JPH04161241A - Gas supply device - Google Patents
Gas supply deviceInfo
- Publication number
- JPH04161241A JPH04161241A JP28900990A JP28900990A JPH04161241A JP H04161241 A JPH04161241 A JP H04161241A JP 28900990 A JP28900990 A JP 28900990A JP 28900990 A JP28900990 A JP 28900990A JP H04161241 A JPH04161241 A JP H04161241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- mass flow
- controller
- chamber
- supplied
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板に不純物拡散、薄膜形成する処理
装置に処理用のガスを供給するガス供給装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a gas supply device that supplies a processing gas to a processing device that diffuses impurities and forms a thin film on a semiconductor substrate.
従来この種のガス供給装置は、半導体基板表面に不純物
層を形成したり、薄膜を形成したりする装置、例えば、
熱拡散炉、CVD装置等に付設されるもので、供給する
ガスの量について、精密なコントロールが要求されてき
た。Conventionally, this type of gas supply device is a device that forms an impurity layer or a thin film on the surface of a semiconductor substrate, for example,
They are attached to thermal diffusion furnaces, CVD equipment, etc., and precise control of the amount of gas to be supplied has been required.
第2図は従来のガス供給装置の一例を示すブロック図で
ある。通常、このガス供給装置は、同図に示すように、
ターボポンプ5及びロータリーポンプ6によって所定の
高真空に排気されたチェンバ4に接続される配管と、各
種ガス用の複数のバルブ2と、これらバルブ2とそれぞ
れとに接続されるマスフローコントローラ1と、このマ
スフロ−コントローラ1より供給する各種ガスの流量を
指令制御するコントローラ7及び制御装置9とを有して
いる。FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional gas supply device. Normally, this gas supply device, as shown in the same figure,
Piping connected to a chamber 4 evacuated to a predetermined high vacuum by a turbo pump 5 and a rotary pump 6, a plurality of valves 2 for various gases, a mass flow controller 1 connected to each of these valves 2, It has a controller 7 and a control device 9 that command and control the flow rates of various gases supplied from the mass flow controller 1.
このような、ガス供給装置を半導体基板を収納するチェ
ンバ4に接続し、作業内容により、各種ガスをマスフロ
ーコントローラ1で流量を制御し、処理を行っていた。Such a gas supply device is connected to the chamber 4 that houses the semiconductor substrate, and the flow rate of various gases is controlled by the mass flow controller 1 depending on the work content to perform processing.
しかしながら、上述した従来のガス供給装置は、マスフ
ローコントローラのみでガス流量制御を行なっているの
で、マスフローコントローラが誤動作をした場合、供給
されたガス流量が変化し、製作された半導体基板の膜の
特性異常を起すという欠点がある。However, in the conventional gas supply device described above, the gas flow rate is controlled only by the mass flow controller, so if the mass flow controller malfunctions, the supplied gas flow rate changes and the characteristics of the film of the fabricated semiconductor substrate are affected. It has the disadvantage of causing abnormalities.
本発明の目的は、かかる欠点を解消すべく、マスフロー
コントローラが誤動作しても、安定して設定したガス流
量を供給するガス供給装置を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a gas supply device that stably supplies a set gas flow rate even if a mass flow controller malfunctions, in order to eliminate such drawbacks.
本発明のガス供給装置は、半導体基板を収納するチャン
バに複数のガスフローコントローラを介して複数種のガ
スを流量比を一定にしながら供給するガス供給装置にお
いて、チャンバ4の各種ノ前記ガスの流量を検出するマ
スフロー−メータと、このガスフローメータ3の各種の
前記ガスの基準定量と比較し、そのガスの不足分及び過
剰分のいずれかを算出するとともにこの算出値を時間に
関する信号に変換するガス量指定コントローラと、各マ
スフローコントローラ1及びバルブ2をバイパスして各
種ガスをガス源より供給するバイパスバルブとを備え、
前記時間に関する信号により前記バイパスバルブを前記
信号に対応する時間だけ開き、前記ガスを前記チャンバ
に供給することを特徴としている。The gas supply device of the present invention is a gas supply device that supplies a plurality of types of gases to a chamber accommodating a semiconductor substrate through a plurality of gas flow controllers while keeping a constant flow rate ratio. The mass flow meter that detects the gas is compared with the standard quantitative value of each of the gases of this gas flow meter 3, and either the shortage or excess of the gas is calculated and this calculated value is converted into a signal related to time. Equipped with a gas amount designation controller and a bypass valve that bypasses each mass flow controller 1 and valve 2 and supplies various gases from a gas source,
The bypass valve is opened for a time corresponding to the signal in response to the time-related signal, and the gas is supplied to the chamber.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明によるカス供給装置の一実施例を示すブ
ロック図である。このガス供給装置は、同図に示すよう
に、チャンバ4の各種のカスの流量を検出するマスフロ
ーメータ3と、このガスフローメータ3の各種のガスの
基準定量と比較し、不足分あるいは過剰分を算出すると
ともにこの不足分あるいは過剰分を時間信号に変換する
ガス量指定コントローラ10と、各マスフローコントロ
ーラl及びバルブ2をバイパスして各種ガスをガス源よ
り供給するバイパスバルブを設けたことである。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a waste feeding device according to the present invention. As shown in the figure, this gas supply device includes a mass flow meter 3 that detects the flow rate of various gases in the chamber 4, and a mass flow meter 3 that detects the flow rate of various gases in the chamber 4. A gas amount specifying controller 10 that calculates the amount of gas and converts this shortage or excess into a time signal, and a bypass valve that bypasses each mass flow controller 1 and valve 2 and supplies various gases from the gas source are provided. .
ガス量指定コントローラ10は、マスフローメータ3よ
りの電流値を基準値と比較する比較器と、基準値からの
差を演算する演算器と、この演算器より算出される量を
時間の単位に換算する変換器とを有している。また、バ
イパスバルブ8は、マスフローコントローラ1とは、関
係なく動作するもので、ガスを供給するガス供給管とチ
ャンバ4に隣接される配管と直接接続されている。The gas amount specification controller 10 includes a comparator that compares the current value from the mass flow meter 3 with a reference value, a calculator that calculates the difference from the reference value, and converts the amount calculated by this calculator into a unit of time. It has a converter for Furthermore, the bypass valve 8 operates independently of the mass flow controller 1 and is directly connected to a gas supply pipe that supplies gas and a pipe adjacent to the chamber 4 .
さらに、マスフローコントローラ1の動作不良で、チャ
ンバ4内のガスの量に過不足が生じなとき、このバイパ
スバルブ8を通して補充する。Further, when there is an excess or deficiency in the amount of gas in the chamber 4 due to malfunction of the mass flow controller 1, the gas is replenished through the bypass valve 8.
次に、このガス供給装置の動作を説明する。まず、例え
ば、マスフローコントローラ1の一つが動作不良を起し
、特定のガスの量が不足したとき、ガス量指定コントロ
ーラ10は、マスフローメータ3よりのそのガスの量を
示す電流値と所定の基準値とを比較し、その不足分を算
出する。これと同時に、コントローラ7aを介して特定
のガスの流量を制御するバルブ2を閉じる。次に、演算
された不足分を時間に関する信号に変換する。Next, the operation of this gas supply device will be explained. First, for example, when one of the mass flow controllers 1 malfunctions and the amount of a specific gas is insufficient, the gas amount designation controller 10 selects a current value indicating the amount of the gas from the mass flow meter 3 and a predetermined standard. Compare the value and calculate the shortfall. At the same time, the valve 2 that controls the flow rate of the specific gas is closed via the controller 7a. Next, the calculated shortfall is converted into a time-related signal.
変換された信号は、コントロール7aに送られ、バイパ
スバルブ8を変換された時間だけ開き、特定のガスがチ
ャンバに供給される。次に、ガスフローメータ3で供給
されたガスの量を測定する。The converted signal is sent to the control 7a, which opens the bypass valve 8 for the converted time and supplies the specified gas to the chamber. Next, the amount of gas supplied is measured by the gas flow meter 3.
次に、不足なら、前述の動作を繰り返す。Next, if it is insufficient, repeat the above operation.
また、特定のガスが過剰である場合は、その特定ガスの
ガスフローコントローラノバルブ2を閉し、他のガスフ
ローコントローラだけ、作動させ、他のガスと特定のガ
スの割合が一定になるまで保持する。勿論、ガスフロー
メータ3は常にガスの流量を検知をし続ける。Also, if a specific gas is in excess, close the gas flow controller valve 2 for that specific gas and operate only the other gas flow controllers until the ratio of the other gas and the specific gas becomes constant. Hold. Of course, the gas flow meter 3 always continues to detect the gas flow rate.
以上説明したように、チャンバに供給する各ガスの流量
を監視するガスフローメータと、この流量の変化によっ
てガスフローコントローラをバイパスしてガスを供給す
るバイパスバルブとを設けることによって、ガスフロー
コントローラの動作不良を起しても、常に、各ガスの流
量比が一定して供給できるガス供給装置が得られるとい
う効果がある。As explained above, by providing a gas flow meter that monitors the flow rate of each gas supplied to the chamber, and a bypass valve that bypasses the gas flow controller and supplies gas based on changes in the flow rate, the gas flow controller can be controlled. This has the effect of providing a gas supply device that can always supply each gas at a constant flow rate ratio even if a malfunction occurs.
第1図は本発明によるガス供給装置の一実施例を示すブ
ロック図、第2図は従来のガス供給装置の一例を示すブ
ロック図である。
1・・・ガスフローコントローラ、2・・・バルブ、3
・・・ガスフローメータ、4・・・チャンバ、5・・・
ターホボンブ、6・・・ロータリポンプ、7,7a・・
・コントローラ、8・・・バイパスバルブ、9・・・制
御装置、10・・・ガス量指定コントローラ。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a gas supply device according to the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional gas supply device. 1... Gas flow controller, 2... Valve, 3
...Gas flow meter, 4...Chamber, 5...
Tarho bomb, 6...rotary pump, 7,7a...
- Controller, 8... Bypass valve, 9... Control device, 10... Gas amount specification controller.
Claims (1)
ントローラを介して複数種のガスを流量比を一定にしな
がら供給するガス供給装置において、チャンバ4の各種
の前記ガスの流量を検出するマスフローメータと、この
ガスフローメータ3の各種の前記ガスの基準定量と比較
し、そのガスの不足分及び過剰分のいずれかを算出する
とともにこの算出値を時間に関する信号に変換するガス
量指定コントローラと、各マスフローコントローラ1及
びバルブ2をバイパスして各種ガスをガス源より供給す
るバイパスバルブとを備え、前記時間に関する信号によ
り前記バイパスバルブを前記信号に対応する時間だけ開
き、前記ガスを前記チャンバに供給することを特徴とす
るガス供給装置。A gas supply device that supplies a plurality of types of gases at a constant flow rate ratio through a plurality of gas flow controllers to a chamber accommodating a semiconductor substrate includes a mass flow meter that detects the flow rate of the various gases in the chamber 4; A gas amount designation controller that compares the gas flow meter 3 with a standard quantitative value of each of the gases, calculates either a shortage or an excess of the gas, and converts this calculated value into a signal related to time, and each mass flow controller. 1 and a bypass valve for supplying various gases from a gas source by bypassing valves 1 and 2, and in response to the time-related signal, the bypass valve is opened for a time corresponding to the signal, and the gas is supplied to the chamber. Characteristic gas supply equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28900990A JPH04161241A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Gas supply device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28900990A JPH04161241A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Gas supply device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04161241A true JPH04161241A (en) | 1992-06-04 |
Family
ID=17737655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28900990A Pending JPH04161241A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Gas supply device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04161241A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214591A (en) * | 2002-11-15 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | Semiconductor manufacturing device |
GB2439948A (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-16 | Boc Group Plc | A vacuum pumping system |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28900990A patent/JPH04161241A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214591A (en) * | 2002-11-15 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | Semiconductor manufacturing device |
GB2439948A (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-16 | Boc Group Plc | A vacuum pumping system |
GB2439948B (en) * | 2006-07-12 | 2010-11-24 | Boc Group Plc | Gas supply apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7204155B2 (en) | Method and apparatus for pressure control and flow measurement | |
US7253107B2 (en) | Pressure control system | |
JP3830670B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
US7143774B2 (en) | Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids | |
US6533574B1 (en) | System for active regulation of the air/gas ratio of a burner including a differential pressure measuring system | |
US6766260B2 (en) | Mass flow ratio system and method | |
US5645642A (en) | Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification | |
US20050150552A1 (en) | Device, method, and system for controlling fluid flow | |
US4798531A (en) | Process and apparatus for the control of the air and fuel supply to a plurality of burners | |
JP3615517B2 (en) | Non-pressure sensitive gas control system | |
JPH09155180A (en) | Liquid mixing device | |
JPH04161241A (en) | Gas supply device | |
JP2542695B2 (en) | Plasma etching equipment | |
JPS6138300A (en) | Liquefied gas vaporizer | |
JP2756126B2 (en) | Sputtering equipment | |
JP2826479B2 (en) | Gas supply device and operation method thereof | |
JPH0561521B2 (en) | ||
CN218203172U (en) | Silicon carbide epitaxial growth pipeline system | |
JP3311762B2 (en) | Mass flow controller and semiconductor device manufacturing equipment | |
JPS614875A (en) | Vacuum exhaust of plasma etching apparatus | |
JPS5827637A (en) | Gas supply circuit in gas pahse growing furnace | |
JPH0587325A (en) | Control of steam pressure for soot blower | |
JPH01252819A (en) | Combustion device | |
JPS6027119A (en) | Vapor growth device of semiconductor | |
JPH1163481A (en) | Method and apparatus for controlling pressure of fuel gas in gas fired boiler |