JPH04225352A - Manufacture of reticle - Google Patents

Manufacture of reticle

Info

Publication number
JPH04225352A
JPH04225352A JP2407780A JP40778090A JPH04225352A JP H04225352 A JPH04225352 A JP H04225352A JP 2407780 A JP2407780 A JP 2407780A JP 40778090 A JP40778090 A JP 40778090A JP H04225352 A JPH04225352 A JP H04225352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
reticle
pattern
data set
manufacture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2407780A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norihiko Miyazaki
則彦 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2407780A priority Critical patent/JPH04225352A/en
Publication of JPH04225352A publication Critical patent/JPH04225352A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To enable inspection of data after manufacture by describing the sizes and forms of historical marks whether exposure data formed at the time of manufacture of the reticles faithfully and correctly to designed data and pattern formation is executed in fidelity to the designed data, or not. CONSTITUTION:Whether patterns are formed in accordance with each data set in each step, or not, each time each data pattern-forming step D1-Dn has been completed, and prescribed marks M1-Mn showing methods for depicting pattern-forming parameters and the like are depicted on an original reticle plate by electron beams, thus permitting information on the hysteresis and effects of the data processing to be clearly recorded on the reticle as a kind of mark.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に回路パ
ターンを露光させるためのレチクルを製造する方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a reticle for exposing a circuit pattern onto a semiconductor substrate.

【0002】0002

【従来の技術】ICやLSI等の半導体回路装置の製造
においては、感光体を塗布した半導体基板上に原寸大の
回路パターンを描画したフォトマスクを当て紫外線等の
光により回路パターンを露光させ、これに基づいて各種
処理により回路を形成する。この原寸大のフォトマスク
を作成するためには、まず、記憶媒体に格納されたレイ
アウト座標情報をもとにレチクルマスク(以下、単にレ
チクルという。)を作成する。レチクルとは、回路パタ
ーンが原寸の5〜10倍程度の大きさで描画された拡大
寸法マスクである。原寸マスクは、このレチクルのパタ
ーンをチップの数だけ縮小転写して作られる。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor circuit devices such as ICs and LSIs, a photomask with a full-sized circuit pattern drawn on it is placed on a semiconductor substrate coated with a photoreceptor, and the circuit pattern is exposed to light such as ultraviolet rays. Based on this, a circuit is formed through various processes. In order to create this full-size photomask, first, a reticle mask (hereinafter simply referred to as a reticle) is created based on layout coordinate information stored in a storage medium. A reticle is an enlarged size mask on which a circuit pattern is drawn at a size approximately 5 to 10 times the original size. A full-size mask is made by reducing and transferring the pattern of this reticle by the number of chips.

【0003】従来のレチクル製造方法においては、まず
設計パターンデータの作成処理を行い、データの検証を
行った後、露光データに変換し、その後再度データ処理
をし直し、レチクル原板上に描画する、という工程をと
っていた。近年、設計パターンが微細化、複雑化し、デ
ータ量も増大化するに伴い、パターンデータ作成時の高
信頼性が要求されている。このため、データ作成処理を
図3に示すように複数の段階に階層化したり、メイン回
路部のデータと周辺回路部のデータとに区分し、それら
を合成する方法等がとられるようになった。
[0003] In the conventional reticle manufacturing method, first, design pattern data is created, the data is verified, then converted to exposure data, and then the data is processed again and drawn on the reticle original plate. This process was followed. In recent years, as design patterns have become finer and more complex, and the amount of data has increased, high reliability is required when creating pattern data. For this reason, methods such as hierarchizing the data creation process into multiple stages as shown in Figure 3, or separating data into main circuit data and peripheral circuit data, and composing them have been adopted. .

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにデ
ータ作成時のデータセットの工程が多くなったため、デ
ータ上のミスやエラーが起りやすくなった。また、デー
タセットの階層化はデータ検証時間の長大化を招いた。 さらに、データ処理上のミスが発生した場合、実際のレ
チクル上でミスの発生自体は確認できるが、どのデータ
セットの段階でのミスであるか、データ上にはその履歴
を示す情報はなかった。従って、どのデータセット段階
でのミスであるかの検証には長時間を要し、最初から再
度製造し直さねばならない、といった問題が生じていた
[Problems to be Solved by the Invention] However, as the number of steps for setting data during data creation has increased, mistakes and errors in data are more likely to occur. Furthermore, the stratification of datasets led to an increase in data verification time. Furthermore, if a mistake occurs in data processing, the mistake itself can be confirmed on the actual reticle, but there is no information in the data to show the history of the mistake and in which data set stage it occurred. . Therefore, it takes a long time to verify at which data setting stage the error occurred, causing problems such as the need to remanufacture from the beginning.

【0005】本発明の目的は、レチクル製造時に作成し
た各段階ごとの露光データが設計データに忠実、正確に
作成され、かつパターン描画がデータ通りにされている
か否かを事後に検証可能なレチクル製造方法を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to provide a reticle in which the exposure data for each stage created during reticle manufacturing is faithfully and accurately created to the design data, and it is possible to verify after the fact whether or not the pattern drawing is in accordance with the data. The purpose is to provide a manufacturing method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は図1に示すように構成されている。図1は
本発明の原理説明図である。図1(A)は本発明のレチ
クル製造方法1の構成を示しており、図1(B)はこの
レチクル製造方法1によって製造されたレチクル4を示
している。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the present invention is constructed as shown in FIG. FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention. FIG. 1(A) shows the configuration of a reticle manufacturing method 1 of the present invention, and FIG. 1(B) shows a reticle 4 manufactured by this reticle manufacturing method 1.

【0007】図1において、このレチクル製造方法1は
、階層化された複数nのデータセットを所定の段階を踏
みつつ合成してレチクル製造用のパターンデータを生成
するパターンデータ生成工程2と、レチクル製造パター
ンデータに基づきレジスト塗布したレチクル原板R上に
レチクルパターンPを電子ビーム描画するレチクルパタ
ーン描画工程3とを有するレチクル製造方法であって、
レチクルパターン描画工程3は、複数のデータセットの
うちの個々のデータセットのデータに基づき電子ビーム
描画を行うデータセット描画ステップD1 〜Dn と
、データセット描画ステップD1 〜Dn が完了する
ごとに個々のデータセットの描画の有無及び描画方法を
示す所定のデータ履歴標識M1 〜Mn をレチクル原
板R上に電子ビーム描画するデータセット履歴表記ステ
ップH1 〜Hn と、を含んで構成される。
In FIG. 1, this reticle manufacturing method 1 includes a pattern data generation step 2 of synthesizing a plurality of hierarchized data sets in predetermined steps to generate pattern data for reticle manufacturing; A reticle manufacturing method comprising a reticle pattern drawing step 3 of drawing a reticle pattern P with an electron beam on a reticle original plate R coated with a resist based on manufacturing pattern data,
The reticle pattern drawing step 3 includes data set drawing steps D1 to Dn in which electron beam drawing is performed based on the data of each data set among a plurality of data sets, and each data set drawing step D1 to Dn is completed. The data set history notation step H1 to Hn is configured to draw predetermined data history indicators M1 to Mn on the reticle original plate R with an electron beam, indicating whether or not the data set is drawn and the drawing method.

【0008】[0008]

【作用】本発明によれば、データ描画ステップD1 〜
Dn が完了するごとに各段階の個々のデータセットに
ついて描画した否かの有無と描画パラメータ等の描画方
法を示す所定の履歴標識M1 〜Mn をレチクル原板
R上に電子ビーム描画する。従って、データ処理の履歴
、及び結果についての情報を一種のマークとしてレチク
ル上に明確に記録しておくことができるので事後のデー
タ検証が非常に容易となる。
[Operation] According to the present invention, data drawing step D1 ~
Each time Dn is completed, predetermined history marks M1 to Mn are written on the reticle original plate R by an electron beam, indicating whether or not each data set of each stage has been written, and the drawing method such as drawing parameters. Therefore, information about the data processing history and results can be clearly recorded on the reticle as a kind of mark, making subsequent data verification very easy.

【0009】[0009]

【実施例】次に、本発明の好適な実施例を図面に基づい
て説明する。図2に本発明の一実施例によるデータ履歴
標識の例を示す。図2(A)は設計パターンデータ通り
に各データセットが忠実にデータ処理されレチクル描画
された場合のデータ履歴標識の態様を示している。ここ
に、M11はメインセルパターンのデータセット1の処
理の結果を表すマークである。M21はデコーダ部パタ
ーンのデータセット2の処理の結果を表すマークである
。M31は周辺パターンのデータセット3の処理の結果
を表すマークである。これらの履歴標識は、データセッ
ト処理又はレチクル描画が正確に行なわれた場合には、
図2(A)のような形状、及び寸法で描画される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows an example of a data history indicator according to one embodiment of the present invention. FIG. 2A shows the form of a data history indicator when each data set is faithfully processed and drawn on a reticle according to the design pattern data. Here, M11 is a mark representing the result of processing the data set 1 of the main cell pattern. M21 is a mark representing the result of processing data set 2 of the decoder pattern. M31 is a mark representing the result of processing the peripheral pattern data set 3. These historical markers will appear if the data set processing or reticle drawing is done correctly.
It is drawn with the shape and dimensions as shown in FIG. 2(A).

【0010】しかし、データセット処理又はレチクル描
画時にミスが発生した場合には、履歴標識は図2(B)
に示すように描画される。すなわち、図2(B)におい
てデータセット1の処理結果を示すマークはM12のよ
うに描画され、M11と比較して寸法x1 がx2 と
なり、寸法B1 がB2 となり、寸法W1 がW2 
に変化している。
However, if a mistake occurs during data set processing or reticle drawing, the history indicator is
It is drawn as shown in . That is, in FIG. 2(B), the mark indicating the processing result of dataset 1 is drawn as M12, and compared to M11, the dimension x1 becomes x2, the dimension B1 becomes B2, and the dimension W1 becomes W2.
is changing.

【0011】これらのx、B、Wの寸法は設計やプロセ
スのシフト量、露光時の近接補正、熱補正等の処理パラ
メータが正確に行われたかどうかを示すものであり、マ
ークM11がM12のように変化したということはこれ
らのパラメータのいずれかに不具合が生じたことを表現
していることになる。また、データセット2の処理結果
を示すマーク21がM22のように変化していることか
ら、データセット2にも何らかの障害が発生したことを
示している。また、データセット3の処理結果を示すマ
ークM31が図2(B)では欠落(M32)しているこ
とから、入力ミス等、何らかの原因でマークM31が描
画されなかったことを表わしている。これらの履歴標識
は、データセットで用いるパラメータのすべてが形状や
寸法に影響を与えるように設定しておく。
These x, B, and W dimensions indicate whether or not processing parameters such as design and process shifts, proximity correction during exposure, and thermal correction have been performed accurately. This change indicates that a problem has occurred in one of these parameters. Further, since the mark 21 indicating the processing result of the data set 2 has changed to M22, this indicates that some kind of failure has occurred in the data set 2 as well. Further, the mark M31 indicating the processing result of data set 3 is missing (M32) in FIG. 2(B), which indicates that the mark M31 was not drawn due to some reason such as an input error. These history indicators are set so that all parameters used in the dataset affect their shape and dimensions.

【0012】上記実施例のデータミスの表記方法は説明
されたもののみに限定されず、パターンをオーバラップ
させたり、細くスリット状にさせたりしてもよい。また
、マークの形状も、図2に示すような形状のほか、同心
円状、三角形状等であってもよい。マークを描画する領
域・位置は一箇所には限定されず、レチクルパーン外で
あればレチクル原板のどの位置でもかまわない。さらに
、複数のマークを並記してもよい。
The method for representing data errors in the above embodiments is not limited to the one described above, but may also include overlapping patterns or thin slit-like patterns. Further, the shape of the mark may be concentric circles, triangles, etc. in addition to the shape shown in FIG. 2. The area/position where a mark is drawn is not limited to one location, but may be at any location on the reticle original plate as long as it is outside the reticle pan. Furthermore, a plurality of marks may be written in parallel.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レチクル製造時に作成した各段階ごとの露光データが設
計データに忠実、正確に作成され、かつパターン描画さ
れているか否か及び描画方法を履歴標識の形状や寸法に
よって表記するので、データの事後検証が容易となり、
データ修後の迅速化にも寄与しうるという利点を有する
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention,
Since the exposure data for each stage created during reticle manufacturing is faithfully and accurately created to the design data, and whether the pattern is drawn or not and the drawing method are indicated by the shape and dimensions of the history marker, post-verification of the data is possible. becomes easier,
This has the advantage of contributing to speeding up data modification.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の原理説明図であり、図1(A)は本発
明のレチクル製造方法の構成を示し、図1(B)はこの
レチクル製造方法によって製造されたレチクルを示して
いる。
FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention; FIG. 1(A) shows the configuration of a reticle manufacturing method of the present invention, and FIG. 1(B) shows a reticle manufactured by this reticle manufacturing method.

【図2】本発明の一実施例によるデータ履歴標識の例を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a data history indicator according to one embodiment of the present invention.

【図3】従来のレチクル製造用のデータ処理を説明する
図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating conventional data processing for reticle manufacturing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…レチクル製造方法 2…パターンデータ生成工程 3…レチクルパターン描画工程 4…レチクル D1 〜Dn …データセット描画ステップH1 〜H
n …データセット履歴表記ステップM1 〜Mn …
履歴標識 P…レチクルパターン R…レチクル原板 x、B、W…寸法
1... Reticle manufacturing method 2... Pattern data generation step 3... Reticle pattern drawing step 4... Reticle D1 to Dn... Data set drawing step H1 to H
n...Data set history notation step M1 to Mn...
History indicator P...Reticle pattern R...Reticle original plate x, B, W...Dimensions

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  階層化された複数(n)のデータセッ
トを所定の段階を踏みつつ合成してレチクル製造用のパ
ターンデータを生成するパターンデータ生成工程(2)
と、当該レチクル製造パターンデータに基づきレジスト
塗布したレチクル原板(R)上にレチクルパターン(P
)を電子ビーム描画するレチクルパターン描画工程(3
)とを有するレチクル製造方法であって、前記レチクル
パターン描画工程(3)は、前記複数のデータセットの
うちの個々のデータセットのデータに基づき電子ビーム
描画を行うデータセット描画ステップ(D1 〜Dn 
)と、当該データセット描画ステップ(D1 〜Dn 
)が完了するごとに個々のデータセットの描画の有無及
び描画方法を示す所定のデータ履歴標識(M1 〜Mn
 )を前記レチクル原板(R)上に電子ビーム描画する
データセット履歴表記ステップ(H1 〜Hn )と、
を含むことを特徴とするレチクル製造方法。
Claim 1: A pattern data generation step (2) of generating pattern data for reticle manufacturing by synthesizing a plurality (n) of hierarchical data sets through predetermined steps.
Then, a reticle pattern (P
) reticle pattern drawing process (3) with electron beam drawing
), wherein the reticle pattern drawing step (3) includes a data set drawing step (D1 to Dn) in which electron beam drawing is performed based on data of each data set among the plurality of data sets.
) and the data set drawing step (D1 to Dn
) is completed, a predetermined data history indicator (M1 to Mn
) on the reticle original plate (R) with an electron beam; a data set history notation step (H1 to Hn);
A reticle manufacturing method comprising:
JP2407780A 1990-12-27 1990-12-27 Manufacture of reticle Pending JPH04225352A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2407780A JPH04225352A (en) 1990-12-27 1990-12-27 Manufacture of reticle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2407780A JPH04225352A (en) 1990-12-27 1990-12-27 Manufacture of reticle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04225352A true JPH04225352A (en) 1992-08-14

Family

ID=18517330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2407780A Pending JPH04225352A (en) 1990-12-27 1990-12-27 Manufacture of reticle

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04225352A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144648A (en) * 1984-12-18 1986-07-02 Nec Corp Hierarchical element discrimination system
JPS6252851A (en) * 1985-08-31 1987-03-07 Yamaha Motor Co Ltd Power source container

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144648A (en) * 1984-12-18 1986-07-02 Nec Corp Hierarchical element discrimination system
JPS6252851A (en) * 1985-08-31 1987-03-07 Yamaha Motor Co Ltd Power source container

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100707893B1 (en) Method of manufacturing exposure mask, lithography system, method of manufacturing semiconductor device and mask blank product
US7673281B2 (en) Pattern evaluation method and evaluation apparatus and pattern evaluation program
US8127265B2 (en) Pattern verification method, program thereof, and manufacturing method of semiconductor device
US5801954A (en) Process for designing and checking a mask layout
US6617083B2 (en) Method of correcting mask patterns
US20030115569A1 (en) Method and system for optical proximity correction
CN106950795A (en) The forming method of secondary graphics
US6649310B2 (en) Method of manufacturing photomask
US6221539B1 (en) Mask pattern correction method and a recording medium which records a mask pattern correction program
US8601406B2 (en) Method of creating photo mask layout, computer readable recording medium storing programmed instructions for executing the method, and mask imaging system
CN110716386B (en) Optical proximity effect correction method, optical proximity effect correction device and mask
CN102117010B (en) Optical adjacent correcting method
US7745067B2 (en) Method for performing place-and-route of contacts and vias in technologies with forbidden pitch requirements
US8443309B2 (en) Multifeature test pattern for optical proximity correction model verification
US20230074316A1 (en) Mask process correction methods and methods of fabricating lithographic mask using the same
JP5421054B2 (en) Mask pattern verification apparatus, mask pattern verification method, and semiconductor device manufacturing method using the same
JP2008020734A (en) Design pattern preparation method for semiconductor device, program, and method of manufacturing the semiconductor device
JP2000221662A (en) Pattern forming method
KR100416618B1 (en) Multi-exposure method with increased overlay accuracy and recording medium in which the exposure method is recorded
JP3328676B2 (en) Inspection method of projection optical system, mask substrate, and mark formation method
US20100064274A1 (en) Proximity correction method and system
US20060206853A1 (en) Method of producing mask inspection data, method of manufacturing a photo mask and method of manufacturing a semiconductor device
US8146022B2 (en) Mask pattern data generation method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and pattern data generation program
JPH04225352A (en) Manufacture of reticle
US7348106B2 (en) Method for repairing a phase shift mask

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19961210