JPH04216551A - Production of mask for exposure - Google Patents
Production of mask for exposureInfo
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- JPH04216551A JPH04216551A JP2403152A JP40315290A JPH04216551A JP H04216551 A JPH04216551 A JP H04216551A JP 2403152 A JP2403152 A JP 2403152A JP 40315290 A JP40315290 A JP 40315290A JP H04216551 A JPH04216551 A JP H04216551A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】この発明は、露光用の照射線を透
過する基板上に照射線を遮蔽する遮蔽膜を形成し、遮蔽
膜の所定領域を選択的にエッチングし、遮蔽膜を所定の
パターンにパターニングする露光用マスクの製造方法に
関する。[Industrial Application Field] This invention forms a shielding film that blocks radiation on a substrate that transmits radiation for exposure, selectively etches a predetermined region of the shielding film, and forms the shielding film into a predetermined shape. The present invention relates to a method of manufacturing an exposure mask for patterning.
【０００２】0002
【従来の技術】図１０ないし図１５は半導体装置の製造
時に使用される従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。2. Description of the Related Art FIGS. 10 to 15 are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a conventional X-ray exposure mask used in manufacturing semiconductor devices.
【０００３】先ず図１０に示すように、厚さ０．５〜２
．０ｍｍ程度のＳｉウエハ１の両面に減圧ＣＶＤ法等に
よってＳｉＮ又はＢＮなどの膜２，３を厚さ２μｍ程度
に形成する。First, as shown in FIG.
．． Films 2 and 3 made of SiN or BN are formed to a thickness of about 2 μm on both sides of a Si wafer 1 of about 0 mm by low pressure CVD or the like.
【０００４】次いで図１１に示すように、下面の膜３の
中心部分をエッチングによって除去し、Ｘ線露光の露光
エリア４を形成する。その後、ＫＯＨの水溶液を用いＳ
ｉウエハ１にエッチングを施す。この場合、図１２に示
すように下面に残存する膜３がマスクとなってＳｉウエ
ハ１の中心部分が除去され、環状フレーム５が整形され
る一方、Ｓｉウエハ１の上面の膜２は除去されず残る。Next, as shown in FIG. 11, the central portion of the film 3 on the lower surface is removed by etching to form an exposure area 4 for X-ray exposure. Then, using an aqueous solution of KOH,
i Etching is performed on wafer 1. In this case, as shown in FIG. 12, the central portion of the Si wafer 1 is removed using the film 3 remaining on the bottom surface as a mask, and the annular frame 5 is shaped, while the film 2 on the top surface of the Si wafer 1 is removed. It remains.
【０００５】次に、スパッタ法、蒸着法等によりＸ線吸
収体膜であるタングステン６を図１３に示すように膜２
上に形成する。続いて、タングステン６上にＥＢレジス
トを形成し、ＥＢレジストに選択的にＥＢ（電子線）を
照射し現像してタングステン６の露光エリア４に対応す
る領域上に図１４に示すように所定のレジストパターン
７を形成する。次に、レジストパターン７をマスクとし
てタングステン６にドライエッチングを施し、図１５に
示すようにタングステン６の露光エリア４に対応する領
域をパターニングし、Ｘ線吸収体のパターン８を形成す
る。このようにしてＸ線露光用マスクを形成する。Next, tungsten 6, which is an X-ray absorber film, is formed into a film 2 by sputtering, vapor deposition, etc. as shown in FIG.
Form on top. Subsequently, an EB resist is formed on the tungsten 6, and the EB resist is selectively irradiated with EB (electron beam) and developed to form a predetermined area on the tungsten 6 corresponding to the exposed area 4 as shown in FIG. A resist pattern 7 is formed. Next, dry etching is performed on the tungsten 6 using the resist pattern 7 as a mask, and as shown in FIG. 15, a region of the tungsten 6 corresponding to the exposure area 4 is patterned to form an X-ray absorber pattern 8. In this way, an X-ray exposure mask is formed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線露光用マス
クは以上のような工程で製造され、Ｘ線吸収体であるタ
ングステン６を形成した時、タングステン６の熱膨脹係
数が膜２のそれより大きいため、常温に戻ったときにタ
ングステン６には収縮の応力が働き、膜２およびタング
ステン６は図１３に示すように湾曲する。このため、レ
ジストパターン７をマスクとしてタングステン６にエッ
チングを施し図１５のように平坦に戻った後においては
、パターニングされたタングステン６のパターン８とレ
ジストパターン７のパターンとの間に位置ずれが生じる
（Ｘ≠Ｙ）という問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] Conventional X-ray exposure masks are manufactured through the process described above, and when tungsten 6, which is an X-ray absorber, is formed, the coefficient of thermal expansion of tungsten 6 is higher than that of film 2. Because of its large size, shrinkage stress acts on tungsten 6 when it returns to room temperature, causing film 2 and tungsten 6 to curve as shown in FIG. Therefore, after etching the tungsten 6 using the resist pattern 7 as a mask and returning it to a flat surface as shown in FIG. 15, a positional shift occurs between the pattern 8 of the patterned tungsten 6 and the pattern of the resist pattern 7. There was a problem that (X≠Y).
【０００７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、遮蔽膜を所定の寸法パターンに
精度良く形成することができる露光用マスクの製造方法
を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an exposure mask that can form a shielding film in a pattern with predetermined dimensions with high accuracy. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明は、露光用の照
射線を透過する基板上に前記照射線を遮蔽する遮蔽膜を
形成し、前記遮蔽膜の所定領域を選択的にエッチングし
、前記遮蔽膜を所定のパターンにパターニングする露光
用マスクの製造方法に適用される。[Means for Solving the Problems] This invention forms a shielding film for shielding the exposure radiation on a substrate through which the exposure radiation passes, selectively etches a predetermined region of the shielding film, and It is applied to a method of manufacturing an exposure mask that patterns a shielding film into a predetermined pattern.
【０００９】この発明に係わる露光用マスクの製造方法
は、前記遮蔽膜の所定領域を囲むように前記遮蔽膜に溝
を設けた後、前記遮蔽膜の所定領域を選択的にエッチン
グすることを特徴とする。The method for manufacturing an exposure mask according to the present invention is characterized in that after a groove is provided in the shielding film so as to surround a predetermined region of the shielding film, the predetermined region of the shielding film is selectively etched. shall be.
【００１０】0010
【作用】この発明においては、遮蔽膜の所定領域を囲む
ように遮蔽膜に溝を設けた後、遮蔽膜の所定領域を選択
的にエッチングするようにしたので、溝形成時に遮蔽膜
の応力が緩和される。[Operation] In this invention, after forming a groove in the shielding film so as to surround a predetermined region of the shielding film, the predetermined region of the shielding film is selectively etched, so that the stress in the shielding film is reduced when the groove is formed. eased.
【００１１】[0011]
【実施例】図１ないし図９はこの発明に係わる露光用マ
スクの形成方法を説明するための断面図である。図１な
いし図４は、Ｘ線透過基板である膜２上に（Ｘ線吸収膜
（遮蔽膜）であるタングステン６を形成するまでの工程
を説明するための断面図であり、その工程は図１０ない
し図１３に示した従来の製造方法と同様である。つまり
、Ｓｉウエハ１の両面に膜２，３を形成し（図１）、そ
の後、膜３の中心部分をエッチング除去し、露光エリア
４を形成する（図２）。次に、膜３をマスクとしてＳｉ
ウエハ１にエッチングを施し（図３）、その後、膜２上
にＸ線吸収体であるタングステン６を形成する。この時
、スパッタ法，蒸着法等が用いられるが、高温処理であ
るので、タングステン６の熱膨脹率と膜２のそれとの相
違により、常温に戻った場合にタングステン６に収縮の
応力が働き、膜２およびタングステン６は図４に示すよ
うに湾曲する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 1 to 9 are cross-sectional views for explaining a method of forming an exposure mask according to the present invention. 1 to 4 are cross-sectional views for explaining the steps up to the formation of tungsten 6, which is an X-ray absorbing film (shielding film), on the film 2, which is an X-ray transparent substrate. This method is similar to the conventional manufacturing method shown in FIGS. 10 to 13. That is, films 2 and 3 are formed on both sides of a Si wafer 1 (FIG. 1), and then the central portion of the film 3 is etched away to form the exposed area. 4 (FIG. 2).Next, using the film 3 as a mask, Si
The wafer 1 is etched (FIG. 3), and then tungsten 6, which is an X-ray absorber, is formed on the film 2. At this time, sputtering method, vapor deposition method, etc. are used, but since it is a high temperature treatment, due to the difference in the coefficient of thermal expansion of tungsten 6 and that of the film 2, shrinkage stress acts on the tungsten 6 when the temperature returns to room temperature, causing the film to shrink. 2 and tungsten 6 are curved as shown in FIG.
【００１２】次に、露光エリア４に対応したタングステ
ン６を囲むような溝９ａを有するレジストパターン１０
を図５に示すようにタングステン６上に形成する。そし
て、レジストパターン１０をマスクとして、タングステ
ン６にエッチングを施すと、図６に示すように、露光エ
リア４に対応したタングステン６を囲むようにタングス
テン６に溝９ｂが形成される。溝９ｂを形成することに
よりタングステン６の応力が緩和され、膜２およびタン
グステン６の湾曲は図６に示すようになくなる。図９は
、図６の平面図であり、露光エリア４を囲むように溝９
ｂが形成されている。Next, a resist pattern 10 having a groove 9a surrounding the tungsten 6 corresponding to the exposure area 4 is formed.
is formed on tungsten 6 as shown in FIG. Then, when the tungsten 6 is etched using the resist pattern 10 as a mask, a groove 9b is formed in the tungsten 6 so as to surround the tungsten 6 corresponding to the exposed area 4, as shown in FIG. By forming the groove 9b, the stress in the tungsten 6 is relaxed, and the curvature of the film 2 and the tungsten 6 is eliminated as shown in FIG. 9 is a plan view of FIG. 6, with grooves 9 surrounding the exposure area 4.
b is formed.
【００１３】次に、溝９ｂに囲まれタングステン６上（
露光エリア４のタングステン６上）に、ＥＢレジストを
塗布し、ＥＢリソグラフィによりエッチングを施し、図
７に示すようにレジストパターン７を形成する。そして
、レジストパターン７をマスクとしてタングステン６に
エッチングを施し、図８に示すようにＸ線吸収体のパタ
ーン８を形成する。露光エリア４を囲むようにタングス
テン６に溝９ｂを形成し、タングステン６の応力を緩和
し平坦化した後、レジストパターン７を形成し、該レジ
ストパターン７をマスクとしてＸ線吸収体のパターン８
を形成したので、レジストパターン７のパターンとＸ線
吸収体パターン８のパターンとの位置ずれが防止（Ｘ＝
Ｙ）できる。Next, on the tungsten 6 surrounded by the groove 9b (
An EB resist is applied onto the tungsten 6 in the exposure area 4 and etched by EB lithography to form a resist pattern 7 as shown in FIG. Then, the tungsten 6 is etched using the resist pattern 7 as a mask to form an X-ray absorber pattern 8 as shown in FIG. A groove 9b is formed in the tungsten 6 so as to surround the exposure area 4, and after the stress of the tungsten 6 is relaxed and flattened, a resist pattern 7 is formed, and the pattern 8 of the X-ray absorber is formed using the resist pattern 7 as a mask.
This prevents misalignment between the resist pattern 7 and the X-ray absorber pattern 8 (X=
Y) I can.
【００１４】なお、上記実施例では溝を１重設けた場合
について説明したが、２重以上設けてもよく、多く設け
れば、それだけタングステン６の応力がより緩和される
。[0014] In the above embodiment, the case where a single groove is provided has been described, but it is also possible to provide two or more grooves, and the more grooves are provided, the more the stress in the tungsten 6 is alleviated.
【００１５】また、上記実施例ではＸ線露光用マスクの
製造方法について説明したが、その他の露光用マスクの
製造方法にもこの発明は適用できる。Further, in the above embodiment, a method for manufacturing an X-ray exposure mask has been described, but the present invention can be applied to other methods for manufacturing an exposure mask.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、遮蔽膜
の所定領域を囲むように遮蔽膜に溝を設けた後、遮蔽膜
の所定領域を選択的にエッチングするようにしたので、
溝形成時に遮蔽膜の応力が緩和される。その結果、遮蔽
膜の表面が平坦な状態で選択エッチングを行うことがで
き、遮蔽膜の所定領域に精度良く所定寸法の遮蔽膜パタ
ーンを形成することができるという効果がある。As described above, according to the present invention, after a groove is provided in the shielding film so as to surround a predetermined region of the shielding film, the predetermined region of the shielding film is selectively etched.
Stress in the shielding film is alleviated during groove formation. As a result, selective etching can be performed with the surface of the shielding film flat, and a shielding film pattern with a predetermined size can be formed in a predetermined region of the shielding film with high accuracy.
【図１】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図２】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図３】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図４】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図５】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図６】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図７】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図８】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図９】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an exposure mask according to the present invention.
【図１０】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask.
【図１１】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask.
【図１２】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask.
【図１３】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask.
【図１４】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask.
【図１５】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask.
１ Ｓｉウエハ ４ 露光エリア ６ タングステン ８ パターン ９ｂ 溝 1 Si wafer 4 Exposure area 6 Tungsten 8 Pattern 9b Groove
Claims (1)
記照射線を遮蔽する遮蔽膜を形成し、前記遮蔽膜の所定
領域を選択的にエッチングし、前記遮蔽膜を所定のパタ
ーンにパターニングする露光用マスクの製造方法におい
て、前期遮蔽膜の所定領域を囲むように前記遮蔽膜に溝
を設けた後、前記遮蔽膜の所定領域を選択的にエッチン
グすることを特徴とする露光用マスクの製造方法。1. Forming a shielding film for blocking the radiation on a substrate through which exposure radiation passes, selectively etching a predetermined region of the shielding film, and patterning the shielding film into a predetermined pattern. In the method of manufacturing an exposure mask, a groove is provided in the shielding film so as to surround a predetermined region of the shielding film, and then a predetermined region of the shielding film is selectively etched. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403152A JPH04216551A (en) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Production of mask for exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403152A JPH04216551A (en) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Production of mask for exposure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216551A true JPH04216551A (en) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512914
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2403152A Pending JPH04216551A (en) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Production of mask for exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04216551A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04174509A (en) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of x-ray mask |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP2403152A patent/JPH04216551A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04174509A (en) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of x-ray mask |
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