JPH04217846A - 回転整流器アセンブリの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、改良された整流器アセンブリを
製造する方法に関し、特に、例えば発電機の回転子のよ
うな回転子内に配置されて該回転子と一緒に高速で回転
されるように適合された整流器アセンブリを製造する方
法に関する。

【０００２】

【背景技術】航空機で用いられる高速発電機のような発
電機において、回転整流器アセンブリを用いることは知
られている。回転整流器アセンブリを用いれば、しばし
ば保守及び／または取り替えを必要とするブラシを除去
するのを許容する。

【０００３】代表的なブラシなし発電機は、主発電機、
励磁機及び磁石発電機を含んだ３つの個別の発電装置を
有する。磁石発電機は、１組の巻線内に電流場を誘導す
るように用いられる磁界を創設するための永久磁石を含
む。この誘導された電流は次に、励磁機内に磁界を発生
するように用いられ；そしてこの磁界は、次に、代表的
には三相交流の、より高い均一レベルの電流を誘導する
よう用いられ、該電流は次に、主発電機に対する磁界を
発生するように用いられる。

【０００４】ブラシの使用を避けるためには、系統の出
力を主発電機の固定子から取ることができるように、磁
界及び主発電機は回転子内にあることが必要である。回
転子内に適切な磁界を発生するためには、交流電流と対
立するような直流電流を用いることが必要である。励磁
機の出力は交流電流であるので、この電流は直流電流に
整流されなければならない。整流器アセンブリはこの目
的で用いられる。ブラシ手段を避けるために、励磁機及
び主発電機の界磁巻線を相互接続する整流器アセンブリ
は発電機の回転子によって担持されることが必要である
。米国特許第４，５７０，０９４号；第４，６０３，３
４４号及び第４，６２８，２１９号の各明細書には、既
知の回転整流器アセンブリの例が開示されている。

【０００５】発電機の回転子内に担持される回転整流器
アセンブリは高い遠心荷重を受け、それ故、かかる力に
逆らって整流器の要素を適切に支持するのを確実にする
ために多くの注意を払わなければならない。例えば、或
る整流器は、３０，０００　ｒｐｍ　と同程度の高速に
耐えるよう設計されなければならない。整流器アセンブ
リ内に用いられるダイオード半導体デバイスもまた、使
用中に熱の形態で電力を消失する。冷却に対する適当な
注意がなければダイオード半導体デバイスは故障するで
あろう。上述の米国特許明細書の既知の回転整流器アセ
ンブリにおいては、ダイオード半導体デバイス及びアセ
ンブリの他の要素は、良好な電気接触を維持するために
、かつダイオード・ウエハの、隣接のヒートシンクとの
接触を維持するために、整流器アセンブリの回転軸に沿
った方向に圧縮され、ダイオード半導体デバイスの冷却
は、ヒートシンクと接触する冷却材の循環により達成さ
れる。

【０００６】航空機の発電装置においては、通常の信頼
性に関する事項に加えるに、大きさ及び重量制限が重要
である。簡潔化、もしくは回転子の制限の欠如は、軸受
け及びハウジングの大きさの或る選択を指図し、従って
、系統の重量に影響する。回転整流器アセンブリは、回
転子の部分を形成し、従ってその大きさに影響するので
、その大きさ及び重量を最小にするためにあらゆる努力
が為される。

【０００７】

【発明の開示】本発明の目的は、上述した問題の１つま
たは２つ以上を克服した改良された回転整流器アセンブ
リを製造する方法を提供することである。特に、本発明
の目的は、大いに信頼性のある比較的小さいサイズ及び
重量の新規かつ改良された回転整流器アセンブリを提供
することである。

【０００８】本発明のさらなる目的は、ダイオード半導
体デバイスが、整流器アセンブリの回転中に生じる高い
遠心荷重に逆らって適切に支持され、かつ同時に該ダイ
オード半導体デバイスは、アセンブリの軸方向の前荷重
もしくは前偏倚に起因して整流器アセンブリの他の要素
にかかる圧縮応力から解放される、という改良された回
転整流器アセンブリを提供することである。

【０００９】本発明のもう１つの目的は、ダイオード半
導体デバイスの早期の故障を避けるよう効果的かつ直接
の冷却を行うようにした改良された整流器アセンブリを
提供することであり、かつ該改良された整流器アセンブ
リを製造する方法を提供することである。

【００１０】これら及び他の目的は、回転整流器アセン
ブリの回転軸に沿って配列された複数の要素と、該要素
を、前記回転軸に沿った方向に一緒に押しやる手段と、
を備え、かつ前記押しやる手段から前記アセンブリの要
素にかかる軸方向力が少なくとも１つのダイオード半導
体デバイスに伝達されないように前記アセンブリの前記
少なくとも１つの要素上に少なくとも１つのダイオード
半導体デバイスを支持するための手段が設けられた本発
明の回転整流器アセンブリにより達成される。特にダイ
オード半導体デバイスが高速回転中の遠心荷重を受ける
場合に、ダイオード半導体デバイスにかかる圧縮応力を
軽減すれば、ダイオード半導体デバイスの応力に関係し
た故障の可能性を減じる。

【００１１】本発明の改良された回転整流器アセンブリ
は、さらに、ダイオード半導体デバイスを冷却するため
に、少なくとも１つのダイオード半導体デバイスと直接
接触して整流器アセンブリを通して液体冷却材を流すた
めの手段を設けたことを特徴としている。回転整流器ア
センブリは、回転するとき液体冷却材に対する遠心分離
機として働く。回転中の流体力学作用により、ガス、通
常は空気は、液体冷却材、代表的には油から離されて整
流器アセンブリの中心に分離されるということが分かっ
ている。これは、冷却されるべき表面に液体が接触する
のを避けることにより、冷却効率を減じ得る。本発明の
整流器アセンブリは、分離されたガスを該アセンブリか
ら逃すために整流器アセンブリの回転軸に沿って位置付
けられる手段を設けることによりこの問題を除去してい
る。

【００１２】本発明の開示された好適な形態においては
、回転整流器アセンブリは、概して管状のハウジングと
、該ハウジング内に配列された少なくとも１つのダイオ
ード・サブアセンブリとを備え、該サブアセンブリは、
少なくとも１つのダイオード半導体デバイスと、該少な
くとも１つの半導体デバイスの一側に装着された支持体
と、該少なくとも１つの半導体デバイスの反対側に装着
されたコネクタ手段と、を含んでいる。少なくとも１つ
のダイオード半導体デバイスは、支持体及びコネクタ手
段に半田付けにより装着されるのが好ましい。

【００１３】開示された実施例における支持体は、整流
器アセンブリの回転軸を横切って延びるプレートの形態
にある。回転のための少なくとも１つのダイオード・サ
ブアセンブリを該アセンブリのハウジングと結合するた
めの手段が設けられる。本発明の開示された形態におい
て、この手段は、ハウジングの内側の協働溝内に受けら
れる支持プレート上のタブを含んでいる。整流器アセン
ブリはさらに、少なくとも１つの半導体デバイスを圧縮
的に負荷付けるもしくは偏倚させることなく、該ハウジ
ング内に少なくとも１つのダイオード・サブアセンブリ
を軸方向に位置付けるための手段を含んでいる。この配
列の結果として、アセンブリの他の要素にかかる軸方向
の荷重により圧縮されることなく、少なくとも１つのダ
イオード半導体デバイスはハウジング内にしっかりと支
持される。

【００１４】少なくとも１つの半導体デバイスの直接の
冷却のための液体冷却材を整流器アセンブリを通して循
環させるための通路手段が、整流器アセンブリ内に設け
られる。本発明の付加的な特徴として、上述の少なくと
も１つのダイオード・サブアセンブリの支持体には、該
支持体を貫通する穴が、整流器アセンブリの回転軸上に
設けられ、これにより、整流器アセンブリの回転中に液
体冷却材から遠心的に分離されたガスを逃がすのを許容
する。整流器アセンブリの付加的な要素、開示された実
施例では抵抗器、が、アセンブリ・ハウジング内で少な
くとも１つのダイオード・サブアセンブリと隣接して整
流器アセンブリの回転軸上に置かれる。支持体及び付加
的な要素の少なくとも一方には、支持体内の全体と連通
して内部に形成された半径方向に向けられるスロットが
設けられる。スロットは、液体冷却材から遠心的に分離
されたガスが支持体内の穴に移動してアセンブリから排
出するための通路として働く。

【００１５】本発明の開示された形態におけるダイオー
ド・サブアセンブリは、複数個のダイオード半導体デバ
イスを含み、該デバイスは各々、支持体上の複数の離間
した場所の１つに配置されて多相の交流電流のそれぞれ
の相を整流し、特定的には、３つの離間された場所が用
いられて整流器アセンブリに入力される３相の交流電流
を整流する。それぞれの離間された場所のダイオード半
導体デバイスを物理的かつ電気的に分離するための絶縁
手段が、支持体とコネクタ手段との間に延びる。コネク
タ手段は、複数個の離間した場所のそれぞれの１つと関
連した複数個の薄いコネクタ・プレートを備えている。 それぞれの電気導体をコネクタ・プレートに接続するた
めの電気端子手段がコネクタ・プレートの各々上に設け
られ、交流電流のそれぞれの相をダイオード・サブアセ
ンブリのダイオードに入力させる。

【００１６】さらに、好適な実施例によれば、整流器ア
センブリは、入力の三相交流電流を取り、直流電圧を出
力するための全波ブリッジ整流器を一緒に形成する一対
のダイオード・サブアセンブリを備えている。一対のダ
イオード・サブアセンブリは、該サブアセンブリ間に配
置されるセパレータにより整流器アセンブリの回転軸に
沿って離間した関係で整流器アセンブリのハウジング内
に配列される。一対のサブアセンブリの各々のコネクタ
手段は、離間した関係で互いに向かい合っている。コネ
クタ手段及びサブアセンブリのダイオード半導体デバイ
スは、内部に形成された空間を有しており、該空間を通
してセパレータのそれぞれの端が延び、セパレータの端
がサブアセンブリのそれぞれの支持体に接触してハウジ
ング内の要素を軸方向にロックしつつ、ダイオード半導
体デバイスの圧縮性荷重を避けるようにして延びる。こ
の後者の目的で、回転整流器アセンブリはさらに、互い
にの方向に向かってかつセパレータに対して一対のサブ
アセンブリを弾性的に偏倚するための手段を含んでいる
。セパレータは絶縁体から形成され、かつ、各サブアセ
ンブリ上のダイオード半導体デバイス及びコネクタ手段
の部分を、それぞれの離間した場所で互いから物理的か
つ電気的に分離するような形状を有している。また、セ
パレータ及びサブアセンブリの相対的な回転を避けるた
めの手段も設けられる。

【００１７】本発明の改良された回転整流器アセンブリ
の上述の説明から、本発明による回転整流器アセンブリ
を製造する方法は、回転整流器アセンブリの概して管状
のハウジング内に配列された該回転整流器アセンブリの
要素を軸方向に負荷付けするもしくは偏倚する段階を含
み、さらに前記回転整流器アセンブリのダイオード半導
体デバイスが前記回転整流器アセンブリの他の要素の前
記軸方向偏倚により圧縮されないように、該ダイオード
半導体デバイスを前記回転整流器アセンブリの前記他の
要素との関係で前記ハウジング内に支持する段階を含み
、これにより、前記要素の軸方向偏倚に起因して前記ダ
イオード半導体デバイス上にかかる圧縮応力を避けるよ
うにしている。さらに、該方法によれば、ダイオード半
導体デバイスを冷却するために該ダイオード半導体と直
接接触させて前記整流器アセンブリを通して液体冷却材
が流される。該方法の付加的な段階として、前記整流器
アセンブリの回転中に前記冷却液体から遠心的に分離さ
れたガスが、前記整流器アセンブリの軸に沿って配置さ
れた通路手段を通して前記整流器アセンブリから逃れる
のを許容される。

【００１８】本発明のこれら及び他の目的、特徴並びに
長所は、添付図面に関連させて為される以下の説明から
一層明瞭となるであろう。なお、以下では説明のため、
本発明によるただ１つの好適な実施例を示すだけに留ど
めた。

【００１９】

【発明を実施するための最良の態様】図を参照すると、
本発明の回転整流器アセンブリ１が、図１８に示される
ブラシなし回転発電機２に使用される状態で図式的に示
されている。ブラシなし発電機は、或る適切な手段によ
って軸支された長いシャフト３を含んでおり、シャフト
３はそれらの上に一連の永久磁石４を有する。巻線６が
設けられた固定子５は磁石４を囲み、該磁石と共に磁石
発電機を限定する。シャフト３の回転中に巻線６に生成
される電流は、適切な導体を介して励磁機固定子８の巻
線７に与えられる。巻線９は、励磁機固定子８と軸方向
に整列してシャフト３により担持され、該巻線９内には
、シャフトの回転中に電流が誘導される。

【００２０】巻線９内に誘導される電流は、シャフト内
に含まれる整流器アセンブリ１に与えられ、そこで、整
流器アセンブリに供給される三相交流電流から直流電流
に整流される。整流器１からの直流電流は、次に、シャ
フト３によって担持される主界磁巻線１０に与えられる
。主界磁巻線は回転可能であり、かつ主発電機固定子１
１と整列している。固定子１１は、交流電流が誘導され
る巻線１２を含んでおり、該巻線１２は、図示されてい
ない適切な導体によって適切な負荷に接続され得る。 航空機エンジンのようなエンジンが、交流電力を生成す
るためのブラシなし発電機２のシャフト３を回転させる
ために用いられ得る。これの回転中、整流器アセンブリ
１及びシャフト３は、例えば、３０、０００　ｒｐｍま
での高速で軸線Ａ−Ａの回りを回転される。

【００２１】発電機２を冷却するためにシャフト３には
、その両端部において油入口１３と、油出口１４とが設
けられている。シャフト内に導入された油は、巻線９及
び１０並びに整流器アセンブリ１を冷却するために用い
られ、そしてシャフト３を回転的に支持するベアリング
との接続において潤滑のために用いられ得る。

【００２２】図１、図５及び図１７を参照すると、本発
明の回転整流器アセンブリ１は概して管状のハウジング
１５を含んでおり、ハウジング１５は、該ハウジングと
一緒に回転するようハウジング１５内に配列された一対
のダイオード・サブアセンブリ１６及び１７を有してい
るということが分かる。

【００２３】図５の分解図におけるセクタＡは、ダイオ
ード・サブアセンブリ１７を示す。該サブアセンブリ１
７は、個々の複数のダイオード半導体デバイス１８のア
レーを含んでおり、該ダイオード半導体デバイス１８の
両側には、厚いベース・プレート１９と薄い頂部コネク
タ・プレート２０、２１及び２２とが付着されている。 ダイオード半導体デバイス１８の各々は、以後説明され
るような冷却目的のために、液体冷却材がダイオード半
導体デバイスと密着するのを可能にするためにガラス製
のカプセルに包まれている。ダイオード半導体デバイス
１８のそれぞれの端部は、ベース・プレート１９とコネ
クタ・プレート２０、２１及び２２とに半田付けによっ
て固定されるのが好ましい。ベース・プレートは導電性
である。実施例では、ベース・プレートは、銀めっきさ
れた無酸素銅から形成され得る。開示された実施例にお
けるベース・プレートの厚さは、．１０２　＋／−　．
００２　インチであり、かつ該ベース・プレートが　１
．２５０±　．００２　インチの内側直径を有する管状
のハウジング１５内に適合し得るような外側直径を有し
、その場合、ベース・プレートは、ハウジング１５及び
アセンブリ１の回転軸線Ａ−Ａに垂直に延びる。

【００２４】薄い頂部コネクタ・プレート２０、２１及
び２２もまた、例えば、．０２０　インチの厚さを有す
る、例えば、銀めっきされたベリリウム銅のような導体
物質から形成され、そして管状のハウジング１５内に適
合するような大きさである。ダイオード半導体デバイス
１８は、ベース・プレート１９上の間隔を置かれた場所
に３つの群で配列される。電流搬送能力のための並列な
５つのダイオードが、各群または場所内に置かれる。半
径方向外方に向けられた線状の空間が、ベース・プレー
ト１９上に配列されたダイオード半導体１８のそれぞれ
の群間に形成される。コネクタ・プレート２０、２１及
び２２は、ダイオード半導体デバイス１８のそれぞれの
群に接続され、その場合、これらコネクタ・プレートも
また、ベース・プレート１９上のダイオード半導体デバ
イス１８の群間の空間と合致する、等角で半径方向に向
けられた線状の空間によって互いに間隔を置かれている
。

【００２５】図４の電気図をも参照もすると、セクタＡ
のダイオード・サブアセンブリ１７は、アセンブリ１の
全波ブリッジ整流器の半分を形成する。ダイオード・サ
ブアセンブリ１６は、他の半分の全波ブリッジを形成す
る。ダイオード・サブアセンブリ１６は、ダイオード・
サブアセンブリ１７と同様の構造を有するが、ダイオー
ド・サブアセンブリ１７と比較して、管状のハウジング
１５内で反対方向に向く。

【００２６】リングつまみ端子２３は、ダイオード半導
体デバイス１８に付着された側とは反対のコネクタ・プ
レートの側で、各サブアセンブリのそれぞれのコネクタ
・プレート２０、２１及び２２の表面に半田付けによる
等して付着されている。リングつまみ端子２３は交流端
子であり、その端子には、薄い頂部コネクタ・プレート
への、次にダイオード装置１８への電気接続を為すため
に、外部電源からアセンブリ１のハウジング１５までの
リード２４が、ボルト２５及びナット２６によって接続
される。特に、図１、図９、図１４及び図１６に示され
るように、可橈性の交流リード２４は、交流端子支持ハ
ウジング２７及び互いに面する２つのダイオード・サブ
アセンブリの頂部コネクタ・プレート間に挿間されて、
図１及び図４のセクタＢに見られるように、全波ブリッ
ジを達成している。

【００２７】サブアセンブリ１６及び１７の各ベース・
プレート１９は、ハウジング１５の内側直径内に導かれ
、ハウジング１５と一体のみぞ２９内で係合するタブ２
８によってハウジング内に位置付けられる。この配置は
、サブアセンブリ１６及び１７と管状のハウジング１５
との間の相対的な回転を妨げる。ボルト２５が延びる各
頂部のコネクタ・プレートに付着されるリングつまみ端
子のタブは、半径方向支持の目的でハウジング１５の内
径に接近されるように形成される。

【００２８】回転整流器アセンブリ１は、さらに、例え
ば、Ａｍｏｃｏ　による　Ｔｏｒｌｏｎ　のようなポリ
アミド・イミド・プラスチックのような絶縁体から成る
セパレータ３０を含んでいる。セパレータ３０は、セパ
レータ３０の端部がそれぞれのサブアセンブリ１６及び
１７のベース・プレート１９に対して位置付けられるよ
うに、薄い頂部コネクタ・プレート２０、２１及び２２
とダイオード半導体デバイス１８の群との間の空間に適
合する。セパレータの３つの脚の各々は、ダイオード・
サブアセンブリ１６及び１７の各々のベース・プレート
１９内の関連のみぞ３２内に適合する一体のタブで３１
で形成される。 この配置は、アセンブリ１が回転するときセパレータに
正駆動をもたらす。セパレータ３０のソリッドなもしく
は忠実の連続的な形態により、また、該セパレータ３０
は、ダイオード半導体デバイスのそれぞれの群に導通さ
れる三相交流電流を互いに、物理的かつ電子的に分離す
るのを可能とする。セパレータ３０の各端は、対向する
ダイオード・サブアセンブリの１つのベース・プレート
１９と接触する。この態様でセパレータ３０はまた、ハ
ウジング１５内の要素に加えられる波ばね３３によって
生ぜられる軸方向力により、ダイオード・アセンブリの
要素上に圧縮応力を伝える。それによってセパレータ３
０は、ばね３３からの力でダイオード半導体デバイス１
８を負荷することなく要素が圧縮されるのを可能とする
。

【００２９】交流端子支持ハウジング２７は、ハウジン
グ１５の閉じられた端に位置付けられて、交流リード２
４及び油送管３４を配置する。アセンブリ１を介して循
環される代表的には油である冷却材の漏れを密閉するた
めに、あらかじめ形成されたパッキング３５及び３６が
、油送管３４と交流端子２７との間に、及び交流端子支
持２７の周辺とハウジング１５の内部直径との間に置か
れ、ここに油送管３４は、アセンブリ１への冷却材用入
口を構成する。実施例では、交流端子支持ハウジング２
７は、Ａｍｏｃｏ　による　Ｔｏｒｌｏｎ　のような例
えばポリアミド−イミド・プラスチック（ａ　ｐｏｌｙ
ａｍｉｄｅ−ｉｍｉｄｅ　ｐｌａｓｔｉｃ）のような絶
縁体から形成され得る。

【００３０】抑制抵抗器３７は、交流端子支持ハウジン
グ２７及びダイオード・サブアセンブリ１６のベース・
プレート１９間でハウジング１５内に適合する。本発明
の回転整流器アセンブリ１の基本回路を示す電気図式図
から分かるように、整流器アセンブリは、Ｐ１、Ｐ２及
びＰ３において入力三相交流電圧を得、Ｆ＋及びＦ−に
おいて直流電圧を出力する全波ブリッジ整流器である。 このことは、ダイオード半導体デバイス１８の既述の配
列によって達成される。この図に示されたような抑制抵
抗器３７は、逆電圧過渡に対して保護を与えるよう働く
。

【００３１】整流器アセンブリ１の反対の端において、
サブアセンブリ１６及び１７のそれぞれのベース・プレ
ート１９に電気的に接続される一対の直流終結ピン３８
及び３９が、直流端子支持ハウジング４０によって適所
に保持される。以後説明されるように油流れのためにス
カラップ型にされるスペーサ４１が含まれており、これ
により、ダイオード・アセンブリ、すなわち管状ハウジ
ング１５内の要素のアセンブリに、該アセンブリが取り
付けられるハウジング１５に対する適当な内部長さを与
える。波ばね３３及びばね台４２は、止め輪４３及び直
流端子支持ハウジング４０間に置かれる。先に示された
ように、波ばね３３によって生ぜられる軸方向力は、整
流器アセンブリ１の高速回転中、ハウジング内の固定の
軸方向位置にそれらを保持するために、ハウジング１５
内のダイオード・アセンブリの要素を圧縮する。

【００３２】回転整流器アセンブリ１はまた、ダイオー
ド半導体デバイス１８と、ベース・プレート１９と、各
ダイオード・サブアセンブリ１６及び１７の薄い頂部コ
ネクタ・プレート２０、２１及び２２と、そしてまた抵
抗器３７とのすべての回りで冷却材油の自由な流れを許
容するようにも構成される。特に、油は油送管３４によ
ってハウジング１５内に入り、そして抵抗器３７を囲む
空洞４４への交流端子支持ハウジング２７内の通路を通
して配分される。空洞４４から、液体冷却材は、ベース
・プレート１９と、薄い頂部コネクタ・プレート２０、
２１及び２２と、ダイオード半導体デバイス１８とを囲
むよう軸方向に進行する。少量の油は、抽出孔４５を通
して半径方向に通り、残りは、直流端子支持ハウジング
４０内の中央開口４６を通して入り口とは反対の端に出
るまで、整流器アセンブリ１を通して軸方向に流れ続け
る。

【００３３】整流器アセンブリ１は、回転するとき遠心
分離機として働く。回転中の流体力学作用では、油がハ
ウジング１５の内側直径に押しやられ、空気はそれに続
いて中央に分離される。本発明によると、この空気の通
路が、整流器アセンブリを通して回転軸線Ａ−Ａに沿っ
て含まれており、これにより、アセンブリから空気が逃
げるのを許容する。この目的のため、抑制抵抗器３７の
回りの空洞４４を、ダイオード・サブアセンブリ１６の
ベース・プレート１９の中央の孔４８と接続させるため
に、みぞもしくはスロット４７が抑制抵抗器３７の小さ
い端部に形成される。空気の通路は、セパレータ３０の
中央の回りで、ダイオード・サブアセンブリ１７のベー
ス・プレート１９の中央の孔４８を通して続く。次に空
気は、直流端子支持ハウジング４０のスペーサ４１及び
アパーチャもしくは開口４６を移動し、そして整流器ア
センブリの端部において直流終結ピン３８及び３９と電
気接続を為す、図示されていない適切な取付具を通して
整流器アセンブリ１を出る。例えば、直流終結ピン３８
及び３９は、整流器アセンブリ１への迅速な取付及び取
り外しのためにピンを受ける、めす型接続に摺動的に接
続され得る。

【００３４】本発明の好適な実施例の上述の詳細な説明
から、整流器アセンブリの管状のハウジング内に配列さ
れた回転整流器アセンブリの要素を軸方向に装荷するも
しくは負荷付ける方法は、ダイオードイ半導体デバイス
は、波ばね３３による整流器アセンブリの他の要素の軸
方向装荷によってダイオード半導体デバイスが圧縮され
ないように、ハウジング１５内で整流器アセンブリの他
の要素との関係で回転整流器アセンブリのダイオード半
導体１８を支持する段階を含んでおり、これにより、要
素の軸方向装荷もしくは負荷によりダイオード半導体デ
バイスにかかる圧縮応力は避けられる。これは、軸線Ａ
−Ａの回りの整流器アセンブリの高速回転から生じる遠
心力に対抗してダイオード半導体デバイス１８をハウジ
ング内にしっかりと支持しつつ行われることである。本
発明の方法はさらに、ダイオード半導体デバイス１８の
冷却を最適化するために液体冷却材が該ダイオード半導
体デバイス１８と直接接触するように、該液体冷却材を
整流器アセンブリを通して流す段階を含んでいる。整流
器アセンブリの回転中に液体冷却材から遠心的に分離さ
れ得る空気は、整流器アセンブリの回転軸に沿って設け
られた通路手段を通して整流器アセンブリから排出され
るのを許容するという点で、冷却は一層高められる。こ
のことは、液体冷却材が、高められた冷却のためにダイ
オード半導体デバイス１８と接触状態に保たれることを
確実にする。これらの特徴の各々並びにそれらの組み合
わせは、応力及び／または過熱によりダイオード半導体
デバイスのウエハが早期に故障するという危険性を減じ
ることにより、回転整流器アセンブリの改良された信頼
性に寄与している。

【００３５】本発明による一実施例だけを図示しかつ説
明してきたが、本発明は上記実施例に制限されるもので
はなく、当業者に既知の多くの変化並びに変更を受容可
能であることを理解すべきである。例えば、本発明の回
転整流器アセンブリ及び方法は、全波ブリッジ整流器と
の使用に制限されるものではなく、例えば半波整流を有
する他の配列と一緒に使用することもでき、その場合に
も、簡便、軽量及び高い信頼性という、整流器アセンブ
リにおける本発明の上述の長所をもたらす。従って、こ
こに図示しかつ説明した詳細に制限することを望むもの
ではなく、特許請求の範囲に包含されるかかる変化及び
変更のすべてを包摂することを意図するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好適な実施例による回転整流器アセン
ブリの断面図である。

【図２】図１の整流器アセンブリの左端から見た端面図
である。

【図３】図１の整流器アセンブリの右端から見た端面図
である。

【図４】本発明の好適な態様による整流器アセンブリの
電気的概略図である。

【図５】図１の整流器アセンブリのダイオード・アセン
ブリの分解図である。

【図６】図１の線ＶＩ−ＶＩに沿って見た整流器アセン
ブリの管状ハウジングの端面図である。

【図７】ダイオード・アセンブリのスペーサを通して図
１の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿って見た整流器アセンブリの
断面図である。

【図８】周囲のハウジングの無い状態でダイオード・ア
センブリのＦ＋プレートを示す、図１の線ＶＩＩＩ−Ｖ
ＩＩＩに沿ってみた断面図である。

【図９】ハウジングを示さない状態でダイオード・アセ
ンブリのダイオード・プレートを示す、図１の線ＩＸ−
ＩＸに沿って見た断面図である。

【図１０】周囲ハウジングを示さない状態でアセンブリ
の抵抗器プレートを示す、図１の線Ｘ−Ｘに沿って見た
断面図である。

【図１１】図６の線ＸＩ−ＸＩに沿って見た管状ハウジ
ングの半分の断面図である。

【図１２】周囲の管状ハウジングは示さない状態で直流
端子支持を示す、図１の線ＸＩＩ−ＸＩＩに沿って見た
断面図である。

【図１３】整流器アセンブリの管状ハウジングは示さな
い状態でダイオード・アセンブリのＦ−プレートを示す
、図１の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿って見た断面図であ
る。

【図１４】Ｆ−プレートを含むダイオード・サブアセン
ブリと関連したダイオード・プレートを示す、図１の線
ＸＩＶ−ＸＩＶに沿って見た断面図である。

【図１５】ダイオード・プレート及びスペーサを示す、
図１の線ＸＶ−ＸＶに沿って見た断面図である。

【図１６】ダイオード・プレート、該ダイオード・プレ
ートに接続されるリング端子、該リング端子を互いに結
合する接続ねじ及びナット、並びに電流搬送ワイヤの側
面図である。

【図１７】図１の線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩに沿って見た回
転整流器アセンブリの断面図である。

【図１８】本発明の回転整流器アセンブリが用いられて
いるブラシなし発電機の概略側立面図である。

【符号の説明】

１　　　　回転整流器アセンブリ ２　　　　ブラシなし発電機 １５　　　　ハウジング

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　回転整流器アセンブリのハウジングの
   管状ハウジング内に配列された該整流器アセンブリの要
   素を軸方向に偏倚するようにして回転整流器アセンブリ
   を組立てる方法において、前記回転整流器アセンブリの
   ダイオード半導体デバイスが前記回転整流器アセンブリ
   の他の要素の前記軸方向偏倚により圧縮されないように
   、該ダイオード半導体デバイスを前記回転整流器アセン
   ブリの前記他の要素との関係で前記ハウジング内に支持
   し、これにより、前記要素の軸方向偏倚に起因して前記
   ダイオード半導体デバイス上にかかる圧縮応力を避ける
   ようにした方法。
2. 【請求項２】　　少なくとも１つのダイオード半導体デ
   バイスを冷却するために該少なくとも１つのダイオード
   半導体デバイスと接触させて前記整流器アセンブリを通
   して液体冷却材を流す段階をさらに含んだ請求項１の方
   法。
3. 【請求項３】　　前記少なくとも１つのダイオード半導
   体デバイスを冷却するために前記整流器アセンブリを通
   して液体冷却材を流す段階をさらに含み、かつ前記整流
   器アセンブリの回転中に前記液体から遠心的に分離され
   たガスが、前記整流器アセンブリの回転軸に沿って配置
   された通路手段を通して前記整流器アセンブリから排出
   されるのを許容するようにした請求項１の方法。