JPH04159076A - 結晶基板研磨装置 - Google Patents

結晶基板研磨装置

Info

Publication number
JPH04159076A
JPH04159076A JP2282089A JP28208990A JPH04159076A JP H04159076 A JPH04159076 A JP H04159076A JP 2282089 A JP2282089 A JP 2282089A JP 28208990 A JP28208990 A JP 28208990A JP H04159076 A JPH04159076 A JP H04159076A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal substrate
polishing
jig
support
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2282089A
Other languages
English (en)
Inventor
Rie Kikuchi
理恵 菊地
Akira Takamori
高森 晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2282089A priority Critical patent/JPH04159076A/ja
Publication of JPH04159076A publication Critical patent/JPH04159076A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、化合物半導体の結晶基板を、設定された所定
の厚さまで均一に研磨する結晶基板研磨装置に関するも
のである。
従来の技術 従来、化合物半導体素子の製作工程、特に半導体レーザ
素子の製作工程においては、結晶のへき開を利用して、
半導体レーザ素子を製作するため、結晶のへき開が容易
になる結晶基板厚まで、結晶基板の研磨が行なわれてい
る。即ち、第3図および第4図は、従来の結晶基板研磨
方式を示し、第3図は従来の結晶基板研磨治具を示す平
面図、第4図は同側面図である。第3図および第4図に
おいて、符号101は結晶基板研磨治具本体、102は
結晶基板、103は結晶基板研磨治具本体101の上面
の円周上に等間隔で複数個設置された厚み制御盤、10
4は研磨速度調整用荷重、105は研磨速度調整用荷重
104を結晶基板研磨治具101に固定するためのねじ
、106は結晶基板102を結晶基板研磨治具101の
上面に固定するための接着用ワックスをそれぞれ示して
いる。
つまり、上記結晶基板を研磨する場合、結晶基板研磨治
具101の上面に接着用ワックス106を介して結晶基
板102を固定し、この研磨治具101を研磨剤が注入
しである図示しない研磨板上に載せ、自動または手動に
より回転させながら、厚み制御盤103の厚さまで研磨
する方法が採られていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述したような従来の結晶基板研磨方式
では、結晶基板研磨治具の上面に設置した厚み制御盤の
端面が研磨板ガラス面を傷つけ易く、しかも削り取られ
た粒子が結晶基板に接触するため、結晶基板面に歪みが
入ったり、破損の原因になる等の課題がある。
また、結晶基板を均一な厚さに研磨するために、予め結
晶基板研磨治具の上面に精度良く厚み制御盤を固定する
ことは極めて困難であり、i度な技術か必要とされてい
る。
本発明は、上述した課題に着目してなされたもので、そ
の目的とするところは、結晶基板を損傷したり、高度な
加工技術を要したすせず、化合物半導体の結晶基板を設
定された所定の厚さまで均一に研磨することができる結
晶基板研磨装置を提供するものである。
課題を解決するための手段 この課題を達成するため、本発明は、研磨プレートガラ
ス面と平行に設置されたステージ本体と、二のステージ
本体の支柱に微動ダイヤルを介して上下動自在に装着さ
れた支持具と、上記支持具の先端に支持棒を介して固定
された結晶基板研磨治具とからなり、上記結晶基板研磨
治具の研磨面に接着用ワックスで固定された結晶基板の
研磨後の所定厚さを、微動ダイヤルにより予め設定でき
るようにした結晶基板研磨装置を提案するものである。
作用 本発明の構成によると、結晶基板を結晶基板治具に固定
し、この結晶基板治具を支持棒を介して支持具に取付け
、上記支持具をステージ本体に微動ダイヤルを介して上
下動自在に装着し、上記ダイヤルで予め結晶基板の研磨
後の厚みを設定することにより研磨プレートガラス面に
より均一な厚さに研磨するよう構成したので、研磨プレ
ートガラス面を損傷したり、結晶基板を破損したりする
ことなく精度良く研磨することができる。
また、上記ステージ本体に装着した支持具は、微動ダイ
ヤルにより、ミクロン単位で上下に調節できるので、結
晶基板の研磨厚みを一定にすることができると共に、結
晶基板の厚さを高精度に設定することができる。
実施例 以下、第1図および第2図について本発明の実施例の詳
細を説明する。
第1図は、本発明による結晶基板研磨装置の平面図、第
2図は同側面図であり、符号1は化合物半導体の結晶基
板、2は結晶基板1が固定される円盤状の結晶基板研磨
治具であり、上記結晶基板1は、接着用ワックス8によ
り結晶基板研磨治具2の外周面に下端部が固着され上端
部が上方に立設された複数本の支持棒であり、この支持
棒6の上端部はねじ5を介して支持具7の一端側に固定
されている。
また、符号3はステージ本体であり、このステージ本体
3は、図示しない研磨プレートガラス面に平行に設置さ
れている。そして、上記ステージ本体3に立設された支
柱3aには、一端側に結晶基板研磨治具2を設置した支
持具7の他端側か微動ダイヤル4を介して上下動自在に
装着され、上記微動ダイヤル4の回転によって支持具7
がミクロン単位で上下動できるように、適正なねじおよ
び歯車の組合わせにより装着されている。そして、この
微動ダイヤル4により支持具7を上下動させることによ
り、結晶基板1を固定した結晶基板研磨治具2の研磨面
を研磨プレートガラス面と平行な上下に制御することが
できる。
図示した実施例では、結晶基板研磨治具2Sステ一ジ本
体3、支持棒6、支持具7等はステンレス製であるが、
これに限定せず、加工精度が高く、硬度が高い材料であ
れば他の材料でも良い。
また、微動ダイヤル4は、微動マイクロメータヘッドを
使用して高精度な結晶基板1の厚み調整ができるように
なっている。
なお、上記結晶基板研磨治具2を支持具7に固定してい
る支持棒6は、3本以上であれば、研磨作業中に結晶基
板研磨治具2が振れたりすることなく、安定した支持が
できる。
次に、上述した実施例による結晶基板研磨装置による研
磨作業の実際を説明する。
まず、結晶基板研磨治具2の研磨面に、接着用ワックス
8により研磨を要する結晶基板1を固定する。この後、
微動ダイヤル4を回転して、予め結晶基板1の研磨後の
厚みを設定しておく。そして、上記結晶基板研磨治具2
を下降させながら回転している研磨プレートガラス面に
接触させることにより、結晶基板1が設定された所定の
厚さまで均一に研磨される。
なお、本発明によるステージ本体3は研磨プレートガラ
ス面に平行に設置されているので、自動研磨機または手
動研磨機に使用しても同等の効果を得ることができる。
発明の効果 以上のように本発明は、結晶基板を固定した結晶基板研
磨治具を、研磨プレートガラス面に平行に設置したステ
ージ本体に、微動ダイヤルを介して上下動自在に装着し
、上記微動ダイヤルにより予め結晶基板の研磨後の所定
厚さを設定できるようにしたので、研磨中に研磨プレー
トガラス面を損傷したり、結晶基板を破損したりするこ
となく、精度の高い研磨を行なうことができる。
また、ステージ本体に装着した結晶基板研磨治具の支持
具は、微動ダイヤルにより、ミクロン単位で上下に調節
できるので、結晶基板の研磨厚みを一定にすることがで
きると共に、結晶基板の厚さを高精度に設定することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による結晶基板研磨装置を示す平面図、
第2図は同側面図、第3図は従来の結晶基板研磨治具を
示す平面図、第4図は同側面図である。 1・・・結晶基板、2・・・結晶基板研磨治具、3・・
・ステージ本体、3a・・・支柱、4・・・微動ダイヤ
ル、6・・・支持棒、7・・・支持具、8・・・接着用
ワックス。 代理人の氏名 弁理士 小蝦治 明 ほか2名第1図 第2図 第6図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 研磨プレートガラス面と平行に設置されたステージ本体
    と、このステージ本体の支柱に微動ダイヤルを介して上
    下動自在に装着された支持具と、上記支持具の先端に支
    持棒を介して固定された結晶基板研磨治具とからなり、
    上記結晶基板研磨治具の研磨面に接着用ワックスで固定
    された結晶基板の研磨後の所定厚さを、微動ダイヤルに
    より予め設定できるようにした結晶基板研磨装置。
JP2282089A 1990-10-19 1990-10-19 結晶基板研磨装置 Pending JPH04159076A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2282089A JPH04159076A (ja) 1990-10-19 1990-10-19 結晶基板研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2282089A JPH04159076A (ja) 1990-10-19 1990-10-19 結晶基板研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04159076A true JPH04159076A (ja) 1992-06-02

Family

ID=17647981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2282089A Pending JPH04159076A (ja) 1990-10-19 1990-10-19 結晶基板研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04159076A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10668595B2 (en) Method of using laminated dressing board
EP0004036B1 (de) Ebenheitsmessvorrichtung
JPH04159076A (ja) 結晶基板研磨装置
JP5654365B2 (ja) 研削装置
JPH0639705A (ja) 研磨装置
JPH05200616A (ja) 溝加工方法及び溝加工装置
JPH1055986A (ja) 溝入れ加工方法及び加工装置
JP7502840B1 (ja) 研削加工装置及び研削加工装置の定盤精度出し方法
JPH01146400A (ja) 基板サポート装置
CN110561255B (zh) 一种晶粒抛光装置
JP4549471B2 (ja) 板状物研削装置及び板状物研削方法
JPH068132A (ja) 研磨方法
CN100482358C (zh) 制造光掩膜坯料、光掩膜及半导体装置或液晶装置的方法
JP3172203B2 (ja) 光デバイスの研磨方法
JP2004306232A (ja) 被研磨加工物の研磨方法及び研磨装置
JPH08313816A (ja) 基板部材保持装置
JPS59129662A (ja) ラツピング方法及びその装置
JP2599996B2 (ja) スライシングマシンの切断方法
JPH0494122A (ja) 薄板の両面研磨方法
JPH11254307A (ja) 薄型基板加工装置
JPS62241329A (ja) 縮小投影型露光装置
JPH0775964A (ja) ウェーハ研磨装置
JPH07276199A (ja) 金相試料の金相端面研磨方法とその研磨装置
DE102006040926A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ritzen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten
JPH0225029A (ja) 結晶基板研磨装置