JPH04225575A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPH04225575A JPH04225575A JP2408124A JP40812490A JPH04225575A JP H04225575 A JPH04225575 A JP H04225575A JP 2408124 A JP2408124 A JP 2408124A JP 40812490 A JP40812490 A JP 40812490A JP H04225575 A JPH04225575 A JP H04225575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal electrode
- films
- substrate
- film
- electrode film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上の金属電極膜に
リード線接続部を備えた光起電力装置に関するものであ
る。
リード線接続部を備えた光起電力装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、化合物半導体太陽電池に代表され
る光起電力装置は、主にガラス基板上に半導体膜,金属
電極膜を順次積層して形成される光起電力装置が主流と
なってきている。従来、この種の光起電力装置は、図4
および図5に示すような構成であった。これらの図にお
いて、1はガラス等を用いた基板であり、2a,2bは
、光電変換層である半導体膜であり、一般にはn型およ
びp型半導体層の二層からなっている。また3a,3b
は半導体膜2a,2bおよび基板1の上に形成された金
属電極膜であり、半導体膜2a,2bとオーミックコン
タクト可能な材料を含む導電性のペーストを塗布して形
成される。
る光起電力装置は、主にガラス基板上に半導体膜,金属
電極膜を順次積層して形成される光起電力装置が主流と
なってきている。従来、この種の光起電力装置は、図4
および図5に示すような構成であった。これらの図にお
いて、1はガラス等を用いた基板であり、2a,2bは
、光電変換層である半導体膜であり、一般にはn型およ
びp型半導体層の二層からなっている。また3a,3b
は半導体膜2a,2bおよび基板1の上に形成された金
属電極膜であり、半導体膜2a,2bとオーミックコン
タクト可能な材料を含む導電性のペーストを塗布して形
成される。
【0003】上記構成において、リード線7a,7bは
、金属電極膜3a,3bに直接はんだ付けされるか、図
4に示すように金属電極膜3a,3bの上に形成された
銅などのはんだ付けの容易な膜5a,5bの上にはんだ
付けされるか、または図5に示すようにヒートシールコ
ネクタ8a,8bにより金属電極膜3a,3bに直接取
り付けられる。
、金属電極膜3a,3bに直接はんだ付けされるか、図
4に示すように金属電極膜3a,3bの上に形成された
銅などのはんだ付けの容易な膜5a,5bの上にはんだ
付けされるか、または図5に示すようにヒートシールコ
ネクタ8a,8bにより金属電極膜3a,3bに直接取
り付けられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら一般に、
基板1と金属電極膜3a,3bおよびはんだ6a,6b
の熱膨張係数は大きく異なる。一例として、基板に用い
られるほうけい酸ガラスの熱膨張係数は5.2×10−
6/℃であり、一方すず50%鉛50%組成のはんだの
熱膨張係数は23.4×10−6/℃である。
基板1と金属電極膜3a,3bおよびはんだ6a,6b
の熱膨張係数は大きく異なる。一例として、基板に用い
られるほうけい酸ガラスの熱膨張係数は5.2×10−
6/℃であり、一方すず50%鉛50%組成のはんだの
熱膨張係数は23.4×10−6/℃である。
【0005】従って、このような従来の構成では、周辺
気温等の変化に伴う光起電力装置の温度変化により、基
板1と金属電極膜3a,3bの界面に応力を生じ、基板
1と金属電極膜3a,3bの剥離、および基板と金属電
極膜の剥離に伴うリード線7a,7bの脱落が発生する
という問題点があった。
気温等の変化に伴う光起電力装置の温度変化により、基
板1と金属電極膜3a,3bの界面に応力を生じ、基板
1と金属電極膜3a,3bの剥離、および基板と金属電
極膜の剥離に伴うリード線7a,7bの脱落が発生する
という問題点があった。
【0006】本発明は、上記課題を解決するもので、周
辺気温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の
剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発
生しない優れた光起電力装置を提供するものである。
辺気温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の
剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発
生しない優れた光起電力装置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板と金属電極膜のリード線接続部との
間に樹脂膜を介在させたものである。
成するために、基板と金属電極膜のリード線接続部との
間に樹脂膜を介在させたものである。
【0008】
【作用】本発明は上記の構成により、基板と金属電極膜
との間に樹脂膜を介在させているので、基板と金属電極
膜との界面に生じる応力を前記樹脂膜で吸収させ、金属
電極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの
脱落を防止することができる。
との間に樹脂膜を介在させているので、基板と金属電極
膜との界面に生じる応力を前記樹脂膜で吸収させ、金属
電極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの
脱落を防止することができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図1,図2
および図3を参照しながら説明する。
および図3を参照しながら説明する。
【0010】本発明の実施例における光起電力装置の斜
視図を図1に、その断面図を図2に示す。光電変換層と
なる半導体膜はガラス基板11上に、CdS膜,CdT
e膜,カーボン膜を順次塗布し、焼結して形成される。 12aはCdS膜であり、12bはCdTe膜およびC
dTeとオーミック接触するカーボン膜からなる。13
aは金属電極膜であり、CdS膜12aおよび樹脂膜1
4aの上に、CdS膜とオーミック接触可能な材料であ
るインジウムを含む導電性のペーストを塗布して形成し
た。13bは金属電極膜であり、CdTeとカーボンか
らなる膜12bおよび樹脂膜14bの上に、導電性のペ
ーストを塗布して形成した。なお、金属電極膜13a,
13bを形成すると同時に複数の太陽電池を直列あるい
は並列に接続するために、金属電極膜13bの材料組成
を金属電極膜13aの材料組成と同一にしてもよい。
視図を図1に、その断面図を図2に示す。光電変換層と
なる半導体膜はガラス基板11上に、CdS膜,CdT
e膜,カーボン膜を順次塗布し、焼結して形成される。 12aはCdS膜であり、12bはCdTe膜およびC
dTeとオーミック接触するカーボン膜からなる。13
aは金属電極膜であり、CdS膜12aおよび樹脂膜1
4aの上に、CdS膜とオーミック接触可能な材料であ
るインジウムを含む導電性のペーストを塗布して形成し
た。13bは金属電極膜であり、CdTeとカーボンか
らなる膜12bおよび樹脂膜14bの上に、導電性のペ
ーストを塗布して形成した。なお、金属電極膜13a,
13bを形成すると同時に複数の太陽電池を直列あるい
は並列に接続するために、金属電極膜13bの材料組成
を金属電極膜13aの材料組成と同一にしてもよい。
【0011】本発明の特徴は、前記基板11と金属電極
膜13a,13bの間に樹脂膜14a,14bを介在さ
せたことであり、本実施例においては、樹脂膜14a,
14bとしてエポキシ樹脂をガラス基板11の上に塗布
して形成した。
膜13a,13bの間に樹脂膜14a,14bを介在さ
せたことであり、本実施例においては、樹脂膜14a,
14bとしてエポキシ樹脂をガラス基板11の上に塗布
して形成した。
【0012】上記の構成において、リード線17a,1
7bは、金属電極膜13a,13bに直接はんだ付けさ
れるか、図1に示すように金属電極膜13a,13bの
上に形成された銅などのはんだ付けの容易な膜15a,
15bの上にはんだ付けされるか、または、図3に示す
ように、ヒートシールコネクタ18a,18b等により
金属電極膜13a,13bに直接取り付けられる。
7bは、金属電極膜13a,13bに直接はんだ付けさ
れるか、図1に示すように金属電極膜13a,13bの
上に形成された銅などのはんだ付けの容易な膜15a,
15bの上にはんだ付けされるか、または、図3に示す
ように、ヒートシールコネクタ18a,18b等により
金属電極膜13a,13bに直接取り付けられる。
【0013】以上のような構成からなる光起電力装置に
おいては、基板11と金属電極膜13a,13bおよび
はんだ16a,16bの熱膨張係数の違いにより基板1
1と金属電極膜13a,13bの界面に生じる応力は、
樹脂膜14a,14bにおいて吸収されるので、金属電
極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱
落を防止することができる。
おいては、基板11と金属電極膜13a,13bおよび
はんだ16a,16bの熱膨張係数の違いにより基板1
1と金属電極膜13a,13bの界面に生じる応力は、
樹脂膜14a,14bにおいて吸収されるので、金属電
極膜の剥離によるリード線やヒートシールコネクタの脱
落を防止することができる。
【0014】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明では、基板と金属電極膜のリード線接続部との間に樹
脂膜を介在させたことにより、基板と金属電極膜の界面
に生じる応力は樹脂層において吸収されるため、周辺気
温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の剥離
によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発生し
ない極めて信頼性の優れた光起電力装置を提供すること
ができるものである。
明では、基板と金属電極膜のリード線接続部との間に樹
脂膜を介在させたことにより、基板と金属電極膜の界面
に生じる応力は樹脂層において吸収されるため、周辺気
温の変化の激しい環境下においても、金属電極膜の剥離
によるリード線やヒートシールコネクタの脱落が発生し
ない極めて信頼性の優れた光起電力装置を提供すること
ができるものである。
【図1】本発明の第1の実施例における光起電力装置の
斜視図
斜視図
【図2】本発明の第1の実施例における光起電力装置の
断面図
断面図
【図3】本発明の第2の実施例における光起電力装置の
斜視図
斜視図
【図4】従来の光起電力装置の斜視図
【図5】従来の光起電力装置の斜視図
1 ガラス基板
2a,2b 半導体膜
3a,3b 金属電極膜
6a,6b はんだ
7a,7b リード線
11 ガラス基板
12a,12b 半導体膜
13a,13b 金属電極膜
14a,14b 樹脂膜
16a,16b はんだ
17a,17b リード線
Claims (1)
- 【請求項1】基板上に半導体膜,金属電極膜を順次積層
形成した光起電力装置において、前記金属電極膜はリー
ド線接続部を備え、前記基板と金属電極膜のリード線接
続部との間に、樹脂膜を介在させた光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2408124A JPH04225575A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2408124A JPH04225575A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 光起電力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04225575A true JPH04225575A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2408124A Pending JPH04225575A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04225575A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353378A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004146817A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-05-20 | Daido Steel Co Ltd | 太陽電池セルの電極構造 |
WO2012130070A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited | Solar battery and method of manufacturing the same |
CN102810573A (zh) * | 2011-05-30 | 2012-12-05 | 比亚迪股份有限公司 | 一种CdTe太阳能电池及其制作方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408124A patent/JPH04225575A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353378A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004146817A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-05-20 | Daido Steel Co Ltd | 太陽電池セルの電極構造 |
JP4543650B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2010-09-15 | 大同特殊鋼株式会社 | 太陽電池セルの電極構造 |
WO2012130070A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited | Solar battery and method of manufacturing the same |
CN102723384A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 比亚迪股份有限公司 | 一种CdTe太阳能电池及其制作方法 |
CN102810573A (zh) * | 2011-05-30 | 2012-12-05 | 比亚迪股份有限公司 | 一种CdTe太阳能电池及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5248345A (en) | Integrated photovoltaic device | |
US5133810A (en) | Flexible photovoltaic device and manufacturing method thereof | |
US5951786A (en) | Laminated photovoltaic modules using back-contact solar cells | |
WO2010116973A1 (ja) | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シート付き太陽電池セルの製造方法 | |
US20050000561A1 (en) | Photovoltaic cell assembly and the method of producing one such assembly | |
KR930701837A (ko) | 태양전지접점구성 및 태양전지연결방법 | |
JP3099604B2 (ja) | 可撓性光電変換モジュール、その接続方法およびその製造装置 | |
JPS60240171A (ja) | 太陽光発電装置 | |
JPH0799334A (ja) | 光起電力素子及びモジュール | |
US6417442B1 (en) | Solar battery assembly and method of forming a solar battery assembly | |
JP2010157553A (ja) | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
US20160126386A1 (en) | Solar cell module | |
JP2005159173A (ja) | 太陽電池素子接続用配線材および太陽電池モジュール | |
JP2006156693A (ja) | 太陽電池素子及び、これを用いた太陽電池モジュール | |
JPH04225575A (ja) | 光起電力装置 | |
JPS61160946A (ja) | 半導体装置の接続構造体 | |
JPH06509910A (ja) | 厚いアルミニウム電極を有する太陽電池 | |
EP3403283A1 (en) | Method for interconnecting solar cells | |
US3080542A (en) | Infrared detector and method of manufacture thereof | |
KR20190014882A (ko) | 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법 | |
JP2021125603A (ja) | 太陽電池ストリングおよび太陽電池ストリング製造方法 | |
JP2002134766A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
JP6785964B2 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
TWI660571B (zh) | 太陽能電池串及其製造方法 | |
JP5569139B2 (ja) | 太陽電池モジュール |