JPH04218944A - Layout method and apparatus of integrated circuit mask - Google Patents

Layout method and apparatus of integrated circuit mask

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Publication number
JPH04218944A
JPH04218944A JP3092879A JP9287991A JPH04218944A JP H04218944 A JPH04218944 A JP H04218944A JP 3092879 A JP3092879 A JP 3092879A JP 9287991 A JP9287991 A JP 9287991A JP H04218944 A JPH04218944 A JP H04218944A
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JP
Japan
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data
layout
creating
circuit
integrated circuit
Prior art date
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Application number
JP3092879A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Agari
英樹 上里
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04218944A publication Critical patent/JPH04218944A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To reduce a chip area by detecting a dimensional change through a substrate shape and by changing layout data so that the dimensional change is corrected. CONSTITUTION:Layout data and process data are inputted by an information input means 1 composed of mouth, keyboard, etc. Then, the mask layout of each layer is generated by a mask layout means 2 composed of a layout editor on the basis of the layout data given from the information input means 1. Subsequently, a difference-in-level part detection means 3 detects a place having a difference in level exerting an influence upon dimensions out of points, where arbitrary layers cross each other, on the basis of the layout data. Further, a substrate shape detection means 4 computes the shape of the difference-in-level part detected by the detection means 3 to detect a substrate shape. After that, actual dimensions in the difference-in-level part are computed from dimensions in the layout based on shape data of the difference-in-level part by the detection means 4 so that a design rule is changed in that part.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路(以下、
LSIという。)のマスクパターンを作成するLSIマ
スクのレイアウト方法および装置に関する。
[Industrial Application Field] The present invention relates to semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as
It is called LSI. ) LSI mask layout method and apparatus for creating a mask pattern.

【0002】0002

【従来の技術】従来よりLSIのマスクパターンは、い
わゆるレイアウトエディタを用いて作成されている。こ
のレイアウトエディタは計算機上のソフトウェアとして
実現されている。レイアウトエディタはマウス、キーボ
ード等の外部入力装置により、各レイヤーの図形を入力
していき、LSIの各レイヤーのマスクパターンを作成
していくものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, LSI mask patterns have been created using a so-called layout editor. This layout editor is realized as software on a computer. The layout editor is used to input figures for each layer using an external input device such as a mouse or keyboard, and create a mask pattern for each layer of the LSI.

【0003】ところで、各レイヤー毎にデザインルール
という図形の制限がある。このデザインルールはLSI
の製造プロセスに起因する制約により決定され、このデ
ザインルールに基いて、各レイヤーのマスクパターンが
自動的に作成されている。
By the way, each layer has graphical restrictions called design rules. This design rule is LSI
The mask pattern for each layer is automatically created based on these design rules.

【0004】0004

【発明が解消しようとする課題】上述したようにLSI
のレイアウトにおいては、デザインルールというLSI
の製造プロセスに起因する制約があり、このデザインル
ールに基いてレイアウトを行っている。
[Problem to be solved by the invention] As mentioned above, LSI
In the layout of LSI design rules,
There are constraints due to the manufacturing process, and the layout is based on these design rules.

【0005】上述したデザインルールは、各レイヤーに
おいて、最も条件の厳しい部分で最小寸法が決められて
いる。例えば、メタルレイヤーにおいては、ポリシリコ
ンレイヤーやフィールド酸化膜との交差点で段差による
断線が生じる可能性があるので、平坦部で必要な線幅の
寸法よりも太い寸法をデザインルールとして設定する必
要がある。そのため、本来線幅が細くても十分な領域に
おいても、太い寸法でレイアウト設計しているので、チ
ップ面積がその分大きくなるという問題があった。
[0005] According to the above-mentioned design rule, the minimum size of each layer is determined at the part with the most severe conditions. For example, in a metal layer, there is a possibility of disconnection due to a step at the intersection with a polysilicon layer or field oxide film, so it is necessary to set a design rule that is thicker than the required line width in a flat area. be. Therefore, even in areas where the line width is originally narrow enough, the layout is designed with wide dimensions, resulting in a corresponding increase in chip area.

【0006】ところで、レイアウト作成後において、そ
の回路特性が好適か否かは、作成されたレイアウトのパ
ターンを試作、評価し、回路特性を測定することにより
判断されている。そして、回路特性が好適なものではな
かったときに、レイアウトデータ、プロセスデータ等の
入力データを変更して、再度レイアウトを作成しなおし
ている。
By the way, after a layout is created, it is determined whether the circuit characteristics are suitable or not by prototyping and evaluating the pattern of the created layout and measuring the circuit characteristics. Then, when the circuit characteristics are not suitable, input data such as layout data and process data are changed and the layout is created again.

【0007】このような方法では、作成されたレイアウ
トのパターンの試作、評価に時間がかかるため、効率が
悪いという問題がある。
[0007] This method has a problem of inefficiency because it takes time to prototype and evaluate the created layout pattern.

【0008】この発明による第1の集積回路マスクのレ
イアウト方法およびこの発明による集積回路マスクのレ
イアウト装置の目的は、レイヤーの各領域で最適な寸法
を選択してレイアウトを行ないチップ面積を小さくする
ことにある。
[0008] The purpose of the first integrated circuit mask layout method and the integrated circuit mask layout apparatus according to the present invention is to select optimal dimensions for each region of a layer and perform layout to reduce the chip area. It is in.

【0009】この発明による第2の集積回路マスクのレ
イアウト方法およびこの発明による集積回路マスクのレ
イアウト装置の目的は、作成されたレイアウトのパター
ンの試作、評価を高速にでき、所望の回路特性を有する
レイアウトを効率よく作成することにある。
It is an object of the second integrated circuit mask layout method and the integrated circuit mask layout apparatus according to the present invention to speed up the prototyping and evaluation of created layout patterns and to provide desired circuit characteristics. The goal is to create layouts efficiently.

【0010】0010

【課題を解消するための手段】この発明による第1の集
積回路マスクのレイアウト方法は、入力された各レイヤ
ーの図形に基いて、集積回路マスクのレイアウトを作成
するシステムであって、マスクのレイアウトを作った後
、レイアウトデータに基き任意のレイヤーが交差する点
の中から、寸法に影響を与える段差を有する個所を検出
すると共に、この検出した段差部の形状を算出すること
により、下地形状を検出し、この検出した下地形状に基
いて、レイヤーのレイアウト寸法を変更させることを特
徴とする。
[Means for Solving the Problems] A first integrated circuit mask layout method according to the present invention is a system for creating an integrated circuit mask layout based on inputted figures of each layer, which comprises: After creating the layer, based on the layout data, from among the points where arbitrary layers intersect, locations with steps that affect the dimensions are detected, and the shape of the detected steps is calculated to determine the base shape. The method is characterized in that the layout dimensions of the layer are changed based on the detected base shape.

【0011】この発明による第1の集積回路マスクのレ
イアウト装置は、入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する装置であって
、レイアウトデータとプロセスデータとを入力する入力
手段と、この入力手段からのデータにより、マスクのレ
イアウトを作成する手段と、レイアウトデータに基き任
意のレイヤーが交差する点の中から寸法に影響を与える
段差を有する個所を形成する検出する手段と、この検出
手段にて検出した段差部の形状を算出することにより下
地形状を検出する手段と、この検出した下地形状に基い
て、レイヤーのレイアウト寸法を変更させる手段と、を
備えてなることを特徴とする。
A first integrated circuit mask layout device according to the present invention is a device that creates a layout of an integrated circuit mask based on input figures of each layer, and inputs layout data and process data. an input means, a means for creating a mask layout based on data from the input means, and a means for detecting, based on the layout data, a point having a step that affects dimensions from among points where arbitrary layers intersect. and means for detecting the shape of the base by calculating the shape of the stepped portion detected by the detection means, and means for changing the layout dimensions of the layer based on the detected base shape. It is characterized by

【0012】この発明による第2の集積回路マスクのレ
イアウト方法は、入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する方法であって
、レイアウトデータとプロセスデータとを入力する第1
ステップと、レイアウトデータとプロセスデータとに基
いて、デバイスの断面構造に関するデータを作成する第
2ステップと、デバイスの断面構造に関するデータとあ
らかじめ設定されているバイアス条件とに基いて、デバ
イスの電気的特性に関するデータを作成する第3ステッ
プと、デバイスの電気的特性に関するデータから抽出さ
れるスパイスパラメータとレイアウトデータから抽出さ
れるネットリストとに基いて、回路特性に関するデータ
を作成する第3ステップと、当該回路特性が所望の特性
であるか否かを判別する第4ステップと、当該回路特性
が所望の特性でない場合には、レイアウトデータおよび
プロセスデータのうちの一方または両方を変更する第5
ステップと、当該回路特性が所望の特性になるまで、上
記第2ステップから第5ステップの処理を繰り返して行
なう第6ステップとからなることを特徴とする。
A second integrated circuit mask layout method according to the present invention is a method for creating an integrated circuit mask layout based on the inputted figures of each layer, and the method includes inputting layout data and process data. 1st
a second step of creating data regarding the cross-sectional structure of the device based on the layout data and process data; and a second step of creating data regarding the cross-sectional structure of the device based on the layout data and process data; a third step of creating data regarding the characteristics; a third step of creating data regarding the circuit characteristics based on the spice parameters extracted from the data regarding the electrical characteristics of the device and the netlist extracted from the layout data; a fourth step of determining whether the circuit characteristic is a desired characteristic; and a fifth step of changing one or both of layout data and process data if the circuit characteristic is not a desired characteristic.
and a sixth step in which the processes of the second to fifth steps are repeated until the circuit characteristics become desired characteristics.

【0013】この発明による第2の集積回路マスクのレ
イアウト装置は、入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する装置であって
、レイアウトデータとプロセスデータとを入力する入力
手段と、レイアウトデータとプロセスデータとに基いて
、デバイスの断面構造に関するデータを作成する断面構
造データ作成手段と、デバイスの断面構造に関するデー
タとあらかじめ設定されているバイアス条件とに基いて
、デバイスの電気的特性に関するデータを作成する電気
的特性データ作成手段と、デバイスの電気的特性に関す
るデータから抽出されるスパイスパラメータとレイアウ
トデータから抽出されるネットリストとに基いて、回路
特性に関するデータを作成する回路特性データ作成手段
と、当該回路特性が所望の特性であるか否かを判別する
判別手段と、当該回路特性が所望の特性でない場合には
、レイアウトデータおよびプロセスデータのうちの一方
または両方を変更するデータ変更手段と、当該回路特性
が所望の特性になるまで、断面構造データ作成手段、電
気的特性データ作成手段、回路特性データ作成手段、判
別手段およびデータ変更手段による処理を繰り返し行な
う手段と、を備えてなることを特徴とする。
A second integrated circuit mask layout device according to the present invention is a device that creates a layout of an integrated circuit mask based on input figures of each layer, and inputs layout data and process data. an input means, a cross-sectional structure data creation means for creating data regarding the cross-sectional structure of the device based on the layout data and the process data; Create data on circuit characteristics based on an electrical property data creation means that creates data on the electrical properties of the device, spice parameters extracted from the data on the electrical properties of the device, and a netlist extracted from the layout data. a determining means for determining whether the circuit characteristics are desired characteristics; and, if the circuit characteristics are not the desired characteristics, one or both of layout data and process data; data changing means for changing the circuit characteristics; and means for repeatedly performing processing by the cross-sectional structure data generating means, the electrical characteristic data generating means, the circuit characteristic data generating means, the determining means, and the data changing means until the circuit characteristics become desired characteristics. It is characterized by comprising the following.

【0014】又、この発明による集積回路マスクのレイ
アウト装置は、入力された各レイヤーの図形に基いて、
集積回路マスクのレイアウトを作成する装置であって、
レイアウトデータ入力とプロセスデータ入力とこれらの
データのうち変更可能なデータの指定入力と指定したデ
ータについての変更優先順位入力とを行なうための入力
手段と、レイアウトデータとプロセスデータとに基いて
、デバイスの断面構造に関するデータを作成する断面構
造データ作成手段と、デバイスの断面構造に関するデー
タとあらかじめ設定されているバイアス条件とに基いて
、デバイスの電気的特性に関するデータを作成する電気
的特性データ作成手段と、デバイスの電気的特性に関す
るデータから抽出されるスパイスパラメータとレイアウ
トデータから抽出されるネットリストとに基いて、回路
特性に関するデータを作成する回路特性データ作成手段
と、当該回路特性が所望の特性であるか否かを判別する
判別手段と、当該回路特性が所望の特性でない場合には
、上記指定入力されたデータを変更するデータ変更手段
と、当該回路特性が所望の特性になるまで、断面構造デ
ータ作成手段、電気的特性データ作成手段、回路特性デ
ータ作成手段、判別手段およびデータ変更手段による処
理を繰り返し行なう手段とを備え、データ変更手段が変
更優先順位の順に上記指定入力されたデータのうちの一
つのデータを変更することを特徴とする。
Further, the integrated circuit mask layout device according to the present invention performs the following operations based on the input figures of each layer.
A device for creating an integrated circuit mask layout, the device comprising:
input means for inputting layout data, inputting process data, inputting designation of data that can be changed among these data, and inputting change priority for the designated data; cross-sectional structure data creation means for creating data regarding the cross-sectional structure of the device; and electrical property data creation means for creating data regarding the electrical characteristics of the device based on the data regarding the cross-sectional structure of the device and preset bias conditions. a circuit characteristic data creation means for creating data regarding circuit characteristics based on spice parameters extracted from data regarding electrical characteristics of the device and a netlist extracted from layout data; a determining means for determining whether or not the circuit characteristic is the desired characteristic; a data changing means for changing the specified input data when the circuit characteristic is not the desired characteristic; The data changing means processes the specified input data in the order of change priority. It is characterized by changing one of the data.

【0015】[0015]

【作用】この発明による第1の集積回路マスクのレイア
ウト方法及び装置では、下地形状による寸法変化を検出
し、その寸法変化を補正する様にレイアウトデータが変
更される。従って、デザインルールはその領域毎に最小
のルールでレイアウトが可能になり、チップ面積を小さ
くすることができる。
In the first integrated circuit mask layout method and apparatus according to the present invention, a dimensional change due to the underlying shape is detected, and layout data is changed to correct the dimensional change. Therefore, the design rules can be laid out using the minimum rules for each area, and the chip area can be reduced.

【0016】この発明による第2の集積回路マスクのレ
イアウト方法では、まず、レイアウトデータとプロセス
データとを入力する(第1ステップ)。次に、レイアウ
トデータとプロセスデータとに基いて、デバイスの断面
構造に関するデータを作成する(第2ステップ)。次に
、デバイスの断面構造に関するデータとあらかじめ設定
されているバイアス条件とに基いて、デバイスの電気的
特性に関するデータを作成する(第3ステップ)。次に
、デバイスの電気的特性に関するデータから抽出される
スパイスパラメータとレイアウトデータから抽出される
ネットリストとに基いて、回路特性に関するデータを作
成する(第4ステップ)。
In the second integrated circuit mask layout method according to the present invention, first, layout data and process data are input (first step). Next, data regarding the cross-sectional structure of the device is created based on the layout data and process data (second step). Next, data regarding the electrical characteristics of the device is created based on data regarding the cross-sectional structure of the device and preset bias conditions (third step). Next, data regarding the circuit characteristics is created based on the spice parameters extracted from the data regarding the electrical characteristics of the device and the netlist extracted from the layout data (fourth step).

【0017】次に、当該回路特性が所望の特性であるか
否かを判別し、当該回路特性が所望の特性でない場合に
は、レイアウトデータおよびプロセスデータのうちの一
方または両方を変更する(第5ステップ)。
Next, it is determined whether or not the circuit characteristics are the desired characteristics, and if the circuit characteristics are not the desired characteristics, one or both of the layout data and the process data is changed (first step). 5 steps).

【0018】そして、当該回路特性が所望の特性になる
まで、上記第2ステップから第5ステップの処理を繰り
返して行なう(第6ステップ)。
[0018] Then, the processes from the second step to the fifth step are repeated until the circuit characteristics become the desired characteristics (sixth step).

【0019】この発明による第2の集積回路マスクのレ
イアウト装置は、上記方法を実現する。
A second integrated circuit mask layout apparatus according to the present invention implements the above method.

【0020】更に、この発明による集積回路マスクのレ
イアウト装置では、レイアウトデータ入力とプロセスデ
ータ入力とこれらのデータのうち変更可能なデータの指
定入力と指定したデータについての変更優先順位入力と
が入力手段によって行なわれる。
Further, in the integrated circuit mask layout apparatus according to the present invention, the input means includes layout data input, process data input, designation input of changeable data among these data, and change priority input for the designated data. It is carried out by

【0021】断面構造データ作成手段によって、データ
とプロセスデータとに基いて、デバイスの断面構造に関
するデータが作成される。
The cross-sectional structure data creating means creates data regarding the cross-sectional structure of the device based on the data and the process data.

【0022】電気的特性データ作成手段によって、デバ
イスの断面構造に関するデータとあらかじめ設定されて
いるバイアス条件とに基いて、デバイスの電気的特性に
関するデータが作成される。
The electrical characteristic data creating means creates data regarding the electrical characteristics of the device based on data regarding the cross-sectional structure of the device and preset bias conditions.

【0023】回路特性データ作成手段によって、デバイ
スの電気的特性に関するデータから抽出されるスパイス
パラメータとレイアウトデータから抽出されるネットリ
ストとに基いて、回路特性に関するデータが作成される
The circuit characteristic data creation means creates data regarding circuit characteristics based on spice parameters extracted from data regarding electrical characteristics of the device and netlists extracted from layout data.

【0024】判別手段によって、当該回路特性が所望の
特性であるか否かが判別される。当該回路特性が所望の
特性でない場合には、データ変更手段によって、上記指
定入力されたデータが変更される。そして、当該回路特
性が所望の特性になるまで、断面構造データ作成手段、
電気的特性データ作成手段、回路特性データ作成手段、
判別手段およびデータ変更手段による処理が繰り返し行
なわれる。
[0024] The determining means determines whether the circuit characteristic is a desired characteristic. If the circuit characteristic is not the desired characteristic, the data changing means changes the specified input data. Then, until the circuit characteristics become the desired characteristics, the cross-sectional structure data creation means,
Electrical characteristic data creation means, circuit characteristic data creation means,
Processing by the determining means and data changing means is repeated.

【0025】データ変更手段によるデータ変更は、変更
優先順位の順に上記指定入力されたデータのうちの一つ
のデータを変更することにより行なわれる。
Data modification by the data modification means is carried out by modifying one of the specified input data in the order of modification priority.

【0026】[0026]

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0027】図1〜図6は、この発明の第1実施例を示
している。
1 to 6 show a first embodiment of the present invention.

【0028】図1は、第1実施例のシステムの構成を示
すブロック図であり、1はマウス、キーボード等からな
るの情報入力手段であり、各レイヤーの素子、構成、デ
ザインルールなどのレイアウトデータを入力する。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the system of the first embodiment. Reference numeral 1 denotes an information input means consisting of a mouse, a keyboard, etc., which inputs layout data such as elements, configurations, and design rules of each layer. Enter.

【0029】2はレイアウトエディタよりなるマスクレ
イアウト手段であり、情報入力手段1より与えられたレ
イアウトデータに基づき各レイヤーのマスクレイアウト
を作成する。このマスクレイアウトを作成する際に、与
えられたデザインルールとして本実施例においては平坦
部で必要とされる寸法が設定されている。例えば、メタ
ルレイヤーでは、平坦部において必要とする最小の線幅
に設定されている。
Reference numeral 2 denotes a mask layout means consisting of a layout editor, which creates a mask layout for each layer based on the layout data given from the information input means 1. When creating this mask layout, in this embodiment, the dimensions required for the flat portion are set as a given design rule. For example, in a metal layer, the line width is set to the minimum required in a flat part.

【0030】このマスクレイアウト手段1により作成さ
れたマスクレイアウトデータは、一旦ハードディスクな
どからなるデータ記憶手段7に格納される。
The mask layout data created by the mask layout means 1 is temporarily stored in a data storage means 7 such as a hard disk.

【0031】3は段差部検出手段であり、マスクレイア
ウト手段2より与えられるレイアウトデータにより、レ
イヤーの交差点、すなわち、段差部を検出する。4は段
差部検出手段3より検出した段差部の下地形状を検出す
る形状シミュレータなどで構成された下地形状検出手段
であり、下地形状は与えられた段差部のレイアウトデー
タによりシミュレーションを行うことにより、段差部の
形状を導出することができる。この下地形状検出手段4
はLSI製造プロセスのうち写真製版、デポジション、
エッチング等の形状変化に関するプロセスをシミュレー
ションするもので、このシミュレーションの下地形状の
データをデータベースに蓄えている。
Reference numeral 3 denotes a step detecting means, which detects an intersection of layers, that is, a step, based on the layout data provided by the mask layout means 2. Reference numeral 4 denotes a base shape detecting means composed of a shape simulator or the like that detects the base shape of the step portion detected by the step detecting means 3, and the base shape is determined by simulating the base shape using the given layout data of the step portion. The shape of the stepped portion can be derived. This base shape detection means 4
Among the LSI manufacturing processes, photolithography, deposition,
It simulates processes related to shape changes such as etching, and data on the base shape of this simulation is stored in a database.

【0032】5は下地形状による寸法変化を検出する手
段であり、下地形状検出手段4による段差部の形状デー
タに基いて、レイアウト上の寸法から段差部における実
際の寸法を算出し、この部分のデザインルールを変更し
、この変更したデータを情報出力手段6に与える。
Reference numeral 5 denotes a means for detecting dimensional changes due to the shape of the base, and based on the shape data of the stepped portion obtained by the base shape detecting means 4, the actual dimensions of the stepped portion are calculated from the dimensions on the layout, and the actual dimensions of the stepped portion are calculated from the dimensions on the layout. The design rule is changed and the changed data is provided to the information output means 6.

【0033】この算出方法としては形状シミュレータを
用いるかあるいは下地形状のよる寸法の変化の実測デー
タを蓄積し、経験則により算出するように構成してもよ
い。上述した変更データは情報出力手段6からデータ記
憶手段7へ供給され、データ記憶手段7に記憶されてい
るレイアウトの該当部分が書き替えられる。
This calculation method may be configured to use a shape simulator or to accumulate actual measurement data of changes in dimensions due to the underlying shape and to calculate based on empirical rules. The above-mentioned change data is supplied from the information output means 6 to the data storage means 7, and the corresponding portion of the layout stored in the data storage means 7 is rewritten.

【0034】上述した各動作はCPUからなる制御手段
8の制御の下で行われる。
Each of the above-mentioned operations is performed under the control of control means 8 consisting of a CPU.

【0035】続いて、本発明の動作を図2〜図5に従い
更に説明する。図2は本発明の動作手順を示すフローチ
ャート、図3は本実施例のデータの流れを示す模式図、
図4は段差部の1例を示す平面図、図5は図4のA−A
’線断面図、図6は段差部の要部平面図である。
Next, the operation of the present invention will be further explained with reference to FIGS. 2 to 5. FIG. 2 is a flowchart showing the operating procedure of the present invention, FIG. 3 is a schematic diagram showing the data flow of this embodiment,
FIG. 4 is a plan view showing an example of the stepped portion, and FIG. 5 is A-A in FIG.
6 is a plan view of the main part of the stepped portion.

【0036】本実施例においては、図4に示すように、
ポリシリコンレイヤー17の上を第1のメタルレイヤー
18が交差している場合を例にとり説明する。
In this embodiment, as shown in FIG.
An example will be explained in which the first metal layer 18 crosses over the polysilicon layer 17.

【0037】このように2つのレイヤーが交差する場合
の形状を図5に示す。図5に示すように、基板15の上
にポリシリコンレイヤー17が配設され、そしてこの上
に層間絶縁膜としてのPSG膜21を介して第1のメタ
ルレイヤー18が設けられる。この図中19で示す領域
が段差による影響をメタルレイヤー18に与える。そこ
で、この部分でのメタル配線の段線を防止するために線
幅を大きくする必要がある。
FIG. 5 shows the shape when two layers intersect in this way. As shown in FIG. 5, a polysilicon layer 17 is provided on a substrate 15, and a first metal layer 18 is provided thereon with a PSG film 21 as an interlayer insulating film interposed therebetween. The region indicated by 19 in this figure gives the metal layer 18 an influence due to the difference in level. Therefore, it is necessary to increase the line width in order to prevent the metal wiring from forming a dashed line in this portion.

【0038】更に、このメタルレイヤー18の上に層間
絶縁膜23を介して第2のメタルレイヤーを設けこの第
2のメタルレイヤーと第1のメタルレイヤー18とをス
ルーホールを介して接続するために、層間絶縁膜23に
スルーホールを形成する。このスルーホールを形成する
ためにレジスト22を層間絶縁膜23の上に設け、この
レジスト22を写真製版工程によりパターニングを行う
Furthermore, a second metal layer is provided on this metal layer 18 with an interlayer insulating film 23 interposed therebetween in order to connect this second metal layer and the first metal layer 18 through a through hole. , a through hole is formed in the interlayer insulating film 23. In order to form this through hole, a resist 22 is provided on the interlayer insulating film 23, and this resist 22 is patterned by a photolithography process.

【0039】この写真製版工程においても、段差部によ
る影響がある。すなわち図中20で示す領域においては
、レジスト22の写真製版において、段差による光の反
射により図6に示すようにレジスタ22に形成されるマ
スクパターンのスルーホール24が図中aで示す分だけ
大きくなる。但し、レジスト22がポジ型レジストを用
いた場合である。そこでこの部分については、段差によ
る影響を考慮してスルーホール24のレイアウトを行え
ばよい。すなわち、光の反射により大きくなる分を考慮
し、その部分だけ、スルーホール24のレイアウトを小
さくすれば光の反射により拡大し、レジスタ22に形成
されるスルーホール24のパターンは実際に要求される
大きさのもの得られる。
This photoengraving process is also affected by the stepped portion. That is, in the area indicated by 20 in the figure, the through hole 24 of the mask pattern formed in the resist 22 is enlarged by the amount indicated by a in the figure, as shown in FIG. Become. However, this is a case where the resist 22 is a positive type resist. Therefore, regarding this portion, the layout of the through holes 24 may be done in consideration of the influence of the difference in level. In other words, if the layout of the through holes 24 is made smaller by that portion in consideration of the increase in size due to the reflection of light, the pattern of the through holes 24 formed in the register 22 will be adjusted to the actual required size. You can get the size.

【0040】従って、図中20で示す領域のスルーホー
ルに対しては、最初のレイアウトデータで形成すれば”
a”だけ大きくなっているので、最初のレイアウトデー
タを”a”だけ小さくするように補正すれば良い。しか
し、マスクを”a”だけ小さくすると、実際はマスクが
”a”だけ小さくなり、写真製版時の光量が減り期待す
る”a”の幅だけ寸法が大きくならない。そのため、レ
イアウトデータを”a”小さくする時、更に、補正値を
かける必要がある。
Therefore, if the through holes in the area indicated by 20 in the figure are formed using the initial layout data, "
Since it is larger by "a", you can correct the initial layout data to make it smaller by "a".However, if you make the mask smaller by "a", the mask will actually become smaller by "a", and photolithography When the amount of light decreases, the dimension does not increase by the expected width of "a".Therefore, when the layout data is made smaller by "a", it is necessary to further apply a correction value.

【0041】図3は、本実施例の各データの流れを示す
模式図であり、この図において、20はマスクレイアウ
ト手段としてのレイアウトエディタ、21は、下地形状
による寸法変化を行なうレイアウトデータ変換装置、2
2は形状シュミレータである。これらレイアウトエディ
タ20、レイアウトデータ変換装置21、形状シュミレ
ータ22は、コンピュータのソフトウエアで構成される
FIG. 3 is a schematic diagram showing the flow of each data in this embodiment. In this diagram, 20 is a layout editor as a mask layout means, and 21 is a layout data conversion device for changing dimensions depending on the underlying shape. ,2
2 is a shape simulator. These layout editor 20, layout data conversion device 21, and shape simulator 22 are configured by computer software.

【0042】23ないし26は各データが記憶されるハ
ードディスクなどからなる記憶手段であり、レイアウト
エディタ20により作成されたレイアウトデータはまず
、段差部レイアウトデータ記憶手段23に記憶される。 この段差部レイアウトデータ記憶手段23から、レイア
ウトデータが形状シュミレータ22並びにレイアウトデ
ータ変換装置21に与えられる。
Reference numerals 23 to 26 indicate storage means such as a hard disk in which each data is stored, and the layout data created by the layout editor 20 is first stored in the step layout data storage means 23. Layout data is provided from the step layout data storage means 23 to the shape simulator 22 and the layout data conversion device 21.

【0043】形状シュミレータ22は与えられたレイア
ウトデータに基き、エッチング、デボジションなどの各
設定条件等により下地断面形状をシュミレーションし、
そのシュミレーションデータの下地断面形状を記憶して
いる下地断面形状記憶手段24に与える。
The shape simulator 22 simulates the cross-sectional shape of the base based on the provided layout data and various setting conditions such as etching and deposition.
The simulation data is provided to the base cross-sectional shape storage means 24 which stores the base cross-sectional shape.

【0044】下地断面形状記憶手段24には、シュミレ
ーションデータに基く各下地断面形状が記憶されており
、この断面形状データが形状シュミレータ22に与えら
れる。形状シュミレータ22は与えられた断面形状デー
タに基いて、リソグラフィのシュミレーションを行い、
その段差により影響があるデータをレジスト寸法を記憶
しているレジスト寸法記憶手段25に与える。
The base cross-sectional shape storage means 24 stores each base cross-sectional shape based on simulation data, and this cross-sectional shape data is given to the shape simulator 22. The shape simulator 22 performs lithography simulation based on the given cross-sectional shape data,
Data affected by the step is provided to resist dimension storage means 25 that stores resist dimensions.

【0045】レジスト寸法記憶手段25からのレジスト
データがレイアウトデータ変換装置21に与える。
The resist data from the resist dimension storage means 25 is provided to the layout data conversion device 21.

【0046】レイアウトデータ変換装置21は段差部レ
イアウトデータ記憶手段23およびレジスト寸法記憶手
段25からのデータに基きレイアウト寸法を変更し、そ
の変更したデータを新しいレイアウトデータとしてレイ
アウトデータ記憶手段26に与える。
The layout data conversion device 21 changes the layout dimensions based on the data from the step layout data storage means 23 and the resist dimension storage means 25, and supplies the changed data to the layout data storage means 26 as new layout data.

【0047】次に、本実施例の動作を図2のフローチャ
ートに従い更に説明する。まず、デザインルール等のレ
イアウトデータに基いて、レイアウトエディタ20によ
り各レイヤーのレイアウトを作成する(ステップS1)
Next, the operation of this embodiment will be further explained with reference to the flowchart shown in FIG. First, a layout for each layer is created using the layout editor 20 based on layout data such as design rules (step S1).
.

【0048】続いて、このレイアウトエディタ20から
のレイアウトデータに基いて、レイアウトデータの交差
点、すなわち段差部を段差部検出手段3にて検出する(
ステップS2)。
Next, based on the layout data from the layout editor 20, the intersection of the layout data, that is, the stepped portion is detected by the step detecting means 3 (
Step S2).

【0049】その後、下地形状をデータベース14に格
納されている下地形状データに基いて、下地形状を検出
する(ステップS3)。
Thereafter, the base shape is detected based on the base shape data stored in the database 14 (step S3).

【0050】然る後、下地形状に基いて、データベース
15に格納されている各レイヤーの寸法を変化させる必
要を有するデータに基いて、レイアウトの寸法を変化し
(ステップS4)、レイアウトデータを変更して(ステ
ップS5)、動作を終了する。
[0050] After that, the dimensions of the layout are changed based on the data stored in the database 15 that requires changing the dimensions of each layer based on the base shape (step S4), and the layout data is changed. (Step S5), and the operation ends.

【0051】尚、上述した実施例においては、段差部に
よって、レイアウトの寸法を変更する場合について説明
したが、更に、回路動作上大きな電流が流れる部分には
、その電流による影響を考慮して、配線等の幅を変更す
るように構成しても良い。
[0051] In the above-mentioned embodiment, a case was explained in which the dimensions of the layout were changed by the stepped portion, but in addition, in the portion where a large current flows in circuit operation, taking into consideration the influence of the current, The configuration may be such that the width of the wiring etc. is changed.

【0052】図7および図8は、この発明の第2実施例
を示している。
FIGS. 7 and 8 show a second embodiment of the invention.

【0053】図7は、第2実施例のシステムの構成を示
すブロック図であり、31はマウス、キーボード等から
なるの情報入力手段であり、レイアウトデータおよびプ
ロセスデータが入力される。レイアウトデータとしては
、各レイヤーの素子、構成、デザインルール等がある。 プロセスデータとしては、不純物エネルギー、ドーズ量
、拡散時間等のプロセスパラメータ、プロセスフロー等
がある。
FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of a system according to the second embodiment. Reference numeral 31 denotes information input means consisting of a mouse, a keyboard, etc., into which layout data and process data are input. Layout data includes elements, configurations, design rules, etc. of each layer. The process data includes process parameters such as impurity energy, dose amount, and diffusion time, process flow, and the like.

【0054】32はレイアウトエディタであり、情報入
力手段31より与えられたレイアウトデータに基づき各
レイヤーのマスクレイアウトを作成する。このレイアウ
トエディタ32により作成されたマスクレイアウトデー
タは、一旦ハードディスクなどからなるデータ記憶手段
37に格納される。
A layout editor 32 creates a mask layout for each layer based on the layout data given from the information input means 31. The mask layout data created by this layout editor 32 is temporarily stored in a data storage means 37 such as a hard disk.

【0055】33はプロセスシュミレータであり、レイ
アウトエディタ32より与えられるマスクレイアウトデ
ータと情報入力手段31より与えられたプロセスデータ
とに基いて、酸化膜厚、不純物拡散深さ等のデバイス断
面構造に関するデータを作成する。
Reference numeral 33 denotes a process simulator, which generates data regarding the device cross-sectional structure, such as oxide film thickness and impurity diffusion depth, based on the mask layout data given by the layout editor 32 and the process data given by the information input means 31. Create.

【0056】34はデバイスシュミレータであり、プロ
セスシュミレータ33により与えられるデバイス断面構
造のデータと、バイアス条件とに基いて、デバイスの電
気的特性に関するデータを作成する。
A device simulator 34 creates data regarding the electrical characteristics of the device based on data on the device cross-sectional structure and bias conditions provided by the process simulator 33.

【0057】35は回路シュミレータであり、デバイス
シュミレータ34により与えられるデバイスの電気的特
性データから抽出されるスパイスパラメータと、マスク
レイアウトデータから抽出されるネットリストとに基い
て、遅延時間、出力波形等の回路特性に関するデータを
作成する。
A circuit simulator 35 calculates delay times, output waveforms, etc. based on spice parameters extracted from device electrical characteristic data given by the device simulator 34 and a netlist extracted from mask layout data. Create data regarding circuit characteristics.

【0058】36は、表示装置であり、レイアウト画面
、各シュミレータの結果を表示する。
A display device 36 displays a layout screen and the results of each simulator.

【0059】上述した各動作はCPUからなる制御手段
38の制御の下で行われる。
Each of the above-mentioned operations is performed under the control of a control means 38 consisting of a CPU.

【0060】次に、本実施例の動作を図8のフローチャ
ートに従い更に説明する。
Next, the operation of this embodiment will be further explained with reference to the flowchart of FIG.

【0061】まず、ユーザによって、レイアウトデータ
と、プロセスデータとが情報入力手段31から入力され
る(ステップS11)。
First, the user inputs layout data and process data from the information input means 31 (step S11).

【0062】次に、プロセスシュミレータ33によって
、レイアウトデータとプロセスデータとに基づいて、各
デバイスの断面構造に関するデータが作成される(ステ
ップS12)。この際、レイアウトの全部分についてシ
ユミレーションを行なう必要はなく、トランジスタ部、
フィールド酸化部といった部分をシュミレーションし、
全体に展開する。
Next, the process simulator 33 creates data regarding the cross-sectional structure of each device based on the layout data and process data (step S12). At this time, there is no need to simulate all parts of the layout;
We simulate parts such as field oxidation parts,
Expand throughout.

【0063】次に、デバイスシュミレータ34によって
、プロセスシュミレータ33により得られた各デバイス
の断面構造に関するデータと、あらかじめ設定されてい
るバイアス条件とに基づいて、各デバイスの電気的特性
に関するデータが作成される(ステップS13)。
Next, the device simulator 34 creates data regarding the electrical characteristics of each device based on the data regarding the cross-sectional structure of each device obtained by the process simulator 33 and preset bias conditions. (Step S13).

【0064】次に、回路シュミレータ35によって、デ
バイスシュミレータ34により得られた各デバイスの電
気的特性に関するデータから抽出されるスパイスパラメ
ータと、レイアウトデータから抽出されるネットリスト
とに基づいて、遅延時間、出力波形等の回路特性に関す
るデータが作成される(ステップS14)。
Next, the circuit simulator 35 calculates the delay time, Data regarding circuit characteristics such as output waveforms are created (step S14).

【0065】次に、回路シュミレータ35によって得ら
れた回路特性が、所望の特性であるか否かが判別され(
ステップS15)、所望の特性であれば、この処理は終
了する。
Next, it is determined whether the circuit characteristics obtained by the circuit simulator 35 are the desired characteristics (
Step S15): If the desired characteristics are obtained, this process ends.

【0066】回路シュミレータ35によって得られた回
路特性が、所望の特性でない場合には、レイアウトデー
タおよびプロセスデータのうちの一方または両方を変更
し(ステップS16)、ステップS12に戻り、ステッ
プS12〜S15の処理が行なわれる。そして、回路シ
ュミレータ35によって得られた回路特性が所望の特性
となるまで、ステップS12〜S15の処理が繰り返し
行なわれる。
If the circuit characteristics obtained by the circuit simulator 35 are not the desired characteristics, one or both of the layout data and process data is changed (step S16), the process returns to step S12, and steps S12 to S15 are performed. processing is performed. Then, the processes of steps S12 to S15 are repeated until the circuit characteristics obtained by the circuit simulator 35 become the desired characteristics.

【0067】上記ステップS16におけるレイアウトデ
ータおよびプロセスデータの変更は、ユーザが手動で行
なってもよいし、自動的に行なってもよい。
The layout data and process data in step S16 may be changed manually by the user or automatically.

【0068】レイアウトデータおよびプロセスデータの
変更を、自動的に行なうには、上記ステップS11のレ
イアウトデータおよびプロセスデータの入力時に、変更
可能なパラメータを指定入力するとともに指定したパラ
メータの変更優先順位を入力するようにし、上記ステッ
プS16の処理が行なわれる際に、優先順位順に1つの
パラメータを自動的に変更するようにすればよい。
To automatically change the layout data and process data, when inputting the layout data and process data in step S11 above, specify the changeable parameters and input the change priority of the specified parameters. Then, when the process of step S16 is performed, one parameter may be automatically changed in order of priority.

【0069】[0069]

【発明の効果】この発明による第1の集積回路マスクの
レイアウト方法およびこの発明による集積回路マスクの
レイアウト装置によれば、下地形状による寸法変化を検
出し、その寸法変化を補正する様にレイアウトデータを
変更することにより、デザインルールはその領域に最小
のルールでレイアウトを行なうことができる。従って、
チップ面積の小さなレイアウトを行なうことができる。
Effects of the Invention According to the first integrated circuit mask layout method and the integrated circuit mask layout apparatus according to the present invention, a dimensional change due to the underlying shape is detected, and the layout data is adjusted so as to correct the dimensional change. By changing the design rules, it is possible to perform layout in that area using the minimum rules. Therefore,
A layout with a small chip area can be achieved.

【0070】この発明による第2の集積回路マスクのレ
イアウト方法およびこの発明による集積回路マスクのレ
イアウト装置によれば、作成されたレイアウトのパター
ンの試作、評価を高速にでき、所望の回路特性を有する
レイアウトを効率よく作成できる。
According to the second integrated circuit mask layout method according to the present invention and the integrated circuit mask layout apparatus according to the present invention, it is possible to rapidly prototype and evaluate the created layout pattern, and it is possible to quickly produce and evaluate a created layout pattern, and to obtain a pattern having desired circuit characteristics. You can create layouts efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】この発明の第1実施例のシステム構成を示すブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the system configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第1実施例の動作を説明するフロー
チャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating the operation of the first embodiment of the present invention.

【図3】この発明の第1実施例のシステムのデータの流
れを示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the data flow of the system according to the first embodiment of the present invention.

【図4】LSIのレイアウト形状を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the layout shape of an LSI.

【図5】LSIのレイアウト形状を示す図4のA−A’
線断面図である。
[Figure 5] A-A' in Figure 4 showing the layout shape of the LSI
FIG.

【図6】LSIのレイアウト形状を示す要部拡大平面図
である。
FIG. 6 is an enlarged plan view of main parts showing the layout shape of the LSI.

【図7】この発明の第2実施例のシステム構成を示すブ
ロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing the system configuration of a second embodiment of the invention.

【図8】この発明の第2実施例の動作を説明するフロー
チャートである。
FIG. 8 is a flowchart illustrating the operation of a second embodiment of the invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2  マスクレイアウト手段 3  段差部検出手段 4  下地検出手段 5  寸法変化検出手段 8  制御手段 31  情報入力手段 32  レイアウトエディタ 33  プロセスシュミレータ 34  デバイスシュミレータ 35  回路シュミレータ 38  制御手段 2 Mask layout means 3 Step detection means 4 Base detection means 5 Dimensional change detection means 8 Control means 31 Information input means 32 Layout editor 33 Process simulator 34 Device simulator 35 Circuit simulator 38 Control means

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する方法であって
、マスクのレイアウトを作った後、レイアウトデータに
基き任意のレイヤーが交差する点の中から寸法に影響を
与える段差を有する個所を検出すると共に、この検出し
た段差部の形状を算出することにより下地形状を検出し
、この検出した下地形状に基いて、レイヤーのレイアウ
ト寸法を変更させることを特徴とする集積回路マスクの
レイアウト方法。
Claim 1: A method for creating a layout of an integrated circuit mask based on input figures of each layer, the method comprising: creating a layout of an integrated circuit mask, and then creating a layout between points where arbitrary layers intersect based on the layout data; Detecting a location with a step that affects the dimensions, detecting the base shape by calculating the shape of the detected step, and changing the layout dimensions of the layer based on the detected base shape. An integrated circuit mask layout method characterized by:
【請求項2】  入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する装置であって
、レイアウトデータとプロセスデータとを入力する入力
手段と、この入力手段からのデータにより、マスクのレ
イアウトを作成する手段と、レイアウトデータに基き任
意のレイヤーが交差する点の中から寸法に影響を与える
段差を有する個所を形成する検出する手段と、この検出
手段にて検出した段差部の形状を算出することにより下
地形状を検出する手段と、この検出した下地形状に基い
て、レイヤーのレイアウト寸法を変更させる手段と、を
備えてなる集積回路マスクのレイアウト装置。
2. An apparatus for creating a layout of an integrated circuit mask based on input figures of each layer, comprising: input means for inputting layout data and process data; and data from the input means. means for creating a mask layout; means for detecting a location with a step that affects dimensions from points where arbitrary layers intersect based on the layout data; A layout device for an integrated circuit mask, comprising means for detecting a base shape by calculating the shape, and means for changing layout dimensions of a layer based on the detected base shape.
【請求項3】  入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する方法であって
、レイアウトデータとプロセスデータとを入力する第1
ステップと、レイアウトデータとプロセスデータとに基
づいて、デバイスの断面構造に関するデータを作成する
第2ステップと、デバイスの断面構造に関するデータと
あらかじめ設定されているバイアス条件とに基いて、デ
バイスの電気的特性に関するデータを作成する第3ステ
ップと、デバイスの電気的特性に関するデータから抽出
されるスパイスパラメータとレイアウトデータから抽出
されるネットリストとに基いて、回路特性に関するデー
タを作成する第3ステップと、当該回路特性が所望の特
性であるか否かを判別する第4ステップと、当該回路特
性が所望の特性でない場合には、レイアウトデータおよ
びプロセスデータのうちの一方または両方を変更する第
5ステップと、当該回路特性が所望の特性になるまで、
上記第2ステップから第5ステップの処理を繰り返して
行なう第6ステップとからなることを特徴とする集積回
路マスクのレイアウト方法。
3. A method for creating a layout of an integrated circuit mask based on input figures of each layer, the method comprising a first step of inputting layout data and process data.
a second step of creating data regarding the cross-sectional structure of the device based on the layout data and the process data; a third step of creating data regarding the characteristics; a third step of creating data regarding the circuit characteristics based on the spice parameters extracted from the data regarding the electrical characteristics of the device and the netlist extracted from the layout data; a fourth step of determining whether the circuit characteristic is a desired characteristic, and a fifth step of changing one or both of the layout data and the process data if the circuit characteristic is not the desired characteristic. , until the circuit characteristics become the desired characteristics.
A method for layout of an integrated circuit mask, comprising a sixth step in which the processes from the second step to the fifth step are repeated.
【請求項4】  入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する装置であって
、レイアウトデータとプロセスデータとを入力する入力
手段と、レイアウトデータとプロセスデータとに基いて
、デバイスの断面構造に関するデータを作成する断面構
造データ作成手段と、デバイスの断面構造に関するデー
タとあらかじめ設定されているバイアス条件とに基いて
、デバイスの電気的特性に関するデータを作成する電気
的特性データ作成手段と、デバイスの電気的特性に関す
るデータから抽出されるスパイスパラメータとレイアウ
トデータから抽出されるネットリストとに基いて、回路
特性に関するデータを作成する回路特性データ作成手段
と、当該回路特性が所望の特性であるか否かを判別する
判別手段と、当該回路特性が所望の特性でない場合には
、レイアウトデータおよびプロセスデータのうちの一方
または両方を変更するデータ変更手段と、当該回路特性
が所望の特性になるまで、断面構造データ作成手段、電
気的特性データ作成手段、回路特性データ作成手段、判
別手段およびデータ変更手段による処理を繰り返し行な
う手段と、を備えてなる集積回路マスクのレイアウト装
置。
4. An apparatus for creating a layout of an integrated circuit mask based on the input figures of each layer, the apparatus comprising: input means for inputting layout data and process data; and input means for inputting layout data and process data; cross-sectional structure data creation means for creating data on the cross-sectional structure of the device based on the data on the cross-sectional structure of the device; and electrical characteristics for creating data on the electrical characteristics of the device based on the data on the cross-sectional structure of the device and preset bias conditions. a data creation means; a circuit property data creation means for creating data on circuit characteristics based on spice parameters extracted from data on electrical characteristics of the device and a netlist extracted from layout data; a determining means for determining whether the circuit characteristic is a desired characteristic; a data changing means for changing one or both of layout data and process data when the circuit characteristic is not the desired characteristic; An integrated circuit mask layout device comprising: means for repeatedly performing processing by a cross-sectional structure data generating means, an electrical characteristic data generating means, a circuit characteristic data generating means, a determining means, and a data changing means until desired characteristics are achieved. .
【請求項5】  入力された各レイヤーの図形に基いて
、集積回路マスクのレイアウトを作成する装置であって
、レイアウトデータ入力とプロセスデータ入力とこれら
のデータのうち変更可能なデータの指定入力と指定した
データについての変更優先順位入力とを行なうための入
力手段と、レイアウトデータとプロセスデータとに基い
て、デバイスの断面構造に関するデータを作成する断面
構造データ作成手段と、デバイスの断面構造に関するデ
ータとあらかじめ設定されているバイアス条件とに基い
て、デバイスの電気的特性に関するデータを作成する電
気的特性データ作成手段と、デバイスの電気的特性に関
するデータから抽出されるスパイスパラメータとレイア
ウトデータから抽出されるネットリストとに基いて、回
路特性に関するデータを作成する回路特性データ作成手
段と、当該回路特性が所望の特性であるか否かを判別す
る判別手段と、当該回路特性が所望の特性でない場合に
は、上記指定入力されたデータを変更するデータ変更手
段と、当該回路特性が所望の特性になるまで、断面構造
データ作成手段、電気的特性データ作成手段、回路特性
データ作成手段、判別手段およびデータ変更手段による
処理を繰り返し行なう手段とを備え、データ変更手段が
変更優先順位の順に上記指定入力されたデータのうちの
一つのデータを変更することを特徴とする集積回路マス
クのレイアウト装置。
5. An apparatus for creating a layout of an integrated circuit mask based on the inputted figures of each layer, the apparatus comprising inputting layout data, inputting process data, and inputting designation of changeable data among these data. an input means for inputting change priority for specified data; a cross-sectional structure data creation means for creating data regarding the cross-sectional structure of the device based on layout data and process data; and data regarding the cross-sectional structure of the device. an electrical characteristic data creation means for creating data regarding the electrical characteristics of the device based on the bias conditions set in advance; and a spice parameter extracted from the data regarding the electrical characteristics of the device and the layout data. a circuit characteristic data creation means for creating data regarding circuit characteristics based on a netlist, a determining means for determining whether or not the circuit characteristics are desired characteristics, and when the circuit characteristics are not the desired characteristics; includes a data changing means for changing the specified input data, a cross-sectional structure data generating means, an electrical characteristic data generating means, a circuit characteristic data generating means, a determining means, and a cross-sectional structure data generating means until the circuit characteristics become the desired characteristics. 1. A layout device for an integrated circuit mask, comprising means for repeatedly performing processing by the data changing means, wherein the data changing means changes one of the specified input data in order of change priority.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6536015B2 (en) 2000-07-05 2003-03-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium
US7356795B2 (en) 2001-10-26 2008-04-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same
US7709899B2 (en) 2004-03-31 2010-05-04 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor apparatus

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