JPH04219B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH04219B2 JPH04219B2 JP58017380A JP1738083A JPH04219B2 JP H04219 B2 JPH04219 B2 JP H04219B2 JP 58017380 A JP58017380 A JP 58017380A JP 1738083 A JP1738083 A JP 1738083A JP H04219 B2 JPH04219 B2 JP H04219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- gas detection
- substrate
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000535 Tan II Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はガス検出装置に関し、より詳細には、
LPガスや都市ガスのガスもれ警報器に適用しう
るガス検出装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to gas detection devices, and more particularly,
This invention relates to a gas detection device that can be applied to gas leak alarms for LP gas and city gas.
従来技術
従来のガス検出装置としては、SnO2を主成分
とする焼結体内部に電極と加熱用ヒーターコイル
を内蔵し表面でのガス吸着により電気抵抗が変化
することを利用したものがあるが、熱容量が大き
いこと、加熱立上がり時間が長いこと、構造上の
理由から熱平衡状態に到達するのに時間がかかる
こと、従つて消費電力が大きくパルス駆動も不適
当であるという問題があつた。Conventional technology Some conventional gas detection devices utilize the fact that an electrode and a heater coil are built into a sintered body whose main component is SnO 2 , and the electrical resistance changes due to gas adsorption on the surface. However, there were problems in that the heat capacity was large, the heating rise time was long, it took a long time to reach a thermal equilibrium state due to the structure, and therefore the power consumption was large and pulse driving was inappropriate.
目 的
本発明は以上の如き従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、ヒーターおよび検知部を
微細化し加熱部を支持体と非接触とすることによ
り、駆動電力を低減すると共にパルス駆動を可能
として、３〜５年間の使用に必要な電力を数個の
乾電池で供給できるほど低消費電力で作動するガ
ス検出装置を提供することを目的とする。Purpose The present invention has been made in order to eliminate the drawbacks of the conventional technology as described above. By miniaturizing the heater and the detection part and making the heating part non-contact with the support, it is possible to reduce the driving power and realize pulse drive. It is an object of the present invention to provide a gas detection device that operates with low power consumption so that the power necessary for use for 3 to 5 years can be supplied by several dry batteries.
構 成
本発明の構成について、以下、実施例に基づい
て説明する。第１図は本発明の１実施例であるガ
ス検知装置を使用したガス検出器の内部構造を示
す概略図、第２図は第１図の−線における断
面図である。本実施例におけるガス検出装置１
１、は、フイルム２１上に搭載されており、下方
は下カバー２７、上方は防塵フイルター２４と防
爆ネツト２３によつて覆われている。上カバーワ
ク２２とネツト・フイルターおさえワク２６とが
フイルム２１上に設けられており、これらによつ
て防塵フイルター２４と防爆ネツト２３を固定し
ている。ガス検出装置１１は、フイルム２１上に
接着されたリード箔２５（４本）の先端をヒータ
ー用電極パツド８とガス検知用電極パツド９に加
熱ボンデイングする事により、フイルム２１上に
装着されている。Configuration The configuration of the present invention will be described below based on examples. FIG. 1 is a schematic diagram showing the internal structure of a gas detector using a gas detection device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line - in FIG. 1. Gas detection device 1 in this embodiment
1 is mounted on a film 21, and the lower part is covered by a lower cover 27, and the upper part is covered by a dustproof filter 24 and an explosion-proof net 23. An upper cover work 22 and a net filter holding work 26 are provided on the film 21, and the dust-proof filter 24 and the explosion-proof net 23 are fixed by these. The gas detection device 11 is mounted on the film 21 by heat-bonding the tips of lead foils 25 (4 pieces) adhered onto the film 21 to the heater electrode pad 8 and the gas detection electrode pad 9. .
ガス検出装置１１の構成につき説明すると、基
板１にはヒーター層４とガス検知用リード層５が
それぞれ電極部（パツト８，９）とブリツジ部３
を有する形状にパタン形成され、ブリツジ部３に
おいてヒーター層４の上にガス検知用リード層５
が積層されると共に互いに電気的に絶縁されて形
成されている。ガス検知用リード層５は、ブリツ
ジ部３の中央で切断されて間隙６が形成されてお
り間隙６を被覆して半導体ガス検知層７が形成さ
れている。また全ての電極部８，９にはドーム状
のハンダバンプ１０が形成されている。基板１の
ブリツジ部３の下側部分には空洞部２が形成さ
れ、ブリツジ部３は架橋構造とされている。 To explain the configuration of the gas detection device 11, a heater layer 4 and a gas detection lead layer 5 are provided on the substrate 1, and electrode portions (patties 8, 9) and bridge portions 3 are provided on the substrate 1, respectively.
A lead layer 5 for gas detection is formed on the heater layer 4 in the bridge part 3.
are stacked and electrically insulated from each other. The gas detection lead layer 5 is cut at the center of the bridge portion 3 to form a gap 6, and a semiconductor gas detection layer 7 is formed covering the gap 6. Moreover, dome-shaped solder bumps 10 are formed on all the electrode parts 8 and 9. A cavity 2 is formed in the lower part of the bridge part 3 of the substrate 1, and the bridge part 3 has a bridge structure.
第３図はガス検出装置１１の検出原理を説明す
るための概略図、第４図はガス検出器の駆動方法
を示すブロツク図である。電極８ａと電極８ｂは
ヒーター層４の電極であり、電極９ａと電極９ｂ
はガス検知用リード層５ａ，５ｂの電極である。
電極９ａに接続されているリード層５ａと電極９
ｂに接続されているリード層５ｂとはブリツジ部
３上を延在して設けられ、中央付近にて両端部は
互いに間隙６をもつて離隔して終端している。こ
の間隙７及びリード層５ａ，５ｂの端部に亘つて
所定の半導体材料からなる半導体ガス検知層７が
形成されており、その固有抵抗で規定される抵抗
値をもつてリード層５ａ及び５ｂを電気的に接続
させている。第２図に示した如く、ヒーター層４
とガス検知用リード層５は絶縁膜４ｅによつて絶
縁されている。電極８ａ，８ｂ間にパルス駆動回
路３０からパルス電圧1.5〜3Vが加わるとブリツ
ジ部３のヒーター層４が発熱し、絶縁膜４ｅを介
して加熱された半導体ガス検知層７の抵抗値が１
〜２桁低下する。ここで半導体ガス検知層７にガ
スが吸着すると、例えば0.4％の濃度のイソブタ
ンガスの場合、半導体ガス検知層７の抵抗値は更
に２桁低下する。電極９ａ，９ｂに負荷抵抗Ｒと
検出用電源３１（DC又はパルス電源1.5〜3Vを
直列に接続すると半導体ガス検知層７の抵抗値変
化による電流変化は負荷抵抗Ｒの両端での電圧変
動として検出できる。 FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the detection principle of the gas detection device 11, and FIG. 4 is a block diagram showing a method of driving the gas detector. The electrode 8a and the electrode 8b are the electrodes of the heater layer 4, and the electrode 9a and the electrode 9b are the electrodes of the heater layer 4.
are electrodes of the gas detection lead layers 5a and 5b.
Lead layer 5a and electrode 9 connected to electrode 9a
The lead layer 5b connected to the lead layer 5b is provided extending over the bridge portion 3, and both ends are separated from each other with a gap 6 and terminate near the center. A semiconductor gas detection layer 7 made of a predetermined semiconductor material is formed across the gap 7 and the ends of the lead layers 5a and 5b, and has a resistance value defined by its specific resistance. It is electrically connected. As shown in FIG. 2, the heater layer 4
and the gas detection lead layer 5 are insulated by an insulating film 4e. When a pulse voltage of 1.5 to 3 V is applied from the pulse drive circuit 30 between the electrodes 8a and 8b, the heater layer 4 of the bridge part 3 generates heat, and the resistance value of the semiconductor gas detection layer 7 heated through the insulating film 4e increases to 1.
~2 orders of magnitude decrease. When gas is adsorbed to the semiconductor gas detection layer 7, the resistance value of the semiconductor gas detection layer 7 further decreases by two orders of magnitude in the case of isobutane gas having a concentration of 0.4%, for example. When a load resistor R and a detection power supply 31 (DC or pulse power supply 1.5 to 3 V are connected in series to the electrodes 9a and 9b, current changes due to changes in the resistance value of the semiconductor gas detection layer 7 are detected as voltage fluctuations at both ends of the load resistor R. can.
ガス検出時以外は半導体ガス検知層７の抵抗値
がＭ（メガ）〜Ｋ（キロ）Ωのオーダーであり極く
わずかの電流しか流れないから、上述のガス検出
装置に１１において消費電力の80〜90％はヒータ
ー層４で消費されていることになる。従つて、ガ
ス検出装置の消費電力を低減させるためにはヒー
ター層４とガス検知用リード層５を微細化するこ
と、ヒーター層４からガス検知用リード層５と半
導体ガス検知層７への熱伝導時間を短くするこ
と、ブリツジ部３において基板１とヒーター層４
を非接触として熱容量を小さくすること等が有効
である。 Since the resistance value of the semiconductor gas detection layer 7 is on the order of M (mega) to K (kilo) Ω except when gas is detected, and only a very small amount of current flows, the above-mentioned gas detection device consumes 80% of the power consumption in 11. ~90% is consumed in the heater layer 4. Therefore, in order to reduce the power consumption of the gas detection device, it is necessary to miniaturize the heater layer 4 and the gas detection lead layer 5, and to reduce the heat transfer from the heater layer 4 to the gas detection lead layer 5 and the semiconductor gas detection layer 7. Shortening the conduction time, the substrate 1 and the heater layer 4 in the bridge part 3
It is effective to reduce the heat capacity by making it non-contact.
次に、上述した如き構成を有するガス検出装置
の製造過程の１例を第７図乃至第１７図を参考に
詳細に説明する。 Next, an example of the manufacturing process of the gas detection device having the above-described configuration will be explained in detail with reference to FIGS. 7 to 17.
第７図に示した如く、基板１は、アンダーカツ
トエツチングが容易で、高温度（500℃の加熱を
数〜10時間）で変形、変質しない材料、例えば
Si、Al、Cu、Ni、Cr等を使用する。本実施例で
はSi（100）を使用する。（100）面を使用するの
は、アンダーカツトする際公知の異方性エツチン
グにより行なうためである。基板１の外形寸法は
１〜４mm角で0.1〜１mmの厚みであれば良い。 As shown in FIG. 7, the substrate 1 is made of a material that can be easily undercut etched and that does not deform or deteriorate at high temperatures (heating at 500°C for several to 10 hours), for example.
Uses Si, Al, Cu, Ni, Cr, etc. In this example, Si (100) is used. The (100) plane is used because undercutting is performed by known anisotropic etching. The outer dimensions of the substrate 1 may be 1 to 4 mm square and 0.1 to 1 mm thick.
第７図は本製造過程の出発物質として基板１の
上に所要の材料を多層積層して形成してあり、以
下、これら各層に付き説明する。 In FIG. 7, required materials are laminated in multiple layers on a substrate 1 as a starting material for this manufacturing process, and each of these layers will be explained below.
４ａはヒーターを支持し電極間の絶縁を行なう
ための絶縁耐熱層である。耐熱性があり絶縁性が
高くヒーター材料と線膨張率の近い材料例えば
SiO2，AlO3，MgO，Si3N4，Ta2O5等を使用す
る。本実施例ではSiO2を公知のRFスパツタリン
グ（Ar圧力0.1〜0.01Torr、投入電力密度１〜
10W／cm2、基板温度350〜400℃）により0.3〜2μ
ｍの厚さに形成している。 4a is an insulating heat-resistant layer for supporting the heater and insulating between the electrodes. Materials that are heat resistant, highly insulating, and have a coefficient of linear expansion similar to that of the heater material, e.g.
SiO 2 , AlO 3 , MgO, Si 3 N 4 , Ta 2 O 5 etc. are used. In this example, SiO 2 was sputtered using known RF sputtering (Ar pressure 0.1 to 0.01 Torr, input power density 1 to
10W/cm 2 , 0.3-2μ depending on substrate temperature 350-400℃)
It is formed to a thickness of m.
４ｃはヒーター材料層４ｂと絶縁耐熱層４ａと
の密着性を高める拡散層である。基板１と絶縁耐
熱層４ａ双方のエツチング液に耐久性を持つ材
料、例えばMo，Cr，Ni，Tiを使用する。本実
施例ではMoをRFスパツタリング（上述のRFス
パツタリングと同一条件による）により300〜800
Åの厚さに形成している。 4c is a diffusion layer that enhances the adhesion between the heater material layer 4b and the insulating heat-resistant layer 4a. A material that is resistant to etching solutions, such as Mo, Cr, Ni, and Ti, is used for both the substrate 1 and the insulating heat-resistant layer 4a. In this example, Mo was deposited by RF sputtering (under the same conditions as the RF sputtering described above) to
It is formed to a thickness of Å.
4bはヒーター材料層である。長期間安定な材
料であるPt、SiC、TaN2等を使用する。本実施
例ではPtをRFスパツタリング（上述と同一条件）
により0.3〜2μｍの厚さに形成している。 4b is a heater material layer. Use Pt, SiC, TaN2 , etc., which are stable materials for a long time. In this example, Pt was RF sputtered (same conditions as above).
It is formed to a thickness of 0.3 to 2 μm.
4dはエツチング用レジスト層である。本実施
例ではSiO2をRFスパツタリング（上述と同一条
件）により0.5〜1μｍの厚さに形成している。 4d is an etching resist layer. In this example, SiO 2 is formed to a thickness of 0.5 to 1 μm by RF sputtering (under the same conditions as described above).
以上の過程は全て連続工程処理が可能であるた
め、膜間の界面が清浄であり膜と膜との密着性に
優れ信頼性が高いと同時に大量生産に適してい
る。また、上述の過程におけるRFスパツタリン
グが全て基板温度が350〜400℃の条件で行なわれ
るのは、基板加熱により膜が緻密になりヒーター
材料の抵抗値の経時変動幅が小さくなるという公
知の利点の外に、350〜400℃がガス検出装置のガ
ス検出動作温度であるため、動作時に膜に働くス
トレスが最小になり、信頼性を向上させることが
できるという理由の為である。 All of the above processes can be carried out continuously, so the interface between the films is clean, the adhesion between the films is excellent, the reliability is high, and it is suitable for mass production. In addition, the reason why all RF sputtering in the above process is performed at a substrate temperature of 350 to 400°C is due to the well-known advantage that heating the substrate makes the film denser and reduces the fluctuation width of the resistance value of the heater material over time. Another reason is that since the gas detection operating temperature of the gas detection device is 350 to 400°C, the stress applied to the membrane during operation is minimized and reliability can be improved.
つぎに、4dのSIO2を公知のフオトリソグラフ
イ技術によりフオトエツチングする。エツチング
液は緩衝フツ酸（HF＋NH4F）を用いる。フオ
トマスクパタンは２つの電極部８ａ，８ｂと１本
のヒーター部３ａを有する形状とし、後述する如
く、基板に公知の異方性エツチングを施した場合
ヒーター部の下では基板はエツチングされるが、
電極部の下ではエツチングされないという条件を
満たすようにする。この場合に使用するフオトマ
スクパタン１２を第５図に示してある。フオトマ
スクパタン１２は、電極部８ａ，８ｂ及びブリツ
ジ部３に対応したパタン８a′，８b′，３a′を有し
ている。ここで、ヒーター部３ａはブリツジ状に
なるから、この部分をブリツジ部３と称する。本
実施例では基板１としてSi（100）を使用している
ので、第５図において、ブリツジ部３a′の下にエ
ツチングされやすい（110）面が現われ、電極部
８a′，８b′の下にはエツチング速度の遅い（111）
面が現われるようにα1＝45゜とする。マスクパタ
ン１２における寸法は、ｌ＝10〜40μｍ、ｍ＝
100〜400μｍとすると良い。一方、基板１として
Si（111）を使用した場合のフオトマスクパタン１
３は結晶方位の関係から第６図の様になり、電極
部とブリツジ部のなす角度α2は15゜である。第８
図は、第５図に示したフオトマスクパタン１２を
用いてフオトエツチング処理した後の、第５図に
示した−線に沿つて取つた断面図である。
SiO2層４ｄはフオトエツチングされて所定の形
状にパタン形成されている。次に、４ｄのSiO2
をマスクとして使用し、その下側に存在するMo
層４ｃ、Pt層４ｂ、Mo層４ｃの各層を公知のド
ライエツチング技術にりエツチングする。本実施
例ではArスパツタエツチング（Ar圧力0.1〜
0.01Torr、投入電力密度１〜10W／cm2、基板温
度は常温）を用いたが、他にCF4＋O2プラズマエ
ツチングでも可能である。第９図はドライエツチ
ング後の、第５図に示した−線に沿う断面図
である。第９図の段階ではエツチングによつて
Mo層４ｃ、Pt層４ｂ、Mo層４ｃの各層の側面
が露出しているので、第９図の表面全体に対し絶
縁層４ｅを形成したものが第１０図である。本実
施例ではSiO2をRFスパツタリング（前述と同一
条件）により500〜2000Åの厚さに形成している。
以上の過程によつてガス検出装置１１のヒーター
層４が形成される。 Next, the 4d SIO 2 is photoetched using a known photolithography technique. Buffered hydrofluoric acid (HF+NH 4 F) is used as the etching solution. The photomask pattern has two electrode portions 8a and 8b and one heater portion 3a, and as will be described later, when the substrate is subjected to known anisotropic etching, the substrate will be etched under the heater portion. ,
The condition is such that etching does not occur under the electrode portion. A photomask pattern 12 used in this case is shown in FIG. The photomask pattern 12 has patterns 8a', 8b', 3a' corresponding to the electrode parts 8a, 8b and the bridge part 3. Here, since the heater portion 3a has a bridge shape, this portion is referred to as a bridge portion 3. In this embodiment, since Si (100) is used as the substrate 1, in FIG. has a slow etching speed (111)
Set α 1 = 45° so that the surface appears. The dimensions of the mask pattern 12 are l = 10 to 40 μm, m =
It is preferable to set it to 100 to 400 μm. On the other hand, as substrate 1
Photomask pattern 1 when using Si (111)
3 is as shown in FIG. 6 due to the crystal orientation, and the angle α 2 between the electrode portion and the bridge portion is 15°. 8th
The figure is a sectional view taken along the - line shown in FIG. 5 after photoetching using the photomask pattern 12 shown in FIG.
The SiO 2 layer 4d is photo-etched and patterned into a predetermined shape. Next, 4d SiO 2
is used as a mask, and the Mo present below it
The layers 4c, Pt layer 4b, and Mo layer 4c are etched using a known dry etching technique. In this example, Ar sputter etching (Ar pressure 0.1~
0.01 Torr, input power density 1 to 10 W/cm 2 , and substrate temperature at room temperature), but CF 4 +O 2 plasma etching is also possible. FIG. 9 is a sectional view taken along the - line shown in FIG. 5 after dry etching. At the stage shown in Figure 9, by etching
Since the side surfaces of each of the Mo layer 4c, Pt layer 4b, and Mo layer 4c are exposed, FIG. 10 shows an insulating layer 4e formed over the entire surface of FIG. 9. In this example, SiO 2 is formed to a thickness of 500 to 2000 Å by RF sputtering (under the same conditions as described above).
Through the above process, the heater layer 4 of the gas detection device 11 is formed.
次いで、第１０図の構造の表面上に各種選定材
料を用いて所要の層を積層形成し、第１１図に示
した構造とする。即ち、第１１図において、５ｇ
は層間の密着性を高める拡散層、５ｆは導体金属
材料層、５ｈはドライエツチング用レジスト層で
ある。本実施例では拡散層５ｇとしてMoを300
〜800Å、導体金属材料層５ｆとしてPtを0.3〜
0.5μｍ、ドライエツチング用レジスト層５ｈとし
てSiO2を0.3〜0.5μｍの厚さに夫々RFスパツタリ
ングにより形成した。ここで、第１２図に示した
フオトマスクパタン１４を用いて５ｈのSiO2を
フオトエツチングする。エツチング液は緩衝フツ
酸（HF＋NH4F）を用いる。フオトマスクパタ
ン１４は、２つの電極部９a′，９b′と１対のリー
ド線部５a′，５b′を有し、リード線部５a′，５
b′は既に形成されたヒーター層４のパタンとブリ
ツジ部３において重なる様な形状とし、基板１に
対する異方性エツチングに対して電極部９a′，９
b′の下にはエツチングされないという条件を満た
すようにする。また、リード線部５a′，５b′の対
向端部間に長さｎを有するギヤツプが設けられて
おり、これにより間隙６が形成される。第１２図
に示したマスクパタン１４における所要寸法は、
例えば、l′＝６〜30μｍ、ｎ＝３〜10μｍとすると
良い。次にSiO2層5hをマスクとして使用し、Mo
層5g、Pt層5f、Mo層5gをドライエツチング（前
述のArスパツタエツチング等）する。第１３図
はドライエツチング後の、第１２図の−線に
沿う断面図である。以上の過程によつて、ガス検
知用リード層５のパタン形成が行なわれる。次い
で、第１４図に示したフオトマスクパタン１５を
使用してヒーター電極パツドの窓開け８a″，８
b″、ガス検知用電極パツドの窓開け９a″，９b″、
基板のアンダーカツトエツチング用窓開け２′，
２′の為に第１３図において４ａ，４ｅ及び５ｈ
で示されるSiO2をフオトエツチングする。エツ
チング液は緩衝フツ酸（HF＋NH4F）を用いる。
第１５図はフオトエツチング後の、第１４図の
−線に沿つた断面図であり、４はヒーター層で
あつて、４ｂと４ｃとから構成されており、５は
ガス検知用リード層であつて５ｆと５ｇとから構
成されている。５h′はフオトエツチングされた
SiO2である。次に５h′のSiO2をマスクとして基板
１のエツチングを行なう。エツチング液は、結晶
方位に対してエツチング速度が異なる異方性エツ
チング液、例えばヒドラジン水溶液（90〜110℃）
や、KOH（30〜60％水溶液、80〜150℃）やAPW
（エチレンジアミン、ピロカテコール、水）等を
用いる。異方性エツチング液により20〜40分間エ
ツチングを行なうと、第１６図に示すように、ブ
リツジ部３の下側に存在する基板１の部分が深さ
50〜300μｍアンダーカツトされ、ブリツジ部３
においてヒーター層４は基板１と接触しない外形
が得られる。また、第１６図に示すように、ヒー
ター層４は極めて耐熱性と硬度の高いSiO2膜
（４ａ，４ｅ）に包まれているため、高温度（350
〜400℃）かつ高電流密度（３×105〜４×
104A／cm2）で駆動されるにもかかわらずエレク
トロマイグレーシヨンによる寿命の低下がほとん
どない。 Next, required layers are laminated on the surface of the structure shown in FIG. 10 using various selected materials to form the structure shown in FIG. 11. That is, in Figure 11, 5g
5f is a conductive metal material layer, and 5h is a dry etching resist layer. In this example, 300% Mo was used as the diffusion layer 5g.
~800Å, Pt as conductive metal material layer 5f ~0.3~
SiO 2 was formed by RF sputtering to a thickness of 0.5 μm and a dry etching resist layer 5h of 0.3 to 0.5 μm. Here, 5h of SiO 2 is photoetched using the photomask pattern 14 shown in FIG. Buffered hydrofluoric acid (HF+NH 4 F) is used as the etching solution. The photomask pattern 14 has two electrode parts 9a', 9b' and a pair of lead wire parts 5a', 5b'.
b' is shaped so that it overlaps the pattern of the heater layer 4 already formed in the bridge part 3, and the electrode parts 9a', 9
The condition that no etching is performed below b' is satisfied. Further, a gap having a length n is provided between the opposing ends of the lead wire portions 5a' and 5b', thereby forming a gap 6. The required dimensions for the mask pattern 14 shown in FIG.
For example, it is preferable that l'=6 to 30 μm and n=3 to 10 μm. Next, using the SiO 2 layer 5h as a mask,
The layer 5g, the Pt layer 5f, and the Mo layer 5g are dry etched (such as the Ar sputter etching described above). FIG. 13 is a sectional view taken along the - line in FIG. 12 after dry etching. Through the above process, the pattern of the gas detection lead layer 5 is formed. Next, using the photomask pattern 15 shown in FIG.
b″, gas detection electrode pad window opening 9a″, 9b″,
Window opening 2′ for undercut etching of the board,
4a, 4e and 5h in Figure 13 for 2'.
Photoetch SiO 2 shown in . Buffered hydrofluoric acid (HF+NH 4 F) is used as the etching solution.
FIG. 15 is a sectional view taken along the - line in FIG. 14 after photo-etching, and 4 is a heater layer consisting of 4b and 4c, and 5 is a lead layer for gas detection. It consists of 5f and 5g. 5h' was photoetched
It is SiO2 . Next, the substrate 1 is etched using 5h' of SiO 2 as a mask. The etching solution is an anisotropic etching solution that has different etching rates depending on the crystal orientation, such as a hydrazine aqueous solution (90 to 110℃).
, KOH (30-60% aqueous solution, 80-150℃) and APW
(ethylenediamine, pyrocatechol, water), etc. are used. When etching is performed for 20 to 40 minutes using an anisotropic etching solution, the portion of the substrate 1 located below the bridge portion 3 is etched to a depth as shown in FIG.
50-300μm undercut, bridge part 3
In this case, the outer shape of the heater layer 4 which does not come into contact with the substrate 1 is obtained. In addition, as shown in FIG. 16, the heater layer 4 is covered with SiO 2 films (4a, 4e) that have extremely high heat resistance and hardness, so it is exposed to high temperatures (350
~400℃) and high current density (3×10 5 ~4×
10 4 A/cm 2 ), there is almost no reduction in life due to electromigration.
ヒーター用電極パツト窓１６ａとガス検知用電
極パツド窓１６ｂにはSn、Auをそれぞれ数〜
10μｍの厚さに蒸着し、基板１を400〜600℃に加
熱してドーム状のパンプ１０を形成する。最後
に、半導体ガス検知層７を形成する為にガス検知
用リード層５のブリツジ部３中央にある間隙６を
覆うようにガスを選別する能力のある金属酸化物
半導体材料をコーテイングする。例えばSnO2、
FeO3、ZnO等を蒸着やスパツタリング等の方法
で0.3〜3μｍコーテイングする。あるいは金属酸
化物半導体の微粉末を水・アルコールで分散・ス
ピンコーテイングしても良い。第１７図に示すよ
うに、ヒーター層４とガス検知用リード層５と半
導体ガス検知層７は1μｍ以内に近接しているた
め、熱伝導の時間がほとんど無視できる。また、
ヒーター層４の温度コントロールで半導体ガス検
知層７の抵抗値が正確に制御できる。 The electrode pad window 16a for heater and the electrode pad window 16b for gas detection are each filled with Sn and Au.
It is deposited to a thickness of 10 μm, and the substrate 1 is heated to 400 to 600° C. to form a dome-shaped pump 10. Finally, in order to form the semiconductor gas detection layer 7, a metal oxide semiconductor material capable of separating gas is coated so as to cover the gap 6 at the center of the bridge portion 3 of the gas detection lead layer 5. For example, SnO2 ,
Coat FeO 3 , ZnO, etc. to a thickness of 0.3 to 3 μm using a method such as vapor deposition or sputtering. Alternatively, fine powder of metal oxide semiconductor may be dispersed and spin coated with water or alcohol. As shown in FIG. 17, since the heater layer 4, the gas detection lead layer 5, and the semiconductor gas detection layer 7 are close to each other within 1 μm, the time for heat conduction can be almost ignored. Also,
By controlling the temperature of the heater layer 4, the resistance value of the semiconductor gas detection layer 7 can be accurately controlled.
尚、このガス検出装置は微細構造であるから表
面へのゴミの付着は重大な障害発生の原因とな
る。例えば寿命が低下したり、動作が不安定にな
つたりする。従来使用されている防爆２重ネツト
構造だけではゴミの進入は防げないため、本実施
例のガス検出装置１１をフイルム２１に取り付け
る場合には0.1μｍ以上のゴミを通さず尚且つガス
の流出入には支障を起こさないグラスウールの防
塵フイルター２４を使用している。 Incidentally, since this gas detection device has a fine structure, adhesion of dust to the surface may cause serious trouble. For example, the lifespan may be shortened or operation may become unstable. Since the conventional explosion-proof double net structure alone cannot prevent dust from entering, when the gas detection device 11 of this embodiment is attached to the film 21, it is necessary to prevent dust of 0.1 μm or larger from passing through and to prevent gas from flowing in and out. A glass wool dustproof filter 24 that does not cause any trouble is used.
次に、本発明の別の実施例に付いて、第１８図
及び第１９図を参考に説明する。第１８図に示し
た別の実施例の、ガス検出装置１１′においては、
ブリツジ部３上において２本のリード部５ａ，５
ｂが間隙を有しながら並行に延在する並行部が形
成されている。この様な構成とした場合には、半
導体ガス検出層７の半導体抵抗のバラツキによる
影響が少なくなる上、半導体抵抗を小さくできる
ので、ガス感度すなわち検出電圧変動の大きいも
のが得られＳ／Ｎ比が向上する。第１９図に示し
た更に別の実施例においては、ガス検知用リード
層５には間隙が無く、ブリツジ部３上に連続して
延在されている。しかしながら、リード層５及び
ヒーター層４の側面上の絶縁膜が除かれており、
半導体ガス検知層７がガス検知用リード層５とヒ
ーター層４の側面に接触して形成されている。第
１９図の−線に沿つた断面図を第２０図に示
してある。加熱・ガス吸着により半導体ガス検知
層７の抵抗が下がり、ガス検知用リード層５から
ヒーター層４へ電流が流れる。第２１図は、第１
９図及び第２０図に示した実施例における駆動回
路であつて、９ａ−９ｂ側から８ａ−８ｂ側へ電
流が流れ、負荷抵抗Ｒの両端の電圧変動としてガ
ス吸着を検出する事ができる。第２０図の例では
ヒーター層４の上面の絶縁膜４ｅの厚さが、半導
体ガス検知層７の抵抗値のバラツキを支配してい
る。従つて、前述したフオトエツチングによりガ
ス検知用リード層パタンに間隙を形成する実施例
の場合に比較して、例えば、抵抗値バラツキ＝フ
オトエツチングのバラツキ＝間隙間隔の精度＝±
100％に対して、抵抗値のバラツキ＝膜厚制御の
精度＝±５％と非常に精度が良く、絶縁層の4eの
厚さを極めて薄くする事によりＳ／Ｎ比の向上を
図ることが可能である。これはスパツタリング等
による薄膜形成において膜厚制御が容易である為
である。 Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 18 and 19. In another embodiment of the gas detection device 11' shown in FIG.
Two lead parts 5a, 5 on the bridge part 3
A parallel portion is formed in which b extends in parallel with a gap. In the case of such a configuration, the influence of variations in the semiconductor resistance of the semiconductor gas detection layer 7 is reduced, and the semiconductor resistance can be made small, so that gas sensitivity, that is, detection voltage fluctuation is large, and the S/N ratio is reduced. will improve. In yet another embodiment shown in FIG. 19, the gas sensing lead layer 5 has no gap and extends continuously over the bridge portion 3. However, the insulating film on the side surfaces of the lead layer 5 and heater layer 4 is removed.
A semiconductor gas detection layer 7 is formed in contact with the side surfaces of the gas detection lead layer 5 and the heater layer 4. A sectional view taken along the - line in FIG. 19 is shown in FIG. 20. The resistance of the semiconductor gas detection layer 7 decreases due to heating and gas adsorption, and current flows from the gas detection lead layer 5 to the heater layer 4. Figure 21 shows the first
In the drive circuit in the embodiment shown in FIGS. 9 and 20, current flows from the 9a-9b side to the 8a-8b side, and gas adsorption can be detected as voltage fluctuations across the load resistor R. In the example shown in FIG. 20, the thickness of the insulating film 4e on the upper surface of the heater layer 4 controls the variation in the resistance value of the semiconductor gas detection layer 7. Therefore, compared to the above-described embodiment in which gaps are formed in the gas detection lead layer pattern by photo-etching, for example, resistance value variation = photo-etching variation = accuracy of gap distance = ±
Compared to 100%, the resistance value variation = film thickness control accuracy = ±5%, which is very accurate, and the S/N ratio can be improved by making the 4e thickness of the insulating layer extremely thin. It is possible. This is because film thickness can be easily controlled when forming a thin film by sputtering or the like.
効 果
以上の如く、密着した多層構造をとり、加熱部
分が支持体と非接触である本発明のガス検出装置
は、従来のガス検出装置に比較して大幅に応答速
度を向上させることが可能であると共に、消費電
力を低減することが可能である。多層膜構造であ
るから公知のフオトリソグラフイー技術や薄膜形
成技術等により微細化を図ることができる上に、
加熱部を基板と非接触構造とした事によりガス検
出装置の熱容量は小さくなり、熱伝導時間は無視
出来るほど短くなり、熱平衡に達する時間も大幅
に短縮することができる。その結果、ガス検出装
置の駆動電力が低減するとともに、パルス駆動が
可能となる。例えば、加熱時間10ｍsec、休止時
間10secのパルス駆動をした場合、信号検出回路
等の電力消費分を含めても500ｍAHの容量の電
池で３〜５年間駆動できる。尚、10sec1回のガス
洩れ検出はガス爆発事故防止等の実用上の点にお
いて、何ら支障を起こさない。Effects As described above, the gas detection device of the present invention, which has a close-contact multilayer structure and whose heated portion does not come into contact with the support, can significantly improve response speed compared to conventional gas detection devices. At the same time, it is possible to reduce power consumption. Since it has a multilayer film structure, it can be miniaturized using known photolithography technology or thin film formation technology, and
By making the heating part non-contact with the substrate, the heat capacity of the gas detection device is reduced, the heat conduction time is negligibly short, and the time to reach thermal equilibrium can be significantly shortened. As a result, the driving power of the gas detection device is reduced and pulse driving becomes possible. For example, when pulse driving is performed with a heating time of 10 msec and a rest time of 10 seconds, a battery with a capacity of 500 mAH can be used for 3 to 5 years, even including the power consumption of the signal detection circuit and the like. Note that gas leak detection performed once for 10 seconds does not pose any practical problems, such as preventing gas explosion accidents.
本発明によつて、従来の100V電源を要するが
ガスもれ警報器と比較して、コード、コンセント
が不要ではるかにセツトフリーな乾電池駆動のガ
スもれ警報器を供給することができるようにな
る。 The present invention makes it possible to provide a battery-powered gas leak alarm that requires a 100V power supply but requires no cord or outlet and is much easier to set up than a conventional gas leak alarm. Become.
第１図と第２図は、本発明のガス検出装置を使
用したガス検出器の平面図と断面図である。第３
図はガス検出装置の検出原理を説明するための概
略図、第４図はガス検出器の駆動方法を示すブロ
ツク図である。第５図、第６図は、夫々、本発明
のガス検出装置の製造過程におけるヒーター層形
成時のフオトマスクパタンを示す概略図で、第５
図が基板にSi（100）面、第６図がSi（111）面を使
用した場合である。第７〜第１０図は、ヒーター
層形成時の工程を示す各断面図、第１１図と第１
３図はガス検知用リード層形成時の工程を示す各
断面図、第１５図と第１６図は基板の空洞部形成
時の工程を示す各断面図、第１７図は半導体ガス
検知層とハンダバンプの形成時の断面図である。
第１２図は、ガス検知用リード層形成時のフオト
マスクパタンを示す概略図、第１４図は各電極パ
ツド用窓開けと基板のアンダーカツトエツチング
用窓開けのフオトマスクパタンを示す概略図であ
る。第１８図と第１９図は、ガス検出装置の他の
実施態様を示す概略図であり、第２０図は第１９
図における断面図、第２１図は第１９図における
駆動方法を示すブロツク図である。
（符号の説明）、１：基板、２：空洞部、３：
ブリツジ部、４：ヒーター層、５：ガス検知用リ
ード層、６：間隙、７：半導体ガス検知層、８：
ヒーター電極パツド、９：ガス検知用電極パツ
ド、１０：バンプ。
1 and 2 are a plan view and a sectional view of a gas detector using the gas detection device of the present invention. Third
The figure is a schematic diagram for explaining the detection principle of the gas detection device, and FIG. 4 is a block diagram showing the method of driving the gas detector. 5 and 6 are schematic diagrams showing photomask patterns at the time of forming a heater layer in the manufacturing process of the gas detection device of the present invention, respectively.
The figure shows the case where the Si (100) plane is used as the substrate, and the case where FIG. 6 uses the Si (111) plane as the substrate. Figures 7 to 10 are cross-sectional views showing the process of forming the heater layer, Figure 11 and Figure 1.
Figure 3 is a cross-sectional view showing the process of forming a gas sensing lead layer, Figures 15 and 16 are cross-sectional views showing the process of forming a cavity in the substrate, and Figure 17 is a semiconductor gas sensing layer and solder bump. FIG.
FIG. 12 is a schematic diagram showing a photomask pattern when forming a lead layer for gas detection, and FIG. 14 is a schematic diagram showing a photomask pattern for opening windows for each electrode pad and for undercut etching of the substrate. . 18 and 19 are schematic diagrams showing other embodiments of the gas detection device, and FIG. 20 is a schematic diagram showing another embodiment of the gas detection device.
21 is a block diagram showing the driving method in FIG. 19. (Explanation of symbols), 1: Substrate, 2: Cavity, 3:
Bridge part, 4: Heater layer, 5: Lead layer for gas detection, 6: Gap, 7: Semiconductor gas detection layer, 8:
Heater electrode pad, 9: Electrode pad for gas detection, 10: Bump.
Claims (1)
空洞部上に架橋構造に形成され前記基板から電気
的に絶縁されたヒーター層、絶縁層を介して前記
ヒーター層に積層形成され、前記絶縁層の同一面
上において互いに微小の間隙をもつて離隔されパ
ターン形成された一対のリード層、前記間隙にお
いて前記一対のリード層間に形成されたガス感応
物質層とを有し、前記ガス感応物資層がガスと接
触反応することにより前記一対のリード層間の抵
抗値変化をもとにガス検知を行うことを特徴とす
るガス検出装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記ガス感
応物質を金属酸化物半導体で形成したことを特徴
とするガス検出装置。 ３ 基板、前記基板にエツチングにより形成した
空洞部上に架橋構造に形成され前記基板から電気
的に絶縁されたヒーター層、絶縁層を介して前記
ヒーター層に積層形成されたリード層、前記ヒー
ター層の側部と前記リード層の側部とに接触して
形成されたガス感応物質層とを有し、前記ガス感
応物質層がガスと接触反応することにより前記ヒ
ーター層と前記リード層との間の抵抗値変化をも
とにガス検知を行うことを特徴とするガス検出装
置。 ４ 特許請求の範囲第３項において、前記ガス感
応物質層を金属酸化物半導体で形成したことを特
徴とするガス検出装置。[Scope of Claims] 1. A substrate, a heater layer formed in a cross-linked structure on a cavity formed in the substrate by etching and electrically insulated from the substrate, and laminated on the heater layer via an insulating layer, a pair of patterned lead layers spaced apart from each other with a minute gap on the same surface of the insulating layer; a gas-sensitive material layer formed between the pair of lead layers in the gap; A gas detection device characterized in that gas detection is performed based on a change in resistance value between the pair of lead layers due to a contact reaction between the material layer and the gas. 2. The gas detection device according to claim 1, wherein the gas sensitive material is formed of a metal oxide semiconductor. 3. A substrate, a heater layer formed in a cross-linked structure on a cavity formed by etching on the substrate and electrically insulated from the substrate, a lead layer laminated on the heater layer via an insulating layer, and the heater layer. and a gas-sensitive material layer formed in contact with a side portion of the heater layer and a side portion of the lead layer, and the gas-sensitive material layer reacts with the gas to cause a gap between the heater layer and the lead layer. A gas detection device characterized by detecting gas based on a change in resistance value. 4. The gas detection device according to claim 3, wherein the gas sensitive material layer is formed of a metal oxide semiconductor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1738083A JPS59143945A (en) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | Gas detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1738083A JPS59143945A (en) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | Gas detecting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143945A JPS59143945A (en) | 1984-08-17 |
| JPH04219B2 true JPH04219B2 (en) | 1992-01-06 |
Family
ID=11942397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1738083A Granted JPS59143945A (en) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | Gas detecting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143945A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4706493A (en) * | 1985-12-13 | 1987-11-17 | General Motors Corporation | Semiconductor gas sensor having thermally isolated site |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4948793A (en) * | 1972-05-04 | 1974-05-11 | ||
| JPS5374495A (en) * | 1976-12-14 | 1978-07-01 | Marukon Denshi Kk | Gas responsive element |
| JPS5521090U (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-09 | ||
| JPS5618752A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Co Ltd | Driving method for sensor |
| JPS5618750A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Co Ltd | Gas detector |
| JPS5717849A (en) * | 1980-05-21 | 1982-01-29 | Siemens Ag | Thin film gas sensor |
| JPS5723849A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas detector and its manufacture |
| JPS5794641A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-12 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of electric heater |
| JPS58103654A (en) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multifunctional gas sensor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56109047U (en) * | 1980-01-23 | 1981-08-24 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP1738083A patent/JPS59143945A/en active Granted
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4948793A (en) * | 1972-05-04 | 1974-05-11 | ||
| JPS5374495A (en) * | 1976-12-14 | 1978-07-01 | Marukon Denshi Kk | Gas responsive element |
| JPS5521090U (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-09 | ||
| JPS5618752A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Co Ltd | Driving method for sensor |
| JPS5618750A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Co Ltd | Gas detector |
| JPS5717849A (en) * | 1980-05-21 | 1982-01-29 | Siemens Ag | Thin film gas sensor |
| JPS5723849A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas detector and its manufacture |
| JPS5794641A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-12 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of electric heater |
| JPS58103654A (en) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multifunctional gas sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59143945A (en) | 1984-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0376721B1 (en) | Moisture-sensitive device | |
| US4984446A (en) | Gas detecting device and gas detecting system using the same | |
| JP3457826B2 (en) | Thin film resistor and method of manufacturing the same, flow sensor, humidity sensor, gas sensor, temperature sensor | |
| JP3489000B2 (en) | NTC thermistor, chip type NTC thermistor, and method of manufacturing temperature-sensitive resistive thin-film element | |
| JPH02150754A (en) | Production of sensitive element | |
| JPH053894B2 (en) | ||
| JPH04219B2 (en) | ||
| JPH041301B2 (en) | ||
| JPS59131152A (en) | Reducing gas sensor | |
| JP2004037402A (en) | Thin film gas sensor | |
| JP3724443B2 (en) | Thin film gas sensor | |
| JP4461634B2 (en) | Thin film gas sensor and manufacturing method thereof | |
| JPH11354302A (en) | Thin-film resistor element | |
| JP3077428B2 (en) | Electrode structure of gas sensor and method of manufacturing the same | |
| JP2003279523A (en) | Membrane gas sensor | |
| JP2679811B2 (en) | Gas detector | |
| JPH0580011A (en) | Thin-film chemical sensor with electrical heating element | |
| JPH0220681Y2 (en) | ||
| JP7503226B1 (en) | Gas concentration measuring device and method for measuring the concentration of a target gas in a measured gas | |
| JPS63139241A (en) | Diode type humidity sensor | |
| JPS6060547A (en) | Gas detector | |
| JP2501856B2 (en) | Electrochemical sensor | |
| JPH0580008A (en) | Thin-type junction type chemical sensor and sample detection method using it | |
| JPH05322821A (en) | Gas sensor | |
| JPH08247981A (en) | Gas sensor and gas detector |