JPH04221729A - 圧力センサの圧力検出素子 - Google Patents

圧力センサの圧力検出素子

Info

Publication number
JPH04221729A
JPH04221729A JP40602790A JP40602790A JPH04221729A JP H04221729 A JPH04221729 A JP H04221729A JP 40602790 A JP40602790 A JP 40602790A JP 40602790 A JP40602790 A JP 40602790A JP H04221729 A JPH04221729 A JP H04221729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
diaphragm
ceramic
thick film
holding portions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP40602790A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Goto
優 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Marelli Corp
Original Assignee
Kansei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kansei Corp filed Critical Kansei Corp
Priority to JP40602790A priority Critical patent/JPH04221729A/ja
Publication of JPH04221729A publication Critical patent/JPH04221729A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜歪ゲージを検出素
子として使用する圧力センサの圧力検出素子に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の圧力検出素子の構造とし
ては図4乃至図6に示す如き構造のものがある。
【0003】同図において1は円盤状に形成されたセラ
ミックベースであって、このセラミックベース1の下面
には、その周辺を除いてそのセラミックベース1の厚さ
が薄くなる凹部2に形成されている。3はそのセラミッ
クベース1の下面周辺に例えばガラスシール剤等の接着
剤を介して全周囲が接着されるセラミック製かつ同板状
のダイアフラムであって、このダイアフラム3のセラミ
ックベース1との対向面には複数個(本実施例では4個
)の厚膜歪ゲージ4が直径方向一列に取り付けられてい
るものである。5はその各厚膜歪ゲージに接続されると
共に、セラミックベース1に貫通保持されている端子を
示す。
【0004】このように構成されている圧力検出素子を
圧力センサとして使用するには、図6に示す如くそのダ
イアフラム3に被測定圧力Pを付与せしめることにより
、セラミック製ダイアフラム3は破線で示すように歪み
、そのダイフラム3の歪みが厚膜歪ゲージ4に作用され
て被測定圧力Pの値が測定されるものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところがかかる構造の
圧力検出素子にあっては、厚膜歪ゲージ4を設けてなる
ダイアフラム3が円形であり、しかもその円形部の全周
面がセラミックベース1の周面に接着固定される構造で
あることから、そのセラミック製ダイアフラム3の歪み
量を大きく確保する(感度を向上させる)には、おのず
とそのセラミック製ダイアフラム3の肉厚を薄くする必
要がある。しかしながら、セラミック製ダイアフラム3
の肉厚限界は0.5mm程度であることから、この約0
.5mm以上の厚さを保持しながら所望の歪み量を得る
には、該セラミック製ダイアフラム3の直径を大きくせ
ざるを得ない。そこでセラミック製ダイアフラム3の直
径を大きく確保すれば圧力検出素子の外径(形状)が大
となって、小型の圧力センサを構成することが困難とな
る問題点があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる従来の問
題点に着目してなされたもので、小型でありながらも歪
み量を大きくすることができるセラミック製ダイアフラ
ムの開発である。
【0007】すなわち平板状セラミック製ダイアフラム
の一部に歪み量の大なる両持梁部を形成して、該両持梁
部に複数の厚膜歪ゲージを配設し、さらに上記両持梁部
の中央部には、金属製受圧ダイアフラムを連結して、こ
の金属製受圧ダイアフラムによるシャープな変動力を基
としてセラミック製の両持梁部を変動(歪ませる)させ
る構造とすることにより、外形を大型化することなく従
来例によるセラミック製ダイアフラムの変動量よりも大
なる変動量を得ることができる圧力検出素子を得ること
にある。
【0008】
【実施例】以下に本発明を図1乃至図3に示す実施例に
基いて詳細に説明する。
【0009】11は平面円形に形成されたセラミックベ
ースであって、このセラミックベース11の周縁は肉厚
の枠部12に形成され、さらにこの円型枠部12の直径
方向には肉薄の両持梁部13が一体形成されているもの
である。そしてその両持梁部13上面の中央部及び両端
部に夫々の厚膜歪ゲージ14が配設されている。15は
周囲が前記円型枠部12の下面に適宜接着剤を介して強
固に接着されている円形の金属受圧ダイアフラムであっ
て、この金属受圧ダイアフラム15の中央部は、突起1
6を介して前記両持梁部13の中央部に接続されている
。17は各厚膜歪みゲージ14に接続される端子を示す
【0010】以上が本実施例の構造であるが、次にその
作用について述べると、図3において、金属受圧ダイア
フラム15に、被測定圧力Pを直接に作用させることで
その金属受圧ダイアフラム15は破線で示すように受圧
力に応じて歪む。この金属受圧ダイアフラム15の受圧
力は突起16を介してセラミック製の両持梁部13を押
動し、この両持梁部13を破線で示す如く撓ませるため
、この両持梁部13に配設されている厚膜歪ゲージ14
に歪みが生じ、その結果被測定圧力Pの値が測定される
ものである。
【0011】このように本実施例における圧力検出素子
にあっては、厚膜歪ゲージ14を配置したセラミック板
が、歪みを生じやすい両持梁部13に形成していること
から、この両持梁部13の歪み(撓み)が受圧力に応じ
て敏感に生じ従ってこの両持梁部13上に配設されてい
る厚膜歪ゲージ14への歪み負荷を効率よく付勢させる
ことができる。
【0012】すなわち、図7に示すように従来の圧力検
出素子にあっては、被測定圧力Pに対してセラミックダ
イアフラム3がwの変位量しか得られなかったが、本実
施例にあっては、金属受圧ダイアフラム15の変位量が
同圧Pに対してW1であり、また両持梁部13の変位量
が同圧Pに対してW2であることから、この双方の変位
量の合成変位量は同圧Pに対してW3となり、従って本
実施例によれば従来の圧力検出素子による変位量wより
も大なる変位量W3を得ることができるので、圧力測定
感度が高められ、例え被測定圧力Pが低圧力であっても
、測定精度及び測定信頼性の高い圧力検出素子が提供で
きるものである。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明は、環状の保持部1
2並びに該保持部12の直径方向対向位置に接続されか
つ中央部及び両端部に厚膜歪ゲージ14が取り付けられ
た板状両持梁部13を有するセラミックで形成された基
盤11と、該基盤11の保持部12に重合され、中央部
に前記板状両持梁部13に当接する突起16を備えた金
属製受圧ダイアフラム15とよりなる圧力検出素子であ
るから、これによれば、変位量が大である金属受圧ダイ
アフラムを用いて大なる変位量を確保し、さらにこの大
なる変位量の金属受圧ダイアフラムの動作で厚膜歪ゲー
ジを配置しかつ変位を比較的容易なる形状となした両持
梁部を変位させる構造となしたものであるから、被測定
圧力が低圧力であっても厚膜歪ゲージへの動作伝達作用
が確実であって測定精度及び測定信頼性の高い圧力検出
素子が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明よりなる圧力検出素子の実施例を示した
斜視図。
【図2】同上の平面説明図。
【図3】図1におけるA−A線断面図。
【図4】従来例の斜視図。
【図5】ダイアフラムと厚膜歪ゲージの配置を示した斜
視図。
【図6】図4におけるB−B線断面図。
【図7】受圧力と変位量との関係を示したグラム。
【符号の説明】
11…セラミックベース        12…枠部1
3…両持梁部                14…
厚膜歪ゲージ15…金属受圧ダイアフラム    16
…突起17…端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  環状の保持部(12)並びに該保持部
    (12)の直径方向対向位置に接続されかつ中央部及び
    両端部に厚膜歪ゲージ(14)が取り付けられた板状両
    持梁部(13)を有するセラミックで形成された基盤(
    11)と、該基盤(11)の保持部(12)に重合され
    、中央部に前記板状両持梁部(13)に当接する突起(
    16)を備えた金属製受圧ダイアフラム(15)とより
    なることを特徴とする圧力センサの圧力検出素子。
JP40602790A 1990-12-25 1990-12-25 圧力センサの圧力検出素子 Pending JPH04221729A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP40602790A JPH04221729A (ja) 1990-12-25 1990-12-25 圧力センサの圧力検出素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP40602790A JPH04221729A (ja) 1990-12-25 1990-12-25 圧力センサの圧力検出素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04221729A true JPH04221729A (ja) 1992-08-12

Family

ID=18515655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP40602790A Pending JPH04221729A (ja) 1990-12-25 1990-12-25 圧力センサの圧力検出素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04221729A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106546373A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 Smc株式会社 压力传感器及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106546373A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 Smc株式会社 压力传感器及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2547374Y2 (ja) 圧力センサ
US4236137A (en) Semiconductor transducers employing flexure frames
US5257546A (en) Pressure measuring sensor
CA1038644A (en) Capacitive load cell
US6813956B2 (en) Double stop structure for a pressure transducer
US7444879B2 (en) Displacement transducer
US4133100A (en) Method of making diaphragm of optimized stress and strain distribution
JPS63252257A (ja) 加速度検出装置
JPH04221729A (ja) 圧力センサの圧力検出素子
JP2000338124A (ja) 半導体加速度センサ
US3413845A (en) Low deflection force transducer
US3278882A (en) Pressure transducers
AU604224B2 (en) Mechanical-electrical transducer
US7559248B2 (en) High pressure transducer having an H shaped cross-section
JPH0419495B2 (ja)
US3418854A (en) Diaphragm type instrument
GB2187562A (en) Load sensor
JPS6155264B2 (ja)
JP2756067B2 (ja) ダイアフラム式歪みセンサの配線パターン
JPH0815057A (ja) 薄型ロードセル
JPH07113707A (ja) 半導体複合機能センサ
JPS5856367A (ja) 半導体圧力センサ
JPH0572068A (ja) 半導体圧力センサ
JPH0694558A (ja) 高圧用圧力センサ
JPH04268426A (ja) ひずみゲージ素子