JPH04186116A - 微小変位測定方法およびその装置 - Google Patents

微小変位測定方法およびその装置

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JPH04186116A
JPH04186116A JP2314277A JP31427790A JPH04186116A JP H04186116 A JPH04186116 A JP H04186116A JP 2314277 A JP2314277 A JP 2314277A JP 31427790 A JP31427790 A JP 31427790A JP H04186116 A JPH04186116 A JP H04186116A
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創一 片桐
Hideji Sugiyama
秀司 杉山
Yoshimitsu Sase
佐瀬 善光
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    • G01J9/00Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • G01J9/04Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by beating two waves of a same source but of different frequency and measuring the phase shift of the lower frequency obtained

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Optical Transform (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回折格子を用いて物体の微小な変位の測定を
行う方法およびそのための装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体素子の製造には、ウェハを順次ステップ移
動させながら縮小投影露光を行うステッパが用いられて
いる。半導体素子は、ウェハ上の回路パターンとマスク
上の回路パターンとを順次重ね合わせて露光することに
よって製造される。
近年、この回路パターンはますます微細化、高密度化さ
れているので、ウェハとマスクは、より高精度にアライ
メントされる必要があり、このためには、まず、ウェハ
上の回路パターンの位置を高精度に測定する必要がある
。このための1つの方法として、例えば特開昭61−2
15905号公報、特開昭62−274216号公報に
開示されているようなヘテロダイン干渉を用いる方法が
知られている。以下、この方法を用いた微小変位測定装
置の一例を第8図により説明する。図において、1は三
波長直交偏光レーザ、2はハーフミラ−13は偏光ビー
ムスプリッタ、4はミラー、5はコリメータレンズ、6
は縮小レンズ、7は回折格子、8a、8bは偏光板、9
a、9bは光検出器、10は検出信号処理部である。
三波長直交偏光レーザ1からは、波長が互いに僅かに異
なり、かつ偏光方向が互いに直交するコヒーレント光が
出射される。これらの光はハーフミラ−2を透過し、偏
光ビームスプリッタ3によって波長λ1と波長λ2の光
に分離される。これら偏光ビームスプリッタ3、ミラー
4およびコリメータレンズ5は、これらの光が光路11
1.112を介し、縮小レンズ6によって、それぞれ1
次回折角Oで、しかも平行ビームで入射するように構成
されている。回折格子7によって発生する波長λ1の1
次回折光と波長λ2の1次回折光とは、それぞれ回折格
子7の面に垂直な光路121.122へ進む。この光路
121と122は実質的には同じ光路であり、偏光板8
aを介して光検出器9aにより、ヘテロダイン干渉信号
■、が測定される。このヘテロダイン干渉信号工。は、
次式%式% ここで、A+l+はヘテロダイン干渉信号の振幅、ω1
、ω2はそれぞれ波長λ□、λ2の角周波数、tは時間
、Pは回折格子7のピッチ、Eは回折格子7の移動量で
あるにのヘテロダイン干渉信号■□は、回折格子7の移
動量εの情報を含んでいるので、以下測定信号と呼ぶこ
とにする。回折格子7の移動量εを求めるには、測定信
号■□の位相から時間項(ω、□−ωz)tを引いてや
ればよい。そして、この時間項は、別途、基準信号とし
て測定する。
すなわち、ハーフミラ−2で反射された光を偏光板8b
を介して光検出器9bによって測定されるヘテロダイン
干渉信号T9は 1、=Ascos ((ω□−ω2)t)  ・・・・
・・・・・・・・・・・・・・(2)で表され、これが
基準信号となる。ここで、Asは基準信号の振幅である
従って、検出信号処理部]Oによって、光検出器9a、
9bで検出した2つのヘテロダイン干渉信号の位相差を
求めれば、回折格子7のピッチPから回折格子7の移動
量εが求められる。この方法では、光の位相を検出する
ので、合わせマーク像の光強度分布を検出する従来の方
式と比べ、照明光の分布や光学系の解像度によらず高精
度な位置検出を行うことができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、ヘテロダイン干渉方式は、光の位相を検出す
るので、途中の光路の空気の密度によって、検出した干
渉信号が誤差をもつ。第8図の装置の場合、光学系の中
で波長λ1とλ2の光は、それぞれが光路111と11
2を通るとき最も離れる。このとき、空気の密度が場所
によって異なる場合、屈折率も異なるので、光路111
を通った光と光路112を通った光に位相差が生じ、光
検出器9aで検出されるヘテロダイン干渉信号■□は次
式のようになる。
lm=Am CO3(((11□−ω2)t+4 K 
E/P+7) −= (3)ここで、γは空気の密度分
布によって生じる位相差であり、式(2)に示した基準
信号から回折格子7の移動量εを求める上での誤差とな
る。
ステッパは、温度を一定に保つために空気の流れのある
チャンバに入れられているが、空気の流れが物体から剥
離すると密度の異なる渦が発生し、これが光路111.
112を横切ると測定誤差が発生する。この誤差は、常
に再現性良くウェハ上の回路パターンの位置を測定する
上での課題となる。
本発明の目的は、上記従来技術のもつ課題を解決し、空
気の密度分布の影響を低減した微小変位測定方法および
その装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、上記目的を達成するため、回折格子に入射さ
せない波長λ、および波長λ2のコヒーレント光を合成
して基準信号を生成し、波長λ□のコヒーレント光を回
折格子の1次回折角の約1/2の角度で入射させたとき
に発生する1次回折光と、このとき発生する正反射光の
反射方向と逆向一8= きに波長λ2のコヒーレント光を入射させたときに発生
する正反射光とを合成して測定信号を生成し、これらの
信号の位相差から回折格子の移動量を測定するようにし
たものである。
〔作用〕
上記構成により、基準信号■oおよび測定信号■1は次
式のようになる。
1、=AocO8((ω□−ω2)t+Yot−γoz
)  ・””(4)I、=A1cos ((ω、−ω2
) t+2z E /P+Y1x−γ12)・・(5) ここで、γ。0、γ。2は、それぞれ基準信号を生成す
る波長λ1、λ2の光が進む光路の空気の屈折率によっ
て生じる位相項であり、γ11、γ、2は、それぞれ測
定信号を生成する波長λ4、λ2の光が進む光路の空気
の屈折率によって生じる位相項である。本発明では、測
定信号を生成する波長λ1、λ2の光路のなす角が、従
来方式の2つの1次回折光のなす角の約1/2となるた
め、これらの光路は互いに接近しており、γ11−γ、
2と見なせる。
また、基準信号を生成する波長λいλ2の光路も−10
〜 極めて接近しているため、γ。□=γ。2と見なせる。
従って、式(4)と(5)において、はぼγ。□−γ。
2−0、γ1□−γ、2−0となり、空気の密度分布の
影響を受けにくい微小変位測定方法および装置を実現で
きる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第1
図は該実施例の微小変位測定装置の概略構成を示す斜視
図である。
第1図において、垂直方向の偏光をもつ直線偏光レーザ
光源11から出射された光は、ハーフミラ−21および
ミラー22によって2光束に分割され、AO変調器(音
響光学変調器)31.32にそれぞれ入射する。このA
O変調器31.32には、それぞれ駆動周波数f1、f
2が入力されており、入射した光の周波数を入力された
周波数だけシフトさせる。すなわち、AO変調器31か
らは、波長λ、のビームLBIIが出射され、AO変調
器32からは、波長λ2のビームLB12が出射される
。ビームLBIIとL B 12とは、ハーフミラ−4
1,42により、ビームLB21と31、ビームLB2
2と32にそれぞれ2分割される。ビームLB21は、
ハーフミラ−23を透過することにより、またビームL
B22は、ミラー24とハーフミラ−23で反射するこ
とにより、それぞれが同一の光路を進み、光検出器91
によりヘテロダイン干渉信号が検出され、これが基準信
号となる。一方、波長λ□のビームLB31と波長λ2
のビームLB32とは、偏光ビームスプリッタ43にS
偏光で入射するために、はとんどが反射され、1/4波
長板51に入射後、円偏光となり、コリメータレンズ5
2に入射する。このうち、波長λ、のビームLB31は
、ミラー53を介して光路131を進み、縮小レンズ6
を介して光路141を進み、ウェハ上の回折格子7に所
定の角度(後述)で、しかも平行ビームとなって入射す
る。そして、回折格子7で発生する波長λ1の1次回折
光は、元の光路14]−を戻り、正反射光は光路142
へ進む。同様に、波長λ2のビームLB32は、ミラー
53を介して光路=11− 132を進み、縮小レンズ6を介して光路142を進み
、ウェハ上の回折格子7に所定の角度(後述)で入射す
る。そして、回折格子7で発生する波長λ2の1次回折
光は、元の光路142を戻り、正反射光は光路141へ
進む。波長λ1の1次回折光と波長λ2の正反射光とは
、縮小レンズ6を介して光路131を戻り、波長λ2の
1次回折光と波長λ1の正反射光とは、光路132を戻
る。
これらの光は、ミラー53およびコリメータレンズ52
を介して1/4波長板51によって、入射時と直交する
方向の直線偏光に変換され、偏光ビームスプリッタ43
にP偏光で入射し、はとんどが透過する。この後、波長
λ、の1次回折光と波長λ2の正反射光とは、光路]5
1を進み、光検出器92によってヘテロダイン干渉信号
が検出され、これが第1の測定信号となる。一方、波長
λ2の1次回折光と波長λ、の正反射光とは、光路15
2を進み、光検出器93によってヘテロダイン干渉信号
が検出され、これが第2の測定信号となる。これら第1
および第2の測定信号と前述の一13= 基準信号とは、制御処理回路100に送られる。
制御処理回路100は、これらの信号の位相差を算出し
、これを変位量に換算することにより、回折格子7の微
小変位量を出力する。
ここで、回折格子7の変位量εと、基準信号と第1の測
定信号の位相差との関係を、第2図を用いて説明する。
まず、第2図(a)により、回折格子7の変位に伴う波
長λ、の1次回折光の位相変化について考える。波長λ
1のコヒーレント光が光路141aを進み、回折格子7
に対しθ′の角度で入射すると、1次回折光は元の光路
141aを戻る。ただし、θ′は次式を満たす。
5inO’=λ、/2P ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・(6)P:回折格子7のピッチ 一方、1次回折角θは次式 %式%(6) を満たすから、入射角θ′は、次式のように、1次回折
角の約半分となる。
θ′#λ、/2P:θ/2 ・・・・・・・・・・・(
6#)ここで、回折格子7がε移動したとき、その回折
格子7の位置を破線で表す。このときの入射光および1
次回折光の光路である光路141bと、元の光l&14
1 aとの光路長差は、2而となり、2配= 2 E 
sinθ′=2ελ1/2P=ελ1/P −(7)と
表すことができ、回折格子7がε移動したときの1次回
折光の位相変化φ1は、 φ□=2πε/P ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ (8)となる。
次に、第2図(b)により、波長λ2の正反射光の位相
変化について考える。波長λ2のコヒーレント光が光路
142aを進み、回折格子7に対し一〇′の角度で入射
すると、正反射光は、反射角θ′で光路141aへ進む
。ここで、上記と同様に、回折格子7がε移動したとき
の回折格子7の位置を破線で表す。このとき、入射光路
は、142b、反射光路は141bとなり、移動前後の
光路長差は、δ〒−「「となる。ところが、入射角と反
射角は等しいので、GE−FE’=0となる。従って、
回折格子7がε移動したときの正反射光の位相変化φ。
もOになる。
基準信号の位相は、回折格子7の変位とは無関係に一定
であり、従って、回折格子7が変位したときの第1の測
定信号と基準信号の位相差Δφは、Δφ=φ1−φ。=
2πp/P  ・ ・・・・・・・ (9)となる。
また、この場合の位相の測定レンジは、−2πくΔφく
2πであるので、変位量の測定レンジは、−P < t
 < Pである。これに対し、従来例の測定レンジは、
式(1)より、−P/2<ε<P/2であることを考え
ると、本発明の方式によれば、測定レンジが2倍に広が
るという長所がある。
次に、合わせマーク上にレジストが存在する場合の変位
量εの測定方法について説明する。まず、第3図に示す
ように、合わせマークである回折格子7の上に対称な分
布をもつレジスト71が存在する場合について考える。
この場合、レジスト71内の多重反射について考慮する
必要があり、第1の測定信号と基準信号の位相差Δφ8
はΔφ、=2πt/P+e  −・−−(10)となる
。ただし、eはレジス1−71による多重反射によって
生じる1次回折光と正反射光の位相差である。すなわち
、回折格子7上にレジス1−71が存在する場合には、
第1の測定信号と基準信号の位相差にオフセットeが加
算される。このオフセットを除く方法について、以下に
述べる。
本発明では、第2の測定信号も同時に測定することがで
き、この情報を利用することができる。
すなわち、第2の測定信号と基準信号の位相差Δφbは
、 Δφb==−2πε/ P + e  ・・・・・・・
・・・・・・・(11)となる。従って、Δφ8とΔφ
bの差をとれば、式(10)と式(11)から、 Δφう−Δφb=4πt/P  ・・・・・・・・・・
・・・・(12)となり、オフセットeを除くことがで
きる。ここで、第1および第2の測定信号の位相をそれ
ぞれφ8、φし、基準信号の位相をφ。とすれば、Δφ
う−Δφb=φ8−φ。−(φb−φc)=φ8−φb
・・・(13)であるから、第1および第2の測定信号
の位相だけから、回折格子7の変位量εを求めることか
できる。このように、第2の測定信号を測定すれば、基
準信号は不必要となり、従って、第1図に示したハーフ
ミラ−41,42,23、ミラー24、光検出器91を
省略することができる。
次に、第4図のように、回折格子7上のレジスト72の
分布が非対称の場合について考える。レジストは回転塗
布されるので、回折格子7に対してレジストの分布は、
このように非対称になることが多い。このような場合、
式(13)におけるφ2−φbは、 φ、−φb=4πt/P+g   ・・・・・・・・・
(14)となる。ただし、gはレジスト72の分布が非
対称なために生した、第1および第2の測定信号を生成
する1次回折光の位相差を表す。このgは、回折格子7
の変位量εを求める上でオフセット誤差となる。そこで
、gを間接的に測定し、これを式(14)に代入するこ
とによって正確な変位量εの値を求める方法について、
以下に説明する。
レジストの非対称性が、第4図に示すように、回折格子
7の凹部の中心線に対するレジストの凹部の中心線のシ
フト量δで表せるものとする。シフト量δがある場合の
第1の測定信号を生成する1次回折光(以下、第1の1
次回折光と記す)の位相g1と、第2の測定信号を生成
する1次回折光(以下、第2の1次回折光と記す)の位
相g2の値は、例えば「ジャーナル・オブ・ザ・オプテ
ィカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ、A、第5巻、
第8号、1988年、第1270頁から第1280頁(
J、 Opt、 Soc、 Am、 A、 Vol、5
. No、8(1988)、 pp、1270−128
0)Jに記載されている方法により計算することができ
る。計算結果の一例を第5図に示す。第5図は、レジス
トのシフト量に対する第1および第2の1次回折光の位
相g1、g2の関係を示したもので、シフト量が大きく
なると位相g□とg2の差が大きくなることを示してい
る。ここで、シフト量に対する第1および第2の1次回
折光の強度Ia、Ibの関係を同様に計算した結果を第
6図に示す。第6図においても、シフト量が大きくなる
と、第1および第2の1次回折光の強度工。とIbの差
は大きくなる。このように、位相g1、g2の差と、第
1−および第2の1次回折光の強度の差には相関がある
。従って、2つの1次回折光の強度差を測定することに
よりg(=gよ−gz)を間接的に測定することができ
る。
第7図に、2つの1次回折光の強度差とgとの関係を示
す。図は、縦軸にはg、横軸には次式で表される2つの
1次回折光の強度差Sをとっである。
S” (I−−Ib) / (L+Ih)   ・・(
1,5)■、には、第1図において光検出器92で検出
されるヘテロダイン干渉信号の振幅を代入し、Ibには
、光検出器93で検出されるヘテロダイン干渉信号の振
幅を代入すればよい。制御処理回路100は、■。、I
bから式(15)によりSを計算し、あらかじめ求めた
Sとgとの関係からgを計算し、これを式(14)に代
入することにより、正確な変位量εを算出することがで
きる。
以上に示した手順によれば、レジストの分布か合わせマ
ークである回折格子に対して非対称になる場合も、正確
な変位量を測定することができる。
2つの1次回折光の強度差からレジストの非対称性によ
る誤差を補正する方法に関しては、例えば特開平1−2
42904号公報に記載されている方法がある。しかし
、本発明によれば、ヘテロダイン干渉信号の検出と1次
回折光の強度の検出とを1つの光検出器で行うことがで
き、上記公報に記載されている方法に比べて、信号処理
系が簡略化できるという効果がある。
測定した変位量εは、制御処理回路100によってレチ
クル8に対するウェハ73のアライメント基準位置から
のずれ量に換算され、このずれ量を基に駆動部74を制
御してステージ75を移動させる。このようにして、レ
チクル8上の回路パターンは、ウェハ73上の所望の位
置に転写できる。
なお、本発明は、第1図において、縮小レンズ6を介さ
ず、コリメータレンズ52から直接に回折格子7に波長
λ1の光を入射させることにより、プロキシミテイ露光
装置や電子ビーム描画装置の微小変位測定に適用するこ
ともできる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ヘテロダイン干渉を用いた微小変位の
測定において、測定信号を生成する波長λ3、λ2の光
路のなす角が従来方式での2つの1次回折光のなす角の
約1/2となるため、これらの光路は互いに接近してお
り、また、基準信号を生成する光路も極めて接近してい
るため、微小変位測定における空気の密度分布の影響を
低減できるという効果がある。また、第1および第2の
測定信号を同時に検出することが可能であり、この場合
には、基準信号を省略することができる。さらに、第1
および第2の1次回折光の強度を別々に測定することが
できるので、この測定値から回折格子上のレジスト分布
が非対称な場合の測定変位量を補正することができ、常
に正確な変位量を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による微小変位測定装置の一実施例の概
略構成を示す斜視図、第2図は回折格子と光路を示した
説明図、第3図は回折格子上の対称なレジスト分布を示
す説明図、第4図は回折格子上の非対称なレジスト分布
を示す説明図、第5図はレジストシフト量と第1および
第2の]−次回指光の位相との関係を示したグラフ、第
6図はレジストシフト量と第1および第2の1次回折光
の強度との関係を示したグラフ、第7図は第1および第
2の1次回折光の強度差と位相差との関係を示したグラ
フ、第8図は従来の微小変位測定装置の一例を示す概略
構成図である。 符号の説明 6・縮小レンズ    7・・・回折格子11・・・直
線偏光レーザ光源 31.32 ・AO変調器 43・・・偏光ビームスプリッタ 51・・1/4波長板  52・・・コリメータレンズ
91.92.93・光検出器 100・・・制御処理回路 1A1゜ 7    C’l+、に+久L l −は」イ1l=l’υ−J (b) 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、波長が互いに僅かに異なる第1の波長の光と第2の
    波長の光とをヘテロダイン干渉させて基準信号を生成す
    るとともに、位置検出すべき物体の上に形成された回折
    格子に、所定の角度で、前記第1の波長の光を入射した
    ときに発生する回折光と、このとき発生する第1の正反
    射光の反射方向と逆向きに前記第2の波長の光を入射し
    たときに発生する第2の正反射光とをヘテロダイン干渉
    させて測定信号を生成し、前記基準信号と前記測定信号
    より求められる位相差から前記物体の微小変位を測定す
    ることを特徴とする微小変位測定方法。 2、請求項1に記載の微小変位測定方法において、前記
    所定の角度が、1次回折角の約半分であることを特徴と
    する微小変位測定方法。 3、位置検出すべき物体の上に形成された回折格子に、
    所定の角度で、第1の波長の光を入射したときに発生す
    る第1の回折光と、このとき発生する第1の正反射光の
    反射方向と逆向きに、前記第1の波長と僅かに異なる第
    2の波長の光を入射したときに発生する第2の正反射光
    とをヘテロダイン干渉させて第1の測定信号を生成し、
    前記第2の波長の光を入射したときに発生する第2の回
    折光と、前記第1の正反射光とをヘテロダイン干渉させ
    て第2の測定信号を生成し、前記第1の測定信号と前記
    第2の測定信号より求められる位相差から前記物体の微
    小変位を測定することを特徴とする微小変位測定方法。 4、請求項3に記載の微小変位測定方法において、前記
    所定の角度が、1次回折角の約半分であることを特徴と
    する微小変位測定方法。 5、請求項3または4に記載の微小変位測定方法におい
    て、前記第1の測定信号と前記第2の測定信号の振幅の
    差から微小変位測定量を補正することを特徴とする微小
    変位測定方法。 6、物体上に固設された回折格子と、波長が互いに僅か
    に異なる第1の波長の光と第2の波長の光を発生する光
    源と、前記第1の波長の光と前記第2の波長の光とをヘ
    テロダイン干渉させて基準信号を生成する手段と、前記
    第1の波長の光と前記第2の波長の光を前記回折格子に
    それぞれ所定の角度で入射させる手段と、前記回折格子
    から発生する前記第1の波長の回折光と前記第2の波長
    の正反射光とをヘテロダイン干渉させて測定信号を生成
    する手段と、前記基準信号の時間変化を測定する第1の
    光検出手段と、前記測定信号の時間変化を測定する第2
    の光検出手段と、前記第1および第2の光検出手段によ
    って検出された前記基準信号と前記測定信号の位相差を
    算出、処理して前記物体の変位に換算する信号処理回路
    を具備することを特徴とする微小変位測定装置。 7、請求項6に記載の微小変位測定装置において、前記
    所定の角度が、1次回折角の約半分であることを特徴と
    する微小変位測定装置。 8、物体上に固設された回折格子と、波長が互いに僅か
    に異なる第1の波長の光と第2の波長の光を発生する光
    源と、前記第1の波長の光と前記第2の波長の光を前記
    回折格子にそれぞれ所定の角度で入射させる手段と、前
    記回折格子から発生する前記第1の波長の回折光と前記
    第2の波長の正反射光とをヘテロダイン干渉させて第1
    の測定信号を生成する手段と、前記回折格子から発生す
    る前記第2の波長の回折光と前記第1の波長の正反射光
    とをヘテロダイン干渉させて第2の測定信号を生成する
    手段と、前記第1の測定信号の時間変化を測定する第1
    の光検出手段と、前記第2の測定信号の時間変化を測定
    する第2の光検出手段と、前記第1および第2の光検出
    手段によって検出された前記第1の測定信号と前記第2
    の測定信号の位相差を算出、処理して前記物体の変位に
    換算する信号処理回路を具備することを特徴とする微小
    変位測定装置。 9、請求項8に記載の微小変位測定装置において、前記
    所定の角度が、1次回折角の約半分であることを特徴と
    する微小変位測定装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1994018522A1 (en) * 1993-02-15 1994-08-18 Sortec Corporation Method for detecting positional shift and gap
JP2013145863A (ja) * 2011-11-29 2013-07-25 Gigaphoton Inc 2光束干渉装置および2光束干渉露光システム
CN113448189A (zh) * 2020-03-26 2021-09-28 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种对准系统及光刻机

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