JPH04218963A - Optical detector - Google Patents
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- JPH04218963A JPH04218963A JP2403699A JP40369990A JPH04218963A JP H04218963 A JPH04218963 A JP H04218963A JP 2403699 A JP2403699 A JP 2403699A JP 40369990 A JP40369990 A JP 40369990A JP H04218963 A JPH04218963 A JP H04218963A
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は光検知器に関する。詳し
くは、異種半導体基板に形成されたフォトトランジスタ
アレイと信号処理基板とからなるハイブリッド形光検知
器（イメージセンサ）に関する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to photodetectors. Specifically, the present invention relates to a hybrid photodetector (image sensor) consisting of a phototransistor array and a signal processing substrate formed on different semiconductor substrates.
【０００２】0002
【従来の技術】近年、光検知器の高画質化、多画素化の
要求に伴い、高集積、ＳＮ比の改善、画素間クロストー
クの軽減、ブルーミングの防止等が要求されている。こ
のような要求のために、光信号の増幅が可能なフォトト
ランジスタアレイを用いた光検知器が提供されており、
これは、フォトトランジスタと信号処理部とが同一基板
上に形成されている。2. Description of the Related Art In recent years, as photodetectors have been required to have higher image quality and a larger number of pixels, there has been a demand for higher integration, improved signal-to-noise ratio, reduced inter-pixel crosstalk, and prevention of blooming. To meet these demands, photodetectors using phototransistor arrays that can amplify optical signals have been provided.
In this, a phototransistor and a signal processing section are formed on the same substrate.
【０００３】図６はフォトトランジスタと信号処理部と
を同一基板上に形成した、従来の光検知器の一例の構成
図を示す。同図において、ｎ−Ｓｉ基板１にフォトトラ
ンジスタ２１ ，２２ が形成されていると共に、この
フォトトランジスタで発生した信号電荷を転送処理する
信号処理部（図示せず）も形成されている。従来周知の
如く、ｐｎ接合されたコレクタ・ベース領域に光が照射
されるとキャリアが発生されてコレクタ−エミッタ間に
電流が流れ、光−電気信号変換素子としての動作が行な
われる。FIG. 6 shows a configuration diagram of an example of a conventional photodetector in which a phototransistor and a signal processing section are formed on the same substrate. In the figure, phototransistors 21 and 22 are formed on an n-Si substrate 1, and a signal processing section (not shown) for transferring signal charges generated by the phototransistors is also formed. As is well known in the art, when light is irradiated onto the pn junction collector/base region, carriers are generated and current flows between the collector and emitter, thereby operating as a photo-electrical signal conversion element.
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】従来の光検知器は、フ
ォトトランジスタと信号処理部とが同一基板上に形成さ
れているため、高集積、多画素化を進める場合、フォト
トランジスタ２１ ，２２ がチップ内で占める割合が
減少し、高集積、多画素化が困難であり、しかも、図７
に示す如く、コレクタ領域の面積をあまり大きくとるこ
とができないので、光信号の利用効率が低下し、ＳＮ比
が悪くなる問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] In conventional photodetectors, the phototransistor and the signal processing section are formed on the same substrate. The proportion occupied in the chip decreases, making it difficult to achieve high integration and increase the number of pixels.
As shown in FIG. 2, since the area of the collector region cannot be made very large, there is a problem that the efficiency of using the optical signal decreases and the S/N ratio deteriorates.
【０００５】又、従来例は、図６に示す如く、各フォト
トランジスタ２１ ，２２ を分離するのにｎ−Ｓｉ基
板１内のｐｎ接合を利用しているため、例えばフォトト
ランジスタ２１ に入ってきた感光波長域の長波長部分
が基板１のベース領域の奥の部分で吸収されてキャリア
が発生され、これが基板１のフォトトランジスタ２１
，２２ を分離している部分を経て隣接のフォトトラン
ジスタ２２ にクロストーク信号となって入り込み、こ
のためにいわゆるボケとなって現われてしまう。又、こ
れと同様に、光量が多い時などは隣接のフォトトランジ
スタのみでなく、いくつものトランジスタにまでクロス
トーク信号が入り、いわゆるブルーミングになってしま
う。Furthermore, as shown in FIG. 6, in the conventional example, a pn junction in the n-Si substrate 1 is used to separate the phototransistors 21 and 22. The long wavelength portion of the photosensitive wavelength range is absorbed in the deep part of the base region of the substrate 1, and carriers are generated, which are transferred to the phototransistor 21 of the substrate 1.
, 22 and enters the adjacent phototransistor 22 as a crosstalk signal, resulting in so-called blurring. Similarly, when there is a large amount of light, crosstalk signals enter not only adjacent phototransistors but also many transistors, resulting in so-called blooming.
【０００６】このように、フォトトランジスタの分離に
ｎ−Ｓｉ基板内のｐｎ接合を利用している従来例は、ボ
ケやブルーミングを生じて、画質が劣化する問題点があ
り、これは、フォトトランジスタと信号処理部とを異種
基板上に形成したものにも同様に起っていた問題点であ
る。As described above, the conventional method that uses a pn junction in an n-Si substrate to separate phototransistors has the problem of deterioration of image quality due to blurring and blooming. This problem also occurred in devices in which the signal processing section and the signal processing section were formed on different types of substrates.
【０００７】本発明は、クロストーク信号を軽減し得、
しかも高いＳＮ比を得ることができ、高集積化を実現で
きる光検知器を提供することを目的とする。The present invention can reduce crosstalk signals,
Moreover, it is an object of the present invention to provide a photodetector that can obtain a high signal-to-noise ratio and achieve high integration.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図を示す。同図中、３０１ ，３０２ はフォトトラン
ジスタで、コレクタ３１１，３１２ は半導体回路基板
３２に接続されており、エミッタ３３１ ，３３２ ，
３４は共通に接続されている。このような構成の光検知
器において、本発明は、各フォトトランジスタ３０１
，３０２ が半導体回路基板３２上において物理的に分
離した構成である。[Means for Solving the Problems] FIG. 1 shows a diagram illustrating the principle of the present invention. In the figure, 301, 302 are phototransistors, collectors 311, 312 are connected to the semiconductor circuit board 32, and emitters 331, 332,
34 are connected in common. In a photodetector having such a configuration, the present invention provides that each phototransistor 301
, 302 are physically separated structures on the semiconductor circuit board 32.
【０００９】又、エミッタ３３１ ，３３２ ，３４は
各フォトトランジスタ３０１ ，３０２ を物理的に分
離する溝３５に形成されている。Furthermore, the emitters 331, 332, and 34 are formed in grooves 35 that physically separate the phototransistors 301, 302.
【００１０】0010
【作用】本発明では、フォトトランジスタ３０１ ，３
０２ を信号処理部を形成された半導体回路基板３２と
別の部分に設けたため、従来例と同じ基板面積であれば
、フォトトランジスタ部分がチップ内で占める割合を増
大でき、高集積、多画素化できる。しかも、隣接フォト
トランジスタ分離用溝３５にエミッタ３３１ ，３３２
，３４を形成しているので、一つのフォトトランジス
タでみた場合、エミッタをフォトトランジスタ全体領域
の周囲に形成でき、かつ、コレクタ３１１ ，３１２
を裏側に設けることができるので、従来例よりもコレク
タ領域の面積を十分大にとることができ、光信号の利用
効率を高くでき、ＳＮ比を向上できる。更に、フォトト
ランジスタ３０１ ，３０２ を共通エミッタ３４で物
理的に分離したため、各フォトトランジスタ内で発生し
た光信号が隣接のフォトトランジスタにクロストークと
して流れ込むことはなく、従来例のようにボケやブルー
ミングを生じることはなく、画質を向上できる。[Operation] In the present invention, the phototransistors 301, 3
02 is provided in a separate part from the semiconductor circuit board 32 on which the signal processing section is formed, so if the board area is the same as the conventional example, the proportion occupied by the phototransistor part within the chip can be increased, resulting in high integration and a large number of pixels. can. Furthermore, emitters 331 and 332 are formed in the adjacent phototransistor isolation trench 35.
, 34, when viewed from the perspective of one phototransistor, the emitter can be formed around the entire area of the phototransistor, and the collectors 311, 312
Since the collector region can be provided on the back side, the area of the collector region can be made sufficiently larger than in the conventional example, and the efficiency of using optical signals can be increased, and the S/N ratio can be improved. Furthermore, since the phototransistors 301 and 302 are physically separated by the common emitter 34, the optical signal generated in each phototransistor does not flow into the adjacent phototransistor as crosstalk, which prevents blurring and blooming as in the conventional example. This does not occur and the image quality can be improved.
【００１１】[0011]
【実施例】図２は本発明の第１実施例の構成図を示す。
同図中、５はＣｄＴｅ基板で、エピタキシャル基板とし
て使用され、エピタキシャル成長やイオン注入等によっ
てフォトトランジスタ６１ ，６２ が形成されている
。フォトトランジスタ６１ ，６２ は、エピタキシャ
ル成長によって形成されたｐ−ＨｇＣｄＴｅのベース領
域７１ ，７２ ，イオン注入によって形成されたコレ
クタ領域８１ ，８２ ，エミッタ領域９１ ，９２
，ＺｎＳ領域１０１ ，１０２ にて構成されている。
この場合、フォトトランジスタ６１ ，６２ の分離は
、ｐ−ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル結晶にＣＦ４ ガス
を主成分とするプラズマ異方性エッチングによってＣｄ
Ｔｅ基板５に達する分離溝１１を形成する際、ＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル結晶に生じる損傷がｎ＋ 形化（エ
ミッタ領域９１，９２ ）するのでこれを分離領域とし
て利用する。Embodiment FIG. 2 shows a block diagram of a first embodiment of the present invention. In the figure, a CdTe substrate 5 is used as an epitaxial substrate, and phototransistors 61 and 62 are formed by epitaxial growth, ion implantation, or the like. The phototransistors 61 and 62 have p-HgCdTe base regions 71 and 72 formed by epitaxial growth, collector regions 81 and 82 and emitter regions 91 and 92 formed by ion implantation.
, ZnS regions 101 and 102. In this case, the phototransistors 61 and 62 are separated by plasma anisotropic etching using CF4 gas as a main component on the p-HgCdTe epitaxial crystal.
When forming the separation groove 11 reaching the Te substrate 5, HgCd
Since the damage caused to the Te epitaxial crystal becomes n+ type (emitter regions 91, 92), this is used as an isolation region.
【００１２】１２はｐ−Ｓｉ信号処理基板で、ｎ＋ 領
域１３１，１３２ ，ＳｉＯ２ 層１４を形成されてお
り、信号処理部（図示せず）が形成されている。１５１
，１５２ は金属バンプで、夫々ｎ＋ 領域１３１
とコレクタ領域８１ ，ｎ＋ 領域１３２ とコレクタ
領域８２ とを接続する。１６は共通エミッタ（金属電
極）で、分離溝１１のエミッタ領域９１ ，９２ と信
号処理基板１２の所定回路部分（図示せず）とを接続し
、フォトトランジスタ６１ ，６２ を物理的に分離し
ている。Reference numeral 12 denotes a p-Si signal processing substrate, on which n+ regions 131, 132 and a SiO2 layer 14 are formed, and a signal processing section (not shown) is formed therein. 151
, 152 are metal bumps, each n+ region 131
and collector region 81 , and connects n+ region 132 and collector region 82 . Reference numeral 16 denotes a common emitter (metal electrode) that connects the emitter regions 91 , 92 of the separation groove 11 and a predetermined circuit portion (not shown) of the signal processing board 12 to physically separate the phototransistors 61 , 62 . There is.
【００１３】図２に示す如く、本発明は、フォトトラン
ジスタ６１ ，６２ と信号処理部とが異種基板（Ｃｄ
Ｔｅ基板５，信号処理基板１２）に形成されているので
、フォトトランジスタ部分の高集積、多画素化を進める
場合、従来例と同じ基板面積であれば、フォトトランジ
スタ部分がチップ内で占める割合を増大でき、高集積、
多画素化が実現できる。しかも、図３に示す如く、エミ
ッタ領域９１ （９２ ）がフォトトランジスタ６１
（６２ ）全体領域の周囲に形成されており、かつ、コ
レクタ電極（金属バンプ１５１ ，１５２ ）が裏側に
設けられているので、図７に示す従来例よりもコレクタ
領域８１ （８２ ）の面積を十分大きくとることがで
き、これにより、光信号の利用効率を高くでき、ＳＮ比
を向上できる。As shown in FIG. 2, in the present invention, the phototransistors 61 and 62 and the signal processing section are disposed on different substrates (Cd
Since the phototransistor portion is formed on the Te substrate 5 and the signal processing substrate 12), if the phototransistor portion is to be highly integrated and have a large number of pixels, if the substrate area is the same as the conventional example, the proportion of the phototransistor portion within the chip will be reduced. Can be increased, highly integrated,
A large number of pixels can be achieved. Moreover, as shown in FIG. 3, the emitter region 91 (92) is connected to the phototransistor 61
(62) is formed around the entire region, and the collector electrodes (metal bumps 151, 152) are provided on the back side, so the area of the collector region 81 (82) is smaller than that of the conventional example shown in FIG. It can be made sufficiently large, thereby increasing the utilization efficiency of optical signals and improving the S/N ratio.
【００１４】又、本発明は、フォトトランジスタ６１
，６２ を共通エミッタ（金属電極）１６で物理的に分
離した構造であるため、各フォトトランジスタ内で発生
した光信号が隣接のフォトトランジスタにクロストーク
として流れ込むことはなく、図６に示す従来例のように
ボケやブルーミングを生じることはなく、画質を向上で
きる。The present invention also provides a phototransistor 61
, 62 are physically separated by a common emitter (metal electrode) 16, so that the optical signal generated in each phototransistor does not flow into the adjacent phototransistor as crosstalk, and the conventional example shown in FIG. Image quality can be improved without causing blurring or blooming.
【００１５】更に、エミッタ領域９１ ，９２ は、分
離溝１１を形成する工程で同時に形成できるので、プロ
セスの簡略化を図ることができる。Furthermore, since the emitter regions 91 and 92 can be formed at the same time as the separation groove 11, the process can be simplified.
【００１６】図４は本発明の第２実施例の構成図を示し
、同図中、図２と同一構成部分には同一番号を付してそ
の説明を省略する。このものは、第２実施例におけるＣ
ｄＴｅ基板５（図２）を研磨又は化学的エッチングによ
って除去したものである。図２に示すようにＣｄＴｅ基
板５及びｐ−Ｓｉ基板１２があると、異種基板間の熱膨
張率の差によって歪を生じ、金属バンプ１５１ ，１５
２ が剥離する虞れがあるが、第２実施例のように１つ
の基板しかない場合にはこのような虞れはない。FIG. 4 shows a configuration diagram of a second embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 2 are designated by the same numbers and their explanations will be omitted. This is C in the second embodiment.
The dTe substrate 5 (FIG. 2) is removed by polishing or chemical etching. As shown in FIG. 2, when there is a CdTe substrate 5 and a p-Si substrate 12, distortion occurs due to the difference in thermal expansion coefficient between the different types of substrates, and the metal bumps 151, 15
There is a risk that 2 may peel off, but if there is only one substrate as in the second embodiment, there is no such risk.
【００１７】図５は本発明の第３実施例の構成図を示し
、同図中、図２とは同一構成部分には同一番号を付して
その説明を省略する。図５中、２０１ ，２０２ はフ
ォトトランジスタで、ｐ−ＨｇＣｄＴｅのベース領域２
１１ ，２１２ ，コレクタ領域２２１ ，２２１ ´
，２２２ ，２２２ ´，エミッタ領域２３１ ，２３
２ ，ＺｎＳ領域２４１ ，２４２にて構成されている
。２５は共通エミッタ（金属電極）で、フォトトランジ
スタ２０１ ，２０２ を物理的に分離する。２６は接
着部で、フォトトランジスタ２０１ ，２０２ とｐ−
Ｓｉ基板１２とを接着する。FIG. 5 shows a configuration diagram of a third embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 2 are given the same numbers and their explanations will be omitted. In FIG. 5, 201 and 202 are phototransistors, and the base region 2 of p-HgCdTe is
11, 212, collector area 221, 221'
, 222 , 222 ′, emitter regions 231 , 23
2, ZnS regions 241 and 242. A common emitter (metal electrode) 25 physically separates the phototransistors 201 and 202. 26 is an adhesive part, which connects the phototransistors 201, 202 and p-
The Si substrate 12 is bonded.
【００１８】フォトトランジスタ２０１ ，２０２ は
、その製造に際し、図２に示す第１実施例のものと略同
様に、ＣｄＴｅ基板（エピタキシャル基板）を使用して
ここにエピタキシャル成長によってｐ−ＨｇＣｄＴｅの
ベース領域を形成し、続いてＣｄＴｅ基板を除去してイ
オン注入によってコレクタ領域２２１ ，２２２ を形
成し、エミッタ領域２３１，２３２ ，共通エミッタ２
５を形成する。しかる後、接着剤でフォトトランジスタ
２０１ ，２０２ とｐ−Ｓｉ基板１２とを接着する。
第３実施例のものは、金属バンプが設けられていないの
で、第１，第２実施例のものに比して高さを低く形成で
きる。When manufacturing the phototransistors 201 and 202, a CdTe substrate (epitaxial substrate) is used, and a p-HgCdTe base region is formed thereon by epitaxial growth, in substantially the same manner as in the first embodiment shown in FIG. Then, the CdTe substrate is removed and collector regions 221, 222 are formed by ion implantation, emitter regions 231, 232, and common emitter 2 are formed.
form 5. Thereafter, the phototransistors 201 and 202 and the p-Si substrate 12 are bonded together using an adhesive. Since the third embodiment is not provided with metal bumps, the height can be made lower than that of the first and second embodiments.
【００１９】なお、コレクタ領域を構成するエピタキシ
ャル結晶としては、上記実施例のようにＩＩ−ＶＩ族（
ＨｇＣｄＴｅ）の他、ＩＩＩ −Ｖ族（ＧａＡｌＡｓ，
ＧａＡｓ）やＩＶ−ＶＩ族（ＰｂＳｎＴｅ）でもよい。Note that the epitaxial crystal constituting the collector region is of the II-VI group (
HgCdTe), III-V group (GaAlAs,
GaAs) or IV-VI group (PbSnTe) may be used.
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明によれば、フォトトランジスタを
半導体回路基板と別に設けたため、同一基板上に設けた
従来例に比してフォトトランジスタ部分を高集積、多画
素化でき、しかも、エミッタを隣接フォトトランジスタ
分離用溝に形成したため、エミッタをフォトトランジス
タ分離用溝に形成したため、エミッタをフォトトランジ
スタ全体領域の周囲に形成でき、従来例よりもコレクタ
の面積を十分大にとることができ、光信号の利用効率を
高くできるので、ＳＮ比を向上できる。又、フォトトラ
ンジスタを共通エミッタで物理的に分離したため、各フ
ォトトランジスタ内で発生した光信号が隣接フォトトラ
ンジスタにクロストークとして流れ込むことはなく、ボ
ケやブルーミングを生じることはなく、画質を向上でき
る。[Effects of the Invention] According to the present invention, since the phototransistor is provided separately from the semiconductor circuit board, the phototransistor portion can be highly integrated and have a large number of pixels compared to the conventional example in which the phototransistor is provided on the same substrate. Since the emitter is formed in the groove for separating adjacent phototransistors, the emitter can be formed around the entire area of the phototransistor, and the area of the collector can be made sufficiently larger than in the conventional example. Since the signal usage efficiency can be increased, the S/N ratio can be improved. Furthermore, since the phototransistors are physically separated by a common emitter, the optical signals generated in each phototransistor will not flow into adjacent phototransistors as crosstalk, and blurring or blooming will not occur, improving image quality.
【図１】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図３】本発明におけるフォトトランジスタ部分の平面
図である。FIG. 3 is a plan view of a phototransistor portion in the present invention.
【図４】本発明の第２実施例の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３実施例の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a third embodiment of the present invention.
【図６】従来の一例の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional example.
【図７】従来例におけるフォトトランジスタ部分の平面
図である。FIG. 7 is a plan view of a phototransistor portion in a conventional example.
５ ＣｄＴｅ基板
６１ ，６２ ，２０１ ，２０２ ，３０１ ，３０
２ フォトトランジスタ
７１ ，７２ ，２１１ ，２１２ ベース領域８
１ ，８２ ，２２１ ，２２２ ，３１１ ，３１２
コレクタ領域
９１ ，９２ ，２３１ ，２３１ ´，２３２ ，２
３２ ´，３３１ ，３３２ エミッタ
１１，３５ 分離溝
１２ 信号処理基板
１５１ ，１５２ ，３６１ ，３６２ 金属バン
プ１６，３４ 共通エミッタ
２６ 接着部
３２ 半導体回路基板5 CdTe substrate 61 , 62 , 201 , 202 , 301 , 30
2 Phototransistors 71 , 72 , 211 , 212 Base region 8
1 , 82 , 221 , 222 , 311 , 312
Collector areas 91 , 92 , 231 , 231 ′, 232 , 2
32', 331, 332 Emitters 11, 35 Separation groove 12 Signal processing board 151, 152, 361, 362 Metal bumps 16, 34 Common emitter 26 Adhesive part 32 Semiconductor circuit board
Claims (3)
（３０１ ，３０２ ）を用い、各フォトレジスタ（３
０１ ，３０２ ）のコレクタ（３１１ ，３１２ ）
を信号処理部を設けられた半導体回路基板（３２）に接
続し、各フォトトランジスタ（３０１ ，３０２ ）の
エミッタ（３３１ ，３３２ ，３４）を共通に接続す
る構成の光検知器において、上記各フォトトランジスタ
（３０１ ，３０２ ）が、上記半導体回路基板（３２
）上において物理的に分離した構成であることを特徴す
る光検知器。Claim 1: Using phototransistors (301, 302) as photodetecting elements, each photoresistor (3
01 , 302 ) collector ( 311 , 312 )
is connected to a semiconductor circuit board (32) provided with a signal processing section, and the emitters (331, 332, 34) of each phototransistor (301, 302) are commonly connected. The transistors (301, 302) are connected to the semiconductor circuit board (32).
) A photodetector characterized in that it has a physically separated configuration.
３４）は、上記各フォトトランジスタ（３０１ ，３０
２ ）を物理的に分離する溝（３５）に形成されてなる
ことを特徴とする請求項１の光検知器。Claim 2: The emitter (331, 332,
34) represents each of the phototransistors (301, 30
2) A photodetector according to claim 1, characterized in that the photodetector is formed in a groove (35) that physically separates the photodetector.
３０２ ）と上記半導体回路基板（３２）とは金属バン
プ（３６１ ，３６２ ）又は接着剤で接続されている
ことを特徴とする請求項１の光検知器。3. The phototransistor (301,
302) and the semiconductor circuit board (32) are connected to each other by metal bumps (361, 362) or adhesive.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403699A JPH04218963A (en) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | Optical detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403699A JPH04218963A (en) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | Optical detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218963A true JPH04218963A (en) | 1992-08-10 |
Family
ID=18513425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403699A Withdrawn JPH04218963A (en) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | Optical detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218963A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015792A (en) * | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Denso Corp | Photosensor |
| US8433131B2 (en) | 2010-06-23 | 2013-04-30 | Industrial Technology Research Institute | Method for recognizing three-dimensional control point and computer readable medium using the same thereof |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP2403699A patent/JPH04218963A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015792A (en) * | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Denso Corp | Photosensor |
| JP4604301B2 (en) * | 1999-04-28 | 2011-01-05 | 株式会社デンソー | Optical sensor |
| US8433131B2 (en) | 2010-06-23 | 2013-04-30 | Industrial Technology Research Institute | Method for recognizing three-dimensional control point and computer readable medium using the same thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |