JPH04158309A - Light wave guide path type coupler - Google Patents
Light wave guide path type couplerInfo
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229920006385 Geon Polymers 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、光ファイバを使用した通信システムにおいて
、局内、線路及び端末等に設置され多数本の光ファイバ
の信号を一括して分岐結合する光導波路型カプラーに関
する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] The present invention is a communication system using optical fibers, in which signals from a large number of optical fibers installed in a station, on a line, at a terminal, etc. are branched and combined at once. Regarding optical waveguide type couplers.
[従来の技術]
2つの信号光を分岐及び結合する場合には、2×2カプ
ラーが使用されている。[Prior Art] When branching and combining two signal lights, a 2×2 coupler is used.
第3図は従来の2×2カプラーを示す斜視図である。な
お、この2×2カプラーは光ファイバにより構成された
光フアイバカプラーである。FIG. 3 is a perspective view of a conventional 2×2 coupler. Note that this 2×2 coupler is an optical fiber coupler constructed from optical fibers.
この光フアイバカプラーにおいては、1個の分岐結合部
10に対して1対の入力用光ファイバ11及び1対の出
力用光ファイバ11が設けられている。そして、1対の
入力用光ファイバ11から夫々入力された2つの信号光
は、分岐結合部10において合波及び分岐されて、1対
の出力用ファイバ11から出力される。複数本のファイ
バ11の分岐結合を行なう場合は、第3図に示すように
、この2×2光フアイバカプラーを複数個並列に配置し
て使用する。In this optical fiber coupler, one pair of input optical fibers 11 and one pair of output optical fibers 11 are provided for one branching/coupling section 10 . The two signal lights respectively input from the pair of input optical fibers 11 are multiplexed and branched in the branching/coupling section 10 and outputted from the pair of output fibers 11. When branching and coupling a plurality of fibers 11, a plurality of 2.times.2 optical fiber couplers are arranged in parallel and used, as shown in FIG.
また、他の2×2カプラーとして、基板に所定の形状で
2本の導波路を形成し、この導波路により分岐結合部を
構成した基板導波路型カプラーもある。この基板導波路
型カプラーの場合は、基板の中央部に2本の導波路が相
互に近接して形成された分岐結合部が設けられており、
基板の端面にはこの分岐結合部に連絡した導波路の端部
が配置されている。この基板導波路型カプラーにおいて
は、信号光を入出力するための光ファイバは、直接又は
コネクタを介して基板に接続される。Further, as another 2×2 coupler, there is also a substrate waveguide type coupler in which two waveguides are formed in a predetermined shape on a substrate and a branching coupling portion is formed by the waveguides. In the case of this substrate waveguide type coupler, a branching coupling part in which two waveguides are formed close to each other is provided in the center of the substrate.
An end portion of a waveguide connected to this branching coupling portion is arranged on the end surface of the substrate. In this substrate waveguide coupler, an optical fiber for inputting and outputting signal light is connected to the substrate directly or via a connector.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来のカプラーには以下に示す問題点が
ある。[Problems to be Solved by the Invention] However, conventional couplers have the following problems.
光フアイバカプラーの場合は、信号の分岐比及び波長の
均−性等は良好であるものの、複数の信号光を一括して
分岐結合しようとすると、形状が大きくなるという欠点
がある。また、基板導波路型カプラーの場合は、分岐結
合部の形状、大きさ及び分岐特性は十分であるものの、
この分岐結合部を並列に集積化しようとすると、同一平
面上で導波路が交差する。このため、交差部において光
が散乱し、漏話の虞れが発生すると共に、伝送損失が大
きくなるという不都合が発生する。特に、導波路の交差
角を小さくすると、導波路基板が大型化してしまうと共
に、導波路間の結合が強くなり、損失及び漏話が大きく
なる。In the case of an optical fiber coupler, although the signal branching ratio and wavelength uniformity are good, when attempting to branch and couple a plurality of signal lights at once, it has the disadvantage that the shape becomes large. In addition, in the case of a substrate waveguide type coupler, although the shape, size, and branching characteristics of the branching coupling part are sufficient,
When attempting to integrate these branching and coupling sections in parallel, the waveguides intersect on the same plane. Therefore, light is scattered at the intersection, causing a risk of crosstalk and increasing transmission loss. In particular, if the crossing angle of the waveguides is made small, the waveguide substrate becomes large and the coupling between the waveguides becomes strong, resulting in increased loss and crosstalk.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
小型であると共に導波路が交差する部分がなく、伝送損
失が小さい光導波路型カプラーを提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of such problems, and includes:
It is an object of the present invention to provide an optical waveguide type coupler which is small in size, has no intersection of waveguides, and has low transmission loss.
[課題を解決するための手段]
本発明に係る先導波路型カプラーは、基板と、この基板
に設けられた複数本の第1の導波路と、前記基板に前記
第1の導波路に交差することなく設けられた複数本の第
2の導波路とを有し、前記第1及び第2の導波路はその
一部で基板表面に実質的に垂直の方向の光結合部を構成
していることを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A leading waveguide coupler according to the present invention includes a substrate, a plurality of first waveguides provided on the substrate, and a plurality of first waveguides intersecting the first waveguides on the substrate. and a plurality of second waveguides provided without any interference, and a portion of the first and second waveguides constitutes an optical coupling section in a direction substantially perpendicular to the substrate surface. It is characterized by
[作用コ
本発明においては、基板に第1及び第2の導波路が設け
られており、この第1及び第2の導波路はその一部で基
板表面に実質的に垂直の方向の光゛結合部を構成してい
る。そして、この第1及び第2の導波路は、交差するこ
となく基板の表面に垂直の方向に離隔して形成されてい
る。これにより、第1及び第2の導波路は、前記光結合
部以外の部分で結合が発生する虞れがない。従って、本
発明に係る光導波路型カプラーは、伝送損失が小さい。[Function] In the present invention, the substrate is provided with first and second waveguides, and a portion of the first and second waveguides conducts light in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate. It constitutes a connecting part. The first and second waveguides are formed apart from each other in a direction perpendicular to the surface of the substrate without intersecting each other. Thereby, there is no possibility that coupling will occur in the first and second waveguides at a portion other than the optical coupling portion. Therefore, the optical waveguide coupler according to the present invention has low transmission loss.
また、平面視における第1及び第2の導波路のなす角度
(双方の導波路の分岐角度の和)を小さく設定でき、小
型化が可能である。Further, the angle formed by the first and second waveguides in plan view (the sum of the branching angles of both waveguides) can be set small, and miniaturization is possible.
なお、分岐角度とは、平面視における分岐結合部の導波
路の延長線と、分岐結合部から基板端部までの導波路と
のなす角度をいう。Note that the branching angle refers to the angle formed between the extension line of the waveguide of the branching coupling part and the waveguide from the branching coupling part to the end of the substrate in plan view.
[実施例コ
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。[Embodiments] Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第1図は本発明の実施例に係る光導波路型カプラーを示
す平面図、第2図は同じくその側面図である。FIG. 1 is a plan view showing an optical waveguide type coupler according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view thereof.
基板1には複数本(図では4本)の第1の導波路2が形
成されており、この第1の導波路2の上方には複数本(
図では4本)の第2の導波路3が形成されている。また
、基板1の中央部においては、第1の導波路2と第2の
導波路3とが基板1の厚さ方向に近接して配列されてお
り、この部分が分岐結合部4になっている。そして、基
板1の対向する2端面において、第1の導波路2の端部
は一方の側部側にまとめて配置されており、第2の導波
路3の端部は他方の側部側にまとめて配置されている。A plurality of first waveguides 2 (four in the figure) are formed on the substrate 1, and a plurality of first waveguides 2 (four in the figure) are formed above the first waveguides 2.
In the figure, four (4) second waveguides 3 are formed. Furthermore, in the center of the substrate 1, a first waveguide 2 and a second waveguide 3 are arranged close to each other in the thickness direction of the substrate 1, and this portion becomes a branching coupling portion 4. There is. In the two opposing end surfaces of the substrate 1, the ends of the first waveguides 2 are arranged together on one side, and the ends of the second waveguides 3 are arranged on the other side. They are placed together.
また、第1の導波路2及び第2の導波路3は、この基板
端面において、光ファイバ6と接合されるようになって
いる。Further, the first waveguide 2 and the second waveguide 3 are connected to the optical fiber 6 at the end surface of this substrate.
なお、光ファイバ6と基板1とは直接接合されていても
よく、第1図に示すように、コネクタ5を介して接合さ
れていてもよい。また、分岐結合部4は、基板1の長手
方向に複数組形成してもよい。更に、分岐結合部4から
コネクタ5までの間の第1及び第2の導波路は、所謂曲
がり導波路である。Note that the optical fiber 6 and the substrate 1 may be directly connected, or may be connected via a connector 5 as shown in FIG. Further, a plurality of sets of branch coupling portions 4 may be formed in the longitudinal direction of the substrate 1. Furthermore, the first and second waveguides between the branch coupling section 4 and the connector 5 are so-called curved waveguides.
導波路2,3は火炎気相堆積法、減圧CVD法及びプラ
ズマCVD法等の気相成長法並びにガラスのイオン交換
法等により形成することができる。The waveguides 2 and 3 can be formed by a flame vapor deposition method, a vapor phase growth method such as a low pressure CVD method or a plasma CVD method, a glass ion exchange method, or the like.
気相成長法により導波路を形成する場合は、金属シリコ
ン又は石英等からなる基板を使用する。そして、この基
板上にS i 02−G e On /5i02、Si
O2Pz’Os/5iC)2、S 1o2−s i3N
4 /S i02等の石英系ガラスを形成する。一方、
イオン交換法により導波路を形成する場合は、光学ガラ
ス基板を使用して、この基板中のNaをAgイオンに交
換する等の方法を施し、基板の屈折率を選択的に向上さ
せる。When forming a waveguide by vapor phase growth, a substrate made of metal silicon, quartz, or the like is used. Then, on this substrate, Si02-GeOn/5i02, Si
O2Pz'Os/5iC)2, S 1o2-s i3N
A quartz glass such as 4/S i02 is formed. on the other hand,
When forming a waveguide by an ion exchange method, an optical glass substrate is used and a method such as exchanging Na in the substrate with Ag ions is performed to selectively improve the refractive index of the substrate.
なお、ガラス基板の屈折率は、導波路部分で約0.3乃
至0.7%である。また、導波路2,3の屈曲径は、屈
折率差にもよるが、20乃至40mmとする。Note that the refractive index of the glass substrate is approximately 0.3 to 0.7% in the waveguide portion. Further, the bending diameter of the waveguides 2 and 3 is set to 20 to 40 mm, although it depends on the refractive index difference.
−射的に、基板に設けられた導波路をコネクタを介して
光ファイバに接続する場合は、基板及び□コネクタのい
ずれか一方に嵌合ピンを配設し、他方にピンが嵌合する
孔を設けて、常に両者が正確な位置で接続できるように
している。本実施例においても、コネクタ5を介して導
波路2,3と光ファイバ6とを接続する場合は、嵌合ピ
ンを使用することが好ましい。- When optically connecting a waveguide provided on a board to an optical fiber via a connector, a mating pin is provided on either the board or the □ connector, and a hole into which the pin fits is provided on the other. to ensure that both sides are always connected in the correct position. Also in this embodiment, when connecting the waveguides 2 and 3 and the optical fiber 6 via the connector 5, it is preferable to use a fitting pin.
本実施例においては、同一平面上で第1及び第2の導波
路2,3が交差しないため、伝送損失が小さいと共に、
導波路2,3間の結合を回避できる。また、平面視にお
ける第1及び第2の導波路2.3のなす角度(分岐角度
の和)を小さく設定でき、小型化が可能である。In this embodiment, since the first and second waveguides 2 and 3 do not intersect on the same plane, the transmission loss is small, and
Coupling between the waveguides 2 and 3 can be avoided. Furthermore, the angle formed by the first and second waveguides 2.3 (sum of branching angles) in plan view can be set small, and miniaturization is possible.
次に、本実施例に係る先導波路型カプラーの製造方法に
ついて説明する。Next, a method for manufacturing the leading waveguide coupler according to this embodiment will be described.
先ず、基板1上にリッジ状の第1の導波路2を選択的に
形成する。次に、全面にクラッドガラスを被覆して、第
1の導波路2をこのクラッドガラスにより埋め込む。次
に、このクラッドガラス上にリッジ状の第2の導波路3
を選択的に形成する。First, a ridge-shaped first waveguide 2 is selectively formed on a substrate 1. Next, the entire surface is covered with clad glass, and the first waveguide 2 is embedded in this clad glass. Next, a ridge-shaped second waveguide 3 is formed on this clad glass.
selectively formed.
次いで、全面にクラッドガラスを被覆して、この第2の
導波路3をクラッドガラスにより埋め込む。Next, the entire surface is covered with clad glass, and this second waveguide 3 is embedded in the clad glass.
これにより、全埋込型導波路が形成できる。This allows a fully buried waveguide to be formed.
なお、2つの基板に夫々第1及び第2の導波路を所定の
パターンで形成し、この基板をオプティカルコンタクト
、接着剤結合又は機械的結合により結合することにより
、光導波路型カプラーを製造してもよい。この場合には
、第1及び第2の導波路間の分岐比を一定にするために
は、平面視における第1及び第2の導波路の分岐角度を
小さく設定して散乱等の影響を少なくすることが好まし
い。分岐角度が7°を超えると、損失が急激に増大する
。従って、分岐角度は7°以下に設定する。Note that an optical waveguide type coupler can be manufactured by forming first and second waveguides in a predetermined pattern on two substrates, respectively, and coupling the substrates by optical contact, adhesive bonding, or mechanical bonding. Good too. In this case, in order to keep the branching ratio between the first and second waveguides constant, the branching angle of the first and second waveguides in plan view should be set small to reduce the effects of scattering, etc. It is preferable to do so. When the branching angle exceeds 7°, the loss increases rapidly. Therefore, the branching angle is set to 7° or less.
次に、本発明の実施例に係る光導波路型カプラーを実際
に製造し、その特性を調べた結果について説明する。Next, the results of actually manufacturing an optical waveguide type coupler according to an example of the present invention and investigating its characteristics will be explained.
先ず、厚さが1mmの金属シリコン基板の表面を熱酸化
させて、基板表面にシリコン酸化膜を約5μmの厚さに
成長させた。次に、減圧CVD法を使用して、このシリ
コン酸化膜上に約8μmの厚さで屈折率差が0.35%
の5iO3−P2O5膜を形成した。この減圧CVD法
における温度条件は400℃である。First, the surface of a metal silicon substrate having a thickness of 1 mm was thermally oxidized to grow a silicon oxide film to a thickness of about 5 μm on the surface of the substrate. Next, using a low pressure CVD method, a refractive index difference of 0.35% is formed on this silicon oxide film with a thickness of about 8 μm.
A 5iO3-P2O5 film was formed. The temperature condition in this reduced pressure CVD method is 400°C.
次に、このS i02−P20+s膜を選択的にエツチ
ングして、2%2分岐合流形状が4本並列に形成される
よう成形した後、温度が1000℃のアルゴン雰囲気中
でアニール処理を施した。これにより、リッジ型の第1
の導波路を得た。この場合に、導波路の屈曲径は40m
mである。Next, this Si02-P20+s film was selectively etched and molded to form four 2% 2-branch confluence shapes in parallel, and then annealed in an argon atmosphere at a temperature of 1000°C. . This allows the ridge-type first
A waveguide was obtained. In this case, the bending diameter of the waveguide is 40 m.
It is m.
次に、減圧CVD法を使用して、第1の導波路間を屈折
率差が0.03%のSiO2P2O5膜で埋め込むと共
に、第1の導波路上に5iO3−P2 C)を膜を3μ
mの厚さで形成した。この8102 P205膜はク
ラッドとして作用する。Next, using a low-pressure CVD method, a SiO2P2O5 film with a refractive index difference of 0.03% is embedded between the first waveguides, and a 5iO3-P2C) film with a thickness of 3 μm is placed on the first waveguide.
It was formed with a thickness of m. This 8102 P205 film acts as a cladding.
次に、減圧CVD法を使用して、全面に屈折率差が0.
35%ノS j 02 P205膜を8μmの厚さで
形成した。この場合に、CVD法の温度条件は400℃
である。Next, a low-pressure CVD method is used to create a refractive index difference of 0.
A 35% S j 02 P205 film was formed to a thickness of 8 μm. In this case, the temperature condition for the CVD method is 400°C.
It is.
次に、このS i 02 P205膜を選択的にエツ
チングして、2%2分岐合流形状が4本並行して形成さ
れるように成形した後、温度力月000℃のアルゴン雰
囲気中でアニール処理を施した。これにより、リッジ型
の第2の導波路を得た。この場合の導波路の屈曲径は4
0mmである。Next, this S i 02 P205 film was selectively etched to form four 2% bifurcated merging shapes in parallel, and then annealed in an argon atmosphere at a temperature of 000°C. was applied. As a result, a ridge-type second waveguide was obtained. The bending diameter of the waveguide in this case is 4
It is 0mm.
次いで、減圧CVD法を使用して、第2の導波路間を屈
折率差が0.03%の5tO2−P2O5膜で埋め込ん
だ。このようにして、4個の2%2分岐結合素子が集積
化された先導波路型カプラーを製造した。Next, using a low pressure CVD method, a 5tO2-P2O5 film having a refractive index difference of 0.03% was filled between the second waveguides. In this way, a leading waveguide coupler in which four 2% 2-branch coupling elements were integrated was manufactured.
この光導波路型カプラーの入出力部での光ファイバとの
結合損失は約0.3dBであった。また、この結合損失
を含めた付加的に生じる全損失は0.9dBであった。The coupling loss with the optical fiber at the input/output section of this optical waveguide type coupler was about 0.3 dB. Further, the total additional loss including this coupling loss was 0.9 dB.
本実施例においては、導波路部の大きさは幅カ月Ono
++であり、長さが30mmと小型化することができた
。In this example, the size of the waveguide section is approximately
++, and the length could be reduced to 30 mm.
光ファイバは4連のモールドコネクタを使用して、カプ
ラーと結合した。そして、実際に1本づつファイバの付
加損失を測定した。その結果、ファイバの付加損失は0
.8乃至0.9dBと低かった。The optical fiber was coupled to the coupler using a quadruple molded connector. Then, the additional loss of each fiber was actually measured. As a result, the additional loss of the fiber is 0
.. It was as low as 8 to 0.9 dB.
次に、他の方法により本発明の実施例に係る光導波路型
カプラーを製造し、その特性を調べた結果について説明
する。Next, the results of manufacturing an optical waveguide coupler according to an example of the present invention using another method and investigating its characteristics will be described.
先ず、厚さが1mmの金属シリコン基板を2枚用意し、
各基板の両端部を約109mだけ研磨して低くした。そ
して、この研磨部分と中央部分との間がなだらかになる
ように、イオンエツチングを施した。First, prepare two metal silicon substrates with a thickness of 1 mm,
Both ends of each substrate were polished down by approximately 109 m. Then, ion etching was performed so that the gap between this polished part and the central part was smooth.
次に、金属シリコン基板の表面を熱酸化させて、シリコ
ン酸化膜を5μmの厚さに成長させた。次に、減圧CV
D法を使用して、このシリコン酸化膜上ニ屈折率差カ0
.13%?7) S 102− P 205膜を10μ
mの厚さで形成した。この減圧CVD法における温度条
件は400℃である。次に、このS i 02−P20
5膜を2膜2分岐合流形状が4本並列に形成される形状
に選択的にエツチングした後、温度が1000℃のアル
ゴン雰囲気中でアニール処理を施した。これにより、屈
曲径が30mmaD曲がり導波路を得た。次に、減圧C
VD法により、SiO2膜を4μmの厚さにクラッドと
して形成した。Next, the surface of the metal silicon substrate was thermally oxidized to grow a silicon oxide film to a thickness of 5 μm. Next, reduced pressure CV
Using the D method, the refractive index difference on this silicon oxide film is 0.
.. 13%? 7) S102-P205 membrane 10μ
It was formed with a thickness of m. The temperature condition in this reduced pressure CVD method is 400°C. Next, this S i 02-P20
After selectively etching the 5 films into a shape in which four 2-film, 2-branch, merging shapes were formed in parallel, annealing treatment was performed in an argon atmosphere at a temperature of 1000°C. As a result, a bent waveguide with a bending diameter of 30 mm was obtained. Next, the reduced pressure C
A SiO2 film was formed as a cladding to a thickness of 4 μm by the VD method.
この曲がり導波路の入出力部での光ファイバとの結合損
失は約0.3dBであった。この結合損失を含めた付加
的に生じる全損失は0.9dBであった。The coupling loss with the optical fiber at the input/output portion of this curved waveguide was approximately 0.3 dB. The total additional loss including this coupling loss was 0.9 dB.
このようにして形成した曲がり導波路を有する2枚の基
板を機械的に位置合わせした後、2枚の基板をマツチン
グオイルで固定した。このようにして、4個の2膜2分
岐結合素子集積化された先導波路型カプラーを得た。こ
のカプラーの導波路部は、幅が10mmであり、長さが
3011+II+と小型のものであった。After the two substrates having the curved waveguide thus formed were mechanically aligned, the two substrates were fixed using matching oil. In this way, a leading waveguide coupler in which four two-film two-branch coupling elements were integrated was obtained. The waveguide portion of this coupler was small, with a width of 10 mm and a length of 3011+II+.
光ファイバはコネクタを使用しないで、直接シリコンを
使用した固定治具により固定し、導波路に直接結合した
。このファイバの付加損失を1本づつ測定したところ、
各ファイバの付加損失は0.5乃至0.EidBであっ
た。The optical fiber was directly fixed with a fixing jig made of silicon and directly coupled to the waveguide without using a connector. When we measured the additional loss of this fiber one by one, we found that
The additional loss of each fiber is between 0.5 and 0. It was EidB.
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、基板に第1及び第
2の導波路が交差することなく設けられており、この第
1及び第2の導波路はその一部で基板表面に実質的に垂
直の方向の光結合部を構成しているから、第1及び第2
の導波路は前記完結合部以外の部分において結合するこ
とがない。このため、本発明に係る光導波路型カプラー
は、伝送損失が小さいと共に、平面視における第1及び
第2の導波路のなす角度(分岐角度の和)を小さくする
ことができ、小型化が可能である。また、複数の信号光
を分岐結合するカプラーを容易に得ることができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the first and second waveguides are provided on the substrate without intersecting each other, and the first and second waveguides are part of the substrate. Since the optical coupling part is formed in a direction substantially perpendicular to the substrate surface,
The waveguides are not coupled at any portion other than the complete coupling portion. Therefore, the optical waveguide coupler according to the present invention has low transmission loss, and the angle formed by the first and second waveguides (sum of branching angles) in plan view can be made small, allowing miniaturization. It is. Furthermore, a coupler that branches and couples a plurality of signal lights can be easily obtained.
第1図は本発明の実施例に係る光導波路型カプラーを示
す平面図、第2図は同じくその側面図、第3図は従来の
2×2カプラーを示す斜視図である。FIG. 1 is a plan view showing an optical waveguide type coupler according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view thereof, and FIG. 3 is a perspective view showing a conventional 2×2 coupler.
Claims (1)
波路と、前記基板に前記第1の導波路に交差することな
く設けられた複数本の第2の導波路とを有し、前記第1
及び第2の導波路はその一部で基板表面に実質的に垂直
の方向の光結合部を構成していることを特徴とする光導
波路型カプラー。(1) It has a substrate, a plurality of first waveguides provided on the substrate, and a plurality of second waveguides provided on the substrate without intersecting the first waveguides. and the first
and an optical waveguide type coupler, wherein a portion of the second waveguide constitutes an optical coupling portion in a direction substantially perpendicular to the substrate surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28540590A JPH04158309A (en) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | Light wave guide path type coupler |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28540590A JPH04158309A (en) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | Light wave guide path type coupler |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04158309A true JPH04158309A (en) | 1992-06-01 |
Family
ID=17691098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28540590A Pending JPH04158309A (en) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | Light wave guide path type coupler |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04158309A (en) |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28540590A patent/JPH04158309A/en active Pending
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