JPH04211518A - Superconduction circuit - Google Patents

Superconduction circuit

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JPH04211518A
JPH04211518A JP3015575A JP1557591A JPH04211518A JP H04211518 A JPH04211518 A JP H04211518A JP 3015575 A JP3015575 A JP 3015575A JP 1557591 A JP1557591 A JP 1557591A JP H04211518 A JPH04211518 A JP H04211518A
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Abstract

PURPOSE:To provide a superconduction circuit having an output driver circuit with high reliability in operation which improves the output logical amplitude of a semiconductor circuit. CONSTITUTION:A superconduction circuit 1 performing a logical operation consists of a Josephson processing circuit 2 transmitting an output logical signal at a first logical amplitude, a voltage amplifier circuit 3 receiving the output logical signal from the Josephson processing circuit for transmitting an output signal having second logical amplitude essentially larger than the first logical amplitude, an impedance conversion circuit 4 receiving the output signal from the voltage amplifier means generating the output of the superconduction circuit at an output impedance appropriate for the signal transmission to an external circuit.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は一般的にはジョセフソン
素子を備えた超伝導回路に係り、特に超伝導回路の出力
を半導体プロセッサでの使用に相応しい信号に変換する
出力変換回路を含む超伝導回路に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates generally to superconducting circuits equipped with Josephson elements, and more particularly to superconducting circuits including an output conversion circuit for converting the output of a superconducting circuit into a signal suitable for use in a semiconductor processor. Concerning conducting circuits.

【0002】0002

【従来の技術】一般にジョセフソン素子を有する超伝導
回路では、ジョセフソン接合に使用される材料に固有の
エネルギーギャップにより決定される論理振幅をもった
出力論理信号が出力される。ジョセフソン接合の代表的
材料の一つであるニオビウム(Nb) をこの目的に使
用すると、約3mVの論理振幅が得られる。消費電力の
節減にはこの低い論理振幅は有利であるが、この論理振
幅水準は室温条件で動作させる半導体回路を駆動するに
は低すぎる。ジョセフソン回路の動作には極めて低い温
度環境が必要であることを留意しておかなければならな
い。このため、液体ヘリウムのような冷媒を入れた低温
容器がジョセフソン回路の収納に用いられている。こう
して室温環境で動作する処理回路はジョセフソンプロセ
ッサの出力の後処理に欠かすことができない。一般に約
数百mVの論理振幅がこのような処理回路では必要であ
り、例えばCMOS(相補型金属酸化膜半導体)素子を
このために使用すると、その素子を駆動するのに必要な
論理振幅は約1 . 5Vになる。一方、GaAs F
ET(電界効果ドランジスタ)を使う場合、好ましい論
理振幅は約800mV となる。 バイポーラトランジスタを使用するには、好ましい論理
振幅は約400mV である。
2. Description of the Related Art Generally, a superconducting circuit having a Josephson element provides an output logic signal having a logic amplitude determined by the energy gap inherent in the material used for the Josephson junction. When niobium (Nb), one of the typical materials for Josephson junctions, is used for this purpose, a logic amplitude of approximately 3 mV is obtained. Although this low logic amplitude is advantageous in reducing power consumption, this logic amplitude level is too low to drive semiconductor circuits operating at room temperature conditions. It must be noted that Josephson circuit operation requires an extremely low temperature environment. For this reason, cryogenic containers containing a coolant such as liquid helium are used to house Josephson circuits. Processing circuits that operate at room temperature are thus essential for post-processing the Josephson processor's output. Generally, a logic amplitude of about several hundred mV is required in such a processing circuit, and if a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device is used for this purpose, for example, the logic amplitude required to drive the device is about 1. It becomes 5V. On the other hand, GaAs F
When using ET (field effect transistor), the preferred logic amplitude is approximately 800 mV. Using bipolar transistors, the preferred logic amplitude is approximately 400 mV.

【0003】このように、ジョセフソンプロセッサが直
接、これらの半導体処理回路に出力すると、その半導体
処理回路は適切にあるいは全く動作しない恐れがある。 適切に動作したとしても、係るシステムは外部雑音に極
めて脆い。このような事情からジョセフソンプロセッサ
の論理振幅を半導体回路による処理に相応しい水準に変
換するジョセフソン集積回路の一部として、ジョセフソ
ンプロセッサと共に低温環境で動作可能な超伝導出力装
置に対する強い要求が見られる。
[0003] If the Josephson processor outputs directly to these semiconductor processing circuits, the semiconductor processing circuits may not operate properly or at all. Even when operating properly, such systems are extremely susceptible to external noise. Under these circumstances, there is a strong demand for a superconducting output device that can operate in a low-temperature environment together with the Josephson processor as part of the Josephson integrated circuit that converts the logic amplitude of the Josephson processor to a level suitable for processing by semiconductor circuits. It will be done.

【0004】図16は特願昭61−1715511によ
る従来のジョセフソンゲート回路を示す回路図である。 同図において、回路は直列につながれた複数のジョセフ
ソン接合J11,J12,,,J1n を含む第 1の
接合群11、複数のジョセフソン接合J21,J22,
,,を含む第 2の接合群12、第 1の接合群11に
直列でつながれている第 1の抵抗R1, 同じく第 
2の接合群に直列接続する第 2の抵抗R2を含み、接
合群11及び、抵抗R1がブリッジ回路の第 1の分岐
を構成し、接合群12及び抵抗R2がそのブリッジ回路
の第 2の分岐を構成する。ドライバ10にはブリッジ
の中立接続点へ接続した端子PVccで駆動電流Ibが
投入され、接合群11及び12のジョセフソン接合は各
ジョセフソン接合で同じ臨界電流Isを有する。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a conventional Josephson gate circuit according to Japanese Patent Application No. 61-1715511. In the same figure, the circuit includes a first junction group 11 including a plurality of Josephson junctions J11, J12, , J1n connected in series, a plurality of Josephson junctions J21, J22,
, , a second junction group 12 including a first resistor R1 connected in series to the first junction group 11;
2, the junction group 11 and the resistor R1 constitute a first branch of the bridge circuit, and the junction group 12 and the resistor R2 constitute a second branch of the bridge circuit. Configure. A drive current Ib is applied to the driver 10 at a terminal PVcc connected to the neutral connection point of the bridge, and the Josephson junctions of junction groups 11 and 12 have the same critical current Is in each Josephson junction.

【0005】動作時において、端子PVccで供給され
るバイアス電流Ibは分岐し、第 1、第 2の分岐で
同じ大きさでこの第 1、第 2の分岐を通して流れる
ようになる。こうして、電流Ib/2は第 1、第 2
の分岐を通じて流れる。 この電流Ib/2 が分岐に含まれたジョセフソン接合
の臨界電流より低い限り、接合群11、12が超伝導状
態を維持する。
In operation, the bias current Ib supplied at the terminal PVcc branches and flows through the first and second branches with the same magnitude. In this way, the current Ib/2 is the first, second
flows through the branches of As long as this current Ib/2 is lower than the critical current of the Josephson junction included in the branch, the junction groups 11 and 12 maintain their superconducting state.

【0006】この状態で入力電流Iin が接合群11
と抵抗R1間の接続点に接続された入力端子Pin へ
供給されると電流Iinは図 1で点線で示した通路を
通ることになり、大きさがIin/2+Ib/2の電流
が第 2の分岐を通して流れ、一方、大きさが−Iin
/2+Ib/2 の電流は第 1の分岐を通して流れる
ことになる。こうして、第 2の分岐の電流値Iin/
2+Ib/2が第 2の接合群12の中の少なくともい
くつかのジョセフソン接合の臨界電流を越えると、これ
らのジョセフソン接合は有限電圧状態に移行し、第 2
の分岐に抵抗が現れる。この抵抗の出現に対応して、い
ままで第 2の分岐を流れていた駆動電流Ib/2は第
 1の分岐に流れが変わる。これにより、第 1の接合
群11を通じて流れる電流Ibのオーバーシュートが起
こり、第 1群11のジョセフソン接合J11−J1n
 がいずれも有限電圧状態に遷移する。 さらに、これらジョセフソン接合J11−J1n の遷
移に対応して、ジョセフソン接合J21−J2n がい
ずれも有限電圧状態に変わり、抵抗R2及び第 2の接
合群12の間の接続点に接続された出力端子Poutに
は、各ジョセフソン接合のエネルギーギャップにジョセ
フソン接合の段階数を乗じた電圧が現れる。
In this state, the input current Iin is in the junction group 11.
When the current Iin is supplied to the input terminal Pin connected to the connection point between the R1 and the resistor R1, the current Iin passes through the path shown by the dotted line in Figure 1, and the current with magnitude Iin/2+Ib/2 flows through the second flows through the branch, while the magnitude is −Iin
A current of /2+Ib/2 will flow through the first branch. In this way, the current value of the second branch Iin/
2+Ib/2 exceeds the critical current of at least some of the Josephson junctions in the second group of junctions 12, these Josephson junctions transition to a finite voltage state and the second
Resistance appears at the branch of In response to the appearance of this resistance, the drive current Ib/2, which has been flowing through the second branch, changes its flow to the first branch. This causes an overshoot of the current Ib flowing through the first junction group 11, and the Josephson junctions J11-J1n of the first group 11
Both transition to a finite voltage state. Furthermore, in response to these transitions of Josephson junctions J11-J1n, Josephson junctions J21-J2n all change to a finite voltage state, and the output connected to the connection point between resistor R2 and the second group of junctions 12 A voltage corresponding to the energy gap of each Josephson junction multiplied by the number of stages of the Josephson junction appears at the terminal Pout.

【0007】図17(A) 〜図17(F) は従来の
ジョセフソン回路の動作を示す。図17(A)は図1の
回路のパラメータを定義し、図17(B) 〜図17(
F)は前記動作に応じて現れる波形を示す。
FIGS. 17(A) to 17(F) show the operation of a conventional Josephson circuit. Figure 17(A) defines the parameters of the circuit in Figure 1, and Figures 17(B) to 17(
F) shows a waveform that appears in response to the above operation.

【0008】図17(B) に示した入力端子Pin 
部での入力電流Iin の立ち上がりで、第 2の分岐
を流れる電流IRは上昇し、ジョセフソン接合のいくつ
かはタイミングT1で有限電圧状態へ切り替わり始める
。タイミングT1の後、電流IRは大幅に低下する。一
方、第 1分岐を流れる電流ILは図 2(D) に示
したタイミングT2でサージ状態になる。この電流IL
のサージに対応して第 1の分岐のジョセフソン接合は
すべて有限電圧状態に切り替わり、電流IRは図 2(
B) に示すタイミングT3で大きなピークで表したよ
うに再び、上昇する。それにより、第 2の分岐のジョ
セフソン接合がすべて有限電圧状態に切り替わり、直列
接続のジョセフソン接合数を掛けたギャップ電圧を乗じ
た値の出力電圧が出力端子Poutに現れる。これに対
応して、負荷RLへの出力電流IRL は図 2(F)
 に示すように上昇する。
Input terminal Pin shown in FIG. 17(B)
With the rise of the input current Iin in the second branch, the current IR flowing through the second branch increases and some of the Josephson junctions begin to switch to the finite voltage state at time T1. After timing T1, current IR drops significantly. On the other hand, the current IL flowing through the first branch enters a surge state at timing T2 shown in FIG. 2(D). This current IL
In response to the surge, all Josephson junctions in the first branch switch to a finite voltage state, and the current IR is
B) It rises again as shown by the large peak at timing T3 shown in FIG. As a result, all the Josephson junctions in the second branch are switched to a finite voltage state, and an output voltage having a value multiplied by the gap voltage multiplied by the number of Josephson junctions connected in series appears at the output terminal Pout. Correspondingly, the output current IRL to the load RL is shown in Figure 2 (F).
rise as shown in .

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、この従来の
ドライバには半導体処理回路を出力端子Poutに接続
する際に、ジョセフソン接合の遷移をおこすはずの電流
IL或いはIRが、半導体回路の入力インピーダンスが
低いため、負荷RLを構成する半導体回路へ流れてしま
う問題点を有する。特に時間T2ないし、T3で電流損
失が生じると出力ドライバの動作が不安定となってしま
う。さらに、直列に接続されたジョセフソン接合の数の
多さに伴って、多くのジョセフソン接合及びそれに対応
する第 1、第 2の分岐に大きな、しかし、予測でき
ない寄生インダクタンスが生じ、時間T2ないし、T3
における電流のオーバーシュートが充分な強さで期待通
りに起こらないことがある。このように図 1に示した
従来の回路は充分な信頼性に欠けるという問題がついて
まわる。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in this conventional driver, when connecting a semiconductor processing circuit to the output terminal Pout, the current IL or IR that should cause a Josephson junction transition is caused by the input impedance of the semiconductor circuit Since the voltage is low, there is a problem that the voltage flows to the semiconductor circuit that constitutes the load RL. In particular, if current loss occurs at time T2 or T3, the operation of the output driver becomes unstable. In addition, the large number of Josephson junctions connected in series creates large but unpredictable parasitic inductances in many Josephson junctions and their corresponding first and second branches, leading to , T3
The overshoot of the current at may not be strong enough to occur as expected. Thus, the conventional circuit shown in FIG. 1 suffers from the problem of lacking sufficient reliability.

【0010】本発明は上記の点に鑑みなされたもので所
定の論理演算を行うジョセフソンプロセッサ及び論理振
幅を上げて出力信号を出力するためにジョセフソンプロ
セッサの出力論理信号を受けることができる動作信頼性
の高い超伝導回路を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and includes a Josephson processor that performs predetermined logical operations, and an operation that can receive the output logic signal of the Josephson processor in order to increase the logic amplitude and output the output signal. The purpose is to provide highly reliable superconducting circuits.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理を示
すブロック図である。論理演算を行い、その結果を第1
の論理振幅を有する出力論理信号として出力するジョセ
フソン演算回路2を備え、出力論理素子と外部回路が行
う処理に適した論理振幅に変換して出力する超伝導回路
1において、各々磁気結合した磁界制御ラインを有する
と共にバイアス電流を供給され、制御ライン上の信号に
応じて超伝導状態から有限電圧状態に遷移して、遷移に
伴い基本論理振幅を発生させる超伝導量子干渉素子を複
数個直列接続してなり、且つバイアス電流が複数の該超
伝導量子干渉素子を順次流れるように、また、出力論理
信号が制御ラインを通って、複数の超伝導量子干渉素子
を順次流れるように構成され、基本論理振幅の和として
第1の論理振幅よりも実質的に大きい第2の論理振幅を
有する論理信号を出力端子に出力する電圧増幅手段と、
出力端子に接続され、外部回路に第2の論理振幅を有す
る論理信号を出力するのに適し、且つ電力増幅手段3に
おける超伝導量子干渉素子の遷移が行われているとき、
超伝導量子干渉素子に流れ込むバイアス電流が、実質的
に出力端子から流れ出さないような、出力インピーダン
スを有するインピーダンス変換手段4とを有する。
SUMMARY OF THE INVENTION FIG. 1 is a block diagram showing the principle of the present invention. Perform a logical operation and store the result as the first
The superconducting circuit 1 includes a Josephson arithmetic circuit 2 that outputs an output logic signal having a logic amplitude of Multiple superconducting quantum interference elements connected in series that have a control line and are supplied with a bias current, transition from a superconducting state to a finite voltage state in response to a signal on the control line, and generate a basic logic amplitude along with the transition. and a bias current is configured to sequentially flow through the plurality of superconducting quantum interference devices, and an output logic signal is configured to sequentially flow through the plurality of superconducting quantum interference devices through a control line. Voltage amplification means for outputting to an output terminal a logic signal having a second logic amplitude that is substantially larger than the first logic amplitude as a sum of logic amplitudes;
connected to the output terminal, suitable for outputting a logic signal having a second logic amplitude to an external circuit, and when the transition of the superconducting quantum interference element in the power amplification means 3 is performed;
The impedance converting means 4 has an output impedance such that the bias current flowing into the superconducting quantum interference device does not substantially flow out from the output terminal.

【0012】また、1つの超伝導量子干渉素子が、第1
のジョセフソン接合、第2のジョセフソン接合及び第1
のインダクタンスをループ状に接続した第1の超伝導ル
ープと、第1のジョセフソン接合、第3のジョセフソン
接合及び第2のインダクタンスをループ状に接続した第
2の超伝導ループと、第1のインダクタンスに磁界結合
する第1の磁界制御ラインと、第2のインダクタンスに
磁界結合する第2の磁界制御ラインを含み、各超伝導量
子干渉素子の前記第1のジョセフソン接合同士を直列接
続する超伝導回路であって、各超伝導量子干渉素子の第
1の磁界制御ライン同士及び第2の磁界制御ライン同士
を直列接続する。
[0012] Also, one superconducting quantum interference element
Josephson junction, second Josephson junction and first
a first superconducting loop in which inductances of a first magnetic field control line that is magnetically coupled to an inductance, and a second magnetic field control line that is magnetically coupled to a second inductance, and the first Josephson junctions of each superconducting quantum interference device are connected in series. A superconducting circuit in which first magnetic field control lines and second magnetic field control lines of each superconducting quantum interference element are connected in series.

【0013】[0013]

【作用】本発明の出力ドライバ回路は出力振幅信号の論
理振幅を増やすための電圧増幅器回路とインピーダンス
変換回路を含み、この電圧増幅回路には1以上のジョセ
フソン接合を含み、及びその電圧増幅器回路の出力信号
を受けるインピーダンス変換回路が接続され、さらにイ
ンピーダンス変換回路は高インピーダンスを有するので
、電圧増幅器回路の動作はこのインピーダンス変換回路
へ流れる電流を影響を受けない。
[Operation] The output driver circuit of the present invention includes a voltage amplifier circuit and an impedance conversion circuit for increasing the logic amplitude of an output amplitude signal, the voltage amplifier circuit includes one or more Josephson junctions, and the voltage amplifier circuit includes one or more Josephson junctions. An impedance conversion circuit is connected which receives the output signal of the voltage amplifier circuit, and since the impedance conversion circuit has a high impedance, the operation of the voltage amplifier circuit is not affected by the current flowing to this impedance conversion circuit.

【0014】また、半導体回路を駆動するために充分な
大きな出力電圧がインピーダンス変換回路から得られ、
その際に、増加器回路の動作に不利な影響は起こらない
ことにより信頼できる電圧変換が可能である。
Further, a sufficiently large output voltage can be obtained from the impedance conversion circuit to drive the semiconductor circuit, and
In this case, reliable voltage conversion is possible since no adverse effects occur on the operation of the intensifier circuit.

【0015】[0015]

【実施例】図1は本発明の原理を示すブロック図を示す
。同図は超伝導回路1の全体構造を示しており、超伝導
回路1 は論理演算を行い、ジョセフソン素子に適切な
第 1の低い論理振幅で出力論理信号を出すジョセフソ
ンプロセッサ2 、このジョセフソンプロセッサ2 か
らの出力論理信号を供給されて、その信号に反応して高
くなる論理振幅を有する出力論理信号を出力する電圧増
幅回路3 、及びこの電圧増幅回路3 に接続されてそ
の動作を安定させるインピーダンス変換回路4 を含む
。注意すべきことは、ジョセフソンプロセッサ2 、電
圧増幅回路3 及びインピーダンス変換回路4 がいず
れも冷却容器( 図示せず)に収納され、超伝導状態で
超伝導回路に使用されるジョセフソン接合を維持するこ
とができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a block diagram illustrating the principles of the invention. The figure shows the overall structure of the superconducting circuit 1. The superconducting circuit 1 is a Josephson processor 2 that performs logical operations and outputs an output logic signal with a first low logic amplitude appropriate for the Josephson element. A voltage amplification circuit 3 is supplied with an output logic signal from the son processor 2 and outputs an output logic signal having a logic amplitude that increases in response to the signal, and is connected to the voltage amplification circuit 3 to stabilize its operation. The impedance conversion circuit 4 includes an impedance conversion circuit 4. It should be noted that the Josephson processor 2, voltage amplification circuit 3, and impedance conversion circuit 4 are all housed in a cooling container (not shown) to maintain the Josephson junction used in the superconducting circuit in a superconducting state. can do.

【0016】インピーダンス変換回路4 の出力は次に
、冷却容器の外部に配設されることのある半導体処理回
路5 に供給される。これにより、電圧増幅回路3 及
びインピーダンス変換回路4 はジョセフソンプロセッ
サ2 の出力を半導体処理回路5 による処理に相応し
い信号に変換する出力ドライバ回路1’を構成する。イ
ンピーダンス変換回路4は高入力インピーダンスを有す
るので、電圧増幅回路3の動作は半導体処理回路5 を
接続することによる影響を受けない。
The output of the impedance conversion circuit 4 is then supplied to a semiconductor processing circuit 5, which may be located outside the cooling vessel. Thereby, the voltage amplification circuit 3 and the impedance conversion circuit 4 constitute an output driver circuit 1' that converts the output of the Josephson processor 2 into a signal suitable for processing by the semiconductor processing circuit 5. Since the impedance conversion circuit 4 has a high input impedance, the operation of the voltage amplification circuit 3 is not affected by connecting the semiconductor processing circuit 5.

【0017】図2は本発明の第 1実施例の具体的な構
成を示す回路図である。同図は出力ドライバ回路1’の
電圧増幅回路3 の詳細構造を示す。同図及び後掲の図
5、図6ではジョセフソンプロセッサ2 、インピーダ
ンス変換回路4 及び半導体処理回路5 についてはそ
の概要を示すにすぎない。インピーダンス変換回路4 
の構造は後で詳細に説明する。ジョセフソンプロセッサ
は例えば、公知のIIR フィルタの構造を有すること
があり、J として概要を示した1 以上のジョセフソ
ン素子を含む。さらに、半導体処理回路5 は公知のい
ずれかの構成をとることがあり、低インピーダンススト
リップライン8 を介して入力論理信号を供給される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of the first embodiment of the present invention. This figure shows the detailed structure of the voltage amplification circuit 3 of the output driver circuit 1'. 5 and 6, which will be described later, only outline the Josephson processor 2, impedance conversion circuit 4, and semiconductor processing circuit 5. Impedance conversion circuit 4
The structure of will be explained in detail later. A Josephson processor may, for example, have the structure of a well-known IIR filter and include one or more Josephson elements, generally indicated as J. Furthermore, the semiconductor processing circuit 5 may take any known configuration and is supplied with input logic signals via a low impedance stripline 8.

【0018】図2に関して、電圧増幅回路3 はジョセ
フソン干渉計論理(JIL) ゲート6 及び6’ を
含み、各々が直列に接続された二つのインピーダンスL
a, Lb及び、並列に接続された3 個のジョセフソ
ン接合Ja,Jb 及び、Jcを含んでいる。特に、各
JIL ゲート6 は一端を中心接続点に接続されたイ
ンダクタンスLa及びLbを有する。バイアス電流IB
は抵抗Rsを介して端子P1から中心接続点へ供給され
る。さらに、ジョセフソン接合Jbは一端を中心接続点
に接続され、ジョセフソン接合Jaは一端をインダクタ
ンスLaの第2の対向端に接続され、また、ジョセフソ
ン接合Jcは同様に一端をインダクタンスLbの第 2
の端部に接続されている。さらに、各ジョセフソン接合
Ja,Jb,Jcの他端は互いに接続して超伝導干渉計
を構成する。
With reference to FIG. 2, the voltage amplifier circuit 3 includes Josephson interferometer logic (JIL) gates 6 and 6', each of which has two impedances L connected in series.
a, Lb, and three Josephson junctions Ja, Jb, and Jc connected in parallel. In particular, each JIL gate 6 has an inductance La and Lb connected at one end to the central connection point. Bias current IB
is supplied from terminal P1 to the center connection point via resistor Rs. Furthermore, the Josephson junction Jb has one end connected to the center connection point, the Josephson junction Ja has one end connected to the second opposite end of the inductance La, and the Josephson junction Jc similarly has one end connected to the second opposite end of the inductance Lb. 2
connected to the end of the Further, the other ends of each Josephson junction Ja, Jb, and Jc are connected to each other to form a superconducting interferometer.

【0019】前記JIL ゲート6’はJIL ゲート
6 と以下を除いて同じ構造である。即ち、ジョセフソ
ン接合Ja−Jc の第 2の端部はJIL ゲート6
 のジョセフソン接合Ja−Jc と共有で、バイアス
電流をジョセフソン接合Ja−Jc を介してJIL 
ゲート6 から供給される。従って、JIL ゲート6
 及びJIL ゲート6’は組となる配列であり、バイ
アス電流IbはJIL ゲート6’の中心接続点を通し
て次に組へ流される。ジョセフソン接合Ja−Jc は
例えば一対のNb超伝導層で酸化アルミ(Alox)薄
膜をサンドイッチにした構造である。
The JIL gate 6' has the same structure as the JIL gate 6 except for the following. That is, the second end of the Josephson junction Ja-Jc is the JIL gate 6
The bias current is shared with the Josephson junction Ja-Jc of JIL through the Josephson junction Ja-Jc.
It is supplied from gate 6. Therefore, JIL gate 6
and the JIL gates 6' are arranged in pairs, and the bias current Ib is passed through the center junction of the JIL gates 6' to the next pair. The Josephson junction Ja-Jc has, for example, a structure in which a thin aluminum oxide (Alox) film is sandwiched between a pair of Nb superconducting layers.

【0020】図 2記載のJIL ゲート6 及び6’
( 説明図では全部で34) は、ジョセフソンプロセ
ッサ2 の出力端子から延びて、バイアス抵抗RLを介
して接地された外部制御ラインk へ磁気的に結合され
ており、この制御ラインk は各々、一対のインダクタ
ンスLA,LB からなるインダクタンスを含み、この
ようなインダクタンスはJIL ゲート6 及び6’に
対応して直列に接続されている。このようにして、ゲー
ト6 及びゲート6’から構成されるJIL ゲートの
各組において、JIL ゲート6 及び6’のインダク
タンスLa、インダクタンスLbはインダクタンスLA
及び、インダクタンスLBへ結合している。
JIL gates 6 and 6' shown in FIG.
(total 34 in the illustration) extend from the output terminal of the Josephson processor 2 and are magnetically coupled to an external control line k which is grounded via a bias resistor RL, and each of the control lines k is It includes an inductance consisting of a pair of inductances LA, LB, which are connected in series corresponding to JIL gates 6 and 6'. In this way, in each set of JIL gates consisting of gate 6 and gate 6', inductance La and inductance Lb of JIL gates 6 and 6' are equal to inductance LA
and is coupled to the inductance LB.

【0021】図 3は本発明の第 1実施例の閾値特性
を示す閾値曲線図である。同図はジョセフソン接合Ja
及びJcが0.1mA の臨界電流を有し、ジョセフソ
ン接合Jbが0.2mA の臨界電流を、さらにインダ
クタンスLa及びLb双方が、3.4pH のインダク
タンス値を有する場合におけるJIL ゲート6 及び
6’の静的特性を示す。特に、同図ではゲート6 及び
6’を通って流れるバイアス電流について制御ラインk
 を通って流れる電流Icの関数として作図しているこ
とである。さらに、JIL ゲートの遷移を引き起こさ
ずに供給され得る最高バイアス電流IBが前記のパラメ
ータ設定で約0.4mA の値を得ることである。
FIG. 3 is a threshold curve diagram showing the threshold characteristics of the first embodiment of the present invention. The figure shows Josephson junction Ja
and Jc has a critical current of 0.1 mA, the Josephson junction Jb has a critical current of 0.2 mA, and both the inductances La and Lb have an inductance value of 3.4 pH. shows the static properties of In particular, the control line k for the bias current flowing through gates 6 and 6' is shown in the figure.
It is plotted as a function of the current Ic flowing through it. Furthermore, the highest bias current IB that can be supplied without causing a transition of the JIL gate obtains a value of approximately 0.4 mA with the above parameter settings.

【0022】図3 に示すように、4 つの異なるモー
ド“00”、“01”、“10”、“11”が現れる。 モード“00”はJIL ゲート6 あるいは6’に磁
束量子が保持されていない場合及び、論理値“0 ”に
相当する。一方、モード“01”及び“10”はインダ
クタンスLa及びジョセフソン接合Ja,Jb により
JIL ゲート6 乃至6’に形成される第 1の超伝
導ループか、インダクタンスLb及び、ジョセフソン接
合Jb,Jc により同じJIL ゲートに形成される
第 2の超伝導ループのいずれかに1磁束量子が保持さ
れている場合に相当する。さらに、第1及び、第2超伝
導ループ双方が磁束量子を保持している場合の特性を表
す。注意すべき点は、第3 図で線影をつけた領域はJ
IL ゲートを形成するジョセフソン接合が有限電圧状
態に遷移する領域を指すことである。この領域は論理値
1 に相当する。
As shown in FIG. 3, four different modes appear: "00", "01", "10", and "11". The mode "00" corresponds to the case where no magnetic flux quantum is held in the JIL gate 6 or 6' and corresponds to the logical value "0". On the other hand, modes "01" and "10" are either the first superconducting loop formed in the JIL gates 6 to 6' by the inductance La and the Josephson junctions Ja, Jb, or the first superconducting loop formed by the inductance Lb and the Josephson junctions Jb, Jc. This corresponds to the case where one flux quantum is held in any of the second superconducting loops formed in the same JIL gate. Furthermore, the characteristics are shown when both the first and second superconducting loops hold magnetic flux quanta. The point to note is that the shaded area in Figure 3 is J.
IL refers to the region where the Josephson junction forming the gate transitions to a finite voltage state. This area corresponds to a logical value of 1.

【0023】動作時にはバイアス電流IBは図 3に示
した値IB1 のような値に設定され、この値IB1 
はラインk に入力電流ICがない場合に有限電圧状態
に遷移しないように決定される。それにより、電圧増幅
回路3 の各JIL ゲートは最初に超伝導状態に保た
れる。
During operation, the bias current IB is set to a value such as the value IB1 shown in FIG.
is determined such that it does not transition to a finite voltage state when there is no input current IC on line k. Thereby, each JIL gate of the voltage amplifier circuit 3 is initially kept in a superconducting state.

【0024】一方、ラインk に入力電流ICがある場
合、JIL ゲート6 或いは6’が有限電圧遷移をお
こさないバイアス電流の最大値( 臨界電流) が入力
電流Icの関数として特性曲線により決定される閾値レ
ベルを越えた場合に対応して、有限電圧状態へ移行する
。多数のJIL ゲートが直列に接続されている電圧増
幅回路3 では最小IC1 値を有するゲートが最初に
遷移をおこし、他のJIL ゲートがそれに続く。注意
すべき点として、電圧増幅回路3 が各JIL ゲート
に現れる電圧の和に相当する電圧として、抵抗Rsに接
続されているラインk1で、出力信号を出力することで
ある。ジョセフソンプロセッサ2 の出力信号論理値“
1 ”に対してラインk1でこのようにして得られる電
圧の大きさは例えば100mV となることがある。論
理値“0 ”に対する出力電圧は勿論、JIL ゲート
の超伝導状態に対応して0 である。
On the other hand, when there is an input current IC in line k, the maximum value of the bias current (critical current) at which the JIL gate 6 or 6' does not cause a finite voltage transition is determined by the characteristic curve as a function of the input current Ic. In response to exceeding a threshold level, a transition is made to a finite voltage state. In a voltage amplifier circuit 3 in which a number of JIL gates are connected in series, the gate with the smallest IC1 value makes a transition first, followed by the other JIL gates. It should be noted that the voltage amplifier circuit 3 outputs an output signal on the line k1 connected to the resistor Rs as a voltage corresponding to the sum of the voltages present at each JIL gate. Output signal logic value of Josephson processor 2
The magnitude of the voltage thus obtained on line k1 for a logic value "0" can be, for example, 100 mV. be.

【0025】こうして得られた電圧増幅回路3 には出
力電圧の大きさ、動作の信頼性、JIL ゲート6 及
び6’数の簡単な増減等の色々な利点がある。注意すべ
き点はJIL ゲート数の変更が簡単にできることで、
これは、各JIL ゲートへの入力電流Icの供給が磁
気的に直列で全JIL ゲートへ結合された単一の制御
ラインk により行えるからである。一方、JIL ゲ
ートへの論理信号の供給がラインk の並列ファンアウ
ト構成により行われると、各JIL ゲートへ供給の電
流は関与するJIL ゲート数に応じて変化することが
予想され、JIL ゲート数、それに電圧増幅の大きさ
を変更することは容易ではない。
The voltage amplifying circuit 3 thus obtained has various advantages such as a large output voltage, reliability of operation, and easy increase/decrease in the number of JIL gates 6 and 6'. The point to note is that the number of JIL gates can be easily changed.
This is because the input current Ic to each JIL gate can be supplied by a single control line k that is magnetically coupled in series to all JIL gates. On the other hand, if logic signals are supplied to the JIL gates by a parallel fan-out configuration of line k, the current supplied to each JIL gate is expected to vary depending on the number of JIL gates involved, and the number of JIL gates, It is not easy to change the magnitude of voltage amplification.

【0026】図 4は本発明の第 2実施例の要部を示
す回路図である。同図中、第 2図記載のJIL ゲー
ト6 及び6’は二つのジョセフソン接合Ja’,Jb
’ だけを有するJIL ゲート16及び16’ に置
き換えられている。こうして各JILゲート16あるい
は16’ は第 1実施例のインダクタンスLa,Lb
 のように接続されたインダクタンスLa’,Lb’ 
から構成され、バイアス電流IBはインダクタンスLa
’,Lb’ の第 1の端部が互いに接続している接続
点に供給される。 一方、ジョセフソン接合Ja’ 及びJb’ はインダ
クタンスLa’ 及びLb’ の第 2の端部に接続さ
せる。JIL ゲート16及び16’ は第 1実施例
のJIL ゲート6 及び6’のように配列され、JI
L ゲート16のジョセフソン接合Ja’ 及びJIL
 ゲート16’ のジョセフソン接合Ja’ はJIL
 ゲート16及び16’ のインダクタンスLa’ に
接続された端部に対向する側で共通接続される。
FIG. 4 is a circuit diagram showing the main part of a second embodiment of the present invention. In the figure, JIL gates 6 and 6' shown in FIG. 2 are two Josephson junctions Ja' and Jb.
' have been replaced by JIL gates 16 and 16' with only '. Thus, each JIL gate 16 or 16' has the inductance La, Lb of the first embodiment.
Inductances La', Lb' connected as
The bias current IB is composed of the inductance La
', Lb' are supplied to the connection point where the first ends are connected to each other. Meanwhile, the Josephson junctions Ja' and Jb' are connected to the second ends of the inductances La' and Lb'. JIL gates 16 and 16' are arranged like JIL gates 6 and 6' in the first embodiment, and JIL gates 16 and 16' are arranged like JIL gates 6 and 6' in the first embodiment,
Josephson junction Ja' and JIL of L gate 16
Josephson junction Ja' of gate 16' is JIL
The gates 16 and 16' are connected in common on the sides opposite the ends connected to the inductance La'.

【0027】図 4(B) はJIL ゲート16及び
16’ の特性を示し、ジョセフソン接合Ja’ 及び
Jb’ の双方が0.2mA に設定された臨界電流を
有し、インダクタンスLa’ 及びLb’ がどちらも
L/2 値を有し、そのL は5.18phに設定され
ている。パラメータを上記の様に設定してJIL ゲー
ト16及び16’ の遷移をおこさずに流れ得る最大バ
イアス電流IBは図 3の場合に対応して、4.0mA
 の値になる。図 4(B) では特に“0 ”と示さ
れた曲線があるモードに対する閾値のバイアス電流を表
し、JIL ゲート16乃至16’ を構成する超伝導
ループでは磁束量子が保持されていない。一方、“1 
”と示した曲線はJIL ゲートを構成する超伝導ルー
プに1 磁束量子が保持されているモードに対する閾値
バイアス電流を表している。同図中、線影をつけた領域
がJIL ゲートを構成するジョセフソン接合が有限電
圧状態に遷移した領域を指すことである。
FIG. 4B shows the characteristics of JIL gates 16 and 16', with both Josephson junctions Ja' and Jb' having critical currents set at 0.2 mA, and inductances La' and Lb'. both have L/2 values, and the L is set to 5.18ph. With the parameters set as above, the maximum bias current IB that can flow without causing a transition in JIL gates 16 and 16' is 4.0 mA, corresponding to the case in Figure 3.
becomes the value of In FIG. 4B, the curve marked "0" represents the threshold bias current for a certain mode, and no magnetic flux quantum is held in the superconducting loops forming the JIL gates 16 to 16'. On the other hand, “1
” represents the threshold bias current for a mode in which one flux quantum is held in the superconducting loop that constitutes the JIL gate. In the figure, the shaded area is the This refers to the region where the Son junction transitions to a finite voltage state.

【0028】こうして同じような電圧増幅動作が第 1
の実施例のJIL ゲート6 及び6’の代わりに使用
されたJIL ゲート16及び16’ を備えた第 2
の実施例で得られるのである。但し、第 1の実施例の
構造の方が好ましい。理由は本実施例が有限電圧状態へ
の遷移に対して( 図3 、4 (B) で線影をつけ
た) 広めの領域のためにさらに動作に余裕を持つから
である。
In this way, a similar voltage amplification operation is performed in the first
A second example with JIL gates 16 and 16' used in place of JIL gates 6 and 6' in the embodiment of
This can be obtained in this example. However, the structure of the first embodiment is preferable. The reason is that this embodiment has a wider region (shaded in FIGS. 3 and 4(B)) for transition to a finite voltage state, so there is more margin for operation.

【0029】図 5は本発明の第 3の実施例の具体的
な構成を示す回路図である。同図は第 3の実施例によ
る電圧増幅回路の構造を示す。同図において、既述の各
部に相当する部分は同一符号が付され、その説明は省略
する。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific configuration of a third embodiment of the present invention. This figure shows the structure of a voltage amplification circuit according to a third embodiment. In the figure, parts corresponding to the parts described above are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.

【0030】本実施例では第 1の実施例の制御ライン
k は第1の制御ラインkk及び第 2の制御ラインk
k’ に分岐し、JIL ゲート6 、6’( 全部で
は34) は17のJIL ゲート6 、6’を含む第
 1群と同数のJIL ゲート6 、6’を含む第2群
に分けられている。第 1の制御ラインkkは第 1群
のJIL ゲート6 、6’に順次結合され、第 2の
制御ラインkk’ が第 2群のJIL ゲート6 、
6’に順次結合されている。この構造においてはライン
kk或いはkk’ の長さは半分に短くなり、制御ライ
ンのインダクタンスによる信号の遅れは減少する。
In this embodiment, the control line k of the first embodiment is a first control line kk and a second control line k.
k', the JIL gates 6, 6' (34 in total) are divided into a first group containing 17 JIL gates 6, 6' and a second group containing the same number of JIL gates 6, 6'. . The first control line kk is sequentially coupled to the first group of JIL gates 6, 6', and the second control line kk' is coupled to the second group of JIL gates 6, 6'.
6'. In this structure, the length of the line kk or kk' is shortened by half, and the signal delay due to the inductance of the control line is reduced.

【0031】図 6は第 4の実施例の具体的な構成を
示す回路図である。前記第 1〜第 3の実施例ではバ
イアス電流IBを送るための抵抗Rsは同図が示すトラ
ンジスタのような能動素子と替えることもできる。図 
6に示される実施例は第1の実施例の変更例である。構
造及び動作は明らかなので、それについての以降の説明
は省略する。HEMT( 高電子移動トランジスタ) 
、HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) 、M
ESFET( 金属半導体電界効果トランジスタ) 等
、液体ヘリウムの低温環境下で動作できる複合トランジ
スタをトランジスタ9 のために使用できる。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a specific configuration of the fourth embodiment. In the first to third embodiments, the resistor Rs for sending the bias current IB can be replaced with an active element such as a transistor shown in the figure. figure
The embodiment shown in 6 is a modification of the first embodiment. Since the structure and operation are obvious, further explanation thereof will be omitted. HEMT (high electron transfer transistor)
, HBT (heterojunction bipolar transistor), M
A composite transistor that can operate in the low temperature environment of liquid helium, such as an ESFET (metal semiconductor field effect transistor), can be used for the transistor 9.

【0032】図 7は本発明の第 5の実施例を示す回
路図である。同図は2 図記載の第 1の実施例の回路
のもう一つの変更例に相当する。本実施例では同じJI
L ゲート6 が直列に接続され、交互にJIL ゲー
ト6 及び6’の代わりである。同図では電圧増幅回路
3 のみが示されている。 この場合でも図 3に関連して説明のあった動作特性が
当てはまり、電圧増幅が可能である。先の図に関連して
既述された各部に相当する部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention. This figure corresponds to another modification of the circuit of the first embodiment shown in FIG. In this example, the same JI
L gates 6 are connected in series, alternately replacing JIL gates 6 and 6'. In the figure, only the voltage amplification circuit 3 is shown. Even in this case, the operating characteristics explained in connection with FIG. 3 apply, and voltage amplification is possible. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the parts already described in connection with the previous figure, and the explanation thereof will be omitted.

【0033】図 8は第 1実施例の構成を示すレイア
ウト図であり、図 9は第 5の実施例の構成を示すレ
イアウト図である。図 8、図 9は電圧増幅回路3 
のレイアウトを示している。
FIG. 8 is a layout diagram showing the configuration of the first embodiment, and FIG. 9 is a layout diagram showing the configuration of the fifth embodiment. Figure 8 and Figure 9 are voltage amplification circuit 3
shows the layout.

【0034】図 8はJIL ゲート6 のインダクタ
ンスLa,Lb に相当する超伝導体パターンが与えら
れている。このパターン11はジョセフソン接合Ja,
Jb,Jcを介してもう一つの超伝導体パターン12に
接続されている。さらに超伝導体パターン12はJIL
ゲート6’に向かって伸び、ジョセフソン接合Ja,J
b,Jcを経由してゲート6 のインダクタンスLa,
Lb を構成する超伝導体パターン11に接続されてい
る。これにより、バイアス電流IBは超伝導体パターン
11からジョセフソン接合Ja,Jb,Jcを介してJ
IL ゲート6 の超伝導体パターン12へJIL ゲ
ート6 の超伝導体パターン12からジョセフソン接合
Ja,Jb,Jcを介してJIL ゲート6’の超伝導
体パターン11へ、さらに次のJIL ゲート6 の超
伝導体パターン11へ流れる。
FIG. 8 shows a superconductor pattern corresponding to the inductances La and Lb of the JIL gate 6. This pattern 11 is a Josephson junction Ja,
It is connected to another superconductor pattern 12 via Jb and Jc. Furthermore, superconductor pattern 12 is JIL
Extending towards gate 6', Josephson junction Ja, J
Inductance La of gate 6 via b, Jc,
It is connected to the superconductor pattern 11 that constitutes Lb. As a result, the bias current IB flows from the superconductor pattern 11 to J via the Josephson junctions Ja, Jb, and Jc.
From the superconductor pattern 12 of the JIL gate 6 to the superconductor pattern 12 of the JIL gate 6, to the superconductor pattern 11 of the JIL gate 6' via Josephson junctions Ja, Jb, and Jc, and then to the superconductor pattern 11 of the JIL gate 6' It flows into the superconductor pattern 11.

【0035】図 8のレイアウトでは超伝導体ストリッ
プで構成された制御ラインk はJIL ゲート6 の
超伝導体パターン11に磁気的に結合されているが、こ
れはこのパターン11に相当して形成されたループによ
ってなり、それは絶縁層によりこのループ11から分離
されている。制御ラインk はさらにJIL ゲート6
’に伸び、そのゲート6’の超伝導体パターン11に相
当するループを形成する。さらに、制御ラインk は次
のJIL ゲート6 に伸び、そこでこのラインk は
別のループを形成してJIL ゲート6 を形成する超
伝導体パターン11と結合する。図 8のレイアウトパ
ターンで注意する点は同図に示すようにX,Y,Z と
記した部分でラインk に別の通路が形成されることで
ある。 これらの通路は寄生インダクタンスを形成し、このため
第 1の実施例の構造は電圧増幅動作では信頼性は有す
るもののジョセフソン回路の動作速度の点で十分ではな
い。これと同じ問題が図 7記載の実施例にもみられる
。 図9 から分かるように、ラインk での信号伝搬の遅
れの原因となる別の通路X 及び、Y が現れる。
In the layout of FIG. 8, the control line k made of superconductor strips is magnetically coupled to the superconductor pattern 11 of the JIL gate 6, which is formed corresponding to this pattern 11. 11, which is separated from this loop 11 by an insulating layer. Control line k is further connected to JIL gate 6
', forming a loop corresponding to the superconductor pattern 11 of the gate 6'. Furthermore, the control line k extends to the next JIL gate 6 , where this line k forms another loop and connects with the superconductor pattern 11 forming the JIL gate 6 . The point to note in the layout pattern of FIG. 8 is that another path is formed in line k at the portions marked X, Y, and Z as shown in the figure. These paths form parasitic inductance, and therefore, although the structure of the first embodiment is reliable in voltage amplification operation, it is not sufficient in terms of operating speed of the Josephson circuit. This same problem is seen in the embodiment shown in FIG. As can be seen from FIG. 9, additional paths X and Y appear which cause a delay in the signal propagation on line k.

【0036】図 9では図 8の各部に相当する部分に
は同一符号を付し、その説明を省略する。図 9で注意
すべき点はJIL ゲート6の超伝導体12がコンタク
トホール13を介して、次にJIL ゲート6 の超伝
導パターン11に接続されていることである。
In FIG. 9, parts corresponding to those in FIG. 8 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted. What should be noted in FIG. 9 is that the superconductor 12 of the JIL gate 6 is in turn connected to the superconducting pattern 11 of the JIL gate 6 via a contact hole 13.

【0037】次に遅れの問題を最小限に抑える本発明の
第 6実施例が10、11図との関連で説明する。
A sixth embodiment of the invention which minimizes the delay problem will now be described in conjunction with FIGS. 10 and 11.

【0038】図10は第 6実施例の構成を示す回路図
である。図10に関連して、制御ライン1 は連続して
直列に接続された複数のインダクタンスLA, 及びこ
れらLAの後に連続して直列に接続された複数のインダ
クタンスLBを各々、若干含む。これにおいて、各イン
ダクタンスLAは対応するJIL ゲートの当該インダ
クタンスLaへ磁気結合しており、また、各インダクタ
ンスLBは対応するJIL ゲートの当該インダクタン
スLbに磁気結合している。各JIL ゲートJ1,J
1’,,,Jn は既述のJIL ゲートと同じ構成を
有しており、電圧増幅回路の動作についての説明は省略
する。
FIG. 10 is a circuit diagram showing the configuration of the sixth embodiment. With reference to FIG. 10, the control line 1 each includes a plurality of inductances LA connected in series in succession, and a plurality of inductances LB connected in series in succession after these LA. In this, each inductance LA is magnetically coupled to the corresponding inductance La of the corresponding JIL gate, and each inductance LB is magnetically coupled to the corresponding inductance Lb of the corresponding JIL gate. Each JIL gate J1, J
1', , Jn have the same configuration as the previously described JIL gate, and a description of the operation of the voltage amplification circuit will be omitted.

【0039】図11は本発明の第 6実施例に対応する
レイアウト図である。図11に関連してJIL ゲート
J1,J1’,,,Jn はインダクタンスLa,Lb
 を形成する。図 8記載の超伝導体パターン11に対
応する超伝導体パターン22を含み、このパターン22
には端子P1からバイアス電流18が供給される。バイ
アス電流IBはそれからジョセフソン接合Ja,Jb,
Jcを介して図10記載の超伝導体パターン12に対応
する超伝導体パターン25へ供給される。この超伝導体
パターン25へ供給されたバイアス電流IBは次に、J
IL ゲートJ1’ ゲートJ1’ のインダクタンス
LA,LB を形成する超伝導体パターン22へ流され
る。さらに、バイアス電流IBは次の段階のJIL ゲ
ートへ供給され、最終的には最後のJIL ゲートJn
へ到達する。
FIG. 11 is a layout diagram corresponding to the sixth embodiment of the present invention. In relation to FIG. 11, JIL gates J1, J1', , Jn have inductances La, Lb
form. The pattern 22 includes a superconductor pattern 22 corresponding to the superconductor pattern 11 shown in FIG.
A bias current 18 is supplied from the terminal P1. The bias current IB is then applied to the Josephson junctions Ja, Jb,
The superconductor pattern 25 corresponding to the superconductor pattern 12 shown in FIG. 10 is supplied via Jc. The bias current IB supplied to this superconductor pattern 25 is then J
IL Gate J1' flows into the superconductor pattern 22 forming the inductances LA, LB of gate J1'. Furthermore, the bias current IB is supplied to the next stage JIL gate, and finally the last JIL gate Jn
reach.

【0040】本構造では、制御ラインkが部分23a,
23b 及び24でJIL ゲートJ1,J1’,,,
Jn へ磁気結合している。そこにおいては部分23a
 は各JIL ゲートでインダクタンスLaを形成する
超伝導体パターン22へ結合されており、部分23b 
は各JIL ゲートのインダクタンスLbを形成する超
伝導体パターン22へ結合されている。さらに、部分2
4は一つのJIL ゲートに対する部分23a 及び、
次のJIL ゲートに対する部分23a の間に伸びる
。もっと正確にいえば、部分23a 及び24はライン
k の左半分に繰り返し現れ、一方、部分23及び部分
24はラインk の右半分に繰り返し現れる。さらにこ
のラインkの左半分及び右半分は図示のように、下部で
部分24により接続されている。 図11で注意すべき点は図 8あるいは図9 のX,Y
 あるいはZ 部分を伴った別のインダクタンスがもは
や形成されず、回路が動作する際に応答性が高まってい
る。
In this structure, the control line k is connected to the portions 23a,
JIL gates J1, J1',,, at 23b and 24
Magnetically coupled to Jn. Therein part 23a
is coupled to the superconductor pattern 22 forming an inductance La at each JIL gate, and the portion 23b
is coupled to a superconductor pattern 22 forming the inductance Lb of each JIL gate. Furthermore, part 2
4 is a portion 23a for one JIL gate, and
It extends between portions 23a for the next JIL gate. More precisely, portions 23a and 24 appear repeatedly in the left half of line k2, while portions 23 and 24 appear repeatedly in the right half of line k2. Furthermore, the left and right halves of this line k are connected at the bottom by a portion 24, as shown. Points to note in Figure 11 are X and Y in Figure 8 or Figure 9.
Alternatively, another inductance with the Z portion is no longer formed and the circuit is more responsive when operating.

【0041】図12は本発明の第 7実施例の要部を示
す回路図である。同図は図10記載の回路3 の1 変
更例に相当する。同図において、制御ラインk は第 
1の制御ラインkk及び、第 2の制御ラインkk’ 
に分岐し、この第 1の制御ライン11はJIL ゲー
トJ1,J1’ ,,,の左で順次、インダクタンスL
aに結合されており、最終的に抵抗RL1 を介して接
地されている。一方、ラインkk’ はJIL ゲート
の右で順次、インダクタンスLbに結合され、抵抗R1
2 を介して接地されている。特に、ラインkkが次々
に直列接続されたインダクタンスLAを含み、一方、ラ
インkk’ は直列と次々と接続されたインダクダンス
LBを含むことである。本実施例によれば、電圧増幅回
路3 の応答はラインの論理信号をJIL ゲートへ結
合させるための信号通路が減ってさらに、改善される。
FIG. 12 is a circuit diagram showing the main parts of a seventh embodiment of the present invention. This figure corresponds to a modified example of circuit 3 of FIG. 10. In the same figure, the control line k is
The first control line kk and the second control line kk'
This first control line 11 is sequentially connected to the inductance L on the left of the JIL gates J1, J1', .
a, and is finally grounded via a resistor RL1. On the other hand, the line kk' is sequentially coupled to the inductance Lb on the right of the JIL gate, and is connected to the resistor R1
2 and is grounded via. In particular, line kk includes inductances LA connected in series one after another, while line kk' includes inductances LB connected in series and one after another. According to this embodiment, the response of the voltage amplifier circuit 3 is further improved by reducing the number of signal paths for coupling the line logic signals to the JIL gate.

【0042】次に、概要のみが示されてきたインピーダ
ンス変換回路に関する本発明の第 8実施例について説
明する。特に、電圧増幅回路3 の動作信頼性のために
はこの回路の直ぐ後の回路が充分に高いインピーダンス
を持つ必要がある。これはJIL ゲートを形成するジ
ョセフソン接合Ja,Jb,Jcの遷移動作中に駆動電
流IBの方向転換が起こってはならないからである。
Next, an eighth embodiment of the present invention relating to an impedance conversion circuit of which only an outline has been shown will be described. In particular, in order to ensure operational reliability of the voltage amplification circuit 3, the circuit immediately following this circuit must have sufficiently high impedance. This is because the direction of the drive current IB must not change during the transition operation of the Josephson junctions Ja, Jb, and Jc forming the JIL gate.

【0043】図13は本発明の第 8実施例の構成を示
す回路図である。ラインk1における電圧増幅回路3 
の出力はコンデンサC1を介してTRと記したHEMT
のゲートへ送られる。HEMTトランジスタは直流電圧
源E2に接続されたドレーンを有し、電圧増幅回路3 
の論理出力に応じて、ドーレンから流れる電流を制御す
る。その際に、電圧増幅回路3 の論理出力はバイアス
電圧と一緒にHEMTゲートに供給される。このように
、インダクタンスL3を介して、別の直流電圧源から供
給される。それにより、出力電流がHEMTトランジス
タの電源で得られ、このようにして得られた電流が共通
に使用されることのある、インピーダンス50オームの
ストリップラインを介して、半導体プロセッサ5 へ供
給される。
FIG. 13 is a circuit diagram showing the configuration of an eighth embodiment of the present invention. Voltage amplification circuit 3 in line k1
The output of
sent to the gate. The HEMT transistor has a drain connected to a DC voltage source E2, and has a drain connected to a voltage amplification circuit 3.
The current flowing from the drain is controlled according to the logic output of the drain. At this time, the logic output of the voltage amplification circuit 3 is supplied to the HEMT gate together with the bias voltage. It is thus supplied via an inductance L3 from another DC voltage source. An output current is thereby obtained at the power supply of the HEMT transistor, and the current obtained in this way is supplied to the semiconductor processor 5 via a commonly used strip line with an impedance of 50 ohms.

【0044】図13 は本発明の第8実施例の構成を示
す回路図である。同図において、約数メガオームかそれ
以上という極めて大きなインピーダンスがインピーダン
ス変換回路4の入力側で得られる一方、インピーダンス
変換回路4では外部との接続に備えて50オームののよ
うな低いインピーダンスが可能である。それにより、電
圧増幅回路を形成するJIL ゲートに含まれたジョセ
フソン接合の切り替え動作がインピーダンス変換回路4
 へ供給された出力電流に全く影響されず、電圧増幅回
路3 の動作の信頼性が保証されるものである。一方、
回路4 では超伝導回路1 が後に続く同軸ケーブル或
いはストリップラインを通して半導体プロセッサ5 を
駆動するのに適当な低出力インピーダンスが可能である
。インピーダンス変換回路4 のトランジスタTRはH
EMTに限定されず、GaAs能動層を使用するHBT
,MESFETあるいは、液体ヘリウム温度環境以下で
動作するMOSFETでも使用できる。
FIG. 13 is a circuit diagram showing the configuration of an eighth embodiment of the present invention. In the figure, an extremely large impedance of approximately several megohms or more can be obtained at the input side of the impedance conversion circuit 4, while a low impedance such as 50 ohms is possible in the impedance conversion circuit 4 in preparation for external connection. be. As a result, the switching operation of the Josephson junction included in the JIL gate forming the voltage amplification circuit is controlled by the impedance conversion circuit 4.
The reliability of the operation of the voltage amplifying circuit 3 is guaranteed without being influenced at all by the output current supplied to the voltage amplifying circuit 3. on the other hand,
The circuit 4 allows a low output impedance suitable for driving the semiconductor processor 5 through a coaxial cable or stripline followed by the superconducting circuit 1. Transistor TR of impedance conversion circuit 4 is H
Not limited to EMT, HBT using GaAs active layer
, MESFET, or MOSFET that operates below the liquid helium temperature environment.

【0045】図14は本発明の第 9実施例の構成を示
す回路図である。同図において、変圧器T がインピー
ダンス変換のために使用されている。この変圧器T は
抵抗RL’ を介してラインkkに接続された一次側超
伝導巻線L1, 及びこの巻線L1に磁気結合した2 
次側超伝導巻線L2を有する。超伝導巻線L1は超伝導
巻線L2の少なくとも1倍の巻数を有し、ラインkkに
対して大きなインピーダンスを可能する。一方、低イン
ピーダンスストリップライン8 を介して出力を取り出
すのに適当な低インピーダンスは二次側超伝導巻線L2
で得られる。
FIG. 14 is a circuit diagram showing the structure of a ninth embodiment of the present invention. In the figure, a transformer T is used for impedance transformation. This transformer T has a primary superconducting winding L1 connected to line kk via a resistor RL', and a primary superconducting winding L1 that is magnetically coupled to this winding L1.
It has a next-side superconducting winding L2. The superconducting winding L1 has at least one times as many turns as the superconducting winding L2, allowing a large impedance to the line kk. On the other hand, the secondary superconducting winding L2 has a low impedance suitable for taking out the output via the low impedance strip line 8.
It can be obtained with

【0046】図15は本発明の第10実施例の要部を示
す回路図である。同図において、HBT TR1 及び
TR2 を使用してECL ゲートを形成している。こ
のECL ゲートの出力はエミッタフォロア構造を有す
るもう一つのHBT8を介してストリップライン8 に
供給される。同図の例では、電圧増幅回路3 からの入
力論理信号の論理振幅はおよそ0.1 ボルトの値で、
トランジスタTR1 のコレクタ電流は100 オーム
の抵抗R1、25オームの抵抗R2、250 オームの
抵抗R5を含む通路を通して流れる。同様に、トランジ
スタTR2 のコレクタ電流は100 オーム抵抗R3
, それから25オームの抵抗R4を通して流れ、それ
から抵抗R5でトランジスタTR1 のコレクタ電流と
合流する。これにより、およそ、4mAの層電流が抵抗
R5を通して流れる。電圧増幅回路2 からの入力論理
信号はトランジスタTR1 の基部に供給され、一方、
トランジスタTR2 にはその基部0.05ボルト基準
電圧が供給される。トランジスタTR3 が今度はトラ
ンジスタTR1 の基部でそのコレクタに形成されたE
CL ゲートの出力を引継ぎ、エミッタフォロア構造の
エミッタでそれを供給する。このため、トランジスタT
R3 のエミッタでそれを供給する。このため、トラン
ジスタTR3Nエミッタは約250 オームの抵抗R6
を介して電圧源V EEへ接続されている。それにより
、4mA のコレクタ電流がトランジスタTR3 を通
して流れる。この構造においてはおよそ0.1 ボルト
の入力論理振幅がさらに増幅され、およそ0.2 ボル
トの論理振幅が回路4 の出漁端子を形成するストリッ
プライン8 で得られる。トランジスタTR3 のエミ
ッタフォロワ構造のために、ストリップラインの50オ
ームのインピーダンスとマッチする低出力インピーダン
スが達成される。一方、大きな入力インピーダンスがト
ランジスタTR1 の基部で得られる。
FIG. 15 is a circuit diagram showing essential parts of a tenth embodiment of the present invention. In the figure, HBTs TR1 and TR2 are used to form an ECL gate. The output of this ECL gate is supplied to the strip line 8 through another HBT 8 having an emitter follower structure. In the example shown in the figure, the logic amplitude of the input logic signal from the voltage amplifier circuit 3 is approximately 0.1 volt,
The collector current of transistor TR1 flows through a path including a 100 ohm resistor R1, a 25 ohm resistor R2, and a 250 ohm resistor R5. Similarly, the collector current of transistor TR2 is 100 ohm resistor R3
, then flows through a 25 ohm resistor R4 and then joins the collector current of transistor TR1 at resistor R5. This causes approximately 4 mA of layer current to flow through resistor R5. The input logic signal from the voltage amplifier circuit 2 is fed to the base of the transistor TR1, while
Transistor TR2 is supplied with a 0.05 volt reference voltage at its base. Transistor TR3 is now formed at the base of transistor TR1 and at its collector.
It takes over the output of the CL gate and supplies it with an emitter with an emitter-follower structure. Therefore, the transistor T
It is supplied by the emitter of R3. For this reason, the emitter of transistor TR3N is connected to a resistor R6 of approximately 250 ohms.
to the voltage source VEE. Thereby, a collector current of 4 mA flows through transistor TR3. In this structure, an input logic amplitude of approximately 0.1 volts is further amplified, and a logic amplitude of approximately 0.2 volts is obtained at the strip line 8 forming the outgoing terminal of the circuit 4. Due to the emitter follower structure of transistor TR3, a low output impedance is achieved, matching the 50 ohm impedance of the stripline. On the other hand, a large input impedance is obtained at the base of transistor TR1.

【0047】インピーダンス変換回路4 を設けること
によって、電圧増幅回路3 の動作は超伝導回路1 の
後に接続された半導体プロセッサ5 の入力インピーダ
ンスにかかわらず安定する。
By providing the impedance conversion circuit 4, the operation of the voltage amplification circuit 3 is stable regardless of the input impedance of the semiconductor processor 5 connected after the superconducting circuit 1.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明によれば、本発明の出力ドライバ
回路は出力振幅信号の論理振幅を増やすための電圧増幅
器回路とインピーダンス変換回路を含み、この電圧増幅
回路には1 以上のジョセフソン接合を含み、及びその
電圧増幅器回路の出力信号を受けるインピーダンス変換
回路が接続され、さらにインピーダンス変換回路は高イ
ンピーダンスを有するので、電圧増幅器回路の動作はこ
のインピーダンス変換回路へ流れる電流を影響を受けな
い。
According to the present invention, the output driver circuit of the present invention includes a voltage amplifier circuit and an impedance conversion circuit for increasing the logic amplitude of an output amplitude signal, and the voltage amplifier circuit includes one or more Josephson junctions. and an impedance conversion circuit that receives the output signal of the voltage amplifier circuit is connected, and since the impedance conversion circuit has a high impedance, the operation of the voltage amplifier circuit is not affected by the current flowing to the impedance conversion circuit.

【0049】また、半導体回路を駆動するために充分な
大きな出力電圧がインピーダンス変換回路から得られ、
その際に、増加器回路の動作に不利な影響は起こらない
ことにより信頼できる電圧変換が可能である。
In addition, a sufficiently large output voltage can be obtained from the impedance conversion circuit to drive the semiconductor circuit,
In this case, reliable voltage conversion is possible since no adverse effects occur on the operation of the intensifier circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の原理を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating the principle of the invention.

【図2】本発明の第1実施例の具体的な構成を示す回路
図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施例の閾値特性を示すしきい値
曲線図である。
FIG. 3 is a threshold curve diagram showing threshold characteristics of the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2実施例の要部を示す回路図である
FIG. 4 is a circuit diagram showing main parts of a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施例の具体的な構成を示す回路
図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific configuration of a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4実施例の具体的な構成を示す回路
図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a specific configuration of a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5実施例の要部を示す回路図である
FIG. 7 is a circuit diagram showing main parts of a fifth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1実施例の構成を示すレイアウト図
である。
FIG. 8 is a layout diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第5実施例の構成を示すレイアウト図
である。
FIG. 9 is a layout diagram showing the configuration of a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第6実施例の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 10 is a circuit diagram showing the configuration of a sixth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第6実施例に対応するレイアウト図
である。
FIG. 11 is a layout diagram corresponding to a sixth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第7実施例の要部を示す回路図であ
る。
FIG. 12 is a circuit diagram showing main parts of a seventh embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第8実施例の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 13 is a circuit diagram showing the configuration of an eighth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第9実施例の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 14 is a circuit diagram showing the configuration of a ninth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第10実施例の要部を示す回路図で
ある。
FIG. 15 is a circuit diagram showing essential parts of a tenth embodiment of the present invention.

【図16】従来のジョセフソンゲート回路を示す回路図
である。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a conventional Josephson gate circuit.

【図17】従来のジョセフソンゲート回路の動作を示す
図である。
FIG. 17 is a diagram showing the operation of a conventional Josephson gate circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  超伝導回路 1’出力ドライバ回路 2  ジョセフソンプロセッサ 3  電圧増幅回路 4  インピーダンス変換回路 5  負荷回路 1 Superconducting circuit 1’ output driver circuit 2 Josephson processor 3 Voltage amplification circuit 4 Impedance conversion circuit 5 Load circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  論理演算を行い、その結果を第1の論
理振幅を有する出力論理信号として出力するジョセフソ
ン演算回路を備え、該出力論理素子と外部回路が行う処
理に適した論理振幅に変換して出力する超伝導回路にお
いて、各々磁気結合した磁界制御ラインを有すると共に
バイアス電流を供給され、制御ライン上の信号に応じて
超伝導状態から有限電圧状態に遷移して、遷移に伴い基
本論理振幅を発生させる超伝導量子干渉素子を複数個直
列接続してなり、且つ前記バイアス電流が複数の該超伝
導量子干渉素子を順次流れるように、また、前記出力論
理信号が制御ラインを通って、複数の超伝導量子干渉素
子を順次流れるように構成され、前記基本論理振幅の和
として第1の論理振幅よりも実質的に大きい第2の論理
振幅を有する論理信号を出力端子に出力する電圧増幅手
段と、該出力端子に接続され、前記外部回路に前記第2
の論理振幅を有する論理信号を出力するのに適し、且つ
前記電力増幅手段における超伝導量子干渉素子の遷移が
行われているとき、前記超伝導量子干渉素子に流れ込む
前記バイアス電流が、実質的に前記出力端子から流れ出
さないような、出力インピーダンスを有するインピーダ
ンス変換手段とを有することを特徴とする超伝導回路。
1. A Josephson operation circuit that performs a logic operation and outputs the result as an output logic signal having a first logic amplitude, and converts the result into a logic amplitude suitable for processing performed by the output logic element and an external circuit. In superconducting circuits that output signals, each has magnetic field control lines that are magnetically coupled to each other and is supplied with a bias current, and depending on the signal on the control line, the superconducting state transitions to a finite voltage state, and as the transition occurs, the basic logic A plurality of superconducting quantum interference devices that generate amplitude are connected in series, and the output logic signal is passed through a control line so that the bias current sequentially flows through the plurality of superconducting quantum interference devices, Voltage amplification configured to sequentially flow through a plurality of superconducting quantum interference elements and outputting to an output terminal a logic signal having a second logic amplitude that is substantially larger than the first logic amplitude as a sum of the basic logic amplitudes. means connected to the output terminal and connected to the external circuit;
is suitable for outputting a logic signal having a logic amplitude of and impedance conversion means having an output impedance that does not flow out from the output terminal.
【請求項2】  1つの前記超伝導量子干渉素子が、第
1のジョセフソン接合、第2のジョセフソン接合及び第
1のインダクタンスをループ状に接続した第1の超伝導
ループと、前記第1のジョセフソン接合、第3のジョセ
フソン接合及び第2のインダクタンスをループ状に接続
した第2の超伝導ループと、前記第1のインダクタンス
に磁界結合する第1の磁界制御ラインと、前記第2のイ
ンダクタンスに磁界結合する第2の磁界制御ラインを含
み、各超伝導量子干渉素子の前記第1のジョセフソン接
合同士を直列接続する超伝導回路であって、各超伝導量
子干渉素子の第1の磁界制御ライン同士及び第2の磁界
制御ライン同士を直列接続したことを特徴とする超伝導
回路。
2. One of the superconducting quantum interference elements includes a first superconducting loop in which a first Josephson junction, a second Josephson junction, and a first inductance are connected in a loop; a second superconducting loop in which a Josephson junction, a third Josephson junction, and a second inductance are connected in a loop; a first magnetic field control line magnetically coupled to the first inductance; A superconducting circuit including a second magnetic field control line magnetically coupled to an inductance of the first Josephson junction of each superconducting quantum interference device, the superconducting circuit connecting the first Josephson junctions of each superconducting quantum interference device in series, the first A superconducting circuit characterized in that two magnetic field control lines and a second magnetic field control line are connected in series.
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