JPH04185286A - インバータ駆動装置 - Google Patents
インバータ駆動装置Info
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- JPH04185286A JPH04185286A JP2317337A JP31733790A JPH04185286A JP H04185286 A JPH04185286 A JP H04185286A JP 2317337 A JP2317337 A JP 2317337A JP 31733790 A JP31733790 A JP 31733790A JP H04185286 A JPH04185286 A JP H04185286A
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- semiconductor switching
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ζ友 インバータ駆動装置における過大電流保護
制御技術に関するものであム 従来の技術 近鍛 インバータ装置を用いて誘導電動機の速度制御を
することが増加していも 従来（よ 産業用が主体であ
ったが徐々に家庭用まで浸透してき九 それに伴い品質
及び信頼性の一層の向上が望まれも インバータ装置の
量的拡大に伴（＼ 特にインバータ装置を構成する半導
体スイッチング素子の保護方法の改善が強く望まれてい
る。
制御技術に関するものであム 従来の技術 近鍛 インバータ装置を用いて誘導電動機の速度制御を
することが増加していも 従来（よ 産業用が主体であ
ったが徐々に家庭用まで浸透してき九 それに伴い品質
及び信頼性の一層の向上が望まれも インバータ装置の
量的拡大に伴（＼ 特にインバータ装置を構成する半導
体スイッチング素子の保護方法の改善が強く望まれてい
る。
発明が解決しようとする課題
インバータ装置は複数の半導体スイッチング素子から構
成されており、運転中の負荷の増大成いは事故（負荷短
線 地線 その他）発生により半導体スイッチング素子
を流れる電流が増加した場合に（よ すばやく半導体ス
イッチング素子を停止状態にして電流破壊を防止する必
要があム本発明は 上記従来の課題を解決するもので、
半導体スイッチング素子を流れる電流が増加した場合へ
確実にすばやく運転を停止させるものであ４ 課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明は アーム接続された
複数個の半導体スイッチング素子と、モータを駆動する
信号を発生する駆動信号発生手段と、前記駆動信号発生
手段の出力により前記半導体スイッチング素子を駆動す
る駆動手段と、前記半導体スイッチング素子を流れる電
流を検出する電流検出手段より構成され 前記半導体ス
イッチング素子に過大電流が流れた場合鳳 該当する半
導体スイッチング素子を一定時間停止状態にすると共に
該当する半導体スイッチング素子が下側アーム群に属
する場合３表 前記駆動信号発生手段に異常状態を送信
しモータ駆動信号の発生を停止し 該当する半導体スイ
ッチング素子が上側アーム群に属する場合は 外部に異
常状態を送信しないようにするものであム また本発明（よ 半導体スイッチング素子を流れる電流
を検出する電流検出手段の検出レベルを上側アーム群よ
り下側アーム群を低く構成したものであム 作用 本発明（友 本構成によってインバータ駆動装置を運転
東 半導体スイッチング素子を流れる電流が増加した場
合に 確実にすばやく運転を停止させ半導体スイッチン
グ素子の電流破壊を防止することができも 実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明すも 第１図は従来例におけるインバータ駆動装置のブロック
結線図である。
成されており、運転中の負荷の増大成いは事故（負荷短
線 地線 その他）発生により半導体スイッチング素子
を流れる電流が増加した場合に（よ すばやく半導体ス
イッチング素子を停止状態にして電流破壊を防止する必
要があム本発明は 上記従来の課題を解決するもので、
半導体スイッチング素子を流れる電流が増加した場合へ
確実にすばやく運転を停止させるものであ４ 課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明は アーム接続された
複数個の半導体スイッチング素子と、モータを駆動する
信号を発生する駆動信号発生手段と、前記駆動信号発生
手段の出力により前記半導体スイッチング素子を駆動す
る駆動手段と、前記半導体スイッチング素子を流れる電
流を検出する電流検出手段より構成され 前記半導体ス
イッチング素子に過大電流が流れた場合鳳 該当する半
導体スイッチング素子を一定時間停止状態にすると共に
該当する半導体スイッチング素子が下側アーム群に属
する場合３表 前記駆動信号発生手段に異常状態を送信
しモータ駆動信号の発生を停止し 該当する半導体スイ
ッチング素子が上側アーム群に属する場合は 外部に異
常状態を送信しないようにするものであム また本発明（よ 半導体スイッチング素子を流れる電流
を検出する電流検出手段の検出レベルを上側アーム群よ
り下側アーム群を低く構成したものであム 作用 本発明（友 本構成によってインバータ駆動装置を運転
東 半導体スイッチング素子を流れる電流が増加した場
合に 確実にすばやく運転を停止させ半導体スイッチン
グ素子の電流破壊を防止することができも 実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明すも 第１図は従来例におけるインバータ駆動装置のブロック
結線図である。
同図に於いて、 １は直流型＃２ａ、 ２ｂ、 ２Ｃは
上側アーム群に属する半導体スイッチング素子、 ３ａ
、 ３ｂ、 ３ｃは下側アーム群に属する半導体ス
イッチング素子、４はモータであａ ５は駆動信号発生
装置であり、インバータ装置の駆動信号の発生及び異常
に際しては駆動信号の停止を行う。 ６ａ、 ６ｂ、
６ｃは半導体スイッチング素子２ａ〜２ｃを駆動する駆
動回路 ７は半導体スイッチング素子３ａ〜３Ｃを駆動
する駆動回路である。８は電流検出回路９ａ、 ９ｂ
、 ９ｃ、 １０、１１は駆動信号発生装置５と半
導体スイッチング素子２ａ〜２ｃ、３ａ〜３Ｃを電気的
に絶縁するための絶縁装置であり、フォトカップラー等
により構成されていも インバータ駆動装置を運転東 負荷の増加等により半導
体スイッチング素子２ａ〜２Ｃ１３ａ〜３Ｃを流れる電
流が一定値以上になると電流検出回路８により過大電流
状態を検出し 絶縁装置１１を介して駆動信号発生装置
５に送信し駆動信号の停止を行い半導体スイッチング素
子２ａ〜２Ｃ１３ａ〜３ｃを過大電流による破壊から防
止すム上記従来のシステムｃ戴 電流の増加状態を各
半導体スイッチング素子毎にではなく総合電流として検
出すること及び地絡等の異常が発生した場合には電流検
出ができないた敢 半導体スイッチング素子を過大電流
による破壊から防止する保護方法として、信頼性の欠け
るものとなってい九第２図は本発明の一実施例における
インバータ駆動装置のブロック結線図であも 同図に於いて、 ２１は直流型１２２ａ、２２ｂ、 ２
２ｃは上側アーム群に属する半導体スイッチング素子、
２３ａ、 ２３ｂ、 ２３ｃは下側アーム群に属する
半導体スイッチング素子、 ２４はモータであも ２５
は駆動信号発生装置であり、インバータ装置の駆動信号
の発生及び異常に際しては駆動信号の停止を行う。２６
ａ、２６ｂ、 ２６Ｃは半導体スイッチング素子２２ａ
〜２２ｃを駆動する駆動回路 ２７は半導体スイッチン
グ素子２３ａ〜２３ｃを駆動する駆動回路である。２８
ａ、 ２８ｂ、 ２８ｃは半導体スイッチング素子２２
ａ〜２２Ｃの電流検出回路 ２９ａ、 ２９ｂ。
上側アーム群に属する半導体スイッチング素子、 ３ａ
、 ３ｂ、 ３ｃは下側アーム群に属する半導体ス
イッチング素子、４はモータであａ ５は駆動信号発生
装置であり、インバータ装置の駆動信号の発生及び異常
に際しては駆動信号の停止を行う。 ６ａ、 ６ｂ、
６ｃは半導体スイッチング素子２ａ〜２ｃを駆動する駆
動回路 ７は半導体スイッチング素子３ａ〜３Ｃを駆動
する駆動回路である。８は電流検出回路９ａ、 ９ｂ
、 ９ｃ、 １０、１１は駆動信号発生装置５と半
導体スイッチング素子２ａ〜２ｃ、３ａ〜３Ｃを電気的
に絶縁するための絶縁装置であり、フォトカップラー等
により構成されていも インバータ駆動装置を運転東 負荷の増加等により半導
体スイッチング素子２ａ〜２Ｃ１３ａ〜３Ｃを流れる電
流が一定値以上になると電流検出回路８により過大電流
状態を検出し 絶縁装置１１を介して駆動信号発生装置
５に送信し駆動信号の停止を行い半導体スイッチング素
子２ａ〜２Ｃ１３ａ〜３ｃを過大電流による破壊から防
止すム上記従来のシステムｃ戴 電流の増加状態を各
半導体スイッチング素子毎にではなく総合電流として検
出すること及び地絡等の異常が発生した場合には電流検
出ができないた敢 半導体スイッチング素子を過大電流
による破壊から防止する保護方法として、信頼性の欠け
るものとなってい九第２図は本発明の一実施例における
インバータ駆動装置のブロック結線図であも 同図に於いて、 ２１は直流型１２２ａ、２２ｂ、 ２
２ｃは上側アーム群に属する半導体スイッチング素子、
２３ａ、 ２３ｂ、 ２３ｃは下側アーム群に属する
半導体スイッチング素子、 ２４はモータであも ２５
は駆動信号発生装置であり、インバータ装置の駆動信号
の発生及び異常に際しては駆動信号の停止を行う。２６
ａ、２６ｂ、 ２６Ｃは半導体スイッチング素子２２ａ
〜２２ｃを駆動する駆動回路 ２７は半導体スイッチン
グ素子２３ａ〜２３ｃを駆動する駆動回路である。２８
ａ、 ２８ｂ、 ２８ｃは半導体スイッチング素子２２
ａ〜２２Ｃの電流検出回路 ２９ａ、 ２９ｂ。
２９ｃは半導体スイッチング素子２３ａ〜２３ｃの電流
検出回路であム ３０ａ、３０ｂ、 ３０ｃ、３１、３
２は駆動信号発生装置２５と半導体装置ッチング素子２
２ａ 〜２２ｃ、 ２３ａ 〜２３ｃを電気的に絶縁
するための絶縁装置であり、フォトカップラー等により
構成されていも インバータ駆動装置を運転東 負荷の増加等により半導
体スイッチング素子２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃを
流れる電流が一定値以上になると各半導体スイッチング
素子毎に設けられた電流検出回路２８ａ 〜２８ｃ、２
９ａ〜２９Ｃにより過大電流状態を検出し 駆動回路２
６ａ〜２６ｃ、２７により一定時間該当する半導体スイ
ッチング素子を停止状態にすム またさらに該当する半
導体スイッチング素子が下側アーム群（２３ａ、 ２２
３ｂ、２３ｃ）に属する場合には絶縁装置３２を介して
駆動信号発生装置２５に送信し駆動信号の停止を行い半
導体スイッチング素子２２ａ〜２２ｃ、 ２３ａ〜２３
ｃを過大電流による破壊から防止半導体スイッチング素
子すム また 本発明においては半導体スイッチング素子が上側
アーム群（２２ａ、 ２２ｂ、 ２２ｃ）に属する
場合と、下側アーム群（２３ａ、２３ｂ、２３Ｃ）に属
する場合で過大電流検出レベルを変えていも 第３図は過大電流検出レベルの説明図であム同図に於い
て、 ４０は半導体スイッチング素子の電流破壊耐量で
あム ４１は上側アーム群（２２ａ、 ２２ｂ、２２ｃ
）の過大電流検出レベルであム ４２は下側アーム群（
２３ａ、 ２３ｂ、 ２３Ｃ）の過大電流検出レベルあ
ム 上記の構成によって、少なくとも下側アーム群（２３ａ
、２３ｂ、 ２３Ｃ）を早めに停止状態にすることで上
側アーム群（２２ａ、 ２２ｂ、 ２２Ｃ）の電流検出
回路２８ａ〜２８ｃの信号を駆動信号発生装置２５にフ
ィードバックする必要がなくなりシステム構成が簡単と
なん 発明の効果 上記実施例より明らかなよう＆へ 本発明（叡 インバ
ータ駆動装置に於いて簡単な構成で、半導体スイッチン
グ素子を負荷の増大成いは地絡等の事故発生に対し確実
に停止状態にすることができ、過大電流による破壊から
防止することができる効果を有するものであａ
検出回路であム ３０ａ、３０ｂ、 ３０ｃ、３１、３
２は駆動信号発生装置２５と半導体装置ッチング素子２
２ａ 〜２２ｃ、 ２３ａ 〜２３ｃを電気的に絶縁
するための絶縁装置であり、フォトカップラー等により
構成されていも インバータ駆動装置を運転東 負荷の増加等により半導
体スイッチング素子２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃを
流れる電流が一定値以上になると各半導体スイッチング
素子毎に設けられた電流検出回路２８ａ 〜２８ｃ、２
９ａ〜２９Ｃにより過大電流状態を検出し 駆動回路２
６ａ〜２６ｃ、２７により一定時間該当する半導体スイ
ッチング素子を停止状態にすム またさらに該当する半
導体スイッチング素子が下側アーム群（２３ａ、 ２２
３ｂ、２３ｃ）に属する場合には絶縁装置３２を介して
駆動信号発生装置２５に送信し駆動信号の停止を行い半
導体スイッチング素子２２ａ〜２２ｃ、 ２３ａ〜２３
ｃを過大電流による破壊から防止半導体スイッチング素
子すム また 本発明においては半導体スイッチング素子が上側
アーム群（２２ａ、 ２２ｂ、 ２２ｃ）に属する
場合と、下側アーム群（２３ａ、２３ｂ、２３Ｃ）に属
する場合で過大電流検出レベルを変えていも 第３図は過大電流検出レベルの説明図であム同図に於い
て、 ４０は半導体スイッチング素子の電流破壊耐量で
あム ４１は上側アーム群（２２ａ、 ２２ｂ、２２ｃ
）の過大電流検出レベルであム ４２は下側アーム群（
２３ａ、 ２３ｂ、 ２３Ｃ）の過大電流検出レベルあ
ム 上記の構成によって、少なくとも下側アーム群（２３ａ
、２３ｂ、 ２３Ｃ）を早めに停止状態にすることで上
側アーム群（２２ａ、 ２２ｂ、 ２２Ｃ）の電流検出
回路２８ａ〜２８ｃの信号を駆動信号発生装置２５にフ
ィードバックする必要がなくなりシステム構成が簡単と
なん 発明の効果 上記実施例より明らかなよう＆へ 本発明（叡 インバ
ータ駆動装置に於いて簡単な構成で、半導体スイッチン
グ素子を負荷の増大成いは地絡等の事故発生に対し確実
に停止状態にすることができ、過大電流による破壊から
防止することができる効果を有するものであａ
第１図は従来例に於けるインバータ駆動装置のブロック
結線は 第２図は本発明の一実施例に於けるインバータ
駆動装置のブロック結線医 第３図は本発明インバータ
駆動装置における過大電流検出レベル説明図であ４ ２２ａ、−２２ｂ、 ２２ ｃ ＝上側アーム群に属す
る半導体スイッチング素子、 ２３ａ、 ２３ｂ、２３
ｃ・・・・下側アーム群に属する半導体スイッチング素
子、 ２５・・・・駆動信号発生装ｆ１２６ａ、２６ｂ
、 ２６ｃ、 ２７＝駆動回跋２８ａ、 ２８ｂ、
２８ｃ、 ２９ａ、 ２９ｂ、 ２９ｃｍ−−−電流
検出回路
結線は 第２図は本発明の一実施例に於けるインバータ
駆動装置のブロック結線医 第３図は本発明インバータ
駆動装置における過大電流検出レベル説明図であ４ ２２ａ、−２２ｂ、 ２２ ｃ ＝上側アーム群に属す
る半導体スイッチング素子、 ２３ａ、 ２３ｂ、２３
ｃ・・・・下側アーム群に属する半導体スイッチング素
子、 ２５・・・・駆動信号発生装ｆ１２６ａ、２６ｂ
、 ２６ｃ、 ２７＝駆動回跋２８ａ、 ２８ｂ、
２８ｃ、 ２９ａ、 ２９ｂ、 ２９ｃｍ−−−電流
検出回路
Claims (2)
- （１）アーム接続された複数個の半導体スイッチング素
子と、モータを駆動する信号を発生する駆動信号発生手
段と、前記駆動信号発生手段の出力により前記半導体ス
イッチング素子を駆動する駆動手段と、前記半導体スイ
ッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段より
構成され、前記半導体スイッチング素子に過大電流が流
れた場合に、該当する半導体スイッチング素子を一定時
間停止状態にすると共に、該当する半導体スイッチング
素子が下側アーム群に属する場合は、前記駆動信号発生
手段に異常状態を送信しモータ駆動信号の発生を停止し
、該当する半導体スイッチング素子が上側アーム群に属
する場合は、外部に異常状態を送信しないインバータ駆
動装置。 - （２）半導体スイッチング素子を流れる電流を検出する
電流検出手段の検出レベルを上側アーム群より下側アー
ム群を低く構成した請求項１記載のインバータ駆動装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02317337A JP3079563B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | インバータ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02317337A JP3079563B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | インバータ駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04185286A true JPH04185286A (ja) | 1992-07-02 |
| JP3079563B2 JP3079563B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=18087091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02317337A Expired - Fee Related JP3079563B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | インバータ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3079563B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5737200A (en) * | 1996-01-10 | 1998-04-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device protection method |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP02317337A patent/JP3079563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5737200A (en) * | 1996-01-10 | 1998-04-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device protection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3079563B2 (ja) | 2000-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080623 Year of fee payment: 8 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 9 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |