JPH0421543A - 結晶化ガラス - Google Patents
結晶化ガラスInfo
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- JPH0421543A JPH0421543A JP2123795A JP12379590A JPH0421543A JP H0421543 A JPH0421543 A JP H0421543A JP 2123795 A JP2123795 A JP 2123795A JP 12379590 A JP12379590 A JP 12379590A JP H0421543 A JPH0421543 A JP H0421543A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高熱膨張係数を有する結晶化ガラスに関し、
特に、ＯＡ、ＶＴＲ、オーディオ機器等に用いられる薄
膜磁気ヘッド基板とし好ましく用いられる。
特に、ＯＡ、ＶＴＲ、オーディオ機器等に用いられる薄
膜磁気ヘッド基板とし好ましく用いられる。
一般に薄膜磁気ヘッドは、非磁性体の基板にセンダスト
、パーマロイ、アモルファス金属等の磁性薄膜を蒸着や
スパッター等することにより作製されている。この非磁
性体の基板としては硬く、耐摩耗性に優れていること、
熱膨張係数（α）が＋００ＸＩＯ−’〜１８０ Ｘ １
０−’／’Ｃであること及び気孔が実質的にないことが
必要条件としてあげられる。 特に、熱膨張係数が磁性
薄膜の熱膨張係数に近い１００Ｘ１０−７〜１８０Ｘ１
０−’／℃と高いことが重要であり、好ましくは１２０
〜１６０ Ｘ Ｉ Ｏ−７／℃の熱膨張係数をもつもの
が良い。
、パーマロイ、アモルファス金属等の磁性薄膜を蒸着や
スパッター等することにより作製されている。この非磁
性体の基板としては硬く、耐摩耗性に優れていること、
熱膨張係数（α）が＋００ＸＩＯ−’〜１８０ Ｘ １
０−’／’Ｃであること及び気孔が実質的にないことが
必要条件としてあげられる。 特に、熱膨張係数が磁性
薄膜の熱膨張係数に近い１００Ｘ１０−７〜１８０Ｘ１
０−’／℃と高いことが重要であり、好ましくは１２０
〜１６０ Ｘ Ｉ Ｏ−７／℃の熱膨張係数をもつもの
が良い。
高熱膨張係数を有する結晶化ガラスとしては、例えば、
特公昭４３−２５２２１号公報に、５ｉＯ７を４０〜６
８ ｖ ｔ％、Ａ１．Ｏ，を８〜３２ｗｔ％、Ｔ ｊ
Ｏｘを７〜ｌ ４ ｗ ｔ％、ＭｇＯを８゜５〜２３
ｖ ｔ％金含有るガラスを熱処理して１００ＸＩＯ−’
〜１２３ Ｘ ｌ Ｏ−７／℃の熱膨張係数を有する結
晶化ガラスが得られることが開示されている。
特公昭４３−２５２２１号公報に、５ｉＯ７を４０〜６
８ ｖ ｔ％、Ａ１．Ｏ，を８〜３２ｗｔ％、Ｔ ｊ
Ｏｘを７〜ｌ ４ ｗ ｔ％、ＭｇＯを８゜５〜２３
ｖ ｔ％金含有るガラスを熱処理して１００ＸＩＯ−’
〜１２３ Ｘ ｌ Ｏ−７／℃の熱膨張係数を有する結
晶化ガラスが得られることが開示されている。
又、特開昭６３−６０１２γ号公報には、Ｓｉ０、を５
０〜７０ｗｔ％、Ａ１．Ｏ，を１４〜３２ ｖ ｔ％、
ＭｇＯを６〜２２ ｖ ｔ％、Ｔｉｅｓを４〜７ ｗ
ｔ ％、Ｚ ｒ Ｏ＊を０．５〜８ｗｔ％、ＢａＯを０
〜５ ｗ ｔ％金含有、１０８ｘ １０−’ 〜１２６
Ｘ １０−７／℃の熱膨張係数を有する結晶化ガラス
が開示されている。
０〜７０ｗｔ％、Ａ１．Ｏ，を１４〜３２ ｖ ｔ％、
ＭｇＯを６〜２２ ｖ ｔ％、Ｔｉｅｓを４〜７ ｗ
ｔ ％、Ｚ ｒ Ｏ＊を０．５〜８ｗｔ％、ＢａＯを０
〜５ ｗ ｔ％金含有、１０８ｘ １０−’ 〜１２６
Ｘ １０−７／℃の熱膨張係数を有する結晶化ガラス
が開示されている。
さらに、特開昭６３−２１００３９号公報には、５ｉｎ
ｓを６０〜８７ｗｔ％、Ｌｉ２Ｏを５〜１５ｖｔ％、Ｍ
ｇＯを０．５〜７． （１ｗｔ％、Ｐ２Ｏ，を０．５〜
８ｖｔ’Ｍ含有するガラスを熱処理して、１０５ＸＩＤ
−’〜１８６Ｘ１０−’／’Ｃの熱膨張係数を有する結
晶化ガラスが得られることが開示されている。
ｓを６０〜８７ｗｔ％、Ｌｉ２Ｏを５〜１５ｖｔ％、Ｍ
ｇＯを０．５〜７． （１ｗｔ％、Ｐ２Ｏ，を０．５〜
８ｖｔ’Ｍ含有するガラスを熱処理して、１０５ＸＩＤ
−’〜１８６Ｘ１０−’／’Ｃの熱膨張係数を有する結
晶化ガラスが得られることが開示されている。
しかしながら、特公昭４３−２５２２１号公報記載の結
晶化ガラスは熱膨張係数が１００ＸＩＯ７／℃〜１２３
ＸＩＧ〜７／℃と小さく、結晶化ガラスを得るための出
発材料であるガラスの溶融温度が１５θ０〜１６００℃
と高いという欠点がある。さらに、実施例にはＬｉ２Ｏ
を０．９ｗｔ％含む結晶化ガラスが開示されているが、
この実施例の結晶化ガラスはＳｉＯｘが少な（ＡＩｔｏ
ｓが多いために熱膨張係数がＪ２２ＸＩＯ−７／℃と小
さいものしか得られていない。
晶化ガラスは熱膨張係数が１００ＸＩＯ７／℃〜１２３
ＸＩＧ〜７／℃と小さく、結晶化ガラスを得るための出
発材料であるガラスの溶融温度が１５θ０〜１６００℃
と高いという欠点がある。さらに、実施例にはＬｉ２Ｏ
を０．９ｗｔ％含む結晶化ガラスが開示されているが、
この実施例の結晶化ガラスはＳｉＯｘが少な（ＡＩｔｏ
ｓが多いために熱膨張係数がＪ２２ＸＩＯ−７／℃と小
さいものしか得られていない。
又、特開昭６３−６０１２７号公報記載の結晶化ガラス
も熱膨張係数が１０８Ｘ１０−’〜１２６Ｘ １０−７
／℃と小さく結晶化ガラスを得るための出発材料である
ガラスの溶融温度も１５００〜１６００℃と高いという
欠点がある。
も熱膨張係数が１０８Ｘ１０−’〜１２６Ｘ １０−７
／℃と小さく結晶化ガラスを得るための出発材料である
ガラスの溶融温度も１５００〜１６００℃と高いという
欠点がある。
さらに、特開昭８３−２１００３９号公報記載の結晶化
ガラスは、熱膨張係数が１０５Ｘ１０−’〜１８６ Ｘ
１０−７／℃と大きいもののＰ、０．をガラス成分（
結晶化ガラス成分）として含有しているために結晶化ガ
ラスを得るための出発材料であるガラスが分相し易く、
均一な熱膨張係数を有する結晶化ガラスを得にくいとい
う欠点がある。
ガラスは、熱膨張係数が１０５Ｘ１０−’〜１８６ Ｘ
１０−７／℃と大きいもののＰ、０．をガラス成分（
結晶化ガラス成分）として含有しているために結晶化ガ
ラスを得るための出発材料であるガラスが分相し易く、
均一な熱膨張係数を有する結晶化ガラスを得にくいとい
う欠点がある。
したがって、本発明の目的は結晶化ガラスを得るための
出発材料となるガラスの溶融温度が低く、分相しに＜＜
、均一で、大きな熱膨張係数を有する結晶化ガラスを提
供することにある。
出発材料となるガラスの溶融温度が低く、分相しに＜＜
、均一で、大きな熱膨張係数を有する結晶化ガラスを提
供することにある。
本発明は上記目的を主成するためになされたものであり
、本発明の結晶化ガラスは、重量％表示で、Ｓ ｉＯ＊
−を４９．０〜６０．０％、ＡＩｔ。
、本発明の結晶化ガラスは、重量％表示で、Ｓ ｉＯ＊
−を４９．０〜６０．０％、ＡＩｔ。
を１９．０〜２７．０％、Ｌｉ２Ｏを０．２〜３．０％
、Ｔｉ Ｏ＊を５．０〜１２．０％、ＭｇＯをｌ０１０
〜１５．０％含むガラスを熱処理することにより熱膨張
係数が１２７Ｘ１０−７／℃以上であることを特徴とし
ている。
、Ｔｉ Ｏ＊を５．０〜１２．０％、ＭｇＯをｌ０１０
〜１５．０％含むガラスを熱処理することにより熱膨張
係数が１２７Ｘ１０−７／℃以上であることを特徴とし
ている。
次に各成分の成度理由を述べる。
３ｉ０ｓは出発材料であるガラス骨格を形成する成分で
あり、析出する結晶成分の一つでもある。
あり、析出する結晶成分の一つでもある。
この量が４９．Ｏｖｔ％未満であると５ｉｎｓ及びＳｉ
Ｏｘを含む結晶が析出しに＜＜、熱膨張係数が太き（な
らないので好ましくない。又、この量が６（ｌ ０ｖ
ｔ９６を超えると出発材料であるガラスの溶融温度が高
くなるので好ましくない。Ａ１、ｏ、は析出する結晶の
成分の−っであり、この量が１９．Ｏｖｔ％未満である
とＡｌｔｏｓを含む結晶か析出しに＜＜、熱膨張係数が
太きくならないので好ましくない。又、この量が２７ｗ
ｔ％を超えるとガラスの溶融温度が高くなるので好まし
くない。Ｌｉ鴬０はガラスの溶融温度を下げる成分であ
り、さらに出発材料であるガラスの分相を抑止する効果
を有する。この量が０．２ｗｔ％未満であるとガラスの
溶融温度を下げる効果及び分相を抑止する効果が少なく
、この量が３ｗｔ％を超えると結晶化ガラスの化学的耐
久性が悪くなるので好ましくない。Ｔ ｉ Ｏｘは析出
する結晶成分の一つであり、この量が５．０ｗｔ９６未
満ではＴ ｉ Ｏｓを含む結晶が析出しにくく、熱膨張
係数が大きくならないので好ましくない。又、この量が
１２．０ｗｔ％を超えると、出発材料であるガラスの冷
却時に結晶が析出し易（、熱処理して得られる結晶化ガ
ラスの熱膨張係数が不均一になるので好ましくない。Ｍ
ｇＯは析出する結晶成分の一つであり、この量が１０．
（１ｗｔ％未満ではＭｇＯを含む結晶が析出しに＜＜、
熱膨張係数が太き（ならないので好ましくない。又、こ
の量が１５、Ｏｖｔ％を超えるとＴｉｅｓ と同様に出
発材料であるガラスの冷却時に結晶が析出し易くなるの
で好ましくない。
Ｏｘを含む結晶が析出しに＜＜、熱膨張係数が太き（な
らないので好ましくない。又、この量が６（ｌ ０ｖ
ｔ９６を超えると出発材料であるガラスの溶融温度が高
くなるので好ましくない。Ａ１、ｏ、は析出する結晶の
成分の−っであり、この量が１９．Ｏｖｔ％未満である
とＡｌｔｏｓを含む結晶か析出しに＜＜、熱膨張係数が
太きくならないので好ましくない。又、この量が２７ｗ
ｔ％を超えるとガラスの溶融温度が高くなるので好まし
くない。Ｌｉ鴬０はガラスの溶融温度を下げる成分であ
り、さらに出発材料であるガラスの分相を抑止する効果
を有する。この量が０．２ｗｔ％未満であるとガラスの
溶融温度を下げる効果及び分相を抑止する効果が少なく
、この量が３ｗｔ％を超えると結晶化ガラスの化学的耐
久性が悪くなるので好ましくない。Ｔ ｉ Ｏｘは析出
する結晶成分の一つであり、この量が５．０ｗｔ９６未
満ではＴ ｉ Ｏｓを含む結晶が析出しにくく、熱膨張
係数が大きくならないので好ましくない。又、この量が
１２．０ｗｔ％を超えると、出発材料であるガラスの冷
却時に結晶が析出し易（、熱処理して得られる結晶化ガ
ラスの熱膨張係数が不均一になるので好ましくない。Ｍ
ｇＯは析出する結晶成分の一つであり、この量が１０．
（１ｗｔ％未満ではＭｇＯを含む結晶が析出しに＜＜、
熱膨張係数が太き（ならないので好ましくない。又、こ
の量が１５、Ｏｖｔ％を超えるとＴｉｅｓ と同様に出
発材料であるガラスの冷却時に結晶が析出し易くなるの
で好ましくない。
又、出発材料であるガラスの融液から泡を取りのぞくた
めに、脱泡剤としてＡｓ５Ｏｔや５ｂ２０１を含有する
ことができる。これらの好ましい量は０．０２〜１．０
ｖｔ９６である。これらの量が０．０２ｗｔ％未満では
脱泡剤としての効果が少なく、１．０ｗｔ％を超えても
脱泡剤としての効果は変わらない。さらに、アルカリ金
属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＺｒＯｘ 、Ｚｎ
Ｏ，ＰｂＯ１Ｂ＊Ｏｓ、フッ素等を少量加えてもさしつ
かえない。
めに、脱泡剤としてＡｓ５Ｏｔや５ｂ２０１を含有する
ことができる。これらの好ましい量は０．０２〜１．０
ｖｔ９６である。これらの量が０．０２ｗｔ％未満では
脱泡剤としての効果が少なく、１．０ｗｔ％を超えても
脱泡剤としての効果は変わらない。さらに、アルカリ金
属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＺｒＯｘ 、Ｚｎ
Ｏ，ＰｂＯ１Ｂ＊Ｏｓ、フッ素等を少量加えてもさしつ
かえない。
上記した組成を含有する出発材料であるガラスを熱処理
して得られる結晶化ガラスは、ＳｉＯｚ４ＭｇＯ−Ａ
１２０− ・９ＴｉＯｔ 、Ｍｇ０・２ Ｔ ｉ Ｏ
ｘ結晶を含むものである。
して得られる結晶化ガラスは、ＳｉＯｚ４ＭｇＯ−Ａ
１２０− ・９ＴｉＯｔ 、Ｍｇ０・２ Ｔ ｉ Ｏ
ｘ結晶を含むものである。
さらに、２Ｍｇ０・３Ａ１＊ＣＬ ・７ Ｔ Ｉ Ｏ
ｘ、ＭｇＯ・５ｉｆｔ 、Ｍｇ０−Ａｌｔ Ｏｓ ・
４Ｓｉｏｎ 、Ｌｉｔ ０・２Ｓ ｉＯ−，２Ｍｇ０・
２Ａ１．０３ ・５Ｓ ｉｏ＊ 、４Ｍｇ０・５Ａ１．
Ｏ。
ｘ、ＭｇＯ・５ｉｆｔ 、Ｍｇ０−Ａｌｔ Ｏｓ ・
４Ｓｉｏｎ 、Ｌｉｔ ０・２Ｓ ｉＯ−，２Ｍｇ０・
２Ａ１．０３ ・５Ｓ ｉｏ＊ 、４Ｍｇ０・５Ａ１．
Ｏ。
・２ Ｔ ｓ Ｏｘ 、Ｔ ｉＯ２等の結晶を含有する
こともある。そして、これらの結晶が析出することによ
り熱膨張係数がＩ ２７ Ｘ Ｉ Ｏ−７／℃以上とな
る。
こともある。そして、これらの結晶が析出することによ
り熱膨張係数がＩ ２７ Ｘ Ｉ Ｏ−７／℃以上とな
る。
本発明の結晶化ガラスは例えば次のようにして得ること
ができる。
ができる。
出発材料であるガラスの原料として、酸化物、炭酸塩、
硝酸塩、水酸化物等通常のガラス原料を上記組成になる
ように調整混合したものを白金ルツボに入れ１４２０〜
１４８０℃で２〜８時間溶融した後、鋼板上にキャスト
し、さらにアニールして分相及び結晶が生じていない出
発材料となるガラスを得る。次に、このガラスをガラス
転移点（Ｔｇ）以上液相温度（Ｌｔ）以下の温度で熱処
理することにより結晶化ガラスを得ることができる。
硝酸塩、水酸化物等通常のガラス原料を上記組成になる
ように調整混合したものを白金ルツボに入れ１４２０〜
１４８０℃で２〜８時間溶融した後、鋼板上にキャスト
し、さらにアニールして分相及び結晶が生じていない出
発材料となるガラスを得る。次に、このガラスをガラス
転移点（Ｔｇ）以上液相温度（Ｌｔ）以下の温度で熱処
理することにより結晶化ガラスを得ることができる。
前記熱処理スケジュールとしては例えば、２゜Ｏ〜６０
０℃／ｈの昇温速度で８００〜８５０℃に昇温し、その
温度で１〜５時間保持する（第１次保持）。次いで、２
００〜ｂ 速度で９５０〜１２００℃に昇温し、その温度で２〜１
５時間保持しく第２次保持）、１００〜ｂより本発明の
結晶化ガラスを得ることができる。
０℃／ｈの昇温速度で８００〜８５０℃に昇温し、その
温度で１〜５時間保持する（第１次保持）。次いで、２
００〜ｂ 速度で９５０〜１２００℃に昇温し、その温度で２〜１
５時間保持しく第２次保持）、１００〜ｂより本発明の
結晶化ガラスを得ることができる。
次に、本発明の実施例を述べるが、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。
施例に限定されるものではない。
（実施例Ｉ）
原料として、Ｓ ｊＯａ 、Ａ Ｉ （ＯＨ） ｓ
Ｌ ＩＣＯｓ 、Ｌ １ＮＯｓ 、 Ｔ ｉＯｘ
、ＭｇＣ０＊を使用して、５ｉＯｓが５４．５ｗｔ％、
Ａ１，０、が１９．３ｗｔ％、ＬｉｘＯが１．２ｗｔ％
、Ｔ ｉ Ｏ＊が１０，１ｗｔ％、ＭｇＯが１４．８ｗ
ｔ％でガラス重量が１００ｇとなるように調整混合し、
白金ルツボに入れ、１４６０℃で４時間溶融した。その
後、約２００℃の鋼板上にガラス融液をキャストした。
Ｌ ＩＣＯｓ 、Ｌ １ＮＯｓ 、 Ｔ ｉＯｘ
、ＭｇＣ０＊を使用して、５ｉＯｓが５４．５ｗｔ％、
Ａ１，０、が１９．３ｗｔ％、ＬｉｘＯが１．２ｗｔ％
、Ｔ ｉ Ｏ＊が１０，１ｗｔ％、ＭｇＯが１４．８ｗ
ｔ％でガラス重量が１００ｇとなるように調整混合し、
白金ルツボに入れ、１４６０℃で４時間溶融した。その
後、約２００℃の鋼板上にガラス融液をキャストした。
このとき、ガラスの失透はなかった。そして、あらかじ
め７００℃に保持したアニール炉に入れて、温室まで冷
却し出発材料であるガラスを得た。
め７００℃に保持したアニール炉に入れて、温室まで冷
却し出発材料であるガラスを得た。
得られたガラスには結晶は存在していなかった。
このガラスの特性を日本光学硝子工業会規格ＪＯＧＩＳ
−１９７５に基づいて測定したところ、ガラス転移点（
Ｔｇ）が７０６℃、屈伏点（Ｔｓ）が７５２℃、熱膨張
係数（α）が１００〜３００℃で４５ Ｘ １０−７／
℃１比重が２．６４であった。
−１９７５に基づいて測定したところ、ガラス転移点（
Ｔｇ）が７０６℃、屈伏点（Ｔｓ）が７５２℃、熱膨張
係数（α）が１００〜３００℃で４５ Ｘ １０−７／
℃１比重が２．６４であった。
この出発材料であるガラスから約３０Ｘ３０■の大きさ
に切り出したものを電気炉により熱処理し結晶化させた
。結晶化スケジュールは、室温から８００℃までは４０
０℃／ｈで昇温し、８００℃で２時間保持（第１次保持
）し、ついで８００℃から１０５０℃まで４００℃／ｈ
で昇温し、ｌ０５０°Ｃで８時間保持（第２次保持）し
たのち１８０℃／ｈで室温まで冷却し結晶化ガラスを得
た。
に切り出したものを電気炉により熱処理し結晶化させた
。結晶化スケジュールは、室温から８００℃までは４０
０℃／ｈで昇温し、８００℃で２時間保持（第１次保持
）し、ついで８００℃から１０５０℃まで４００℃／ｈ
で昇温し、ｌ０５０°Ｃで８時間保持（第２次保持）し
たのち１８０℃／ｈで室温まで冷却し結晶化ガラスを得
た。
得られた結晶化ガラスの一部を粉砕してＸ線回折により
析出結晶を貫べたところ、ｓｉｏ！、４Ｍｇ０−Ａｌｔ
Ｏｓ −９Ｔｉｏｔ 、ＭｇＯ−２７ｉＯｔが析出
していることが確認された。
析出結晶を貫べたところ、ｓｉｏ！、４Ｍｇ０−Ａｌｔ
Ｏｓ −９Ｔｉｏｔ 、ＭｇＯ−２７ｉＯｔが析出
していることが確認された。
得られた結晶化ガラスの１００〜３００”Ｃの熱膨張係
数（α）は１３６ Ｘ Ｉ Ｏ−７／℃であり、比重（
ｉ Ｇ、）が２．９３であった。これらの値は結晶化ガ
ラスのどこでも誤差範囲内で一致していた。又、この結
晶化ガラスには実質的に気孔はなかった。
数（α）は１３６ Ｘ Ｉ Ｏ−７／℃であり、比重（
ｉ Ｇ、）が２．９３であった。これらの値は結晶化ガ
ラスのどこでも誤差範囲内で一致していた。又、この結
晶化ガラスには実質的に気孔はなかった。
このことから、本実施例の結晶化ガラスは、その出発材
料であるガラスを作成するだめの溶融温度が低く、失透
もなく、熱処理後の熱膨張係数が１３６ Ｘ １０−’
／’Ｃで気孔も実質的にないものであった。
料であるガラスを作成するだめの溶融温度が低く、失透
もなく、熱処理後の熱膨張係数が１３６ Ｘ １０−’
／’Ｃで気孔も実質的にないものであった。
（実施例２〜３）
実施例Ｉと同様の組成ガラスを、結晶化させる工程（熱
処理）で１０５０℃で８時間保持（第２次保持）する代
わりに、１０００℃（実施例２）、１０９０℃（実施Ｉ
Ｈ３）で８時間保持した他は実施例１と同様にして結晶
化（熱処理）を行なった。
処理）で１０５０℃で８時間保持（第２次保持）する代
わりに、１０００℃（実施例２）、１０９０℃（実施Ｉ
Ｈ３）で８時間保持した他は実施例１と同様にして結晶
化（熱処理）を行なった。
得られた結晶化ガラスには実施例１と同様の結晶が析出
していた。これを実施例１と同様にして特性を測定した
。その結果を実施例１と共に表１に示す。これらの値は
結晶化ガラスのどこでも誤差範囲内で一致していた。
していた。これを実施例１と同様にして特性を測定した
。その結果を実施例１と共に表１に示す。これらの値は
結晶化ガラスのどこでも誤差範囲内で一致していた。
この結果から、実施例２〜３の結晶化ガラスは、その出
発材料であるガラスを作製するだめの溶融温度が低く、
失透もなく、熱処理後の熱膨張係数が１３２ Ｘ １０
−’／’Ｃ〜１３５ｘｌＯ−フ／℃で気孔も実質的にな
いものであった。
発材料であるガラスを作製するだめの溶融温度が低く、
失透もなく、熱処理後の熱膨張係数が１３２ Ｘ １０
−’／’Ｃ〜１３５ｘｌＯ−フ／℃で気孔も実質的にな
いものであった。
さらに、本実施例１〜３の結晶化ガラスは、結晶化温度
により熱膨張係数が変化し特に、結晶化温度が１０００
〜１１００℃の間で極大値をもつものであった。
により熱膨張係数が変化し特に、結晶化温度が１０００
〜１１００℃の間で極大値をもつものであった。
（実施例４〜１６）
原料として実施例１の原料の他にＡｓ５ｅｓ及びｓｂ、
ｏｓを加え、ガラス組成及び結晶化のための第２次保持
温度を種々変えた他は、実施例蓋と同様にして、結晶化
ガラスを得た。そして、実施例１と同様に特性を測定し
た。これらのガラス組成及び測定結果を表１に示す。こ
れらの値は結晶化ガラスのどこでも誤差範囲内で一致し
ていた。
ｏｓを加え、ガラス組成及び結晶化のための第２次保持
温度を種々変えた他は、実施例蓋と同様にして、結晶化
ガラスを得た。そして、実施例１と同様に特性を測定し
た。これらのガラス組成及び測定結果を表１に示す。こ
れらの値は結晶化ガラスのどこでも誤差範囲内で一致し
ていた。
この結果から、実施例４〜１６の結晶化ガラスは、その
出発材料であるガラスを作製するための溶融温度が低く
、失透もなく、熱処理後の熱膨張係数が１２８ＸＩＯ−
’〜ｌ ４５ Ｘ １０−７／℃で気孔も実質的にない
ものであった。
出発材料であるガラスを作製するための溶融温度が低く
、失透もなく、熱処理後の熱膨張係数が１２８ＸＩＯ−
’〜ｌ ４５ Ｘ １０−７／℃で気孔も実質的にない
ものであった。
（比較例１）
実施例１と同様の原料を用いて、５ｉｎｓが５７．８ｗ
ｔ％、ＡＩｔｏｓが８．５ｗｔ％、ＴｉＯ３がＩＳ、７
ｗｔ％、ＭｇＯが２２．０ｗｔ％でガラス重量がＪＯＯ
ｇとなるように肩整混合し、白金ルツボに入れ、１５０
０℃で４時間溶融した。
ｔ％、ＡＩｔｏｓが８．５ｗｔ％、ＴｉＯ３がＩＳ、７
ｗｔ％、ＭｇＯが２２．０ｗｔ％でガラス重量がＪＯＯ
ｇとなるように肩整混合し、白金ルツボに入れ、１５０
０℃で４時間溶融した。
その後、約２００℃の鋼板上にガラス融液をキャストし
たが、ガラスは分相し、均質なガラスは得られなかった
。
たが、ガラスは分相し、均質なガラスは得られなかった
。
（比較例２）
実質例１と同様の原料を用いて、５ｉｎｓが４５．７ｗ
ｔ９ｄ、Ａ１．０＆が２９−４ｗｔ％、Ｌｉ、Ｏが０．
Ｌｗｔ％、ＴｉＯにが１０．７ｗｔ％、ＭｇＯが１３．
３ｗｔ９６でガラス重量がｌ００ｇとなるように肩整混
合し、白金ルツボに入れ、１４８０℃で４時間溶融した
他は実質例１と同様にして出発材料であるガラスを得た
。得られたガラスには結晶は存在していなかった。この
出発材料であるガラスを実施例１と同様にして結晶化（
熱処理）を行った。
ｔ９ｄ、Ａ１．０＆が２９−４ｗｔ％、Ｌｉ、Ｏが０．
Ｌｗｔ％、ＴｉＯにが１０．７ｗｔ％、ＭｇＯが１３．
３ｗｔ９６でガラス重量がｌ００ｇとなるように肩整混
合し、白金ルツボに入れ、１４８０℃で４時間溶融した
他は実質例１と同様にして出発材料であるガラスを得た
。得られたガラスには結晶は存在していなかった。この
出発材料であるガラスを実施例１と同様にして結晶化（
熱処理）を行った。
得られた結晶化ガラスを実施例１と同様にして析出結晶
を測定した結果、２Ｍｇ０・２Ａ１．０・５ＳｉＯｚ及
びＭｇ０−Ａ Ｉｓ Ｏｓ ・４ＳｉＯ３が析出して
いることが確認された。
を測定した結果、２Ｍｇ０・２Ａ１．０・５ＳｉＯｚ及
びＭｇ０−Ａ Ｉｓ Ｏｓ ・４ＳｉＯ３が析出して
いることが確認された。
さらに、得られた結晶化ガラスを実施例１と同様に熱膨
張係数を測定したところ、１００〜３０Ｏ℃の熱膨張係
数（α）は３８ Ｘ １０−’／’Ｃであり、比重（Ｓ
、Ｇ、 ）は２．６３であり、熱膨張係数は小さいもの
であった。
張係数を測定したところ、１００〜３０Ｏ℃の熱膨張係
数（α）は３８ Ｘ １０−’／’Ｃであり、比重（Ｓ
、Ｇ、 ）は２．６３であり、熱膨張係数は小さいもの
であった。
（以下余白）
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明の結晶化ガラスは、その出発
材料であるガラスを作製するための溶融温度が低く、失
透もなく、熱処理後の熱膨張係数が大きく、かつ均一な
熱膨張係数を有し、気孔も実質的にない結晶化ガラスと
なる。
材料であるガラスを作製するための溶融温度が低く、失
透もなく、熱処理後の熱膨張係数が大きく、かつ均一な
熱膨張係数を有し、気孔も実質的にない結晶化ガラスと
なる。
特に、本発明の結晶化ガラスは適切な熱膨張係数を容易
に選択できるので、薄膜磁気ヘッド用基板として好まし
く用いることができる。
に選択できるので、薄膜磁気ヘッド用基板として好まし
く用いることができる。
特許出願人 ホーヤ株式会社
Claims (1)
- １、重量％表示で、ＳｉＯ＿２を４９．０〜６０．０％
、Ａｌ＿２Ｏ＿３を１９．０〜２７．０％、Ｌｉ＿２Ｏ
を０．２〜３．０％、ＴｉＯ＿２を５．０〜１２．０％
、ＭｇＯを１０．０〜１５．０％含むガラスを熱処理す
ることにより熱膨張係数が１２７×１０＾−＾７／℃以
上であることを特徴とする結晶化ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12379590A JP3197895B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 結晶化ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12379590A JP3197895B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 結晶化ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421543A true JPH0421543A (ja) | 1992-01-24 |
| JP3197895B2 JP3197895B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=14869498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12379590A Expired - Lifetime JP3197895B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 結晶化ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3197895B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0941973A2 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| EP0952966A1 (en) * | 1996-11-21 | 1999-11-03 | Corning Incorporated | $g(b)-QUARTZ-BASED GLASS-CERAMICS |
| US7264894B2 (en) | 1998-03-13 | 2007-09-04 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| JP2018062461A (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | コーディエライトガラスセラミック、その製造および使用 |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP12379590A patent/JP3197895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0952966A1 (en) * | 1996-11-21 | 1999-11-03 | Corning Incorporated | $g(b)-QUARTZ-BASED GLASS-CERAMICS |
| EP0952966A4 (en) * | 1996-11-21 | 2000-08-23 | Corning Inc | GLASS CERAMICS BASED ON BETA QUARTZ |
| EP0941973A2 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| EP0941973A3 (en) * | 1998-03-13 | 2000-09-27 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| US6294490B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-09-25 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| US6569792B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-05-27 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| US6774072B2 (en) | 1998-03-13 | 2004-08-10 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| US6960399B2 (en) | 1998-03-13 | 2005-11-01 | Hoya Corporation | Crystalized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| US7264894B2 (en) | 1998-03-13 | 2007-09-04 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| JP2018062461A (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | コーディエライトガラスセラミック、その製造および使用 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3197895B2 (ja) | 2001-08-13 |
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