be used to supply the processor with a register file. Random access memory is widely used as high speed cache memory. Of course, random access memory is an important component of main memory. Because of its wide range of uses, reducing the time required to access random access memory has become a primary challenge in computer systems.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コン
ピユータ・システムの動作速度を速めることである。本
発明の他の目的は、ランダム・アクセス・メモリにおけ
る情報をアクセスするのに要する時間を短縮することで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to increase the operating speed of computer systems. Another object of the invention is to reduce the time required to access information in random access memory.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明のこれら目的は、
メモリ・セルのマトリックスと、マトリックスの特定の
行におけるメモリ・セルを選択する行アドレス回路と、
マトリックスの特定の選択された行におけるメモリ・セ
ルの状態を表す信号を供給するビット・ラインと、メモ
リの1行中のセルからの信号を記憶する多くのステージ
を有する第1ラッチと、メモリの1行中のセルからの信
号を記憶する多くのステージを有する第2ラッチと、ビ
ット・ラインの信号を第1および第2ラッチの入力に並
列に供給する装置と、各ラッチを選択的にエネーブルお
よびディスエーブルする装置と、第1および第2ラッチ
の出力における信号を選択する装置とを含んでいるラン
ダム・アクセス・メモリにより達成される。
[Means for Solving the Problems] These objects of the present invention are as follows:
a matrix of memory cells and a row address circuit for selecting memory cells in a particular row of the matrix;
a first latch having a number of stages for storing signals from the cells in one row of the memory; a second latch having a number of stages for storing signals from cells in a row; and means for providing bit line signals in parallel to the inputs of the first and second latches; and selectively enabling each latch. and means for disabling and selecting signals at the outputs of the first and second latches.

【0006】[0006]

【実施例】以下、添付の図面に基づいて、本発明のこれ
らおよび他の目的および特徴について説明する。以下、
詳細な説明のいくつかの部分は、コンピユータ・メモリ
のデータ・ビットに関する演算のアルゴリズムおよびシ
ンボリック表示で示されている。これらアルゴリズム表
示は、データ処理技術分野の当業者がこれら技術の本質
を他の当業者に最も有効的に伝えるために使用している
手法である。ここでは、また一般的にも、アルゴリズム
は、目標結果に至るステップの首尾一貫したシーケンス
であると考えられている。このステップは、物理量の物
理的操作を必要としているステップである。通常、一般
に、これらの量は、記憶、転送、結合、比較、およびそ
の他の操作を行うことができる電気的または磁気的信号
の形をとっている。これら信号を、ビット、値、要素、
記号、文字、語、数などとして示すことは、主に一般の
慣習上、都合がよいことが証明されている。しかし、こ
れらおよびこれらと同様な語は、適切な物理量に関係し
ていると同時に、これら量に与えられた便利な単なるラ
ベルにすぎないことを心に留めておかなければならない
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS These and other objects and features of the invention will now be described with reference to the accompanying drawings. below,
Some portions of the detailed description are presented in terms of algorithms and symbolic representations of operations on data bits of a computer memory. These algorithmic representations are the techniques used by those skilled in the data processing arts to most effectively convey the substance of their work to others skilled in the art. An algorithm is here, and also generally, conceived of as a coherent sequence of steps leading to a goal result. The steps are those requiring physical manipulations of physical quantities. Typically, these quantities take the form of electrical or magnetic signals capable of being stored, transferred, combined, compared, and otherwise manipulated. These signals can be defined as bits, values, elements,
It has proven convenient principally for reasons of common usage to refer to things as symbols, letters, words, numbers, etc. It should be borne in mind, however, that these and similar terms, while relating to the appropriate physical quantities, are merely convenient labels given to these quantities.

【0007】さらに、行われる操作は、オペレータによ
って行われる知的演算に通常関連した、たとえば加算や
比較という語で示されている場合がある。オペレータの
このような能力は、本発明の一部を成しているここで述
べられている演算においては大抵の場合必要ない。演算
は、マシン演算である。本発明の演算を実施する有効的
なマシンは、汎用ディジタル・コンピユータまたは他の
同様なディバイスを含んでいる。いずれの場合にも、コ
ンピユータを作動する際の方法演算と計算方法自体との
間に差違があることを覚えていなければならない。本発
明は、要求された他の物理的信号を発生するよう、電気
的または他の(たとえば、機械的、化学的)物理的信号
を処理する際のコンピユータを動作する装置および方法
に関する。
Furthermore, the operations performed may be denoted by terms typically associated with intellectual operations performed by operators, such as addition or comparison. Such capabilities of the operator are often not required in the operations described herein that form part of the present invention. The operation is a machine operation. Useful machines implementing the operations of the present invention include general purpose digital computers or other similar devices. In any case, it must be remembered that there is a difference between the method of operating the computer and the calculation method itself. The present invention relates to apparatus and methods for operating a computer in processing electrical or other (e.g., mechanical, chemical) physical signals to generate other required physical signals.

【0008】図1は、代表的な従来技術の配列に構成さ
れている単純化したランダム・アクセス・メモリ10の
例を示している。ランダム・アクセス・メモリ10は、
4つの各行と4つの各列との交差点においてアクセスす
るよう接続された16個のメモリ・セル12を含んでい
る。各行は、アクセスされる特定の行の数を示すよう図
においてそれぞれラベル付けされた行デコーダ14によ
りアクセスされる。基本的には、行デコーダは、ライン
15,16における一対の入力信号に応答して動作し、
行[3..0]の1つを選択するANDゲートである。
FIG. 1 shows an example of a simplified random access memory 10 organized in a typical prior art arrangement. Random access memory 10 is
It includes 16 memory cells 12 connected for access at the intersections of each of the four rows and each of the four columns. Each row is accessed by a row decoder 14, each labeled in the figure to indicate the number of the particular row being accessed. Basically, the row decoder operates in response to a pair of input signals on lines 15, 16;
Row [3. .. 0] is an AND gate.

【0009】通常、アドレスの高次ビット(ビットa[
3]およびa[2]として示されている)は、メモリ・
マトリックスにおける単一の行を行デコーダ14により
活性化するのに使用される。読出し動作の場合、選択さ
れた行の各メモリ・セル12は、その値をそれに関連し
たビット・ライン18に供給する。選択された行のセル
の各ビット・ライン18における値は、センス・アンプ
19により列デコード回路20に転送される。列デコー
ド回路は、列アドレス・ラインにおけるアドレスの低次
ビットa[1]とa[0]を使用して、要求されている
特定のデータを選択する。図示されている配列は、デー
タd[0]の単一ビットを選択する。メモリ10の全行
のアクセスが要求されるという特殊な状況においては、
列デコード回路20を省略することができ、この場合、
全ビット・ライン18の信号が用いられる。
Usually, the higher-order bits of the address (bit a[
3] and a[2]) are memory
It is used to activate a single row in the matrix by row decoder 14. For a read operation, each memory cell 12 in the selected row provides its value to its associated bit line 18. The value on each bit line 18 of the cells in the selected row is transferred by sense amplifier 19 to column decode circuit 20. The column decode circuit uses the low order bits a[1] and a[0] of the address on the column address lines to select the particular data being requested. The illustrated arrangement selects a single bit of data d[0]. In the special situation where access to all rows of memory 10 is required,
The column decoding circuit 20 can be omitted, in which case,
All bit line 18 signals are used.

【0010】ランダム・アクセス・メモリ10に記憶さ
れている情報が要求される度に、行アドレス・ラインと
列アドレス・ラインを用いて、ランダム・アクセス・メ
モリ10をアドレスしなければならない。比較的小さい
ランダム・アクセス・メモリ10では、非常に高速にア
ドレスすることができるが、メモリが大きくなるにつれ
、アドレスの長さが増し、行およびビット・ラインは、
それらラインにおける容量性負荷を実質的に増すことに
なる。これは、アクセスに要する時間が長くなることを
意味している。ある回路におけるテストによれば、基本
寸法のランダム・アクセス・メモリより4倍大きいラン
ダム・アクセス・メモリをアクセスする場合、50%よ
けいに時間がかかることが証明されている。
Each time information stored in random access memory 10 is requested, random access memory 10 must be addressed using row address lines and column address lines. A relatively small random access memory 10 can be addressed very quickly, but as the memory becomes larger, the length of the address increases and the rows and bit lines
This would substantially increase the capacitive loading on those lines. This means that the time required for access becomes longer. Tests on certain circuits have shown that it takes 50% more time to access a random access memory that is four times larger than a basic size random access memory.

【0011】図2は、ランダム・アクセス・メモリをア
クセスするのに要する時間がかなり短縮された本発明に
よる配列を示している。ランダム・アクセス・メモリ3
0は、図1のランダム・アクセス・メモリ10と同様に
配列され、16個のメモリ・セル32は、それぞれ4つ
の行と4つの列の交差点においてアクセスするように接
続されている。各行は、アクセスされる特定の行の数を
示すよう図においてそれぞれラベル付けされている行デ
コーダ34によりアクセスされる。
FIG. 2 shows an arrangement according to the invention in which the time required to access random access memory is considerably reduced. Random access memory 3
0 is arranged similarly to random access memory 10 of FIG. 1, with sixteen memory cells 32 each connected for access at the intersection of four rows and four columns. Each row is accessed by a row decoder 34, each labeled in the figure to indicate the number of the particular row being accessed.

【0012】アドレスの高次ビット(ビットa[3]お
よびa[2]として示されている)は、メモリ・マトリ
ックスにおける単一の行を行デコーダ34により活性化
するのに使用される。読出し動作の場合、選択された行
における各メモリ・セル32は、その値をそれに関連し
たビット・ライン38に供給する。選択された行のセル
の全ビット・ライン38における値は、センス・アンプ
39により、高速レジスタから構成された一対のラッチ
40,42に並列に転送される。マルチプレクサ44は
、ラッチ40または42の出力を選択するのに使用され
、その値を列デコード回路46に転送する。列デコード
回路46は、列アドレス・ラインにおけるアドレスの低
次ビットa[1]とa[0]を使用して、要求されてい
る特定のデータを選択する。
The high order bits of the address (shown as bits a[3] and a[2]) are used by row decoder 34 to activate a single row in the memory matrix. For a read operation, each memory cell 32 in the selected row provides its value to its associated bit line 38. The values on all bit lines 38 of the cells of the selected row are transferred in parallel by a sense amplifier 39 to a pair of latches 40, 42 made up of high speed registers. Multiplexer 44 is used to select the output of latch 40 or 42 and forwards its value to column decode circuit 46. Column decode circuit 46 uses the low order bits a[1] and a[0] of the address on the column address lines to select the particular data being requested.

【0013】回路40,42がラッチである本発明の配
列の動作について説明する。ラッチとして、これら回路
は、ラッチにエネーブル信号が供給されている期間、入
力端子にあるどんな信号も出力端子に転送する。エネー
ブル信号が除去される場合、この出力は、たとえオリジ
ナル・エネーブル信号が除去されていても、新しいエネ
ーブル信号が新しい入力値を出力端子にクロックするま
でそのままである。このことは、エネーブルされたラッ
チは、デコード回路46の出力端子に対し実質的にトラ
ンスペアレエントである、すなわち行ラインにおける値
は、このようなラッチを通過して出力デコード回路46
に単に転送されるということである。したがって、ラッ
チ40または42の一方は、ランダム・アクセス・メモ
リが、出力路にラッチがない状態で動作しているかのよ
うに使用するため、ビット・ラインの出力を転送するよ
う常にエネーブルされている。
The operation of the inventive array in which circuits 40 and 42 are latches will now be described. As latches, these circuits transfer any signal present at the input terminal to the output terminal while the latch is supplied with an enable signal. If the enable signal is removed, this output will remain until the new enable signal clocks the new input value into the output terminal, even though the original enable signal has been removed. This means that enabled latches are substantially transparent to the output terminals of decode circuit 46, i.e. the values on the row lines pass through such latches to output decode circuit 46.
It simply means that it is transferred to. Therefore, one of the latches 40 or 42 is always enabled to transfer the output of the bit line for use by the random access memory as if it were operating without a latch in the output path. .

【0014】一方、ラッチ40または42の他方は、シ
ステムにより再使用されるべく予定されている特定の行
を記憶するキャッシュとして動作する。ラッチに別のエ
ネーブリング・パルスが供給されない限り、ラッチは、
最後のエネーブル・パルスにおいて受信されたオリジナ
ル情報を記憶しかつその出力において供給し続ける。ラ
ンダム・アクセス・メモリにおける1行の情報が、再使
用されるべきものである場合、情報がラッチに存在して
いるという事実は、外部アドレシング機構(たとえば、
その行における情報に関係したタグ・ビットや比較器)
を使用することにより決定され、かつマルチプレクサ4
4がその情報を保持しているラッチを選択することで、
ランダム・アクセス・メモリ30を通過する必要がない
ため、行アドレシングおよび回路キャパシタンスに起因
した遅延がない。さらに、情報が既にラッチの出力から
転送されていたとしても、それは再使用のため出力に残
っている。このように、ラッチはランダム・アクセス・
メモリの全行に対してキャッシュとして作用する。した
がって、ラッチのエネーブリングは、ラッチがどの情報
を捕獲するか、かつラッチがフロー・スルー・ディバイ
スとして動作するかどうかを決定する。
The other of latches 40 or 42, on the other hand, operates as a cache for storing particular lines that are scheduled to be reused by the system. Unless another enabling pulse is applied to the latch, the latch will
It continues to store and provide at its output the original information received on the last enable pulse. If a row of information in random access memory is to be reused, the fact that the information resides in the latch is a problem with external addressing mechanisms (e.g.
tag bits or comparators related to the information in that row)
and multiplexer 4
4 selects the latch that holds that information,
Since there is no need to go through random access memory 30, there are no delays due to row addressing and circuit capacitance. Furthermore, even if the information has already been transferred from the output of the latch, it remains at the output for reuse. In this way, the latch is a random access
Acts as a cache for all lines of memory. Therefore, enabling the latch determines what information the latch captures and whether the latch operates as a flow-through device.

【0015】キャッシングのアドバンスド・レベルを得
るため、およびランダム・アクセス・メモリ30をより
高速に動作するため、ここに示されているたった2つの
ラッチ40,42の代わりに、多くのラッチを使用する
ことができる。このようなラッチは全て、センス・アン
プ39から入力を平行に受信する。
To obtain an advanced level of caching and to make the random access memory 30 operate faster, many latches are used instead of the only two latches 40, 42 shown here. be able to. All such latches receive inputs from sense amplifiers 39 in parallel.

【0016】本発明について実施例に基づいて説明して
きたが、本発明は、本発明の思想から離れることなく様
々に改変し得ることは、当業者には明白であろう。
Although the present invention has been described based on examples, it will be obvious to those skilled in the art that the present invention can be modified in various ways without departing from the spirit of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】代表的な従来技術に基づいて構成されたランダ
ム・アクセス・メモリの概要図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a random access memory constructed according to a typical prior art.

【図2】本発明にしたがって構成されたランダム・アク
セス・メモリの概要図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of a random access memory constructed in accordance with the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,30  ランダム・アクセス・メモリ12,32
  メモリ・セル 14,34  行デコーダ 18,38  ビット・ライン 19,39  センス・アンプ 20,46  列デコード回路 40,42  ラッチ 44  マルチプレクサ
10, 30 Random access memory 12, 32
Memory cells 14, 34 Row decoders 18, 38 Bit lines 19, 39 Sense amplifiers 20, 46 Column decode circuits 40, 42 Latch 44 Multiplexer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  メモリ・セルのマトリックスと、マト
リックスの特定の行におけるメモリ・セルを選択する行
アドレス回路と;マトリックスの選択された行における
メモリ・セルの状態を表す信号を供給する装置と;マト
リックスの選択された行におけるメモリ・セルの状態を
表す信号を供給する上記装置に接続し、かつメモリの1
行中のセルからの信号を記憶する多くのステージを有す
る第1ラッチと;マトリックスの選択された行における
メモリ・セルの状態を表す信号を供給する上記装置に接
続し、かつメモリの1行中のセルからの信号を記憶する
多くのステージを有する第2ラッチと;各ラッチを選択
的にエーブルおよびディスエーブルする装置と;第1ま
たは第2ラッチの出力において信号を選択する装置とか
ら成ることを特徴とするランダム・アクセス・メモリ・
アレイ。
1. A matrix of memory cells and a row address circuit for selecting memory cells in a particular row of the matrix; apparatus for providing a signal representative of the state of the memory cells in a selected row of the matrix; one of the memory cells connected to said device for providing a signal representative of the state of the memory cells in a selected row of the matrix;
a first latch having a number of stages for storing signals from cells in a row; connected to said device for providing signals representative of the state of the memory cells in a selected row of the matrix; a second latch having a number of stages for storing signals from cells of the cell; means for selectively enabling and disabling each latch; and means for selecting a signal at the output of the first or second latch. Random access memory featuring
array.
JP3138671A 1990-05-15 1991-05-15 Random-access-memory-array Pending JPH04228187A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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US52373990A 1990-05-15 1990-05-15

Publications (1)

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Application Number Title Priority Date Filing Date
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