JPH04196155A - 集積回路の冷却方法 - Google Patents
集積回路の冷却方法Info
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- JPH04196155A JPH04196155A JP2321945A JP32194590A JPH04196155A JP H04196155 A JPH04196155 A JP H04196155A JP 2321945 A JP2321945 A JP 2321945A JP 32194590 A JP32194590 A JP 32194590A JP H04196155 A JPH04196155 A JP H04196155A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報処理装置等の電子機器に搭載される集積回
路の冷却方法に関し、特に集積回路を直接絶縁性液体中
に浸漬して冷却する方法に関するものである。
路の冷却方法に関し、特に集積回路を直接絶縁性液体中
に浸漬して冷却する方法に関するものである。
大型の情報処理装置等の電子機器は複数個の集積回路を
搭載した配線基板を多数架に収容して構成される。この
ように構成された架では、集積回路から発生する熱を取
り除くために架に冷却ファンを取り付けて空気による強
制対流で冷却している。
搭載した配線基板を多数架に収容して構成される。この
ように構成された架では、集積回路から発生する熱を取
り除くために架に冷却ファンを取り付けて空気による強
制対流で冷却している。
しかしながら、近年集積回路の大規模化および高集積化
が進むとともに、機器の性能を最大１ｉ１に発揮させる
ために集積回路の実装密度が高くなる傾向にある。この
結果、機器内の発熱密度が大幅に増大してきている。
が進むとともに、機器の性能を最大１ｉ１に発揮させる
ために集積回路の実装密度が高くなる傾向にある。この
結果、機器内の発熱密度が大幅に増大してきている。
このため、空気の強制対流では冷却能力が不足し、これ
に代わって絶縁性の不活性液体、例えばフッ化炭素を架
内に循環させて冷却する方法が特開昭５９−１４５５４
８号に開示されている。
に代わって絶縁性の不活性液体、例えばフッ化炭素を架
内に循環させて冷却する方法が特開昭５９−１４５５４
８号に開示されている。
また、さらに冷却能力を高める方法として液体冷媒の沸
騰による気化熱を利用する方法がある。
騰による気化熱を利用する方法がある。
第２図はその一例である。同図において、符号２１で示
すものは配線基板でありこの配線基板−にに集積回路２
２が複数個搭載されている。この配線基板２１は絶縁性
液体２３中に浸漬されている。
すものは配線基板でありこの配線基板−にに集積回路２
２が複数個搭載されている。この配線基板２１は絶縁性
液体２３中に浸漬されている。
集積回路２２が発熱するとこの集積回路２２の表面で絶
縁性液体２３の沸騰が起こり、気泡２４が発生する。こ
のときに絶縁性液体の気化熱に相当する熱量が集積回路
２２から奪われて、集積回路２２ば冷却される。この方
法によれば、上述した強制対流に較べて、被冷却体と液
体冷媒との間の熱伝達効率を大きくすることができて冷
却能力が高まる。
縁性液体２３の沸騰が起こり、気泡２４が発生する。こ
のときに絶縁性液体の気化熱に相当する熱量が集積回路
２２から奪われて、集積回路２２ば冷却される。この方
法によれば、上述した強制対流に較べて、被冷却体と液
体冷媒との間の熱伝達効率を大きくすることができて冷
却能力が高まる。
しかしながら、上述した従来の冷却方法においては、集
積回路２２の発熱量が増加すると発生ずる気泡２４の数
が増えて、やがて集積回路２２の表面を気体の膜が覆う
ようになる。このような状態になると、熱伝達率が著し
く小さくなり、このために冷却能力が低下する。このよ
うな現象は核沸騰から膜沸騰に移行したために起きるも
のである。
積回路２２の発熱量が増加すると発生ずる気泡２４の数
が増えて、やがて集積回路２２の表面を気体の膜が覆う
ようになる。このような状態になると、熱伝達率が著し
く小さくなり、このために冷却能力が低下する。このよ
うな現象は核沸騰から膜沸騰に移行したために起きるも
のである。
第３図はこの現象を説明する図である。同図において、
横軸は伝達面過熱度すなわち集積回路２２の表面温度と
液体２３の沸点との差を対数表示したものである。また
、縦軸は熱流束すなわち、単位面積あたりの熱流呈を対
数表示したものである。図中ａ点からｂ点は自然対流の
領域を示しており、まだ集積回路２２表面の発熱も少な
（７に：流束も小さく、集積回路２２表面の温度は緩や
力弓こ上昇する。ｂ点から０点は核沸騰の領域であり、
ｂ点を過ぎると熱流束か大幅に増加して集積回路２２表
面の温度−上昇が弱められる。０点を越えると膜沸騰に
移行するため、熱流束が急激に低下し、集積回路２２表
面の温度が急激に上昇する。
横軸は伝達面過熱度すなわち集積回路２２の表面温度と
液体２３の沸点との差を対数表示したものである。また
、縦軸は熱流束すなわち、単位面積あたりの熱流呈を対
数表示したものである。図中ａ点からｂ点は自然対流の
領域を示しており、まだ集積回路２２表面の発熱も少な
（７に：流束も小さく、集積回路２２表面の温度は緩や
力弓こ上昇する。ｂ点から０点は核沸騰の領域であり、
ｂ点を過ぎると熱流束か大幅に増加して集積回路２２表
面の温度−上昇が弱められる。０点を越えると膜沸騰に
移行するため、熱流束が急激に低下し、集積回路２２表
面の温度が急激に上昇する。
（，１，１１，５ｅｅｌｙ、 Ｒ，Ｃ，Ｃｈｕ “ｔ
ｌｅａｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｉｎ Ｍｉｃｒ。
ｌｅａｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｉｎ Ｍｉｃｒ。
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｂｑｕｉｐｍｅｎｔ″より引用
）本発明は上述した点に泥めなされたものでありその目
的とするとごろは絶縁性液体中に配線基板を浸漬して、
絶縁性液体の沸騰による気化熱を利用して配線基板を冷
却する方法を効率良く行う集積回路の冷却方法を提供す
るものである。
）本発明は上述した点に泥めなされたものでありその目
的とするとごろは絶縁性液体中に配線基板を浸漬して、
絶縁性液体の沸騰による気化熱を利用して配線基板を冷
却する方法を効率良く行う集積回路の冷却方法を提供す
るものである。
この目的を達成するために、本発明に係る集積回路の冷
却方法は、集積回路に対応して吸入口を対向配置し、ご
の吸入Ｉ」から集積回路近辺の絶縁液体を吸入するもの
である。
却方法は、集積回路に対応して吸入口を対向配置し、ご
の吸入Ｉ」から集積回路近辺の絶縁液体を吸入するもの
である。
本発明においては、吸入口から集積回路表面を覆う気泡
を吸入除去するので、集積回路表面では常に核沸騰が行
われており、集積回路表面で発生ずる熱を気泡の気化熱
に変換する変換効率が低下することがない。
を吸入除去するので、集積回路表面では常に核沸騰が行
われており、集積回路表面で発生ずる熱を気泡の気化熱
に変換する変換効率が低下することがない。
以下、本発明の一実施例を図により詳細に説明する。第
１図は本発明に係る集積回路の冷却方法を示す一実施例
である。同図において、符号１で示ずものは配線基板で
あり、この配線基板１には複数個の集積回路２が搭載さ
れている。配線基板１は絶縁性液体３に浸漬されている
。符号５で示すものは円筒状に形成された吸入筒で、吸
入口５ａと排出口５ｂが設けられている。この吸入筒５
は集積回路２に対応した位置に配設されており、吸入口
５ａが集積回路２に対向配置している。また、吸入筒５
は排出口５ｂ側で収納筒６に取り付けられている。収納
筒６は中空状に形成されておリ、中空部は排出口５ｂに
連通している。そしてこの収納筒５の一側面は壁６ａで
閉塞され、他側面６ｂは開放されて図示しない吸入器に
接続されている。
１図は本発明に係る集積回路の冷却方法を示す一実施例
である。同図において、符号１で示ずものは配線基板で
あり、この配線基板１には複数個の集積回路２が搭載さ
れている。配線基板１は絶縁性液体３に浸漬されている
。符号５で示すものは円筒状に形成された吸入筒で、吸
入口５ａと排出口５ｂが設けられている。この吸入筒５
は集積回路２に対応した位置に配設されており、吸入口
５ａが集積回路２に対向配置している。また、吸入筒５
は排出口５ｂ側で収納筒６に取り付けられている。収納
筒６は中空状に形成されておリ、中空部は排出口５ｂに
連通している。そしてこの収納筒５の一側面は壁６ａで
閉塞され、他側面６ｂは開放されて図示しない吸入器に
接続されている。
このような構成において、集積回路２が発熱して集積回
路２の表面が絶縁性液体３の沸点に達すると気泡４が発
生ずる。一方、図示しない吸入器を動作させると吸入筒
５の吸入口５ａから絶縁、性液体３が吸入される。同時
に気泡４も吸入口５ａから吸入されて、集積回路の表面
に発生ずる気゛泡４は除去される。
路２の表面が絶縁性液体３の沸点に達すると気泡４が発
生ずる。一方、図示しない吸入器を動作させると吸入筒
５の吸入口５ａから絶縁、性液体３が吸入される。同時
に気泡４も吸入口５ａから吸入されて、集積回路の表面
に発生ずる気゛泡４は除去される。
したがって、集積回路２の表面は常時、核沸騰の状態か
たもたれており、熱収束が増加して集積回路２の表面は
気泡４の気化熱により、温度−に昇が防止される。
たもたれており、熱収束が増加して集積回路２の表面は
気泡４の気化熱により、温度−に昇が防止される。
また、同時に温度の比較的低い絶縁性液体３が集積回路
２の周囲から吸い寄せられるために集積回路２表面の伝
熱面過熱度を小さくすることができ、このことも膜沸騰
の発生を防止することにつながっている。
２の周囲から吸い寄せられるために集積回路２表面の伝
熱面過熱度を小さくすることができ、このことも膜沸騰
の発生を防止することにつながっている。
−６＝
なお、吸入量を大きくし過ぎて伝熱面過熱度を小さくす
ると、核沸騰が生ぜず自然対流となるため冷却能力が低
下するので、吸入量を適宜選択する。
ると、核沸騰が生ぜず自然対流となるため冷却能力が低
下するので、吸入量を適宜選択する。
以上説明したように本発明の集積回路の冷却方法によれ
ば、絶縁性液体中に浸漬されている集積回路に対向配置
した吸入１］１から絶縁性液体を吸入することにより、
集積回路表面で絶縁性液体が沸騰して生しる気泡を除去
するとともに、同時に伝熱面過熱度を小さくできるので
、膜沸騰が生じることを防止しこれにより常に高い冷却
能力を維持することができる。
ば、絶縁性液体中に浸漬されている集積回路に対向配置
した吸入１］１から絶縁性液体を吸入することにより、
集積回路表面で絶縁性液体が沸騰して生しる気泡を除去
するとともに、同時に伝熱面過熱度を小さくできるので
、膜沸騰が生じることを防止しこれにより常に高い冷却
能力を維持することができる。
第１図は本発明に係る集積回路の冷却方法を示す図、第
２図は従来の集積回路の冷却方法を示す図、第３図は伝
熱面過熱度と熱収束との関係を示す図である。 １．２１・・・・配線基板、２．２２１．・・集積回路
３．２３９．・・絶縁性液体、４．２４・・・・気泡、
５・・・・吸入筒、５ａ０９９．吸入口。 特許出願人 ｌ」本電気株式会社
２図は従来の集積回路の冷却方法を示す図、第３図は伝
熱面過熱度と熱収束との関係を示す図である。 １．２１・・・・配線基板、２．２２１．・・集積回路
３．２３９．・・絶縁性液体、４．２４・・・・気泡、
５・・・・吸入筒、５ａ０９９．吸入口。 特許出願人 ｌ」本電気株式会社
Claims (1)
- 集積回路を搭載した配線基板を絶縁性液体中に浸漬して
集積回路から発生する熱を絶縁性液体の気化熱に変換す
ることにより集積回路を冷却する方法において、前記集
積回路に対応して吸入口を対向配置して、この吸入口か
ら集積回路近辺の絶縁性液体を吸入することを特徴とし
た集積回路の冷却方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321945A JPH04196155A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 集積回路の冷却方法 |
| CA002053055A CA2053055C (en) | 1990-10-11 | 1991-10-09 | Liquid cooling system for lsi packages |
| EP19910309381 EP0480750A3 (en) | 1990-10-11 | 1991-10-11 | Liquid cooling system for lsi packages |
| EP97114551A EP0817263A3 (en) | 1990-10-11 | 1991-10-11 | Liquid cooling system for LSI packages |
| US08/155,546 US5522452A (en) | 1990-10-11 | 1993-11-22 | Liquid cooling system for LSI packages |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321945A JPH04196155A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 集積回路の冷却方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196155A true JPH04196155A (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=18138183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321945A Pending JPH04196155A (ja) | 1990-10-11 | 1990-11-26 | 集積回路の冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2570622A (en) * | 2017-09-06 | 2019-08-07 | Iceotope Ltd | Heat sink for liquid cooling |
| US11096313B2 (en) | 2017-09-06 | 2021-08-17 | Iceotope Group Limited | Heat sink, heat sink arrangement and module for liquid immersion cooling |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263147A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Fujitsu Ltd | 冷却装置 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2321945A patent/JPH04196155A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263147A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Fujitsu Ltd | 冷却装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2570622A (en) * | 2017-09-06 | 2019-08-07 | Iceotope Ltd | Heat sink for liquid cooling |
| GB2570622B (en) * | 2017-09-06 | 2020-03-11 | Iceotope Group Ltd | Heat sink for liquid cooling |
| US11096313B2 (en) | 2017-09-06 | 2021-08-17 | Iceotope Group Limited | Heat sink, heat sink arrangement and module for liquid immersion cooling |
| US11369040B2 (en) | 2017-09-06 | 2022-06-21 | Iceotope Group Limited | Heat sink, heat sink arrangement and module for liquid immersion cooling |
| US11470739B2 (en) | 2017-09-06 | 2022-10-11 | Iceotope Group Limited | Heat sink, heat sink arrangement and module for liquid immersion cooling |
| US11596082B2 (en) | 2017-09-06 | 2023-02-28 | Iceotope Group Limited | Heat sink, heat sink arrangement and module for liquid immersion cooling |
| US11653472B2 (en) | 2017-09-06 | 2023-05-16 | Iceotope Group Limited | Heat sink, heat sink arrangement and module for liquid immersion cooling |
| US11968802B2 (en) | 2017-09-06 | 2024-04-23 | Iceotope Group Limited | Heat sink, heat sink arrangement and module for liquid immersion cooling |
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