JPH04221784A - Beam current density distribution measuring device - Google Patents

Beam current density distribution measuring device

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Publication number
JPH04221784A
JPH04221784A JP41347390A JP41347390A JPH04221784A JP H04221784 A JPH04221784 A JP H04221784A JP 41347390 A JP41347390 A JP 41347390A JP 41347390 A JP41347390 A JP 41347390A JP H04221784 A JPH04221784 A JP H04221784A
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JP
Japan
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polarity
beam current
current density
switching
row
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Application number
JP41347390A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuaki Nishigami
靖明 西上
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To measure in details beam current density distribution of ion beam. CONSTITUTION:A plurality of collector electrodes 6 are arranged in the shape of a matrix in an irradiation region of ion beams. Each line is divided into a right and a left half. A measurement signal responding to a beam current flowing to each line of each half is selectively switched by means of switching circuits 12 and 14 controlled by means of a switch control circuit 30 to output. Beam current density of ion beam measured on the line is displayed on a display device 28 and in a position located facing the each line of a collector electrode 6.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置、イオンビームエッチング装置等のイオン処理装置に
用いられて、イオンビームのビーム電流密度分布を計測
して表示するビーム電流密度分布計測装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a beam current density distribution measuring device for measuring and displaying the beam current density distribution of an ion beam, which is used in ion processing equipment such as ion implantation equipment and ion beam etching equipment. .

【0002】0002

【従来の技術】例えばイオン注入装置においては、ウェ
ーハのチャージアップ(帯電)を低減させるためには、
ウェーハに照射するイオンビームのビーム電流密度分布
をできるだけ均一にし、かつその分布の幅を広げること
が重要である。
[Prior Art] For example, in an ion implantation system, in order to reduce charge-up of a wafer,
It is important to make the beam current density distribution of the ion beam irradiated onto the wafer as uniform as possible and to widen the width of the distribution.

【0003】そのためには、まずはイオンビームのビー
ム電流密度分布を計測する必要があり、そのための従来
のビーム電流密度分布計測装置は、図6に示すようにイ
オンビーム2の照射領域に複数のコレクタ電極6を十字
形に配置し、それに流れるビーム電流を測定して表示装
置(例えばオシロスコープ)上にビーム電流密度分布と
して表示するものである。図中の4は、紙面表側から裏
側へ向かうイオンビーム2を受け止めるキャッチプレー
トであり、各コレクタ電極6はこのキャッチプレート4
の手前側に十字状に配置されている。
To do this, it is first necessary to measure the beam current density distribution of the ion beam, and a conventional beam current density distribution measurement device for this purpose has a plurality of collectors in the irradiation area of the ion beam 2, as shown in FIG. The electrodes 6 are arranged in a cross shape, and the beam current flowing through them is measured and displayed as a beam current density distribution on a display device (for example, an oscilloscope). 4 in the figure is a catch plate that catches the ion beam 2 traveling from the front side to the back side of the paper, and each collector electrode 6 is connected to this catch plate 4.
They are arranged in a cross shape on the front side.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来のビーム電流密度分布計測装置では、二次元の広
がりを持つイオンビーム2を単に十字状だけで計測して
いるので、詳しいビーム電流密度分布が分からないとい
う問題がある。従って例えば、イオンビーム2の中心が
キャッチプレート4の中心からずれていても分からない
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional beam current density distribution measurement device as described above, the ion beam 2 having a two-dimensional spread is measured only in a cross shape. The problem is that the distribution is not known. Therefore, for example, even if the center of the ion beam 2 is shifted from the center of the catch plate 4, it is not obvious.

【0005】そこでこの発明は、ビーム電流密度分布を
詳しく計測することができるビーム電流密度分布計測装
置を提供することを主たる目的とする。
[0005] Therefore, the main object of the present invention is to provide a beam current density distribution measuring device that can measure the beam current density distribution in detail.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のビーム電流密度分布計測装置は、イオンビ
ームの照射領域にマトリクス状に配置された複数のコレ
クタ電極であって各行の右半分および左半分が電気的に
それぞれ並列接続されたものと、この並列接続された各
行に流れるビーム電流に対応した計測信号をそれぞれ発
生させる変換回路と、一方半分の各行の計測信号を択一
的に切り換えて出力する第1のスイッチング回路と、他
方半分の各行の計測信号を択一的に切り換えて出力する
第2のスイッチング回路と、第1のスイッチング回路か
ら出力される計測信号を極性を反転させずに出力する極
性正転アンプと、第2のスイッチング回路から出力され
る計測信号を極性を反転させて出力する極性反転アンプ
と、出力を極性正転アンプ側と極性反転アンプ側とに択
一的に切り換える第3のスイッチング回路と、アップダ
ウンカウンタを含み、このカウンタからの出力に応じて
前記第1および第2のスイッチング回路を同じ行ごとに
対応させて切り換えるように制御し、その切換位置を表
す位置信号を発生し、かつ一方方向のカウントのときに
前記第3のスイッチング回路を極性正転アンプ側に切り
換え他方方向のカウントのときに同スイッチを極性反転
アンプ側に切り換えるように制御する切換制御回路と、
前記第3のスイッチング回路から出力される信号を切換
制御回路からの位置信号に応じた位置に表示する表示装
置とを備えることを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the beam current density distribution measuring device of the present invention has a plurality of collector electrodes arranged in a matrix in an ion beam irradiation area, and the right half of each row. and the left half are electrically connected in parallel, and a conversion circuit that generates a measurement signal corresponding to the beam current flowing in each row connected in parallel; A first switching circuit that switches and outputs the measurement signal, a second switching circuit that selectively switches and outputs the measurement signal of each row in the other half, and a measurement signal that reverses the polarity of the measurement signal output from the first switching circuit. A polarity-inverting amplifier that outputs the measurement signal output from the second switching circuit with the polarity reversed, and a polarity-inverting amplifier that outputs the measurement signal output from the second switching circuit without changing the polarity. the first and second switching circuits are controlled to correspond to each other in the same row according to the output from the counter; and controls the third switching circuit to switch to the polarity-inverting amplifier side when counting in one direction and to switch to the polarity-inverting amplifier side when counting in the other direction. a switching control circuit;
The present invention is characterized by comprising a display device that displays the signal output from the third switching circuit at a position corresponding to the position signal from the switching control circuit.

【0007】[0007]

【作用】上記構成によれば、複数のコレクタ電極の部分
にイオンビームを照射した状態で、切換制御回路によっ
て第1および第2のスイッチング回路を同じ行ごとに対
応させて切り換えると、表示装置には、コレクタ電極の
各行に対応した位置に、その行で計測したイオンビーム
のビーム電流密度がそれぞれ表示される。これによって
イオンビームのビーム電流密度分布が詳しく分かる。
[Operation] According to the above structure, when the first and second switching circuits are switched for each row by the switching control circuit while ion beams are irradiated onto a plurality of collector electrodes, the display device , the beam current density of the ion beam measured in that row is displayed at a position corresponding to each row of the collector electrode. This allows us to understand the beam current density distribution of the ion beam in detail.

【0008】[0008]

【実施例】図1は、この発明の一実施例に係るビーム電
流密度分布計測装置を示す図である。図2は、図1中の
コレクタ電極の配置の一例を示す平面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a diagram showing a beam current density distribution measuring device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing an example of the arrangement of collector electrodes in FIG. 1.

【0009】この実施例においては、図2に示すように
、イオンビーム2の照射領域に、即ち前述したようなキ
ャッチプレート4の手前側に、複数のコレクタ電極6を
XY方向にマトリクス状に配置している。
In this embodiment, as shown in FIG. 2, a plurality of collector electrodes 6 are arranged in a matrix in the XY direction in the irradiation area of the ion beam 2, that is, in front of the catch plate 4 as described above. are doing.

【0010】そしてこのコレクタ電極6を、この実施例
では中心線上と右半分と左半分とに分け、図1に示すよ
うに、右半分の各行のコレクタ電極6をそれぞれ電気的
に並列接続して、第1のスイッチング回路12の各スイ
ッチング素子12aに接続すると共に、この並列接続さ
れた各行に流れるビーム電流に対応した計測信号(電圧
信号)を発生させる変換回路を構成する抵抗器8にそれ
ぞれ接続している。各抵抗器8は、この例ではビーム電
流計測器10を介してアースに接続されている(後述す
る他の抵抗器8も同様)。このスイッチング回路12は
、後述する切換制御回路30の制御下で、各行の抵抗器
8に発生する計測信号を択一的に切り換えて出力する。
In this embodiment, the collector electrode 6 is divided into a right half and a left half on the center line, and as shown in FIG. 1, the collector electrodes 6 in each row of the right half are electrically connected in parallel. , are connected to each switching element 12a of the first switching circuit 12, and are respectively connected to a resistor 8 constituting a conversion circuit that generates a measurement signal (voltage signal) corresponding to the beam current flowing in each row connected in parallel. are doing. In this example, each resistor 8 is connected to ground via a beam current measuring device 10 (the same applies to other resistors 8 to be described later). The switching circuit 12 selectively switches and outputs measurement signals generated in the resistors 8 in each row under the control of a switching control circuit 30 to be described later.

【0011】左半分の各行のコレクタ電極6も、同様に
、それぞれ電気的に並列接続して、第2のスイッチング
回路14の各スイッチング素子14aに接続すると共に
、前記と同様の抵抗器8にそれぞれ接続している。この
スイッチング回路14も、切換制御回路30の制御下で
、各行の抵抗器8に発生する計測信号を択一的に切り換
えて出力する。
Similarly, the collector electrodes 6 in each row of the left half are electrically connected in parallel to each switching element 14a of the second switching circuit 14, and are also connected to the same resistor 8 as described above. Connected. This switching circuit 14 also selectively switches and outputs the measurement signals generated in the resistors 8 in each row under the control of the switching control circuit 30.

【0012】更にこの実施例では、中心線上のコレクタ
電極6を、第4のスイッチング回路13の各スイッチン
グ素子13aに接続すると共に、前記と同様の抵抗器8
にそれぞれ接続している。このスイッチング回路13も
、切換制御回路30の制御下で、各抵抗器8に発生する
計測信号を択一的に切り換えて出力する。
Furthermore, in this embodiment, the collector electrode 6 on the center line is connected to each switching element 13a of the fourth switching circuit 13, and the same resistor 8 as described above is connected.
are connected to each. This switching circuit 13 also selectively switches and outputs the measurement signals generated in each resistor 8 under the control of the switching control circuit 30.

【0013】切換制御回路30は、所定周波数のパルス
を発生させるパルス発生器32、このパルスをカウント
し(アップカウントおよびダウンカウントの繰り返し)
、スイッチング回路12〜14のどのスイッチング素子
12a〜14aをオンさせるかの位置信号S1 を出力
するアップダウンカウンタ34、絶縁等のためのインタ
フェース36、上記位置信号S1 に基づいて各スイッ
チング回路12〜14のスイッチング素子12a〜14
aを、同じ行ごとに対応させて択一的に順次切り換えて
オンさせるデコーダ38を有している。
The switching control circuit 30 includes a pulse generator 32 that generates pulses of a predetermined frequency, and counts these pulses (repeating up-counting and down-counting).
, an up/down counter 34 that outputs a position signal S1 indicating which switching element 12a-14a of the switching circuits 12-14 is to be turned on, an interface 36 for insulation, etc., and an interface 36 for each switching circuit 12-14 based on the position signal S1. switching elements 12a to 14
It has a decoder 38 that selectively and sequentially switches on the signals a corresponding to each row.

【0014】切換制御回路30は更に、前記デコーダ3
8と同様の働きをするデコーダ40と、それからの信号
をアナログに変換して三角波信号S2 を出力するD/
A変換器42を備えており、この三角波信号S2 が表
示装置(例えばオシロスコープ)28のx軸端子に入力
される。
The switching control circuit 30 further includes the decoder 3
8, and a D/D converter which converts the signal from the decoder 40 into an analog signal and outputs a triangular wave signal S2.
It is equipped with an A converter 42, and this triangular wave signal S2 is input to the x-axis terminal of a display device (for example, an oscilloscope) 28.

【0015】スイッチング回路12からの出力は、計測
アンプ18を経由して、極性を反転させずに出力する極
性正転アンプ22に入力される。スイッチング回路14
からの出力は、計測アンプ20を経由して、極性を反転
させて出力する極性反転アンプ24に入力される。スイ
ッチング回路13からの出力は、計測アンプ18、20
に比べてゲインが1/2の計測アンプ16を経由して、
極性正転アンプ22および極性反転アンプ24に入力さ
れる。即ち、スイッチング回路13からの出力は、半分
ずつに分けてスイッチング回路12からの出力と、スイ
ッチング回路14からの出力とにアンプ22および24
でそれぞれ加算される。
The output from the switching circuit 12 is inputted via the measurement amplifier 18 to the normal polarity inverting amplifier 22 which outputs the output without inverting the polarity. switching circuit 14
The output is inputted via the measurement amplifier 20 to a polarity inversion amplifier 24 which inverts the polarity and outputs the output. The output from the switching circuit 13 is transmitted to the measurement amplifiers 18 and 20.
Via the measurement amplifier 16 whose gain is 1/2 compared to
It is input to a polarity normal rotation amplifier 22 and a polarity inversion amplifier 24. That is, the output from the switching circuit 13 is divided into halves and divided into the output from the switching circuit 12 and the output from the switching circuit 14 through the amplifiers 22 and 24.
are added respectively.

【0016】極性正転アンプ22からの出力と、極性反
転アンプ24からの出力は、第3のスイッチング回路2
6によって択一的に切り換えて出力され、これが前記表
示装置28のy軸端子に入力される。このスイッチング
回路26は、前記切換制御回路30からの(より具体的
にはそのアップダウンカウンタ34からの)信号S3 
に応答して、アンプカウントのときは出力が極性正転ア
ンプ22側に切り換わり、ダウンカウントのときは極性
反転アンプ24側に切り換わる。
The output from the polarity normal rotation amplifier 22 and the output from the polarity inversion amplifier 24 are transferred to a third switching circuit 2.
6 is selectively switched and output, and this is input to the y-axis terminal of the display device 28. This switching circuit 26 receives a signal S3 from the switching control circuit 30 (more specifically from its up/down counter 34).
In response to this, the output is switched to the polarity-inverting amplifier 22 side during amplifier counting, and is switched to the polarity-inverting amplifier 24 side during down-counting.

【0017】上記構成によれば、コレクタ電極6の部分
にイオンビーム2を照射した状態で、切換制御回路30
によってスイッチング回路12〜14を同じ行ごとに対
応させて切り換えると、表示装置28には、コレクタ電
極6の各行に対応した位置に、その行で計測したイオン
ビーム2のビーム電流密度がそれぞれ表示される。
According to the above configuration, when the collector electrode 6 is irradiated with the ion beam 2, the switching control circuit 30
When the switching circuits 12 to 14 are switched for each row of the collector electrode 6, the beam current density of the ion beam 2 measured in that row is displayed on the display device 28 at a position corresponding to each row of the collector electrode 6. Ru.

【0018】即ち、アップダウンカウンタ34がアンプ
カウントのときには、スイッチング回路26が極性正転
アンプ22側に切り換わっているから、中心線上のコレ
クタ電極6と右半分のコレクタ電極6とで計測したビー
ム電流密度が、各行ごとに、表示装置28上に例えば図
3に示すように、そのx軸方向をコレクタ電極6の各行
の位置とし、y軸方向をビーム電流密度として表示され
る。同図中にハッチングを付した部分が、中心線上のコ
レクタ電極6で計測されるビーム電流密度である。
That is, when the up/down counter 34 is counting amplifiers, the switching circuit 26 has switched to the normal polarity amplifier 22 side, so that the beam measured between the collector electrode 6 on the center line and the collector electrode 6 on the right half The current density is displayed for each row on the display device 28, for example, as shown in FIG. 3, with the x-axis direction representing the position of each row of the collector electrode 6, and the y-axis direction representing the beam current density. The hatched area in the figure is the beam current density measured at the collector electrode 6 on the center line.

【0019】アップダウンカウンタ34がダウンカウン
トのときには、スイッチング回路26が極性反転アンプ
24側に切り換わっているから、中心線上のコレクタ電
極6と右半分のコレクタ電極6とで計測したビーム電流
密度が、各行ごとに、表示装置28上に例えば図4に示
すように、そのx軸方向をコレクタ電極6の各行の位置
とし、y軸方向をビーム電流密度として表示される。同
図中にハッチングを付した部分が、中心線上のコレクタ
電極6で計測されるビーム電流密度である。
When the up/down counter 34 is counting down, the switching circuit 26 is switched to the polarity inverting amplifier 24 side, so the beam current density measured between the collector electrode 6 on the center line and the right half collector electrode 6 is , for each row, the x-axis direction is displayed as the position of each row of the collector electrode 6, and the y-axis direction is displayed as the beam current density, as shown in FIG. 4, for example, on the display device 28. The hatched area in the figure is the beam current density measured at the collector electrode 6 on the center line.

【0020】従ってこれをある周期で繰り返せば、表示
装置28には、図3と図4を合わせた図5のようなビー
ム電流密度分布が表示される。この例は、イオンビーム
2のビーム電流密度が、マトリクス状のコレクタ電極6
の中心O(図2参照)を中心に、上下方向(Y方向)に
も左右方向(X方向)にもほぼ対称に分布していること
を示している。
Therefore, if this is repeated at a certain period, a beam current density distribution as shown in FIG. 5, which is a combination of FIGS. 3 and 4, will be displayed on the display device 28. In this example, the beam current density of the ion beam 2 is
It is shown that the distribution is almost symmetrical both in the vertical direction (Y direction) and in the horizontal direction (X direction) with the center O (see FIG. 2) as the center.

【0021】これとは違って例えば、イオンビーム2の
中心(最も密度の高い部分)が図2で中心Oより右側に
ずれていれば、図5ではx軸より上側の山の方が下側よ
りも高くなり、イオンビーム2の中心が図2で中心Oよ
り下側にずれていれば、図5ではy軸より右側の山の方
が左側よりも高くなる。
On the other hand, for example, if the center of the ion beam 2 (the part with the highest density) is shifted to the right of the center O in FIG. 2, then in FIG. If the center of the ion beam 2 is shifted below the center O in FIG. 2, the peak on the right side of the y-axis will be higher than the mountain on the left side in FIG.

【0022】このようにこのビーム電流密度分布計測装
置によれば、イオンビーム2の二次元的なビーム電流密
度分布が分かるので、従来例よりもビーム電流密度分布
を詳しく計測することができ、実際の状態により近い分
布を計測することができる。
As described above, according to this beam current density distribution measuring device, since the two-dimensional beam current density distribution of the ion beam 2 can be determined, it is possible to measure the beam current density distribution in more detail than in the conventional example. It is possible to measure a distribution closer to the state of .

【0023】なお、コレクタ電極6をマトリクス状に何
個ずつ配置するかは、図示例のようなものに限定される
ことなく任意であり、例えばイオンビーム2の形状や測
定の粗さ等に応じて決めれば良い。
The number of collector electrodes 6 to be arranged in a matrix is not limited to the illustrated example and may be determined arbitrarily depending on, for example, the shape of the ion beam 2, the roughness of the measurement, etc. All you have to do is decide.

【0024】また、コレクタ電極6を上記例のように中
心線上に配置せずに、そのごく近傍に中心線を挟んで配
置しても良く、その場合は、前述した中心線上のコレク
タ電極6用の抵抗器8、スイッチング回路13および計
測アンプ16は不要となる。
Further, the collector electrode 6 may not be placed on the center line as in the above example, but may be placed very close to the center line across the center line. The resistor 8, switching circuit 13, and measurement amplifier 16 are no longer necessary.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビームの二次元的なビーム電流密度分布が分かるので、
従来例よりもビーム電流密度分布を詳しく計測すること
ができ、実際の状態により近い分布を計測することがで
きる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the two-dimensional beam current density distribution of the ion beam can be determined.
The beam current density distribution can be measured in more detail than in the conventional example, and a distribution closer to the actual state can be measured.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】  この発明の一実施例に係るビーム電流密度
分布計測装置を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a beam current density distribution measuring device according to an embodiment of the present invention.

【図2】  図1中のコレクタ電極の配置の一例を示す
平面図である。
2 is a plan view showing an example of the arrangement of collector electrodes in FIG. 1. FIG.

【図3】  中心線上および右半分のコレクタ電極で得
られるビーム電流密度分布の一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the beam current density distribution obtained on the center line and on the right half of the collector electrode.

【図4】  中心線上および左半分のコレクタ電極で得
られるビーム電流密度分布の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of the beam current density distribution obtained at the collector electrode on the center line and in the left half.

【図5】  図1の装置で得られるビーム電流密度分布
の一例を示す図である。
5 is a diagram showing an example of a beam current density distribution obtained with the apparatus of FIG. 1. FIG.

【図6】  従来のビーム電流密度分布計測装置のコレ
クタ電極の配置を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the arrangement of collector electrodes of a conventional beam current density distribution measuring device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2  イオンビーム 6  コレクタ電極 8  抵抗器 12  第1のスイッチング回路 14  第2のスイッチング回路 22  極性正転アンプ 24  極性反転アンプ 26  第3のスイッチング回路 28  表示装置 30  切換制御回路 2 Ion beam 6 Collector electrode 8 Resistor 12 First switching circuit 14 Second switching circuit 22 Normal polarity amplifier 24 Polarity inversion amplifier 26 Third switching circuit 28 Display device 30 Switching control circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  イオンビームの照射領域にマトリクス
状に配置された複数のコレクタ電極であって各行の右半
分および左半分が電気的にそれぞれ並列接続されたもの
と、この並列接続された各行に流れるビーム電流に対応
した計測信号をそれぞれ発生させる変換回路と、一方半
分の各行の計測信号を択一的に切り換えて出力する第1
のスイッチング回路と、他方半分の各行の計測信号を択
一的に切り換えて出力する第2のスイッチング回路と、
第1のスイッチング回路から出力される計測信号を極性
を反転させずに出力する極性正転アンプと、第2のスイ
ッチング回路から出力される計測信号を極性を反転させ
て出力する極性反転アンプと、出力を極性正転アンプ側
と極性反転アンプ側とに択一的に切り換える第3のスイ
ッチング回路と、アップダウンカウンタを含み、このカ
ウンタからの出力に応じて前記第1および第2のスイッ
チング回路を同じ行ごとに対応させて切り換えるように
制御し、その切換位置を表す位置信号を発生し、かつ一
方方向のカウントのときに前記第3のスイッチング回路
を極性正転アンプ側に切り換え他方方向のカウントのと
きに同スイッチを極性反転アンプ側に切り換えるように
制御する切換制御回路と、前記第3のスイッチング回路
から出力される信号を切換制御回路からの位置信号に応
じた位置に表示する表示装置とを備えることを特徴とす
るビーム電流密度分布計測装置。
Claim 1: A plurality of collector electrodes arranged in a matrix in an ion beam irradiation area, the right half and left half of each row being electrically connected in parallel, and each row connected in parallel. A conversion circuit that generates measurement signals corresponding to the flowing beam current, and a first circuit that selectively switches and outputs the measurement signals of each half row.
a second switching circuit that selectively switches and outputs the measurement signals of each row in the other half;
a polarity normal amplifier that outputs the measurement signal output from the first switching circuit without reversing the polarity; a polarity inversion amplifier that outputs the measurement signal output from the second switching circuit with the polarity inverted; It includes a third switching circuit that selectively switches the output between the normal polarity amplifier side and the polarity inverting amplifier side, and an up/down counter, and the first and second switching circuits are configured to operate according to the output from the counter. The switching is controlled in correspondence to each row, and a position signal representing the switching position is generated, and when counting in one direction, the third switching circuit is switched to the polarity normal amplifier side to count in the other direction. a switching control circuit that controls the switch to switch to the polarity inverting amplifier side when A beam current density distribution measuring device comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102009013310A1 (en) * 2009-03-18 2010-09-30 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Coating substrates by vacuum evaporation, comprises evaporating evaporation material to be deposited for formation of partially ionized vapor, which moves towards substrate and deposits on substrate, and measuring vapor charge carrier flow

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009013310A1 (en) * 2009-03-18 2010-09-30 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Coating substrates by vacuum evaporation, comprises evaporating evaporation material to be deposited for formation of partially ionized vapor, which moves towards substrate and deposits on substrate, and measuring vapor charge carrier flow
DE102009013310B4 (en) * 2009-03-18 2013-10-10 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Method and apparatus for vacuum evaporation under control of the coating rate and measuring device therefor

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