JPH04212167A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH04212167A JPH04212167A JP20630790A JP20630790A JPH04212167A JP H04212167 A JPH04212167 A JP H04212167A JP 20630790 A JP20630790 A JP 20630790A JP 20630790 A JP20630790 A JP 20630790A JP H04212167 A JPH04212167 A JP H04212167A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、グロー放電等により感光体基板の表面に感光
層を形成する電子写真感光体の製造方法に関する。
層を形成する電子写真感光体の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、導電性基板上に感光層を有する電子写真感光体の
製造方法としては、グロー放電分解法、スパッタリング
法、真空蒸着法等の方法によるものが知られており、特
にグロー放電分解法がしばしば利用されている。
製造方法としては、グロー放電分解法、スパッタリング
法、真空蒸着法等の方法によるものが知られており、特
にグロー放電分解法がしばしば利用されている。
しかし、グロー放電分解法によって感光体上に感光層を
形成させる場合、原料ガスが分解して生じる微粉体が感
光層堆積中に該堆積面上に付着して、得られる感光層に
欠陥を生じ、電子写真装置を用いて得られる画像に白点
あるいは黒点となって現れるという問題があった。
形成させる場合、原料ガスが分解して生じる微粉体が感
光層堆積中に該堆積面上に付着して、得られる感光層に
欠陥を生じ、電子写真装置を用いて得られる画像に白点
あるいは黒点となって現れるという問題があった。
また、原料ガスが分解して生じる微粉体は対向電極およ
び真空槽内部壁面に付着／堆積するため、成膜終了後の
微粉体除去作業の作業時間が長くなり、生産性が低くな
るという問題があった。
び真空槽内部壁面に付着／堆積するため、成膜終了後の
微粉体除去作業の作業時間が長くなり、生産性が低くな
るという問題があった。
従来このような問題を解決するために、特開昭６２−１
３６５７２号公報には感光体基板を対向電極側からみて
完全に同一の電位に保持し、感光体基板延長部の長さが
対向電極とほぼ同じにした製造方法が提案されている。
３６５７２号公報には感光体基板を対向電極側からみて
完全に同一の電位に保持し、感光体基板延長部の長さが
対向電極とほぼ同じにした製造方法が提案されている。
また、電極に付着／堆積する微粉体量を低減させるため
に特開昭５９−１９３２６５号公報には金網状電極を用
いた製造装置、特開昭６１−１５９７３号公報には電極
を加熱する方法が提案されている。
に特開昭５９−１９３２６５号公報には金網状電極を用
いた製造装置、特開昭６１−１５９７３号公報には電極
を加熱する方法が提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、上記の感光体基板延長部の長さが対向電極と
ほぼ同じにした装置では、対向電極長手方向に存在する
放電領域と非放電領域の境界部分で不均一放電が起こり
、微粉体発生が十分に防止できないといった問題点を残
していた。
ほぼ同じにした装置では、対向電極長手方向に存在する
放電領域と非放電領域の境界部分で不均一放電が起こり
、微粉体発生が十分に防止できないといった問題点を残
していた。
また、上記の金網状電極や電極を加熱する方法では真空
槽内部全体にわたっての微粉体を低減することは困難で
あった。
槽内部全体にわたっての微粉体を低減することは困難で
あった。
本発明は、従来技術のおける上記問題を解決するために
なされたものであって、反応器内部の微粉体量を低減で
きる電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
なされたものであって、反応器内部の微粉体量を低減で
きる電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
他の目的は、欠陥のない耐刷性に優れた電子写真感光体
の製造方法を提供することにある。
の製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、真空槽中に感光体用基板を載置する感光体基
板支持体と感光体基板支持体に対向して設けられた対向
電極とを少なくとも有し、感光体基板の上下に脱着可能
な導電体のホルダーを該基板と該ホルダーの全長ｌが対
向電極全長Ｌに対してになるように嵌合し、前記対向電
極と感光体用基板との間でグロー放電を起こし、基板上
に感光層を形成する電子写真感光体の製造方法であるこ
とを特徴とする。以下、本発明についての詳細を説明す
る。
板支持体と感光体基板支持体に対向して設けられた対向
電極とを少なくとも有し、感光体基板の上下に脱着可能
な導電体のホルダーを該基板と該ホルダーの全長ｌが対
向電極全長Ｌに対してになるように嵌合し、前記対向電
極と感光体用基板との間でグロー放電を起こし、基板上
に感光層を形成する電子写真感光体の製造方法であるこ
とを特徴とする。以下、本発明についての詳細を説明す
る。
第１図は、本発明が適用できる容量結合型プラズマＣＶ
Ｄ装置の一例である。図中１は真空槽であり、その内部
に接地電位に保持された、モーター８により回転する円
筒状の感光体基板支持体が設けられている。この感光体
基板支持体の周りには複数のガス噴出孔を設けた剛性の
金属よりなる中空対向電極３が感光体支持体を取り囲む
ように配置されている。この中空対向電極は高周波電源
から高周波電圧が印加されており、その外側は金属より
なるシールド板４で覆われている。中空対向電極の外側
には、該対向電極を加熱するための加熱手段７が設けら
れている。該加熱手段は加熱コイルからなりシールド板
上に設けられているか或るいは加熱ランプがシールド板
近傍に配設されたものでもよい。一方、感光体基板支持
体の内部には、上記加熱手段とは独立に加熱装置６が設
けられている。作製される感光層は単層構造のものでも
よく、また電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された
積層構造のものでもよい。更にまた、電荷注入阻止層や
保護層を設けたものであってもよい。
Ｄ装置の一例である。図中１は真空槽であり、その内部
に接地電位に保持された、モーター８により回転する円
筒状の感光体基板支持体が設けられている。この感光体
基板支持体の周りには複数のガス噴出孔を設けた剛性の
金属よりなる中空対向電極３が感光体支持体を取り囲む
ように配置されている。この中空対向電極は高周波電源
から高周波電圧が印加されており、その外側は金属より
なるシールド板４で覆われている。中空対向電極の外側
には、該対向電極を加熱するための加熱手段７が設けら
れている。該加熱手段は加熱コイルからなりシールド板
上に設けられているか或るいは加熱ランプがシールド板
近傍に配設されたものでもよい。一方、感光体基板支持
体の内部には、上記加熱手段とは独立に加熱装置６が設
けられている。作製される感光層は単層構造のものでも
よく、また電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された
積層構造のものでもよい。更にまた、電荷注入阻止層や
保護層を設けたものであってもよい。
特に、基板とその上下に嵌合されたホルダーの全長が対
向電極の端部より少なくとも１０ｍｍそれぞれの対向電
極長手方向に突出しているホルダーを用いることが微粉
体生成に関して著しい低減効果が得られるので、好まし
い。更に、対向電極が複数のガス噴出孔を有する剛性の
金属よりなる中空円筒形状であり、かつ該対向電極を加
熱する手段を有することにより、反応器内部、特に対向
電極およびその近傍の微粉体生成をより抑制出来る点で
好ましい。
向電極の端部より少なくとも１０ｍｍそれぞれの対向電
極長手方向に突出しているホルダーを用いることが微粉
体生成に関して著しい低減効果が得られるので、好まし
い。更に、対向電極が複数のガス噴出孔を有する剛性の
金属よりなる中空円筒形状であり、かつ該対向電極を加
熱する手段を有することにより、反応器内部、特に対向
電極およびその近傍の微粉体生成をより抑制出来る点で
好ましい。
本発明においてＬが■式を満足しない場合は中空対向電
極と感光体基板側のグロー放電領域の端部において、不
均一放電が発生し微粉体が生じ、感光層に欠陥や微粉体
の付着が生じることになる。
極と感光体基板側のグロー放電領域の端部において、不
均一放電が発生し微粉体が生じ、感光層に欠陥や微粉体
の付着が生じることになる。
上記のプラズマＣＶＤ装置を用いて電子写真感光体を製
造するためには、感光体基板支持体側に下部ホルダー１
１、感光体基板１２、上部ホルダー１３を順次載置し、
下部ホルダーと感光体基板と上部ホルダーの全長ｌが、
中空対向電極３の長手方向の長さＬに対して を満たすようにそれぞれを嵌合し、該対向電極に高周波
電圧を印加し真空槽内にシランまたはジシラン誘導体等
の原料ガスを導入し、グロー放電分解することによって
、該感光体用基板上に非晶質ケイ素膜等の感光層を成膜
することができる。
造するためには、感光体基板支持体側に下部ホルダー１
１、感光体基板１２、上部ホルダー１３を順次載置し、
下部ホルダーと感光体基板と上部ホルダーの全長ｌが、
中空対向電極３の長手方向の長さＬに対して を満たすようにそれぞれを嵌合し、該対向電極に高周波
電圧を印加し真空槽内にシランまたはジシラン誘導体等
の原料ガスを導入し、グロー放電分解することによって
、該感光体用基板上に非晶質ケイ素膜等の感光層を成膜
することができる。
また、感光体基板支持体は接地電位に保持されており、
そしてその内部には加熱装置が設けられている。感光体
基板支持体上に感光体基板を載置し真空槽内部を減圧に
し、該基板の温度を所望の値に上昇させた後、原料ガス
、例えばシランガスをボンベからガス導入管５により真
空槽内部に導入し感光体基板と中空得対向電極との間で
グロー放電をおこさせて、該感光体基板上に感光膜を堆
積形成させる。真空槽内部の反応ガスおよび未反応ガス
は、真空ポンプにより排気系１０より除去される。
そしてその内部には加熱装置が設けられている。感光体
基板支持体上に感光体基板を載置し真空槽内部を減圧に
し、該基板の温度を所望の値に上昇させた後、原料ガス
、例えばシランガスをボンベからガス導入管５により真
空槽内部に導入し感光体基板と中空得対向電極との間で
グロー放電をおこさせて、該感光体基板上に感光膜を堆
積形成させる。真空槽内部の反応ガスおよび未反応ガス
は、真空ポンプにより排気系１０より除去される。
本発明のホルダーは導電性であれば良く、金属もしくは
導電性ガラスなどを用いることが出来る。
導電性ガラスなどを用いることが出来る。
（作用）
不発明の装置は中空対向電極３の長手方向の長さよりも
下部ホルダーと感光体基板と上部ホルダーの全長Ｌを短
くし、所定の範囲にしたので、両端の不均一放電が起き
にくくなり、従って、不均一放電により生じる微粉体が
発生しなくなる。
下部ホルダーと感光体基板と上部ホルダーの全長Ｌを短
くし、所定の範囲にしたので、両端の不均一放電が起き
にくくなり、従って、不均一放電により生じる微粉体が
発生しなくなる。
（実施例）
実施例１
第２図に示すプラズマＣＶＤ装置に５５ｍｍの下部ホル
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、５５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（ｌ＝５２０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が全面にわたって
千鳥抜きされたものである。
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、５５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（ｌ＝５２０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が全面にわたって
千鳥抜きされたものである。
真空槽内部を約１Ｔｏｒｒに減圧し、窒素雰囲気下で感
光体基板および対向電極をそれぞれ２５０℃、２００℃
まで加熱する。温度が一定になった後、高真空排気をお
こない電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１の成膜
条件で順次堆積した。
光体基板および対向電極をそれぞれ２５０℃、２００℃
まで加熱する。温度が一定になった後、高真空排気をお
こない電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１の成膜
条件で順次堆積した。
成膜後の真空槽内部には微粉体が堆積しており、真空槽
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
また、成膜された感光体をカールソン方式の複写機に搭
載して全面黒色の画象を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになった。
載して全面黒色の画象を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになった。
実施例２
第２図に示すプラズマＣＶＤ装置に６０ｍｍの下部ホル
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、６０ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（ｌ＝５３０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が全面にわたって
千鳥抜きされたものである。
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、６０ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（ｌ＝５３０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が全面にわたって
千鳥抜きされたものである。
真空槽内部を約１Ｔｏｒｒに減圧し、窒素雰囲気下で感
光体基板を２５０℃まで加熱する。このとき対向電極の
加熱は行わなかった。感光体基板の温度が一定になった
後、高真空排気を行い電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を表１の成膜条件で順次堆積した。
光体基板を２５０℃まで加熱する。このとき対向電極の
加熱は行わなかった。感光体基板の温度が一定になった
後、高真空排気を行い電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を表１の成膜条件で順次堆積した。
成膜後の真空槽内部には微粉体が堆積しており、真空槽
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
また、成膜された感光体をカールソン方式の複写機に搭
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになった。
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになった。
実施例３
第４図に示すプラズマＣＶＤ装置に６５ｍｍの下部ホル
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、６５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（ｌ＝５４０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で電
極長手方向に一列だけ空いているものである。
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、６５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（ｌ＝５４０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で電
極長手方向に一列だけ空いているものである。
真空槽内部を約１Ｔｏｒｒに減圧し、窒素雰囲気下で感
光体基板および対向電極をそれぞれ２５０℃、２００℃
まで加熱する。温度が一定になった後、高真空排気を行
い電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１の成膜条件
で順次堆積した。
光体基板および対向電極をそれぞれ２５０℃、２００℃
まで加熱する。温度が一定になった後、高真空排気を行
い電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１の成膜条件
で順次堆積した。
成膜後の真空槽内部には微粉体が堆積しており、真空槽
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
また、成膜された感光体をカールソン方式の複写機に搭
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになつた。
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになつた。
比較例１
第５図に示すプラズマＣＶＤ装置に５５ｍｍの下部ホル
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、４５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（■＝５１０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で電
極長手方向に一列だけ空いているものである。
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、４５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（■＝５１０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で電
極長手方向に一列だけ空いているものである。
真空槽内部を約１Ｔｏｒｒに減圧し、窒素雰囲気下で感
光体基板を２５０℃まで加熱する。対向電極の加熱は行
わなかった。感光体基板の温度が一定になった後、高真
空排気を行い電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１
の成膜条件で順次堆積した。
光体基板を２５０℃まで加熱する。対向電極の加熱は行
わなかった。感光体基板の温度が一定になった後、高真
空排気を行い電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１
の成膜条件で順次堆積した。
成膜後の真空槽内部には微粉体が堆積しており、真空槽
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
また、成膜された感光体をカールソン方式の複写機に搭
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになった。
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになった。
比較例２
第３図に示すプラズマＣＶＤ装置に５５ｍｍの下部ホル
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、４５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（■＝５１０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が全面にわたって
千鳥抜きされたものである。
ダー、４１０ｍｍの感光体基板、４５ｍｍの上部ホルダ
ーを感光体基板支持体上に順次載積した（■＝５１０ｍ
ｍ）。対向電極の長手方向の寸法は５００ｍｍ（Ｌ＝５
００ｍｍ）で、該対向電極の長手方向の中点と感光体基
板の長手方向の中点が一致するように配設した。該対向
電極はステンレス製で直径３ｍｍの穴が全面にわたって
千鳥抜きされたものである。
真空槽内部を約１Ｔｏｒｒに減圧し、窒素雰囲気下で感
光体基板および対向電極をそれぞれ２５０℃、２００℃
まで加熱する。温度が一定になった後、高真空排気をお
こない電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１の成膜
条件で順次堆積した。
光体基板および対向電極をそれぞれ２５０℃、２００℃
まで加熱する。温度が一定になった後、高真空排気をお
こない電荷注入阻止層、光導電層、表面層を表１の成膜
条件で順次堆積した。
成膜後の真空槽内部には微粉体が堆積しており、真空槽
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
内部のいくつかの箇所においてサンプリングした微粉体
の堆積量の合計は表２のようであった。
また、成膜された感光体をカールソン方式の複写機に搭
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになつた。
載して全面黒色の画像を複写し、得られた複写物の２５
７ｍｍ×３６４ｍｍの領域内に存在する白点の個数を数
えたところ表３のようになつた。
（発明の効果）
本発明は、上述したように感光体基板上部および下部の
ホルダーと感光体基板からなる全長を特定の範囲にする
ことにより、感光体基板側と対向電極の間でシランまた
はジシラン誘導体等の分解ガスの放電分解の際に発生す
る不均一放電が解消され、真空槽内部壁面への微粉体の
堆積量が低減できる。従って、本法によって作製される
感光体は、微粉体付着に基づく欠陥発生が極めて少なく
なり、その結果、この感光体を用いて欠陥のない画像が
得ることが可能になる。また、真空槽内部壁面への微粉
体堆積量が低減することにより、感光体作製後の真空槽
のクリーニング性が向上し生産性が向上するといった効
果を奏するものである。
ホルダーと感光体基板からなる全長を特定の範囲にする
ことにより、感光体基板側と対向電極の間でシランまた
はジシラン誘導体等の分解ガスの放電分解の際に発生す
る不均一放電が解消され、真空槽内部壁面への微粉体の
堆積量が低減できる。従って、本法によって作製される
感光体は、微粉体付着に基づく欠陥発生が極めて少なく
なり、その結果、この感光体を用いて欠陥のない画像が
得ることが可能になる。また、真空槽内部壁面への微粉
体堆積量が低減することにより、感光体作製後の真空槽
のクリーニング性が向上し生産性が向上するといった効
果を奏するものである。
（図面の簡単な説明）
第１図はプラズマＣＶＤ装置の一例であり、第２図、第
４図は本発明に係わる電極部近の構成図、また第３図、
第５図それぞれは比較例の電極部分の構成図である。
４図は本発明に係わる電極部近の構成図、また第３図、
第５図それぞれは比較例の電極部分の構成図である。
１…・真空槽、２…・感光体基板支持体、３…・対向電
極、４…・シールド板、５…、ガス導入管、６…・基板
加熱ヒーター、７…・電極加熱ヒーター、８…・基板回
転モーター、９…・高周波電源、１０…・真空ポンプ、
１１…．下部ホルダー、１２…．感光体基板、１３…．
上部ホルダー。
極、４…・シールド板、５…、ガス導入管、６…・基板
加熱ヒーター、７…・電極加熱ヒーター、８…・基板回
転モーター、９…・高周波電源、１０…・真空ポンプ、
１１…．下部ホルダー、１２…．感光体基板、１３…．
上部ホルダー。
Claims (1)
- 【請求項１】真空槽中に感光体用基板を載置する感光体
基 板支持体と感光体基板支持体に対向して設けられた対向
電極とを少なくとも有し、感光体基板の上下に脱着可能
な導電体のホルダーを該基板と該ホルダーの全長ｌ（ｍ
ｍ）が対向電極全長Ｌ（ｍｍ）に対してになるように嵌
合し、前記対向電極と感光体用基板との間でグロー放電
を起こし、基板上に感光層を形成することを特徴とする
電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20630790A JP2626203B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20630790A JP2626203B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212167A true JPH04212167A (ja) | 1992-08-03 |
| JP2626203B2 JP2626203B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=16521136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20630790A Expired - Lifetime JP2626203B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626203B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6882044B2 (en) * | 2002-05-17 | 2005-04-19 | Agilent Technologies, Inc. | High speed electronic interconnection using a detachable substrate |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP20630790A patent/JP2626203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6882044B2 (en) * | 2002-05-17 | 2005-04-19 | Agilent Technologies, Inc. | High speed electronic interconnection using a detachable substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2626203B2 (ja) | 1997-07-02 |
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