JPH04192281A - サージ吸収素子及びその製法 - Google Patents
サージ吸収素子及びその製法Info
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- JPH04192281A JPH04192281A JP32185990A JP32185990A JPH04192281A JP H04192281 A JPH04192281 A JP H04192281A JP 32185990 A JP32185990 A JP 32185990A JP 32185990 A JP32185990 A JP 32185990A JP H04192281 A JPH04192281 A JP H04192281A
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- absorbing element
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- surge absorbing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は電源・通信ラインやアンテナ等から進入する過
電圧を吸収するサージ吸収素子に関するもので、サージ
吸収素子の異常昇温時に回路を速断する温度ヒユーズを
このサージ吸収素子本体に取り付けたものである。
電圧を吸収するサージ吸収素子に関するもので、サージ
吸収素子の異常昇温時に回路を速断する温度ヒユーズを
このサージ吸収素子本体に取り付けたものである。
、ギャップ式サージ吸収素子の異常昇温から回路を保護
するために、硝子封止のサージ吸収素子に温度ヒユーズ
を巻くか或いは当接している（実開昭６３−４４６３９
号、特開昭６３−２０５０２６号）。
するために、硝子封止のサージ吸収素子に温度ヒユーズ
を巻くか或いは当接している（実開昭６３−４４６３９
号、特開昭６３−２０５０２６号）。
硝子封止のサージ吸収素子に温度ヒユーズを当接する方
式は、硝子との接触が不安定のため溶断特性にばらつき
が伴う。硝子内に温度ヒユーズを装着するのが理想的で
あるが、硝子封止時の高温のために温度ヒユーズが溶け
る。キャップ封止の量産化への課題を逐一解決し金属キ
ャップ内にサージ吸収素子本体と温度ヒユーズを収めた
のが本発明であり、以下詳しく説明する。
式は、硝子との接触が不安定のため溶断特性にばらつき
が伴う。硝子内に温度ヒユーズを装着するのが理想的で
あるが、硝子封止時の高温のために温度ヒユーズが溶け
る。キャップ封止の量産化への課題を逐一解決し金属キ
ャップ内にサージ吸収素子本体と温度ヒユーズを収めた
のが本発明であり、以下詳しく説明する。
アルミ・す基板の周辺部と透孔近傍に半田との付着性に
優れた皮膜を形成し、サージ吸収素子本体のリード線と
温度ヒユーズ用のリード線を透孔内に挿入し高温半田で
固定し、温度ヒユーズ用リード線から伸長する温度ヒユ
ーズの他端をサージ吸収素子本体の一方のリード線に半
田付けし、低温半田をアルミナ基板周辺部に載置し２金
属キャップ開口周辺部をこの低温半田に当接し、減圧さ
れた不活性ガス雰囲気下で金属キャップを軽くアルミナ
基板に押し付け、全体を昇温し、低温半田のみ溶融し。 サージ吸収素子本体と温度ヒユーズを共にキャップ封止
し、金属キャップ等を塗料皮膜で包む。 サージ吸収素子本体は導電性皮膜にマイクロギャップを
刻設したギャップ式サージ吸収素子を採用し、温度ヒユ
ーズは低温半田よりは融点が高い亜鉛線を使用する。
優れた皮膜を形成し、サージ吸収素子本体のリード線と
温度ヒユーズ用のリード線を透孔内に挿入し高温半田で
固定し、温度ヒユーズ用リード線から伸長する温度ヒユ
ーズの他端をサージ吸収素子本体の一方のリード線に半
田付けし、低温半田をアルミナ基板周辺部に載置し２金
属キャップ開口周辺部をこの低温半田に当接し、減圧さ
れた不活性ガス雰囲気下で金属キャップを軽くアルミナ
基板に押し付け、全体を昇温し、低温半田のみ溶融し。 サージ吸収素子本体と温度ヒユーズを共にキャップ封止
し、金属キャップ等を塗料皮膜で包む。 サージ吸収素子本体は導電性皮膜にマイクロギャップを
刻設したギャップ式サージ吸収素子を採用し、温度ヒユ
ーズは低温半田よりは融点が高い亜鉛線を使用する。
第１図の温度ヒユーズ用リード線とサージ吸収素子本体
他端のリード線間に、連続した過電圧・過電流が印加さ
れると、サージ吸収素子本体は異常昇温し、金属キャッ
プ内の温度ヒユーズを溶断し１回路を遮断する。金属キ
ャップの昇温によりて溶断するのでなく、サージ吸収素
子本体からの直接の熱伝達により僅かの時定数で温度ヒ
ユーズは溶断する。
他端のリード線間に、連続した過電圧・過電流が印加さ
れると、サージ吸収素子本体は異常昇温し、金属キャッ
プ内の温度ヒユーズを溶断し１回路を遮断する。金属キ
ャップの昇温によりて溶断するのでなく、サージ吸収素
子本体からの直接の熱伝達により僅かの時定数で温度ヒ
ユーズは溶断する。
アルミナ基板４の周辺部や複数の透孔８の近傍に半田と
の付着性に優れた皮膜７を形成し、サージ吸収素子本体
１のリード線５と温度ヒユーズ２用のリード線６を透孔
８内に挿入し融点が２８０°Ｃ以上の高温半田で固定し
。 温度ヒユーズ２用リード線６から伸長する温度ヒユーズ
２の他端をサージ吸収素子本体１の一方のリード線５に
半田付けする。温度ヒユーズ２として亜鉛線を採用し。 各リード線５に半田付けするか、圧着あるいは溶着する
。 サージ吸収素子本体１は導電性皮膜をマイクロギャップ
で区画し２両端部に電極キャップを嵌合し、リード線５
を伸長したもので、放電開始電圧以上の過電圧が印加さ
れると、マイクロギャップ間に最初の放電が発生する。 融点か２００℃程度の低温半田をアルミナ基板４周辺部
の皮膜７上に枠状に載置し、金属キャップ３開口周辺部
をこの低温半田に当接し、減圧されたアルゴンガス雰囲
気下で金属キャップ３を軽くアルミナ基板４に押し付け
。 ２４０℃以下の炉内温度でｌＯ分程度加熱する。枠状の
低温半田は溶融し、金属キャップ３の端縁はアルミナ基
板４に溶着される。この時、金属キャップ３は軽く押し
付けられているため、金属キャップ３＠縁とアルミナ基
板４との接触面には溶融した低温半田が均一に分散し１
キヤツプ封止の密封性は担保される。この間、温度ヒユ
ーズ２や高温半田は溶融することはない。 炉内より取り出し、難燃性塗料内に浸漬して密封性を更
に向上する。 本発明の実施品に６００ボルトで４０アンペアの電流を
印加すると、温度ヒユーズ２は３０ａｓ以下で溶断し、
２．２アンペアの時は７０−８以下で溶断した。
の付着性に優れた皮膜７を形成し、サージ吸収素子本体
１のリード線５と温度ヒユーズ２用のリード線６を透孔
８内に挿入し融点が２８０°Ｃ以上の高温半田で固定し
。 温度ヒユーズ２用リード線６から伸長する温度ヒユーズ
２の他端をサージ吸収素子本体１の一方のリード線５に
半田付けする。温度ヒユーズ２として亜鉛線を採用し。 各リード線５に半田付けするか、圧着あるいは溶着する
。 サージ吸収素子本体１は導電性皮膜をマイクロギャップ
で区画し２両端部に電極キャップを嵌合し、リード線５
を伸長したもので、放電開始電圧以上の過電圧が印加さ
れると、マイクロギャップ間に最初の放電が発生する。 融点か２００℃程度の低温半田をアルミナ基板４周辺部
の皮膜７上に枠状に載置し、金属キャップ３開口周辺部
をこの低温半田に当接し、減圧されたアルゴンガス雰囲
気下で金属キャップ３を軽くアルミナ基板４に押し付け
。 ２４０℃以下の炉内温度でｌＯ分程度加熱する。枠状の
低温半田は溶融し、金属キャップ３の端縁はアルミナ基
板４に溶着される。この時、金属キャップ３は軽く押し
付けられているため、金属キャップ３＠縁とアルミナ基
板４との接触面には溶融した低温半田が均一に分散し１
キヤツプ封止の密封性は担保される。この間、温度ヒユ
ーズ２や高温半田は溶融することはない。 炉内より取り出し、難燃性塗料内に浸漬して密封性を更
に向上する。 本発明の実施品に６００ボルトで４０アンペアの電流を
印加すると、温度ヒユーズ２は３０ａｓ以下で溶断し、
２．２アンペアの時は７０−８以下で溶断した。
要するに１本発明は絶縁基板上にサージ吸収素子本体１
を配置しその隣接位置に同じように植設したリード線６
とのあいだに温度ヒユーズ２を掛け渡し、減圧された不
活性ガス雰囲気下で金属キャップ３を絶縁基板に半田溶
着し、サージ吸収素子本体ｌと温度ヒユーズ２とをキャ
ップ封止したため、連続した過電圧・過電流印加時にサ
ージ吸収素子本体１が加熱すると、隣接する温度ヒユー
ズ２は直ちに溶断し回路を保護する事ができる。従来の
硝子封止サージ吸収素子に温度ヒユーズ２を当接するも
のに比べ１歩留りは著しく向上し、製品コストの低下と
相俟って信頼性の高いサージ吸収素子を提供できる。
を配置しその隣接位置に同じように植設したリード線６
とのあいだに温度ヒユーズ２を掛け渡し、減圧された不
活性ガス雰囲気下で金属キャップ３を絶縁基板に半田溶
着し、サージ吸収素子本体ｌと温度ヒユーズ２とをキャ
ップ封止したため、連続した過電圧・過電流印加時にサ
ージ吸収素子本体１が加熱すると、隣接する温度ヒユー
ズ２は直ちに溶断し回路を保護する事ができる。従来の
硝子封止サージ吸収素子に温度ヒユーズ２を当接するも
のに比べ１歩留りは著しく向上し、製品コストの低下と
相俟って信頼性の高いサージ吸収素子を提供できる。
図面は本考案の一実施例を示すものにして、第１図は縦
断正面図、第２図は金属キャップを取り付ける前のサー
ジ吸収素子本体と温度ヒユーズの正面図、第３図はアル
ミナ基板封子面図、第４図はアルミナ基板の底面図であ
る。 １・・サージ吸収素子本体 ２・・温度ヒユーズ ３・・金属キャップ ４・・アルミナ基板 ７・・皮膜 第３図 第４図 １ ！
断正面図、第２図は金属キャップを取り付ける前のサー
ジ吸収素子本体と温度ヒユーズの正面図、第３図はアル
ミナ基板封子面図、第４図はアルミナ基板の底面図であ
る。 １・・サージ吸収素子本体 ２・・温度ヒユーズ ３・・金属キャップ ４・・アルミナ基板 ７・・皮膜 第３図 第４図 １ ！
Claims (2)
- （１）絶縁基板上にサージ吸収素子本体１を配置しその
隣接位置に同じように植設したリード線６とのあいだに
温度ヒューズ２を掛け渡し、減圧された不活性ガス雰囲
気下で金属キャップ３を絶縁基板に半田溶着し、サージ
吸収素子本体１と温度ヒューズ２とをキャップ封止して
なる、サージ吸収素子。 - （２）アルミナ基板４の周辺部と透孔８近傍に半田との
付着性に優れた皮膜７を形成し、サージ吸収素子本体１
のリード線５と温度ヒューズ２用のリード線６を透孔８
内に挿入し高温半田で固定し、温度ヒューズ２用リード
線６から伸長する温度ヒューズ２の他端をサージ吸収素
子本体１の一方のリード線５に半田付けし、低温半田を
アルミナ基板４周辺部に載置し、金属キャップ３開口周
辺部をこの低温半田に当接し、減圧された不活性ガス雰
囲気下で金属キャップ３を軽くアルミナ基板４に押し付
け、全体を昇温し、低温半田のみ溶融し、サージ吸収素
子本体１と温度ヒューズ２を共にキャップ封止し、金属
キャップ３等を塗料皮膜で包んでなる、サージ吸収素子
の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32185990A JPH04192281A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | サージ吸収素子及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32185990A JPH04192281A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | サージ吸収素子及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192281A true JPH04192281A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18137216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32185990A Pending JPH04192281A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | サージ吸収素子及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008010168A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP32185990A patent/JPH04192281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008010168A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ |
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