JPH04179026A - Manufacture of shadow mask - Google Patents

Manufacture of shadow mask

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JPH04179026A
JPH04179026A JP30533190A JP30533190A JPH04179026A JP H04179026 A JPH04179026 A JP H04179026A JP 30533190 A JP30533190 A JP 30533190A JP 30533190 A JP30533190 A JP 30533190A JP H04179026 A JPH04179026 A JP H04179026A
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shadow mask
water glass
bso
heavy metal
metal oxide
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寛 木村
Masayasu Koitabashi
小板橋 正康
Tetsuya Watanabe
徹也 渡辺
Morio Yamamoto
山本 盛男
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Abstract

PURPOSE:To eliminate a process by which a compound consisting of bismuth, a Group IV element and oxygen is synthesized by a method wherein water glass or/further a Group IV element therewith are added to ultra-atomized bismuth oxide powder mixture and a solution of those substances is applied to the electron beam impact side of a shadow mask and after air-drying of the solution, baking process is applied thereto. CONSTITUTION:Water glass or further a compound consisting of Group IV element therewith are added to ultra-atomized bismuth oxide, powder and a mixture solution those substances is applied to the electron beam impact side of a shadow mask, and after air-drying of the solution, the paint film of the solution is baked. In the baking process, therefore, the bismuth oxide powder reacts directly on SiO2 in the component of water glass so that bismuth silicon oxide(BSO), etc., are produced. The process to synthesize a compound of heavy metal (Bi) like BSO, etc., a Group IV element and oxygen becomes, therefore, unnecessary, and also after the baking process of a shadow mask, a stable thermal deformation suppression film having a composition of mixture with a compound of Bi2O3 and BSO, etc., can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はシャドウマスクの製造方法に関し、特にシャ
ドウマスク上に形成された、陰極線管の輝度を向上させ
るための熱変形抑制皮膜の形成方法に関するものである
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a shadow mask, and more particularly to a method for forming a thermal deformation suppressing film formed on a shadow mask to improve the brightness of a cathode ray tube. It is something.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、陰極線管のシャドウマスク上への熱変形抑制皮膜
の形成は、発明者らの出願に係る特公昭60−1445
9号公報、特開昭62−281240号公報、特開昭6
2−281241号公報。
Conventionally, the formation of a thermal deformation suppressing film on the shadow mask of a cathode ray tube has been disclosed in Japanese Patent Publication No. 1445/1983 filed by the inventors.
9, JP-A-62-281240, JP-A-6
Publication No. 2-281241.

特開昭62−283525号公報、特開昭62−公報、
特開昭63−213236号公韓などに示されているよ
うに行われている。
JP-A No. 62-283525, JP-A No. 62-283,
This is done as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-213236, Kohan et al.

すなわち、まず酸化ビスマス(B i20s )粉末、
あるいはBiassとビスマスシリコンオキサイド(B
 i 123 j 020)との混合粉末に所定量のア
ルカリ性水ガラス及び水を加えて所定の粘度に混合する
。次に、この混合液をシャドウマスク上にスプレィして
塗布した後、自然乾燥させる。
That is, first, bismuth oxide (B i20s ) powder,
Or Biass and bismuth silicon oxide (B
A predetermined amount of alkaline water glass and water are added to the mixed powder with i 123 j 020) and mixed to a predetermined viscosity. Next, this liquid mixture is applied by spraying onto the shadow mask, and then allowed to air dry.

その後シャドウマスクを陰極線管のフェイスパネルに位
置決め固定した後、両者を加熱温度450IC9加熱時
間30分の条件て焼成する。これによってシャドウマス
ク上に熱変形制御皮膜が形成される。ここで上記のよう
な焼成は一般にペアベークと呼ばれている。
Thereafter, the shadow mask was positioned and fixed on the face panel of the cathode ray tube, and then both were fired at a heating temperature of 450 IC 9 for a heating time of 30 minutes. As a result, a thermal deformation control film is formed on the shadow mask. Here, the above baking is generally called pair baking.

なお、上記B 112310□。(以下、BSOと略す
)のかわりに、B l 12G e 020 (以下、
BGOと略す)やB 11□T iO2゜(以下、BT
Oと略す)のような、重金属(Bi)と■族元素(Ge
あるいはTi)と酸素との化合物を用いることもてき、
全く同一の性能が得られる。この場合水ガラスの他にゲ
ルマニウムやチタンの化合物を用いる。
In addition, the above B 112310□. (hereinafter abbreviated as BSO), B l 12G e 020 (hereinafter abbreviated as BSO)
(abbreviated as BGO) or B 11□T iO2゜ (hereinafter referred to as BT
Heavy metals (Bi) such as
Alternatively, a compound of Ti) and oxygen may be used,
Exactly the same performance is obtained. In this case, a compound of germanium or titanium is used in addition to water glass.

ここで、上記同一の性能とは、第1には、映像再現のた
めの画面の蛍光体絵素を電子ビームにより衝撃して励起
蛍光を発生させる陰極線管の動作中において、シャドウ
マスクに衝突した電子ビームの運動エネルギーによって
シャドウマスクが40〜80℃に昇温して熱歪が発生す
るのを、約70%に抑制して色ずれのしない鮮明な映像
再現に寄与する性能である。
Here, the above-mentioned same performance means that, firstly, during the operation of the cathode ray tube, which generates excited fluorescence by bombarding the phosphor picture elements of the screen for image reproduction with electron beams, it collides with the shadow mask. This performance suppresses to about 70% the occurrence of thermal distortion caused by the shadow mask's temperature rising to 40 to 80 degrees Celsius due to the kinetic energy of the electron beam, contributing to clear image reproduction without color shift.

さらに第2には、BSO等の合成時、これを加熱により
生成させることて、Bi20zの粉砕時に生成したC0
2の化合物を分離させることである。
Furthermore, secondly, during the synthesis of BSO etc., by generating it by heating, the CO generated when pulverizing Bi20z is
The purpose is to separate the two compounds.

即ち、BixOsの粉砕時には、少なくとも(1)式で
示す現象が生ずる。
That is, when BixOs is pulverized, at least the phenomenon expressed by equation (1) occurs.

Bi2O2+co2→BL 02 COs・・・(1)
また、このB it 02 CO3を含んだB120、
粉体に水ガラスを混合した後の熱処理では、(2)式で
示す現象か生ずる。
Bi2O2+co2→BL 02 COs...(1)
In addition, B120 containing this B it 02 CO3,
In the heat treatment after water glass is mixed with the powder, the phenomenon shown by equation (2) occurs.

6 B is Os COs +S i 02→B11
2sio2゜+6CO□↑・・・(2)このような現象
によるCO7の分離は、BSOに限るものではなく、B
SOのSiかGeあるいはTiに置き代わった上述のB
OOやBTOについても同様のことが言える。
6 B is Os COs +S i 02→B11
2sio2゜+6CO□↑...(2) The separation of CO7 due to this phenomenon is not limited to BSO.
The above B replaces Si, Ge or Ti in SO.
The same can be said about OO and BTO.

〔発明か解決しようとする課題〕[Invention or problem to be solved]

ところが、Bi20zに混合するBSO等は、混合前に
これを合成する工程が必要であり、この工程に要する時
間と経費は無視てきないという問題があった。
However, BSO and the like to be mixed with Bi20z require a step of synthesizing them before mixing, and the time and cost required for this step cannot be ignored.

すなわち例えば上記BSOはB12o3との混合に先立
ち、あらかじめ、B120aとSiO□粉末とをモル比
6:lに秤量した後よく混合し、800°C程度の温度
で2〜6時間、空気中で焼成して十分に反応させて合成
した後、再び粉砕して微粉末にしたものであり、混合9
合成、粉砕という3つの工程か必要であった。
For example, before mixing BSO with B12o3, B120a and SiO□ powder are weighed in advance at a molar ratio of 6:1, mixed well, and then baked in air at a temperature of about 800°C for 2 to 6 hours. After fully reacting and synthesizing, it is ground again to make a fine powder, and the mixing 9
Three steps were required: synthesis and pulverization.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものて、BSO,BGO,BTO等の重金属(Bi)
と■族元素と酸素との化合物を合成するプロセスを不要
とでき、しかもシャドウマスクの焼成処理後には従来同
様、Bt20sとBSO等の化合物との混合物組成を有
する安定な熱変形抑制皮膜を得ることができるシャドウ
マスクの製造方法を得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems.
To eliminate the need for the process of synthesizing a compound of a group III element and oxygen, and to obtain a stable thermal deformation suppressing film having a mixture composition of Bt20s and a compound such as BSO, as in the conventional method, after firing the shadow mask. The purpose of this invention is to obtain a method for manufacturing a shadow mask that allows for the production of shadow masks.

〔課題を解決するための手段〕 この発明に係るシャドウマスクの製造方法は、シャドウ
マスクの電子ビーム衝撃側に熱変形抑制皮膜を形成する
皮膜形成工程を、酸化ビスマスの粒子を粉砕して超微粒
化する第1の工程と、超微粒化した酸化ビスマスの粉末
に水ガラス等を加えてこれらの混合液を作る第2の工程
と、該混合液を上記シャドウマスクの電子ビーム衝撃側
に塗布して自然乾燥する第3の工程と、その後上記混合
液の塗布膜を焼成して上記熱変形抑制皮膜を形成する第
4の工程とを含むi程としたものである。
[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a shadow mask according to the present invention includes a film forming step of forming a thermal deformation suppressing film on the electron beam impact side of the shadow mask by pulverizing bismuth oxide particles into ultrafine particles. a second step of adding water glass or the like to ultrafine bismuth oxide powder to form a mixture thereof; and applying the mixture to the electron beam impact side of the shadow mask. and a fourth step of baking the coating film of the liquid mixture to form the thermal deformation suppressing film.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、超微粒化した酸化ビスマスの粉末
に水ガラスあるいはさらに■族元素の化合物を加え、こ
れらの混合液をシャドウマスクの電子ビーム衝撃側に塗
布し、自然乾燥の後塗膜の焼成処理を行うようにしたか
ら、該焼成処理では、酸化ビスマスの粉末が水ガラス成
分中の5in2と直接反応してビスマスシリコンオキサ
イド(BSo)等が生成されることとなる。これにより
BSO等のビスマスと■族元素と酸素との化合物を、こ
れとBjtOsとの混合前に合成する工程を不要とでき
る。
In this invention, water glass or a compound of group Ⅰ elements is added to ultra-fine bismuth oxide powder, the mixed solution is applied to the electron beam impact side of the shadow mask, and after air drying, the coating film is baked. Since the treatment is performed, in the firing treatment, bismuth oxide powder directly reacts with 5in2 in the water glass component to generate bismuth silicon oxide (BSo) and the like. This eliminates the need for a step of synthesizing a compound of bismuth such as BSO, group Ⅰ element, and oxygen before mixing this with BjtOs.

〔実施例〕〔Example〕

以下この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図〜第3図は本発明の一実施例によるシャドウマス
クの製造方法を説明するための図である。
1 to 3 are diagrams for explaining a method of manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention.

この実施例では、Bi20z粉末として、粒径1μm以
下好ましくは0.2μm〜0.7μmの超微粉B12C
L粉末を用いる点のみ従来のシャドウマスクの製造方法
と異なっている。
In this example, the Bi20z powder is an ultrafine B12C powder with a particle size of 1 μm or less, preferably 0.2 μm to 0.7 μm.
This method differs from conventional shadow mask manufacturing methods only in that L powder is used.

以下本発明の一実施例によるシャドウマスクの製造方法
の主要プロセスを説明する。
The main processes of a method for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention will be described below.

まず、熱歪を抑制するのに用いられる主材料である粒径
が5〜10μmの大きさのBi2O,を例えば湿式粉砕
機により1〜0.5μmに粉砕する。粉砕は容器に水7
. 2p、B120xを6kg入れ、さらに粉砕時の粘
性の上昇を抑えるために1%のアンモニア水を約10c
c入れ攪拌混合する。
First, Bi2O, which is the main material used to suppress thermal strain and has a particle size of 5 to 10 μm, is ground to 1 to 0.5 μm using, for example, a wet grinder. For grinding, add 7 ml of water to the container.
.. Add 6kg of 2p, B120x, and add about 10c of 1% ammonia water to suppress the increase in viscosity during crushing.
Add c and stir to mix.

この混合された溶液を、直径0.5闘のジルコニア80
%の水溶液が入っており、かつ孔あき回転攪拌板を存す
る容器に、約200cc/分の割合で流入し、回転攪拌
板は1300PPMで回転させる。すると直径1〜0.
5μm程度に超微粉砕されたBizOsか得られる(第
1の工程)。なお該超微粉化したBizOzの直径の好
適値は、0゜2μm〜0.7μmである。
This mixed solution was mixed with zirconia 80 having a diameter of 0.5 mm.
% aqueous solution and containing a perforated rotating stirring plate at a rate of approximately 200 cc/min, the rotating stirring plate being rotated at 1300 PPM. Then the diameter is 1~0.
BizOs ultrafinely pulverized to about 5 μm is obtained (first step). The preferable diameter of the ultrafine BizOz is 0.2 μm to 0.7 μm.

次に、水ガラスを加えずに水中で超微粉化したB12o
3のスラリー状の液にカリ系水ガラスとナトリウム系水
ガラスを9.1の割合で混合し、5iOzの濃度が21
.5%の水ガラスを1500g入れ、さらに、SiO2
の粉末を129.2g添加する。
Next, B12o was ultra-finely powdered in water without adding water glass.
Mix potash-based water glass and sodium-based water glass in the slurry-like liquid in Step 3 at a ratio of 9.1, and the concentration of 5iOz is 21.
.. Add 1500g of 5% water glass and add SiO2
129.2g of powder is added.

この129.2gのS i 02は下記計算に基づいて
決められる。
This S i 02 of 129.2g is determined based on the following calculation.

BizCLの重量(6000g)÷Bit○3の原子量
(465,96)=12.88モル5iOz  (32
2,5g)÷5iCLの原子量(60,08)=5.3
7モル 6 B 120w1 +s jot −B i 12S i 02G (””B50)従って
12.88モルのBizOzがBSOを生成するに必要
なSiO2量は2.15 (12゜88モル/6)モル
であるから、5.37−2゜15 (=3.22)モル
より、3.22モルのSiO2はBizOiとシャドウ
マスクの結合に、つまり接着材として寄与し、2.15
モルはシャドウマスクとの結合に直接寄与しないため、
この2.15モルの129.2gが加えるS iO2の
粉末の量になる。
Weight of BizCL (6000g) ÷ Atomic weight of Bit○3 (465,96) = 12.88 mol 5iOz (32
2,5g)÷5iCL atomic weight (60,08)=5.3
7 moles 6 B 120w1 +s jot -B i 12S i 02G (""B50) Therefore, the amount of SiO2 required for 12.88 moles of BizOz to produce BSO is 2.15 (12°88 moles/6) moles. From 5.37-2゜15 (=3.22) mol, 3.22 mol of SiO2 contributes to the bonding between BizOi and the shadow mask, that is, as an adhesive, and 2.15
Since the mole does not directly contribute to the bonding with the shadow mask,
129.2 g of this 2.15 mole is the amount of SiO2 powder to be added.

このS i O2を加えた塗液を、均一に混合できるよ
う回転可能な蓋付き容器に入れ約1時間回転攪拌する(
第2の工程)。
This coating liquid containing S i O2 was placed in a container with a rotatable lid and stirred for about 1 hour to ensure uniform mixing (
second step).

そしてこの塗液をシャドウマスクの電子ビーム衝撃側に
約2mg/adの厚さにスプレーにて塗布して自然乾燥
する(第3引例)。
This coating liquid is then sprayed to a thickness of about 2 mg/ad on the electron beam impact side of the shadow mask and allowed to air dry (Third Reference).

その後このシャドウマスクを陰極線管のフェイスパネル
に位置決め固定した後、両者を加熱温度450°C2加
熱時間30分の条件で、ペアベークする(第4の工程)
After that, this shadow mask is positioned and fixed on the face panel of the cathode ray tube, and then both are pair-baked at a heating temperature of 450°C and a heating time of 30 minutes (fourth step).
.

次に作用効果について説明する。Next, the effects will be explained.

従来、BSOの合成工程には、先に述べたように800
℃程度数時間の加熱処理か必要であり、また、従来のB
SO生成反応では、Bi20zCO2(以下BOCと略
す)の分解反応を経由するひとつのBSO生成反応が発
明者らによって明らかにされていた。すなわち以下に示
す反応である。
Conventionally, the BSO synthesis process involved 800
It requires heat treatment for several hours at around ℃, and conventional B
Among the SO production reactions, the inventors have revealed one BSO production reaction that goes through a decomposition reaction of Bi20zCO2 (hereinafter abbreviated as BOC). That is, the reaction is shown below.

6B 1202 C(L +S 102−B i 12
s i 020+6 CO2↑しかし、この反応を経由
して生成するB50jiは、結局生産工程中のBOC生
成量に依存するので、その10%どまりであった。
6B 1202C(L +S 102-B i 12
s i 020+6 CO2 ↑ However, the B50ji produced through this reaction ultimately depends on the amount of BOC produced during the production process, and was only 10% of it.

これに対して、本実施例のように超微粒化Bi2O、粉
末を用いると450°Cのベアベークの焼成条件で、該
Bi2’s粉末か水ガラス成分中の5insと直接反応
して、BSOを生成することとなる。この結果処理時間
の長い830合成工程を不要とでき、しかもBSO生成
量はB12o3粉末の超微粒化度に依存するため、Bi
2’s粉末の超微粒化度を制御することにより、BSO
生成量を任意に制御することかできる。
On the other hand, when ultrafine Bi2O powder is used as in this example, the Bi2's powder reacts directly with 5ins in the water glass component under bare bake baking conditions of 450°C, producing BSO. will be generated. As a result, the 830 synthesis step, which requires a long processing time, can be eliminated, and since the amount of BSO produced depends on the ultrafine particle size of the B12o3 powder, Bi
By controlling the ultrafine particle size of 2's powder, BSO
The amount of production can be controlled arbitrarily.

また上記ような熱変形抑制皮膜を有するシャドウマスク
をカラー陰極線管に組み込むんでいるので、熱歪かなく
、しかもB12CLの吸戻作用により管内の動作中のC
O□の浮遊を抑制できる。
In addition, since a shadow mask with a thermal deformation suppressing film as described above is incorporated into the color cathode ray tube, there is no thermal distortion, and the suction action of B12CL prevents C during operation inside the tube.
Floating of O□ can be suppressed.

以下上記Bj20s粉末とSiO2との直接反応の根拠
となる測定結果を示す。
The measurement results that are the basis for the direct reaction between the Bj20s powder and SiO2 will be shown below.

第1図は、皮膜組成の焼成前後の変化を赤外吸収スペク
トルを用いて示しており、実線Aは焼成前のスペクトル
、点線Bは焼成後のスペクトルを示している。図中、焼
成前には1450cm−’付近にBOCなどの炭酸塩、
105105O’付近に水ガラス(S 102 ) 、
450an−’付近にBi2O3の吸収が顕著に見えて
いる。また焼成後にはBSOの生成か830印−1付近
に見え、BOCなとの吸収がかなり減少する。このよう
な変化までは従来のものと大差がないのであるか、この
発明による皮膜てはBSOの吸収か顕著であり、具体的
にはこの試料のBSO生成率は後述する粉末X線回折結
果から約30%であるか、その他に、水ガラスの吸収ビ
ークが1000an−’以下へ低下し、またB 120
.の吸収ピークか470an−’へ上昇することか顕著
であり、このふたつの変化は後述するように、この発明
の基本原理である、上記直接反応によるBSOの生成と
、水ガラス中のSiO6成分の消費(消滅)とを明示し
ているといえる。
FIG. 1 shows the change in film composition before and after firing using an infrared absorption spectrum, with solid line A showing the spectrum before firing and dotted line B showing the spectrum after firing. In the figure, before firing, carbonates such as BOC are present near 1450 cm-'.
Water glass (S 102) near 105105O',
Absorption of Bi2O3 is clearly visible near 450 an-'. Furthermore, after firing, the formation of BSO appears at around 830 mark -1, and the absorption of BOC is considerably reduced. Until such changes, there is no big difference from the conventional one, but the film of this invention has a remarkable absorption of BSO. Specifically, the BSO production rate of this sample can be determined from the powder X-ray diffraction results described below. 30% or else the absorption peak of water glass is reduced to below 1000 an-' and B 120
.. It is remarkable that the absorption peak of It can be said that consumption (extinction) is clearly indicated.

すなわち、水ガラス中からSi○2成分か消費される結
果、水ガラス中における結合力か低下するので、それか
3102吸収帯の波数低下となって現われるのである。
That is, as a result of the consumption of the Si○2 component from the water glass, the bonding force in the water glass decreases, which appears as a decrease in the wave number of the 3102 absorption band.

一方、B1−0吸収帯は5102の固溶により、その結
合力が増加するため、吸収帯の波数上昇となって現れる
のである。
On the other hand, the binding force of the B1-0 absorption band increases due to the solid solution of 5102, and therefore appears as an increase in the wave number of the absorption band.

次にBSOの生成量を粉末X線回折法あるいは赤外吸収
法により求める方法について説明する。
Next, a method for determining the amount of BSO produced using powder X-ray diffraction method or infrared absorption method will be explained.

第2図は、BitO−/BSO混合試料のX線回折結果
を示しており、横軸はX線回折角、縦軸はX線回折強度
である。図中のX線回折強度のピーク■〜■のうち、ピ
ーク■、■はB l t O2とBSOに共通するもの
、ピーク■、■はBSO単独のもの、ピーク■はBi、
O,単独のものである。
FIG. 2 shows the X-ray diffraction results of the BitO-/BSO mixed sample, where the horizontal axis is the X-ray diffraction angle and the vertical axis is the X-ray diffraction intensity. Among the X-ray diffraction intensity peaks ■ to ■ in the figure, peaks ■ and ■ are common to BltO2 and BSO, peaks ■ and ■ are for BSO alone, and peak ■ is for Bi,
O, it is a standalone item.

B501O,0%試料においては、ピーク■はピーク■
(37mm)の4.14倍の高さをもつ最も高いピーク
であるので、B30分に基づくピーク■の高さは37m
mX4.14=153mmであり、まりB i、 O,
l O0%試料においてはBi2゜、分は最も高いピー
ク■から184mmであるのて、以下のようにBSO生
成量か得られる。
In the B501O, 0% sample, the peak ■ is the peak ■
(37mm), so the height of peak ■ based on B30 minutes is 37m.
mX4.14=153mm, and Mari B i, O,
In the 0% lO sample, Bi2° and min are 184 mm from the highest peak (2), so the amount of BSO produced can be obtained as follows.

Bit Os =184/(184+153)=0.5
5 BSO=153/(184+153) =0.45 一方、赤外吸収法では、焼成後におけるBSOの特性吸
収帯(832cm−’)の吸光度と(Bi20、)′の
特性吸収帯(470cm−’)の吸光度とをベースライ
ン法により求め、焼成前におけるBi2O3の吸光度を
基準にBSOの相対吸光度を求める。
BitOs=184/(184+153)=0.5
5 BSO=153/(184+153) =0.45 On the other hand, in the infrared absorption method, the absorbance of the characteristic absorption band (832 cm-') of BSO after firing and the characteristic absorption band (470 cm-') of (Bi20,)' The absorbance of BSO is determined by the baseline method, and the relative absorbance of BSO is determined based on the absorbance of Bi2O3 before firing.

第3図にはX線回折から求めたBSO生成量と、赤外吸
収から求めたBSO相対吸光度との関係を示す対数一対
数プロット図であり、この図から両者間に高い相関性の
あることかわかる。
Figure 3 is a log-log plot diagram showing the relationship between the BSO production amount determined from X-ray diffraction and the BSO relative absorbance determined from infrared absorption. I understand that.

以上のようにこの発明では、超微粒化したBi2O3と
水ガラス中の5iOzとか直接反応し、BSOを生成す
るため、水ガラス中の3102か消費され、最終的には
水ガラスの所期の組成(SiO2/アルカリ金属)比が
BSO生成に応じて異なってくる。水ガラス組成の変化
はアウトガス量の増加、ひいてはCRTのライフ特性に
も影響するので、BS○生成量か多い場合消費された8
102分を補償してやるのが望ましい。
As described above, in this invention, ultrafine Bi2O3 directly reacts with 5iOz in water glass to generate BSO, so 3102 in water glass is consumed, and ultimately the intended composition of water glass is The (SiO2/alkali metal) ratio varies depending on BSO formation. Changes in water glass composition increase the amount of outgassing, which in turn affects the life characteristics of the CRT, so if the amount of BS○ produced is large, the consumption
It is desirable to compensate for 102 minutes.

今、BSO生成量を原料の酸化ビスマスの5゜wt%と
仮定して、S s O2消費量を計算してみると、6k
gのBizOzのうち3kgのBt20zがBSOに変
化するわけであるから、必要な5i02のモル数は以下
の式から、 6E3i20s +5iOz→B 1 +zS j 0
2゜Bit’2の6.438(=3000/465.9
6)モルに対して、6.438/6モルなので、5iO
zの量は64゜38(= 60 X (6,438/ 
6 )) gとなる。
Now, assuming that the amount of BSO produced is 5゜wt% of the raw material bismuth oxide, and calculating the amount of S s O2 consumed, it is 6k.
Since 3 kg of Bt20z out of g of BizOz is converted to BSO, the required number of moles of 5i02 is calculated from the following formula: 6E3i20s +5iOz→B 1 +zS j 0
2°Bit'2 6.438 (=3000/465.9
6) Since it is 6.438/6 mole for mole, 5iO
The amount of z is 64°38 (= 60 x (6,438/
6)) g.

したかってBS○生成量に対して、比例計算すれば、必
要なSiOx量は以下の表のようになる。
Therefore, if the amount of BS○ produced is calculated proportionally, the required amount of SiOx will be as shown in the table below.

なおこの表ではBizOzは6kgとしている。In this table, BizOz is 6 kg.

通常、BSO生成量は20〜80wt%間にあるので、
消費される5int量は26〜103gにある。したか
って、消費された5i02分を補償するために加えるS
 io 2分も26〜103g間にある。添加すべきS
 iO2としてはSin、粉末の他、アルカリ金属を含
まない、たとえばLudox (デュポン製)のような
水ガラスとして加えることができ、固形含有量を基準に
して、添加量をきめればよい。
Normally, the amount of BSO produced is between 20 and 80 wt%, so
The amount of 5int consumed is between 26 and 103g. Therefore, add S to compensate for the consumed 5i02 minutes.
io 2 minutes is also between 26 and 103g. S to be added
In addition to Sin and powder, iO2 can be added in the form of water glass that does not contain alkali metals, such as Ludox (manufactured by DuPont), and the amount to be added may be determined based on the solid content.

表  BSO生成量と必要SiO2量 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明に係るシャドウマスクの製造方法
によれば、超微粒化した酸化ビスマスの粉末に水ガラス
あるいはさらに■族元素の化合物を加え、これらの混合
液をシャドウマスクの電子ビーム衝撃側に塗布し、自然
乾燥の後塗膜の焼成処理を行うようにしたので、該焼成
処理では、酸化ビスマスの粉末が水ガラス成分中のSi
O2と直接反応してビスマスシリコンオキサイド(BS
O)等が生成されることとなる。これによりBSO等の
ビスマスと■族元素と酸素との化合物を、これとB12
o3 との混合前に合成する工程を不要とてき、しかも
従来と全く同一の生産工程で、安定性の高い熱変形抑制
皮膜を有するシャドウマスクを製造することができる効
果かある。
Table Amount of BSO generated and required amount of SiO2 [Effects of the invention] As described above, according to the method for producing a shadow mask according to the present invention, water glass or a compound of a group (III) element is added to ultrafine bismuth oxide powder. The mixed solution was applied to the electron beam impact side of the shadow mask, and after air drying, the coating film was baked.
Directly reacts with O2 to form bismuth silicon oxide (BS
O) etc. will be generated. As a result, a compound of bismuth, group Ⅰ element, and oxygen such as BSO can be mixed with B12.
There is no need for a step of synthesis before mixing with o3, and a shadow mask having a highly stable thermal deformation suppressing film can be manufactured using the same production process as the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例によるシャドウマスクの製造
方法における熱変形抑制皮膜の赤外吸収スペクトル図、
第2図は該熱変形抑制皮膜に用いるBi、0./BSO
混合試料についてのX線回折図形を示す図、第3図はX
線回折法に基づくBSO生成量と赤外吸収法に基づ<B
SOの相対吸光度との関係を示す図である。 図において、Aは焼成前の赤外線スペクトル、Bは焼成
後の赤外線スペクトル、■、■はB i20、とBSO
に共通する回折強度のピーク、■。 ■はBS○単独の回折強度のピーク、■はBi2O、単
独の回折強度のピークである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
FIG. 1 is an infrared absorption spectrum diagram of a thermal deformation suppressing film in a method for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 shows the amount of Bi used in the thermal deformation suppressing film. /BSO
Figure 3 shows the X-ray diffraction pattern for the mixed sample.
Based on the BSO production amount based on the linear diffraction method and the infrared absorption method <B
It is a figure showing the relationship with relative absorbance of SO. In the figure, A is the infrared spectrum before firing, B is the infrared spectrum after firing, ■, ■ are B i20, and BSO
Diffraction intensity peak common to ■. (2) is the peak of the diffraction intensity of BS○ alone, and (2) is the peak of the diffraction intensity of Bi2O alone. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)シャドウマスクの電子ビーム衝撃側に、重金属の
酸化物と該重金属,IV族元素及び酸素の化合物との混合
物組成を有する熱変形抑制皮膜を形成する皮膜形成工程
を有するシャドウマスクの製造方法において、 上記皮膜形成工程は、 重金属の酸化物の粒子を粉砕して超微粒化する第1の工
程と、 超微粒化した重金属酸化物の粉末に水ガラスを加えてこ
れらの混合液を作る第2の工程と、該混合液を上記シャ
ドウマスクの電子ビーム衝撃側に塗布して自然乾燥する
第3の工程と、その後上記混合液の塗布膜を焼成して上
記熱変形抑制皮膜を形成する第4の工程とを含むことを
特徴とするシャドウマスクの製造方法。
(1) A method for manufacturing a shadow mask, which includes a film forming step of forming a thermal deformation suppressing film having a mixture composition of a heavy metal oxide and a compound of the heavy metal, group IV element, and oxygen on the electron beam impact side of the shadow mask. In this case, the above-mentioned film forming step includes a first step of pulverizing the heavy metal oxide particles into ultra-fine particles, and a first step of adding water glass to the ultra-fine-grained heavy metal oxide powder to create a mixed solution thereof. a third step of applying the mixed solution to the electron beam impact side of the shadow mask and drying it naturally; and a third step of baking the coated film of the mixed solution to form the thermal deformation suppressing film. 4. A method for manufacturing a shadow mask, comprising the steps of step 4.
(2)上記重金属の酸化物は、酸化ビスマスであ超微細
化した該酸化物の粒子の直径は、0.2〜1μmである
ことを特徴とする請求項1記載のシャドウマスクの製造
方法。
(2) The method of manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the heavy metal oxide is bismuth oxide, and the ultrafine particles of the oxide have a diameter of 0.2 to 1 μm.
(3)上記水ガラスは、 重金属の酸化物の0.3〜1.7重量%に相当する酸化
シリコン粉末、あるいは固形分として上記重金属の酸化
物の0.3〜1.7重量%に相当する酸化シリコンを含
有する中性水ガラスであることを特徴とする請求項1記
載のシャドウマスクの製造方法。
(3) The above water glass is silicon oxide powder corresponding to 0.3 to 1.7 weight % of the heavy metal oxide, or equivalent to 0.3 to 1.7 weight % of the heavy metal oxide as a solid content. 2. The method for producing a shadow mask according to claim 1, wherein the shadow mask is made of neutral water glass containing silicon oxide.
(4)上記水ガラスは、 ナトリウム水ガラス、あるいはナトリウム水ガラスとカ
リウム水ガラスとの混合水ガラスからなるアルカリ性水
ガラスであることを特徴とする請求項1記載のシャドウ
マスクの製造方法。
(4) The method for manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the water glass is alkaline water glass made of sodium water glass or a mixed water glass of sodium water glass and potassium water glass.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62281240A (en) * 1986-05-29 1987-12-07 Mitsubishi Electric Corp Cathode-ray tube

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JPS62281240A (en) * 1986-05-29 1987-12-07 Mitsubishi Electric Corp Cathode-ray tube

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