JPH04170019A - Projection exposure device - Google Patents
Projection exposure deviceInfo
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- JPH04170019A JPH04170019A JP2297520A JP29752090A JPH04170019A JP H04170019 A JPH04170019 A JP H04170019A JP 2297520 A JP2297520 A JP 2297520A JP 29752090 A JP29752090 A JP 29752090A JP H04170019 A JPH04170019 A JP H04170019A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造のフォトリソグラフィー工程で
用いられる投影露光装置に間する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a projection exposure apparatus used in a photolithography process for manufacturing semiconductor devices.
一般にm a s k ROM回路を内蔵している集積
回路装置においては、回路装置毎にROMコード番号を
割り当てている。このROMコード番号は半導体ウェー
ハプロセスの最初の工程で、レーザーマーキング技術に
よってウェーハの一部領域に英数字で刻印し、途中工程
であるフォトリソグラフィー工程でウェーハ上のROM
コード番号を目視または高価な光学的英数字読み取り装
置で識別し、各ROMコード番号に対応したマスクを用
いて露光していた。Generally, in an integrated circuit device incorporating a m as k ROM circuit, a ROM code number is assigned to each circuit device. This ROM code number is engraved with alphanumeric characters on a certain area of the wafer using laser marking technology in the first step of the semiconductor wafer process, and is then engraved with alphanumeric characters on a partial area of the wafer using laser marking technology.
The code numbers were identified visually or with an expensive optical alphanumeric reader, and exposed using a mask corresponding to each ROM code number.
上述した従来のmaskROM回路を内蔵している集積
回路のROMコード対応のマスクを用いた露光手法にお
いては、ウェーハの一部にレーザーマーキング技術によ
って刻印されているROMコード番号は数百種類に及ぶ
ものの、個々のROMコード毎の製品所要は少ないとい
う少量多品種型の生産形態が採られている。In the conventional exposure method described above that uses a mask compatible with the ROM code of an integrated circuit containing a built-in mask ROM circuit, there are hundreds of ROM code numbers that are engraved on a part of the wafer using laser marking technology. , a low-volume, high-mix production format is adopted in which the number of products required for each individual ROM code is small.
このため、目視によるROMコードの判別、マスクの検
索、ROMコードとマスクNo、の対応確認など、露光
作業時の複雑な作業が増加し、指定されたROMコード
マスク以外のマスクで露光してしまう危険性が高かった
。This increases the number of complex tasks required during exposure work, such as visually identifying the ROM code, searching for the mask, and checking the correspondence between the ROM code and mask number, resulting in exposure using a mask other than the specified ROM code mask. The risk was high.
上述した従来のROMコード毎の番号を人間が目視識別
する方式に対し、本発明は従来レーザーマーキング技術
によって刻印されていたROMコード番号を、投影露光
装置に内蔵する紫外線レーザー露光装置により符号化し
て印字するという相違点を有する。In contrast to the above-described conventional method of visually identifying the number for each ROM code, the present invention encodes the ROM code number, which was conventionally engraved using laser marking technology, using an ultraviolet laser exposure device built into the projection exposure device. The difference is that it is printed.
更に本発明は、符号化して印字されたROMコード番号
を、同じ露光装置内に内蔵する赤外線読み取り装置によ
り認識し、ROMコード番号に対応したマスクにより自
動的に露光するという相違点を有する。Furthermore, the present invention has a difference in that the encoded and printed ROM code number is recognized by an infrared reading device built into the same exposure device, and exposure is automatically performed using a mask corresponding to the ROM code number.
本発明の投影露光装置は、フォトレジストを塗布した半
導体ウェーへの一部領域に符号化した情報を印字する機
能、および前記符号を読み取る機能、更に前記符号に対
応したマスクを自動的に選択しこのマスクを用いてウェ
ーハ上に塗布処理されたフォトレジストにデバイスパタ
ーンを転写形成する機能を有している。The projection exposure apparatus of the present invention has a function of printing encoded information in a partial area of a semiconductor wafer coated with photoresist, a function of reading the code, and a function of automatically selecting a mask corresponding to the code. This mask has the function of transferring and forming a device pattern onto the photoresist coated on the wafer.
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。〔Example〕 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例の装置構成図、第2図は一実
施例に用いる符号印字方法を説明する模式図、第3図は
一実施例に用いる符号読み取り方法を説明する模式図で
ある。Fig. 1 is a diagram of a device configuration of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a schematic diagram explaining a code printing method used in an embodiment, and Fig. 3 is a schematic diagram explaining a code reading method used in an embodiment. It is.
最初に第1図の装置の構成から説明する0本装置はフォ
トレジストを塗布処理したウエーノX1aを収納するロ
ーダ−カセット2、ローダーカセ・7ト2より露光処理
を行なう投影露光室7ヘウエーハ1aを搬送する搬送ア
ーム4、フォトレジスト塗布処理済のウェーハ1aの一
部領域に符号を印字する符号印字部5、形成された符号
を読み取る符号読み取り部6、投影露光室7より露光処
理の終了したウェーハ1bが搬出されてくるアンローダ
−カセット3より構成されている。First, the configuration of the apparatus shown in FIG. 1 will be explained. This apparatus includes a loader cassette 2 that stores the wafer X1a coated with photoresist, and a loader cassette 7 that transports the wafer 1a from the loader cassette 2 to the projection exposure chamber 7 where exposure processing is performed. A transfer arm 4 that prints a code on a partial area of the wafer 1a that has been coated with photoresist, a code printing unit 5 that prints a code on a partial area of the wafer 1a that has been coated with photoresist, a code reading unit 6 that reads the formed code, and a projection exposure chamber 7 that transports the wafer 1b that has been exposed. It is composed of an unloader cassette 3 from which the unloader is carried out.
次にウェーハの工程別の露光方法について第1図を用い
て説明する。Next, the exposure method for each wafer process will be explained with reference to FIG.
まず始めにmaskROM切換えを行なうウェーへの露
光について説明する。ローグーカセーlト2にセットさ
れたフォトレジストを塗布処理したウェーハ1aは、搬
送アーム4によって投影露光室7へ搬送され、ウェーハ
ステージ8ヘセツトされる0次にROMコードに対応し
た符号を印字するために、ウェーハステージ8は符号印
字部5の下まで移動し、符号印字を行なう0次にウェー
ハ1aは正規の位置に戻り、ROMコードに対応したマ
スクを用いて投影露光を行なう0次に露光処理の終った
ウェーハlbは、搬送アーム4によって投影露光室7よ
りアンローダ−カセット3へと搬出される。First, the exposure of the wafer for mask ROM switching will be explained. The wafer 1a, which has been coated with photoresist and is set in the low-goo cassette 2, is transported by the transport arm 4 to the projection exposure chamber 7, where it is used to print a code corresponding to the zero-order ROM code set on the wafer stage 8. , the wafer stage 8 moves to the bottom of the code printing unit 5, and the code is printed.The 0th order wafer 1a returns to its normal position and starts the 0th order exposure process, in which projection exposure is performed using a mask corresponding to the ROM code. The completed wafer lb is transferred from the projection exposure chamber 7 to the unloader cassette 3 by the transfer arm 4.
次にmaskROM切換えが終了しているつ工−ハにつ
いて説明する。ここで投影露光室7への搬入、搬出は前
記説明と同じ動作のため説明を省略する。maskRO
M切換えが終了しているウェーハでは、maskROM
切換え時のPRで形成した符号がついているため、搬送
されてウェーハステージ8にセットされたフォトレジス
ト塗布処理済ウェーハ1aは、ROMコードを読み取る
ため符号読み取り部6の下まで移動し、符号読み取りを
行ないROMコードを認識する0次にROMコードに対
応したマスクを装置が自動的に選び出し、投影露光を行
なう。Next, a description will be given of the process in which the mask ROM switching has been completed. Here, loading and unloading into and out of the projection exposure chamber 7 is the same operation as described above, so the explanation will be omitted. maskRO
For wafers for which M switching has been completed, maskROM
Since the code formed in the PR at the time of switching is attached, the photoresist-coated wafer 1a that has been transported and set on the wafer stage 8 moves to the bottom of the code reading section 6 to read the ROM code, and the code is read. The apparatus automatically selects a mask corresponding to the zero-order ROM code and performs projection exposure.
次に符号印字方法について、第2図を参照して説明する
。矢印方向に移動できるウェーハステージ8にセットさ
れた塗布処理済ウェーハ1aの一部領域に、第2図に示
すように紫外線レーザー発生装置11より照射される紫
外線レーザー12によって、数μm幅のバーコード符号
10を形成する。Next, the code printing method will be explained with reference to FIG. As shown in FIG. 2, an ultraviolet laser 12 irradiated by an ultraviolet laser generator 11 prints a bar code several μm wide on a partial area of a coated wafer 1a set on a wafer stage 8 that can move in the direction of the arrow. 10 is formed.
最後に符号読み取り方法について、第3図を参照して説
明する。’maskROM切換えが終了しているウェー
ハには、酸化膜等のバーコード符号10がすでに形成さ
れている。この符号に赤外線レーザー発生装置16から
照射される赤外線レーザー15が当たる、この時ウェー
ハ1bを矢印方向に動かすことによって符号パターンの
段差部で反射波17が発生する。この反射波17の幅を
反射波検知装置18にて検知し符号を読み取る。Finally, the code reading method will be explained with reference to FIG. A barcode code 10 such as an oxide film has already been formed on the wafer for which maskROM switching has been completed. This code is hit by an infrared laser 15 emitted from an infrared laser generator 16, and by moving the wafer 1b in the direction of the arrow, a reflected wave 17 is generated at the stepped portion of the code pattern. The width of this reflected wave 17 is detected by a reflected wave detection device 18 and the code is read.
以上説明したように本発明は、maskROM等の少量
多品種のROMコード切換え品に対し自動的に露光作業
が行なえ、目視確認ミスの撲滅、ROMコード毎のウェ
ーハ振り分は作業の削除など、量産ラインでのスループ
ットを高めることができるという効果がある。As explained above, the present invention can automatically perform exposure work for ROM code switching products such as mask ROMs that are manufactured in small quantities and in a wide variety of products, eliminate visual confirmation errors, and eliminate the work of distributing wafers for each ROM code. This has the effect of increasing line throughput.
第1図は本発明の一実施例の装置構成図5第2図は一実
施例に用いる符号印字方法を説明する模式図、第3図は
一実施例に用いる符号読み取り方法を説明する模式図で
ある。
1a・・・フォトレジスト塗布処理済ウェーハ、1b−
・・露光処理済ウェーハ、2・・・ローダ−カセット、
3・・・アンローダ−カセット、4−・・搬送アーム、
5・−・符号印字部、6・・・符号読み取り部、7・・
・投影露光室、8・−・ウェーハステージ、11・・・
紫外線レーザー発生装置、12・・・紫外線レーザー。
15・・・赤外線レーザー、16・・−赤外線レーザー
発生装置、17・・・反射波、18・−・反射波検知装
置。Fig. 1 is a diagram showing the configuration of an apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a schematic diagram explaining a code printing method used in an embodiment. Fig. 3 is a schematic diagram explaining a code reading method used in an embodiment. It is. 1a... Photoresist coated wafer, 1b-
...Exposed wafer, 2...Loader cassette,
3... Unloader cassette, 4-... Transfer arm,
5... Code printing section, 6... Code reading section, 7...
・Projection exposure chamber, 8...Wafer stage, 11...
Ultraviolet laser generator, 12... Ultraviolet laser. 15...Infrared laser, 16...-Infrared laser generator, 17...Reflected wave, 18...Reflected wave detector.
Claims (1)
投影露光装置において、半導体ウェーハの一部領域に符
号を印字する機能と、前記符号を認識する機能と、更に
前記符号に対応したマスクを自動的に選択し前記マスク
を用いて投影露光を行なう機能とを有することを特徴と
する投影露光装置。A projection exposure apparatus used in the photolithography process of semiconductor manufacturing has a function of printing a code on a partial area of a semiconductor wafer, a function of recognizing the code, and a function of automatically selecting a mask corresponding to the code. 1. A projection exposure apparatus having a function of performing projection exposure using a mask.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2297520A JPH04170019A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Projection exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2297520A JPH04170019A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Projection exposure device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH04170019A true JPH04170019A (en) | 1992-06-17 |
Family
ID=17847589
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2297520A Pending JPH04170019A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Projection exposure device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04170019A (en) |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2297520A patent/JPH04170019A/en active Pending
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