JPH04184974A - 二分子膜の作製方法 - Google Patents
二分子膜の作製方法Info
- Publication number
- JPH04184974A JPH04184974A JP2312602A JP31260290A JPH04184974A JP H04184974 A JPH04184974 A JP H04184974A JP 2312602 A JP2312602 A JP 2312602A JP 31260290 A JP31260290 A JP 31260290A JP H04184974 A JPH04184974 A JP H04184974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bilayer
- bimolecular
- films
- interaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003012 bilayer membrane Substances 0.000 claims description 47
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000823 artificial membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008827 biological function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- GWOWVOYJLHSRJJ-UHFFFAOYSA-L cadmium stearate Chemical compound [Cd+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O GWOWVOYJLHSRJJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001506 fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003904 phospholipids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYPYGDUZKOPBEL-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RYPYGDUZKOPBEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は二分子膜の作製方法に関する。
（従来の技術）
現在までのところ、シリコンを中心とした半導体技術に
よるトランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩの開発が行
われ、今日のエレクトロニクスの基礎が築かれてきた。
よるトランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩの開発が行
われ、今日のエレクトロニクスの基礎が築かれてきた。
一方、生命又は生体現象の解明に伴い、新しい考え方に
基づいた材料や素子の開発への期待が高まっている。こ
れは、生体現象を模倣し、情報処理、認識、記憶などの
面でこれまでの考え方と異なる原理に基礎をおく材料や
素子によって、新しいエレクトロニクス技術を担うとい
う考え方に基づいている。
基づいた材料や素子の開発への期待が高まっている。こ
れは、生体現象を模倣し、情報処理、認識、記憶などの
面でこれまでの考え方と異なる原理に基礎をおく材料や
素子によって、新しいエレクトロニクス技術を担うとい
う考え方に基づいている。
生体機能を発現する場としての生体膜は、外部からの情
報の認識と膜内への伝送、物質の変換、輸送など種々の
重要な役割を果たしている。このため、生体系を模倣し
た材料や素子の作製にとって、人工的な膜の開発が極め
て重要である。こうした人工的な膜として高分子キャス
ト膜、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）膜など種々
のものが考えられているが、生体膜モデルとしては二分
子膜系が最も生体膜に近い形態である。この二分子膜は
、水中において、基板に設けられた小孔内に、リン脂質
などの両親媒性分子を疎水部のアルキル鎖どうしを向け
たかたちで、二分子層配列させた超薄膜のことである。
報の認識と膜内への伝送、物質の変換、輸送など種々の
重要な役割を果たしている。このため、生体系を模倣し
た材料や素子の作製にとって、人工的な膜の開発が極め
て重要である。こうした人工的な膜として高分子キャス
ト膜、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）膜など種々
のものが考えられているが、生体膜モデルとしては二分
子膜系が最も生体膜に近い形態である。この二分子膜は
、水中において、基板に設けられた小孔内に、リン脂質
などの両親媒性分子を疎水部のアルキル鎖どうしを向け
たかたちで、二分子層配列させた超薄膜のことである。
ところで、二分子膜を用いて２次元的な情報変換のため
の集積素子を開発するには、同一基板上に２次元的に配
置された２個以上の小孔に二分子膜を形成し、任意に選
択された特定の領域の二分子膜のみに所定の機能を発現
させることが必要となる。このため、基板上の２個以上
の小孔に形成された二分子膜間の相互作用の範囲、強度
などを制御することが重要であり、その制御方法が要望
されている。
の集積素子を開発するには、同一基板上に２次元的に配
置された２個以上の小孔に二分子膜を形成し、任意に選
択された特定の領域の二分子膜のみに所定の機能を発現
させることが必要となる。このため、基板上の２個以上
の小孔に形成された二分子膜間の相互作用の範囲、強度
などを制御することが重要であり、その制御方法が要望
されている。
（発明が解決しようとする課題）
以上のように、従来は基板の２個以上の小孔に形成され
た二分子股間の相互作用を制御することは困難であった
。
た二分子股間の相互作用を制御することは困難であった
。
本発明は前述した問題点を解決するためになされたもの
であり、同一基板上に２次元的に配置された２個以上の
小孔に形成された二分子膜間の相互作用を自由に制御す
ることができる二分子膜の作製方法を提供することを目
的とする。
であり、同一基板上に２次元的に配置された２個以上の
小孔に形成された二分子膜間の相互作用を自由に制御す
ることができる二分子膜の作製方法を提供することを目
的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明の二分子膜の作製方法は、２次元的に配置された
２個以上の貫通された小孔を有する基板を用い、該基板
の小孔内に二分子膜を形成する方法において、前記基板
上に形成され、前記基板の小孔内に形成された二分子膜
間を連結する分子膜の一部に、選択的に電圧を印加する
ことにより化学反応を起こさせることを特徴とするもの
である。
２個以上の貫通された小孔を有する基板を用い、該基板
の小孔内に二分子膜を形成する方法において、前記基板
上に形成され、前記基板の小孔内に形成された二分子膜
間を連結する分子膜の一部に、選択的に電圧を印加する
ことにより化学反応を起こさせることを特徴とするもの
である。
本発明において、基板の材質は特に限定されるものでは
なく、テフロン、ポリイミドなどの高分子、鉄、とッケ
ル、銅、白金、金、銀、チタンなどの純金属、又はステ
ンレスなどの合金など種々のものを用いることができる
。また、その厚さも板としての強度を維持できる厚さで
あればよく、例えば数−〜数百−の種々のものを用いる
ことができる。
なく、テフロン、ポリイミドなどの高分子、鉄、とッケ
ル、銅、白金、金、銀、チタンなどの純金属、又はステ
ンレスなどの合金など種々のものを用いることができる
。また、その厚さも板としての強度を維持できる厚さで
あればよく、例えば数−〜数百−の種々のものを用いる
ことができる。
本発明において、基板に小孔を形成する方法としては、
以下のような方法が挙げられる。すなわち、高分子シー
トに対しては高圧放電によってシートを打ち抜く方法な
どが挙げられる。また、金属基板に対しては、レーザー
などの利用による熱的な方法、エツチングなどの通常の
方法のほかに、より制御された形状の小孔を得るために
レジストを用いたマイクロリソグラフィによる方法、電
解析出法により小孔がパターン化された基板を析出させ
る方法なども利用可能である。
以下のような方法が挙げられる。すなわち、高分子シー
トに対しては高圧放電によってシートを打ち抜く方法な
どが挙げられる。また、金属基板に対しては、レーザー
などの利用による熱的な方法、エツチングなどの通常の
方法のほかに、より制御された形状の小孔を得るために
レジストを用いたマイクロリソグラフィによる方法、電
解析出法により小孔がパターン化された基板を析出させ
る方法なども利用可能である。
本発明において、基板上に形成された分子膜の一部に選
択的に電圧を印加する手段は特に限定されない。例えば
、基板表面の一部に導体を設けて一方の電極とし、これ
に対向する他方の電極との間で電圧を印加する手段など
が挙げられる。選択的に電圧が印加される領域は、種々
のパターン形状とすることができる。基板表面の一部に
金属を用いる場合、その表面を疎水化することが望まし
い。その方法は、二分子膜を構成する材料が膜形成可能
であれば特に限定されるものではない。例えば、ヘキサ
デシルトリクロロシランなどのモノアルキルトリクロロ
シラン類、ジアルキルジクロロシラン類、トリアルキル
モノクロロシラン類、ヘキサメチルジシラザンなどによ
る基板の表面処理や、ステアリン酸カドミウム塩などの
単分子膜をＬＢ法によって基板上に累積する方法などが
挙げられる。
択的に電圧を印加する手段は特に限定されない。例えば
、基板表面の一部に導体を設けて一方の電極とし、これ
に対向する他方の電極との間で電圧を印加する手段など
が挙げられる。選択的に電圧が印加される領域は、種々
のパターン形状とすることができる。基板表面の一部に
金属を用いる場合、その表面を疎水化することが望まし
い。その方法は、二分子膜を構成する材料が膜形成可能
であれば特に限定されるものではない。例えば、ヘキサ
デシルトリクロロシランなどのモノアルキルトリクロロ
シラン類、ジアルキルジクロロシラン類、トリアルキル
モノクロロシラン類、ヘキサメチルジシラザンなどによ
る基板の表面処理や、ステアリン酸カドミウム塩などの
単分子膜をＬＢ法によって基板上に累積する方法などが
挙げられる。
本発明において、二分子膜形成材料としては、小孔内に
二分子膜を形成することができ、かつ外部からの電圧の
印加により分子間の相互作用に影響を及ぼす化学反応が
生起する部位を有するものであれば特に限定されるもの
ではない。例えば、電圧を印加することにより重合反応
が生起される物質を用いることができる。二分子膜を作
製する方法としては、周知の張り合わせ法（センタール
法）、又は刷毛塗り法のいずれも用いることができる。
二分子膜を形成することができ、かつ外部からの電圧の
印加により分子間の相互作用に影響を及ぼす化学反応が
生起する部位を有するものであれば特に限定されるもの
ではない。例えば、電圧を印加することにより重合反応
が生起される物質を用いることができる。二分子膜を作
製する方法としては、周知の張り合わせ法（センタール
法）、又は刷毛塗り法のいずれも用いることができる。
二分子膜間の相互作用の強さを評価する手段としては、
赤外吸収分光測定、ラマン散乱分光測定、紫外・可視吸
収分光測定、蛍光分光測定などが挙げられる。
赤外吸収分光測定、ラマン散乱分光測定、紫外・可視吸
収分光測定、蛍光分光測定などが挙げられる。
（作用）
本発明方法では、２次元的に配置された２個以上の貫通
された小孔を有する基板を用い、該基板上に分子膜を形
成するとともに小孔内に二分子膜を形成し、前記基板上
の分子膜の一部に選択的に電圧を印加することにより、
その領域で重合などの化学反応を起こさせて、その領域
の基板上の分子膜を介して連結している二分子膜間の相
互作用を生じさせるか又は変化させる。この場合、電圧
を印加する範囲を調整することにより、二分子膜間の相
互作用が働く範囲を制御することができる。また、電圧
の印加時間、強さなどを調整することにより、重合度な
どの反応率を制御できるので、相互作用の強度も制御す
ることができる。以上のような電圧を印加する範囲、電
圧の印加時間、強さなどは任意に調整することができる
ので、二分子膜間の相互作用の範囲及び強度を自由に制
御することができる。
された小孔を有する基板を用い、該基板上に分子膜を形
成するとともに小孔内に二分子膜を形成し、前記基板上
の分子膜の一部に選択的に電圧を印加することにより、
その領域で重合などの化学反応を起こさせて、その領域
の基板上の分子膜を介して連結している二分子膜間の相
互作用を生じさせるか又は変化させる。この場合、電圧
を印加する範囲を調整することにより、二分子膜間の相
互作用が働く範囲を制御することができる。また、電圧
の印加時間、強さなどを調整することにより、重合度な
どの反応率を制御できるので、相互作用の強度も制御す
ることができる。以上のような電圧を印加する範囲、電
圧の印加時間、強さなどは任意に調整することができる
ので、二分子膜間の相互作用の範囲及び強度を自由に制
御することができる。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
以下のようにして第１図に示す二分子膜作製基板を作製
した。電界析出法により、直径１５ ｏａの小孔２が縦
横に形成された厚さ１０ｎのニッケルからなる基板１を
作製した。高周波スパッタ法により、基板１の両面に厚
さ０ 、５Ｉ１ｍの５ｉｎ２膜を形成シた。５ｉ０２膜
上にマスクを形成し、露出した基板１上の領域３に厚さ
０．１１の金を蒸着した。
した。電界析出法により、直径１５ ｏａの小孔２が縦
横に形成された厚さ１０ｎのニッケルからなる基板１を
作製した。高周波スパッタ法により、基板１の両面に厚
さ０ 、５Ｉ１ｍの５ｉｎ２膜を形成シた。５ｉ０２膜
上にマスクを形成し、露出した基板１上の領域３に厚さ
０．１１の金を蒸着した。
ヘキサメチルジシラザンを用いた気相処理によりこの基
板の表面を疎水化処理して二分子膜基板とした。
板の表面を疎水化処理して二分子膜基板とした。
この二分子膜作製基板を用い、以下のようにして二分子
膜を作製した。２５℃の室温下で、１５ｃｍＸ５０ｃｍ
のトラフ中に０．０２Ｍ過塩素酸リチウム水溶液を満た
して２４℃に維持し、この溶液表面に３，４−ジオクタ
デコキシカルボニルビロールのトルエン溶液を展開した
。溶媒を蒸発させた後、バリアーによって単分子膜を圧
縮し、表面圧を３０ｍＮ／ｍとした。前記二分子膜作製
基板をＬＢ法と同じ要領で水面に垂直に浸漬させること
により、基板に単分子膜を移しとって小孔２に二分子膜
を形成した。
膜を作製した。２５℃の室温下で、１５ｃｍＸ５０ｃｍ
のトラフ中に０．０２Ｍ過塩素酸リチウム水溶液を満た
して２４℃に維持し、この溶液表面に３，４−ジオクタ
デコキシカルボニルビロールのトルエン溶液を展開した
。溶媒を蒸発させた後、バリアーによって単分子膜を圧
縮し、表面圧を３０ｍＮ／ｍとした。前記二分子膜作製
基板をＬＢ法と同じ要領で水面に垂直に浸漬させること
により、基板に単分子膜を移しとって小孔２に二分子膜
を形成した。
次に、トラフ中の溶液に浸した白金線を対極として、二
分子膜作製基板上の金との間に０．９ｖの直流定電圧を
１時間印加した。 。
分子膜作製基板上の金との間に０．９ｖの直流定電圧を
１時間印加した。 。
基板上に移しとられた単分子膜の反射吸収スペクトルを
測定したところ、金電極が蒸着された領域３のみで重合
反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加部（領
域３）の重合した単分子膜を介して連結している二分子
膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていない二
分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、前者
の方が大きな相互作用が働いていることが確認された。
測定したところ、金電極が蒸着された領域３のみで重合
反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加部（領
域３）の重合した単分子膜を介して連結している二分子
膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていない二
分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、前者
の方が大きな相互作用が働いていることが確認された。
実施例２
以下のようにして、第１図に示す二分子膜作製基板を作
製した。厚さ５０−のポリイミドのシートからなる基板
１に、高圧放電によって直径１５ ｏａの小孔２を縦横
に形成した。この基板１上の領域３に厚さ０．０８μｓ
の銅を蒸着した。オクタデシルトリクロロシランのクロ
ロホルム溶液を用い、この基板１の表面を疎水化処理し
、二分子膜作製基板とした。
製した。厚さ５０−のポリイミドのシートからなる基板
１に、高圧放電によって直径１５ ｏａの小孔２を縦横
に形成した。この基板１上の領域３に厚さ０．０８μｓ
の銅を蒸着した。オクタデシルトリクロロシランのクロ
ロホルム溶液を用い、この基板１の表面を疎水化処理し
、二分子膜作製基板とした。
この二分子膜作製基板を用い、以下のようにして二分子
膜を作製した。２５℃の室温下で、１５ｃｍＸ５０ｃｍ
のトラフ中に０．０２Ｍ過塩素酸リチウム水溶液を満た
して２４℃に維持し、この溶液表面に３．４−ジオクタ
デコキシ力ルポニルピロールのトルエン溶液を展開した
。溶媒を蒸発させた後、バリアーによって単分子膜を圧
縮し、表面圧を３０ｍＮ／ｍとした。前記二分子膜作製
基板をＬＢ法と同じ要領で水面に垂直に浸漬させること
により、基板に単分子膜を移しとって小孔２に二分子膜
を形成した。
膜を作製した。２５℃の室温下で、１５ｃｍＸ５０ｃｍ
のトラフ中に０．０２Ｍ過塩素酸リチウム水溶液を満た
して２４℃に維持し、この溶液表面に３．４−ジオクタ
デコキシ力ルポニルピロールのトルエン溶液を展開した
。溶媒を蒸発させた後、バリアーによって単分子膜を圧
縮し、表面圧を３０ｍＮ／ｍとした。前記二分子膜作製
基板をＬＢ法と同じ要領で水面に垂直に浸漬させること
により、基板に単分子膜を移しとって小孔２に二分子膜
を形成した。
次に、トラフ中の溶液に浸した白金線を対極として、二
分子膜作製基板上の銅との間に０．９■の直流定電圧を
１時間印加した。
分子膜作製基板上の銅との間に０．９■の直流定電圧を
１時間印加した。
基板上に移しとられた単分子膜の反射吸収スペクトルを
測定したところ、銅電極が蒸着された領域３のみで重合
反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加部（領
域３）の重合した単分子膜を介して連結している二分子
膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていない二
分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、前者
の方が大きな相互作用が働いていることが確認された。
測定したところ、銅電極が蒸着された領域３のみで重合
反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加部（領
域３）の重合した単分子膜を介して連結している二分子
膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていない二
分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、前者
の方が大きな相互作用が働いていることが確認された。
実施例３
以下のようにして第２図に示す二分子膜作製基板を作製
した。厚さ５０−のポリイミドの一シートからなる基板
１に、高圧放電によって直径１５ ｏｎの小孔２を縦横
に形成した。この基板１上の領域４に厚さ５−のニッケ
ルを電解析出させた。オクタデシルトリクロロシランの
クロロホルム溶液を用い、この基板１の表面を疎水化処
理し、二分子膜作製基板とした。
した。厚さ５０−のポリイミドの一シートからなる基板
１に、高圧放電によって直径１５ ｏｎの小孔２を縦横
に形成した。この基板１上の領域４に厚さ５−のニッケ
ルを電解析出させた。オクタデシルトリクロロシランの
クロロホルム溶液を用い、この基板１の表面を疎水化処
理し、二分子膜作製基板とした。
この二分子膜作製基板を用い、以下のようにして二分子
膜を作製した。２５℃の室温下で、１５ｃｍＸ５０ｃｍ
のトラフ中に０．０２Ｍ過塩素酸リチウム水溶液を満た
して２４℃に維持し、この溶液表面に３．４−ジオクタ
デコキシ力ルポニルビロールのトルエン溶液を展開した
。溶媒を蒸発させた後、バリアーによって単分子膜を圧
縮し、表面圧を３０ｍＮ／ｍとした。前記二分子膜作製
基板をＬＢ法と同じ要領で水面に垂直に浸漬させること
により、基板に単分子膜を移しとって小孔２に二分子膜
を形成した。
膜を作製した。２５℃の室温下で、１５ｃｍＸ５０ｃｍ
のトラフ中に０．０２Ｍ過塩素酸リチウム水溶液を満た
して２４℃に維持し、この溶液表面に３．４−ジオクタ
デコキシ力ルポニルビロールのトルエン溶液を展開した
。溶媒を蒸発させた後、バリアーによって単分子膜を圧
縮し、表面圧を３０ｍＮ／ｍとした。前記二分子膜作製
基板をＬＢ法と同じ要領で水面に垂直に浸漬させること
により、基板に単分子膜を移しとって小孔２に二分子膜
を形成した。
次に、トラフ中の溶液に浸した白金線を対極として、二
分子膜作製基板上のニッケルとの間に０．９Ｖの直流定
電圧を１時間印加した。
分子膜作製基板上のニッケルとの間に０．９Ｖの直流定
電圧を１時間印加した。
基板上に移しとられた単分子膜の反射吸収スペクトルを
測定したところ、ニッケル電極が蒸着された領域４のみ
で重合反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加
部（領域４）の重合した単分子膜を介して連結している
二分子膜間と、重合した単分子膜を介して連結されてい
ない二分子股間とで、相互作用の大きさを調べたところ
、前者の方が大きな相互作用が働いていることが確認さ
れた。
測定したところ、ニッケル電極が蒸着された領域４のみ
で重合反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加
部（領域４）の重合した単分子膜を介して連結している
二分子膜間と、重合した単分子膜を介して連結されてい
ない二分子股間とで、相互作用の大きさを調べたところ
、前者の方が大きな相互作用が働いていることが確認さ
れた。
実施例４
実施例１と同様な方法により、第１図に示す二分子膜作
製基板を作製した。
製基板を作製した。
この二分子膜作製基板を用い、０．０２Ｍ過塩素酸リチ
ウム水溶液中において３．４−ジオクタデコキシ力ルポ
ニルピロールのｎ−デカン溶液を刷毛で塗り、小孔２に
二分子膜を形成した。
ウム水溶液中において３．４−ジオクタデコキシ力ルポ
ニルピロールのｎ−デカン溶液を刷毛で塗り、小孔２に
二分子膜を形成した。
次に、水溶液に浸した白金線を対極として、二分子膜作
製基板上の金との間に０．９ｖの直流定電圧を１時間印
加した。
製基板上の金との間に０．９ｖの直流定電圧を１時間印
加した。
基板上に移しとられた単分子膜の反射吸収スペクトルを
測定したところ、金電極が蒸着された領域３のみで重合
反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加部（領
域３）の重合した単分子膜を介して連結している二分子
膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていない二
分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、前者
の方が大きな相互作用が働いていることが確認された。
測定したところ、金電極が蒸着された領域３のみで重合
反応による分子間の結合が生じていた。電圧印加部（領
域３）の重合した単分子膜を介して連結している二分子
膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていない二
分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、前者
の方が大きな相互作用が働いていることが確認された。
実施例５
実施例３と同様な方法により、第３図に示す二分子膜作
製基板を作製した。ニッケルを電解析出させた領域５と
領域６とは互いに接触していない。
製基板を作製した。ニッケルを電解析出させた領域５と
領域６とは互いに接触していない。
実施例３と同様な方法により、この基板に二分子膜を形
成した。
成した。
次に、トラフ中の溶液に浸した白金線を対極として、０
．９ｖの直流定電圧を、二分子膜作製基板上の領域５の
ニッケルとの間に３０分間、領域６のニッケルとの間に
１時間印加した。
．９ｖの直流定電圧を、二分子膜作製基板上の領域５の
ニッケルとの間に３０分間、領域６のニッケルとの間に
１時間印加した。
基板上に移しとられた単分子膜の反射吸収スペクトルを
測定したところ、領域５．６でそれぞれ５０％、１００
％の反応率で重合反応が起き、これにより分子間の結合
が生じていた。領域５の重合した単分子膜を介して連結
している二分子膜間と、領域６の重合した単分子膜を介
して連結している二分子膜間とて、相互作用の大きさを
調べたところ、後者の方が大きな相互作用が働いている
ことが確認された。
測定したところ、領域５．６でそれぞれ５０％、１００
％の反応率で重合反応が起き、これにより分子間の結合
が生じていた。領域５の重合した単分子膜を介して連結
している二分子膜間と、領域６の重合した単分子膜を介
して連結している二分子膜間とて、相互作用の大きさを
調べたところ、後者の方が大きな相互作用が働いている
ことが確認された。
実施例６
実施例１〜３の方法でそれぞれ二分子膜作製基板を作製
した。これらの二分子膜作製基板を用い、３．４−ジヘ
キサデコキシ力ルポニルチオフエンのｎ−デカン溶液を
シリンジで吹き付けて小孔２に二分子膜を形成した。
した。これらの二分子膜作製基板を用い、３．４−ジヘ
キサデコキシ力ルポニルチオフエンのｎ−デカン溶液を
シリンジで吹き付けて小孔２に二分子膜を形成した。
次に、水溶液に浸した白金線を対極として、二分子膜作
製基板上の金属との間に０．９ｖの直流定電圧を１時間
印加した。
製基板上の金属との間に０．９ｖの直流定電圧を１時間
印加した。
基板上に移しとられた単分子膜の反射吸収スペクトルを
測定したところ、金属が形成された領域のみで重合反応
による分子間の結合が生じていた。
測定したところ、金属が形成された領域のみで重合反応
による分子間の結合が生じていた。
電圧印加部の重合した単分子膜を介して連結している二
分子膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていな
い二分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、
前者の方が大きな相互作用が働いていることが確認され
た。
分子膜間と、重合した単分子膜を介して連結されていな
い二分子膜間とで、相互作用の大きさを調べたところ、
前者の方が大きな相互作用が働いていることが確認され
た。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明の二分子膜の作製方法を用い
れば、二分子膜間の相互作用を範囲だけでなくその強度
も含めて自由に制御することができる。
れば、二分子膜間の相互作用を範囲だけでなくその強度
も含めて自由に制御することができる。
第１図は本発明の実施例１．２及び４における二分子膜
作製基板の部分平面図、第２図は本発明の実施例３にお
ける二分子膜作製基板の部分平面図、第３図は本発明の
実施例５における二分子膜作製基板の部分平面図である
。 １・・・基板、２・・・小孔、３．４．５．６・・・電
圧が印加される領域。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図
作製基板の部分平面図、第２図は本発明の実施例３にお
ける二分子膜作製基板の部分平面図、第３図は本発明の
実施例５における二分子膜作製基板の部分平面図である
。 １・・・基板、２・・・小孔、３．４．５．６・・・電
圧が印加される領域。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- ２次元的に配置された２個以上の貫通された小孔を有す
る基板を用い、該基板の小孔内に二分子膜を形成する方
法において、前記基板上に形成され、前記基板の小孔内
に形成された二分子膜間を連結する分子膜の一部に、選
択的に電圧を印加することにより化学反応を起こさせる
ことを特徴とする二分子膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312602A JPH04184974A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 二分子膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312602A JPH04184974A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 二分子膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184974A true JPH04184974A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18031186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2312602A Pending JPH04184974A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 二分子膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04184974A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005507319A (ja) * | 2001-03-02 | 2005-03-17 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | 分子デバイスの電圧アシスト組立て |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP2312602A patent/JPH04184974A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005507319A (ja) * | 2001-03-02 | 2005-03-17 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | 分子デバイスの電圧アシスト組立て |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Schacher et al. | Interpolyelectrolyte complexes of dynamic multicompartment micelles | |
| Li et al. | Molecular layer deposition of thiol− ene multilayers on semiconductor surfaces | |
| Katagiri et al. | Layer-by-layer self-assembling of liposomal nanohybrid “cerasome” on substrates | |
| Clark et al. | The role of secondary interactions in selective electrostatic multilayer deposition | |
| Sivaniah et al. | Symmetric diblock copolymer thin films on rough substrates. Kinetics and structure formation in pure block copolymer thin films | |
| Zhang et al. | Controlled placement of CdSe nanoparticles in diblock copolymer templates by electrophoretic deposition | |
| Heier et al. | Thin diblock copolymer films on chemically heterogeneous surfaces | |
| TWI312316B (en) | Layer architectures comprising multilayer film(s) assembled by hydrogen-bonding interactions, self-standing thin films obtained from said layer architectures, and manufacturing method and use of the same | |
| Wang et al. | Micropatterned polymer surfaces induced by nonsolvent | |
| Kwong et al. | Directed deposition of functional polymers onto porous substrates using metal salt inhibitors | |
| WO2013007354A1 (en) | A method for preventing or reducing the production of biofilms formed by microorganisms using nanostructured surfaces | |
| Zhao et al. | Interfacial bonding of gold nanoparticles on a H-terminated Si (100) substrate obtained by electro-and electroless deposition | |
| KR20030084279A (ko) | 다공성 알루미나 또는 나노패턴 알루미늄을 이용하여대면적의 나노표면 구조를 가지는 물질을 제조하는 방법 | |
| Kiryukhin et al. | Peculiarities of polyelectrolyte multilayer assembly on patterned surfaces | |
| Lee et al. | Directed self-assembly of asymmetric block copolymers in thin films driven by uniaxially aligned topographic patterns | |
| Boontongkong et al. | Selective electroless copper deposition within block copolymer microdomains | |
| Lee et al. | Patterned and controlled polyelectrolyte fractal growth and aggregations | |
| Ito et al. | Nanoporous thin films formed from photocleavable diblock copolymers on gold substrates modified with thiolate self-assembled monolayers | |
| Chen et al. | Double-striped metallic patterns from PS-b-P4VP nanostrand templates | |
| JPH04184974A (ja) | 二分子膜の作製方法 | |
| Cheng et al. | Morphology of Rhenium Complex-Containing Polystyrene-b lock-poly (4-vinylpyridine) and Its Use as Self-Assembly Templates for Nanoparticles | |
| Lin et al. | Site-selective deposition of gold on photo-patterned self-assembled monolayers | |
| JP2788286B2 (ja) | 二分子膜作製基板 | |
| JP2851081B2 (ja) | 二分子膜の作製方法 | |
| Raoufi et al. | Fabrication of complex free-standing nanostructures with concave and convex curvature via the layer-by-layer approach |