JPS5856367A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JPS5856367A
JPS5856367A JP15586981A JP15586981A JPS5856367A JP S5856367 A JPS5856367 A JP S5856367A JP 15586981 A JP15586981 A JP 15586981A JP 15586981 A JP15586981 A JP 15586981A JP S5856367 A JPS5856367 A JP S5856367A
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JP
Japan
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semiconductor
thin
pressure sensor
section
strain
Prior art date
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Pending
Application number
JP15586981A
Other languages
English (en)
Inventor
Michitaka Shimazoe
島添 道隆
Yoshitaka Matsuoka
松岡 祥隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5856367A publication Critical patent/JPS5856367A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体圧力センサに係シ、特に測定圧力範囲お
よび測定対称流体範囲が広く、かつ、高精度の圧力測定
を行うのに好適な金属部材に半導体部材を固定してなる
半導体圧カセ/すに関するものである。
まず、従来のこの種半導体圧力センサについて第1図を
用いて説明する。第1図(a)は平面図、(b)は断面
図で、フラットな金属ダイヤフラム1にバルク形の半導
体ストレンゲージ2を図示のように貼りつけた構造の半
導体圧力センサとしである。
この種のものは、金属ダイヤフラム1で測定圧力を受け
るため、測定対称流体が気体、液体を問わず、低圧から
高圧まで測定でき、かつ安価であるという利点があるが
、半導体ストレングージ2を金属ダイヤフラム1の感歪
部に貼りつけであるため、圧力によって半導体ストレン
ゲージ2を接着している接着層にひずみが発生し、この
接着層が経年変化(クリープ)し、測定精度が低下する
という問題を生ずる。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、接着層が経時変化することがなく、高精度、
高信頼性とすることができる半導体圧力センサを提供す
ることにある。
本発明の特徴は、肉薄起歪部の内側および外側に肉厚部
を有する金属部材に少なくとも片面に複数個のゲージ抵
抗を形成させた半導体部材を上記金属部材の肉薄起歪部
をまたぐように上記内側肉厚部と上記外側肉厚部の部分
で固定した構成とした点にある。
J、d下本発明を第2図ないし第5図に示した実施例を
用いて詳細に説明する。
第2図は本発明の半導体圧力セ/すの一実施例を示す構
造図で、(a)は平面図、(b)は断面図である。
第2図において、3は金属ダイヤフラム(金属部材)で
、例えば、外径30sa+の5+o+厚さのステンン円
板にり/グ状の溝を設け、外径15m、内径6關、厚さ
1暉のリング状肉薄起歪部4を形成してあり、この肉薄
起歪部4の内側と外側とはそれぞれ内側肉厚部5、外側
肉厚部6としてあり、それぞれの肉厚は同一としである
。7け半導体チップ(半導体部材)で、半導体チップ7
の上面には拡散法によって複数個のゲージ抵抗8を形成
してあり、これを金属ダイヤフラム3の肉薄起歪部4を
またぐようにガラススペーサ9を介して金属ダイヤフラ
7−3の内側肉厚部5と外側肉厚部6の部分で金属ダイ
ヤフラム3に接着して固定しである。
なお、半導体テップ7の金属ダイヤフラム3へ固定する
固定部10は、図示しであるように、他の領域11の厚
さよりも厚くしである。ここで、ガラススペーサ9とし
ては、その熱膨張係数が半導体チップ7の熱膨張係数に
近いものを選定してあシ、半導体チップ7とガラススペ
ーサ9とは陽極結合により接合し、ガラススペーサ9と
金属ダイヤフラム3の内側肉厚部5、外側肉厚部6とは
、有機材や低融点ガラスで接着しである。
上記した実施例の半導体圧力センサによれば、測定圧力
Pを第2図(b)の図示矢印方向から作用させると、金
属ダイヤフラム3のリング状肉薄起歪部4がたわみ、内
側肉厚部5が変位する。したがって、内側肉厚部5およ
び外側肉厚部6に固定した半導体チップ7は、内側肉厚
部5に固定した部分が変位して変形する。このとき発生
したひずみが半導体チップ7の表面に形成したゲージ抵
抗7の抵抗値変化として測定される。
上記した本発明の実施例によれば、金属ダイヤフラム3
の内側肉厚部5は上下に変位するだけで、ひずみを発生
しない。もちろん外側肉厚部6にもひずみが発生しない
。また、半導体チップ7の固定部10を厚くシ、ゲージ
抵抗形成部を含む領域11を薄くしであるから、半導体
チップ7における圧力による変形は、肉薄領域11に起
シ、固定部10にはひずみが発生しない。まだ、肉薄領
域11のたわみによる反力も小さい。したがって、金属
ダイヤフラム3と半導体チップ7との接合部は、圧力が
作用してもひずみを発生せず、かつ、そこに働く力が小
さいから、繰り返し圧力によシ接着層にクリープによる
経時変化が生ずることがなく、高精度で高信頼性の半導
体圧カセ/すとすることができる。
また、ガラススペーサ9を半導体テップ7の肉厚固定部
10の裏面に結合しであるから、金属ダイヤフラム3の
肉厚部5,6との接合によるひずみがゲージ抵抗8に伝
達されることが極めて少ない。
第3図は本発明の他の実施例を示す構造図で、(a)は
平面図、(b)は断面図である。第3図において、第2
図と同一部分および同一作用物は同じ符号で示し、ここ
では説明を省略する。第3図においては、半導体チップ
7を、図示しであるように、金属ダイヤフラム3の外側
肉厚部6の両側と内側肉厚部5とにガラススペ〒す9を
介して接着によって固定しである。第3図によれば、金
属ダイヤフラム3のステイフネスが半導体チップ7のそ
れよシも小さくとも、圧力を作用させたときに金属ダイ
ヤフラム3の内側肉厚部5が上下のみに変位するから、
半導体チップ7の両側の肉薄部11a。
11bは2つの片持梁で近似できる働きを示す。
その他の効果は第2図の場合と同様である。
第4図は本発明のさらに他の実施例を示す構造図で、(
a)は平面図、(b)は断面図であシ、第2図と同一部
分は同じ符号で示しである。第4図においては、半導体
チップ7の金属ダイヤフラム3の内側肉厚部5に固定す
る固定部10の肉薄部ll側に上面(ゲージ抵抗8を形
成しである面)から加工して形成した縦方向の肉薄部1
2を設けである。
このようにすると、半導体チップ7の肉薄部11に大き
なたわみが生じても、肉薄部11の全体のという新たな
効果がある。その他の効果は第2図と同様である。
第5図は本発明のさらに他の実施例を示す構造図で、(
a)は平面図、Φ)は断面図であり、第2図と同一部分
は同じ符号で示しである。第5図においては、金属ダイ
ヤフラム3の内側肉厚部5を外径2咽以下と細くしであ
る。第5図によれば、半導体チップ7が大きくたわみ、
肉薄部11に全体の伸びが発生したとき(バルーン増果
)、金属ダイヤフラム3の内側肉厚部5がたわむから、
肉薄部11の全体の伸びが低減し、第4図と同様直線性
を改善できるという効果がある。
なお、かかる半導体圧力センサにおいては、測定圧力が
零のときの出力をできるだけ小さくすることが必要であ
り、そのためには、金属ダイヤフラム3に半導体チップ
7を固定したときに半導体チップ7にたわみが生じない
ようにしなければならない。したがって、金属ダイヤフ
ラム3の内側肉厚部5と外側肉厚部6の厚さを同一にす
るほか、半導体チップ7の両側の固定部10の厚さも同
一とし、さらに、それぞれのガラススペーサ9の厚さも
同一にすることが望ましい。
以上説明したように、本発明によれば、接着層が経時変
化することがなく、高精度で、高信頼性の半導体圧力セ
ンサとすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体圧力セ/すの構造図、第2図は本
発明の半導体圧力センサの一実施例を示す構造図、第3
図〜第5図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す構造図
である。 3・・・金属ダイヤフラム、4・・・肉薄起歪部、5・
・・内側肉厚部、6・・・外側肉厚部、7・・・半導体
チップ、8・・・ゲージ抵抗、9・・・ガラススペーサ
、10・・・固(ほか1名) 第1図 (Ct) 第2図 (a−2 第 3旧 (a−2 第 4図 椿1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、金属部材に半導体部材を固定してなる半導体圧力セ
    ンサにおいて、前記金属部材は肉薄起歪部の内側および
    外側に肉厚部を有し、前記半導体部材は少なくとも片面
    に複数個のゲージ抵抗を形成させてアシ、該半導体部材
    を前記金属部材の肉薄起歪部がまたぐように前記内側肉
    厚部と前記外側肉厚部の部分で前記金属部材に固定しで
    あることを特徴とする半導体圧力センサ。 2、前記半導体部材は前記金属部材に前記半導体部材の
    熱膨張係数に近似した熱膨張係数のスペーサを介して固
    定しである特許請求の範囲第1項記載の半導体圧力セン
    サ。 3、前記金属部材の内側肉厚部と外側肉厚部とは同一厚
    さと゛しである特許請求の範囲第1項または第2項記載
    の半導体圧力センサ。 4、前記半導体部材は前記金属部材へ固定す、る部分の
    厚さを他の部分の厚さよりも厚くしである特許請求の範
    囲第1項または第2項または第3項記載の半導体圧力セ
    ンサ。
JP15586981A 1981-09-29 1981-09-29 半導体圧力センサ Pending JPS5856367A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITTO20100396A1 (it) * 2010-05-12 2011-11-13 Metallux Sa Sensore di pressione
US20120205756A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-16 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of testing the same
JP2021131297A (ja) * 2020-02-19 2021-09-09 アズビル株式会社 圧力センサ

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