JPH041581B2 - - Google Patents

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JPH041581B2
JPH041581B2 JP57144788A JP14478882A JPH041581B2 JP H041581 B2 JPH041581 B2 JP H041581B2 JP 57144788 A JP57144788 A JP 57144788A JP 14478882 A JP14478882 A JP 14478882A JP H041581 B2 JPH041581 B2 JP H041581B2
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JP
Japan
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capacitor
thyristor
turn
switch
gate
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JP57144788A
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JPS5935561A (en
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Yutaka Kawamura
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Toyo Electric Manufacturing Ltd
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Toyo Electric Manufacturing Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5935561A publication Critical patent/JPS5935561A/en
Publication of JPH041581B2 publication Critical patent/JPH041581B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/06Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はゲートターンオフサイリスタや静電誘
導サイリスタ等の自己消弧形サイリスタの制御機
能特に格別なターンオフ機能が具備される制御装
置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a control device having a control function, particularly a special turn-off function, for a self-extinguishing thyristor such as a gate turn-off thyristor or an electrostatic induction thyristor.

従来自己消弧サイリスタとしてゲートターンオ
フサイリスタ(以下GTOサイリスタと称する)
が慣用されているところであり、さらには新しい
タイプとして静電誘導サイリスタ(以下SIサイリ
スタ)が知られている。このSIサイリスタは、
GTOサイリスタと同様に通電中の素子のカソー
ド、ゲート間に逆バイアス電圧を印加することに
より素子をターンオフさせることができる。ま
た、これのターンオフに関してはGTOサイリス
タと同様にゲート、カソード間に順バイアスを印
加する必要のあるノーマリーオフ形とゲート、カ
ソード間の逆バイアスを除くだけでオンするノー
マリーオン形の2種類がある。いずれもスイツチ
ング時間が極めて早いのが特長で高耐圧化が容易
なことと合わせ、高周波用、大電力用のスイツチ
ング素子として有望視されている。
Gate turn-off thyristor (hereinafter referred to as GTO thyristor) is a conventional self-extinguishing thyristor.
The electrostatic induction thyristor (hereinafter referred to as SI thyristor) is known as a new type. This SI thyristor is
Similar to GTO thyristors, the device can be turned off by applying a reverse bias voltage between the cathode and gate of the current-carrying device. Regarding turn-off, there are two types: normally-off type, which requires forward bias to be applied between the gate and cathode like GTO thyristors, and normally-on type, which turns on simply by removing reverse bias between gate and cathode. There is. All of them are characterized by extremely fast switching times, and combined with the fact that they can easily be made to withstand high voltages, they are viewed as promising switching elements for high frequency and high power applications.

つぎに、GTOサイリスタまたはSIサイリスタ
を用いた直流スイツチ回路の代表例を第1図に示
す。
Next, FIG. 1 shows a typical example of a DC switch circuit using a GTO thyristor or SI thyristor.

第1図はノーマリーオフ形SIサイリスタを採用
した直流スイツチ回路の構成例を示すものであ
り、1はSIサイリスタ、2は主電源、3は抵抗、
4はスイツチで、5,12はコンデンサ、6は抵
抗、7,13はダイオード、8はターンオン用ス
イツチ、9はターンオフ用スイツチ、10,11
は電源である。
Figure 1 shows an example of the configuration of a DC switch circuit using a normally-off type SI thyristor, where 1 is the SI thyristor, 2 is the main power supply, 3 is the resistor,
4 is a switch, 5 and 12 are capacitors, 6 is a resistor, 7 and 13 are diodes, 8 is a turn-on switch, 9 is a turn-off switch, 10 and 11
is the power source.

すなわち、かくの如きSIサイリスタを用いた回
路構成を動作させる場合には次のように行われ
る。ここに、理解を容易にするため第1図に示す
回路の各部波形の状態を表すタイムチヤートを第
2図a,bに示す。なお、T1はターンオン用ス
イツチ8がオンした時刻、T2はターンオフ用ス
イツチ9がオンした時刻である。
That is, when operating a circuit configuration using such an SI thyristor, it is performed as follows. To facilitate understanding, time charts showing the state of waveforms at various parts of the circuit shown in FIG. 1 are shown in FIGS. 2a and 2b. Note that T1 is the time when the turn-on switch 8 is turned on, and T2 is the time when the turn-off switch 9 is turned on.

さて、第1図において、ターンオン用スイツチ
8をオフした状態でターンオフ用スイツチ9を閉
じ、電源11の電圧E2をダイオード13を通し
てSIサイリスタ1のカソード、ゲート間に印加し
ておくに、スイツチ4を閉じると、主電源2の電
圧ESが抵抗3を通してSIサイリスタ1のアノー
ド、カソード間に印加されるため、コンデンサ5
がダイオード7を介し充電されて主電源2電圧に
等しくなる。ここで、SIサイリスタ1をターンオ
ンさせる場合はターンオフ用スイツチ9をオフし
てターンオン用スイツチ8をオンさせる。する
と、電源10→ターンオン用スイツチ8→コンデ
ンサ12→SIサイリスタ1(ゲート電極〜カソー
ド電極)→電源10の経路で閉回路が形成され、
コンデンサ12の充電電流が流れてSIサイリスタ
1を導通させることができる。このときコンデン
サ12は図示の極性で電源10の電圧E1に充電
される。そして、SIサイリスタ1がオンすること
によりコンデンサ5に充電されていた電荷は抵抗
6を経由して放電され、そのエネルギーは抵抗6
によつて消費されて熱に変るものとなる。
Now, in FIG. 1, the turn-on switch 8 is turned off, the turn-off switch 9 is closed, and the voltage E 2 of the power supply 11 is applied between the cathode and gate of the SI thyristor 1 through the diode 13. When the capacitor 5 is closed, the voltage E S of the main power supply 2 is applied between the anode and cathode of the SI thyristor 1 through the resistor 3.
is charged through the diode 7 and becomes equal to the main power supply 2 voltage. Here, when turning on the SI thyristor 1, the turn-off switch 9 is turned off and the turn-on switch 8 is turned on. Then, a closed circuit is formed in the path of power supply 10 → turn-on switch 8 → capacitor 12 → SI thyristor 1 (gate electrode - cathode electrode) → power supply 10,
The charging current of the capacitor 12 flows to make the SI thyristor 1 conductive. At this time, the capacitor 12 is charged to the voltage E 1 of the power supply 10 with the polarity shown. When the SI thyristor 1 turns on, the electric charge stored in the capacitor 5 is discharged via the resistor 6, and the energy is transferred to the resistor 6.
is consumed and converted into heat.

また、通電中のSIサイリスタ1をターンオフさ
せるにはターンオン用スイツチ8をオフしてター
ンオフ用スイツチ9をオンさせる。このときSIサ
イリスタ1のゲートには、電源11→SIサイリス
タ1(カソード電極〜ゲート電極)→コンデンサ
12→ターンオフ用スイツチ9→電源11の経路
により、電源11の電圧E2とコンデンサ12の
電圧VCが加算されて印加され、SIサイリスタ1
の内部の過剰キヤリアがゲート逆電流としてゲー
ト電極より掃き出されてSIサイリスタ1は急激に
オフする。その結果、コンデンサ5は再び主電源
2の電圧ESまで充電されてSIサイリスタ1の非導
通の回路状態を保つものとなる。
Further, in order to turn off the SI thyristor 1 while it is energized, the turn-on switch 8 is turned off and the turn-off switch 9 is turned on. At this time, the voltage E 2 of the power supply 11 and the voltage V of the capacitor 12 are applied to the gate of the SI thyristor 1 through the path of the power supply 11 → SI thyristor 1 (cathode electrode to gate electrode) → capacitor 12 → turn-off switch 9 → power supply 11. C is added and applied, SI thyristor 1
Excess carriers inside the SI thyristor 1 are swept out from the gate electrode as a gate reverse current, and the SI thyristor 1 is suddenly turned off. As a result, the capacitor 5 is charged again to the voltage E S of the main power supply 2, and the SI thyristor 1 is maintained in a non-conducting circuit state.

かようにして、自己消弧形サイリスタはゲート
電流の制御より主電流ITをオン・オフすることが
可能であつて効用されるものであるが、そのゲー
ト回路部の回路構成の方法、特にターンオフ時の
ゲート電流の引出し方が難しいという欠点があつ
た。これは、ある値の主電流ITをしや断するため
には一定量以上例えばGTOサイリスタで約
(IT/5)、SIサイリスタではそれ以上のゲート逆
電流を流す必要があり、しかも素子内部で発生す
るホツトスポツトの影響を少なくするために立上
りの速い特性が要求されるからである。そして、
この点は素子の大容量化が進むにつれて解決が難
しいものとなる。またターンオン時に発生するコ
ンデンサ5の放電に関しても問題であり、前述し
た如くコンデンサ5に蓄えられたエネルギーは抵
抗6によつて熱エネルギーとなり放散されるので
あるが、素子の高速化が進みあるいはスイツチン
グ周波数が高くなるにつれて抵抗部容量も大きく
する必要がある。
In this way, self-extinguishing thyristors are useful because they can turn on and off the main current I T by controlling the gate current, but the method of circuit configuration of the gate circuit section, especially The drawback was that it was difficult to extract the gate current at turn-off. This means that in order to cut off a certain value of main current I T , it is necessary to flow a gate reverse current of more than a certain amount, for example, about (I T /5) in a GTO thyristor, and more than that in an SI thyristor. This is because a fast rise characteristic is required to reduce the influence of internally generated hot spots. and,
This problem becomes more difficult to solve as the capacity of devices increases. There is also a problem with the discharge of the capacitor 5 that occurs at turn-on, and as mentioned above, the energy stored in the capacitor 5 becomes thermal energy and is dissipated by the resistor 6. As the resistance becomes higher, the capacitance of the resistor part must also be increased.

本発明は上述したような問題点を解消するため
なされたもので、前記コンデンサに蓄積された電
荷を有効に他に移しターンオフ時の過剰キヤリア
の掃き出しに活用する如く効用せしめた制御装置
を提供するものである。以下本発明を図面に基づ
いて説明する。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a control device that effectively transfers the charge accumulated in the capacitor and utilizes it to sweep out excess carrier at turn-off. It is something. The present invention will be explained below based on the drawings.

第3図と第4図は本発明の技術思想を説明する
ため示した動作原理説明図とその各部波形の状態
を表すタイムチヤートであり、14,15,17
はコンデンサ、16はダイオード、18は抵抗で
ある。図中第1図と同符号のものは同じ機能を有
する部分を示す。ここに、第4図は第2図に準拠
してターンオン用スイツチ8およびターンオン用
スイツチ9のオンによる波形の時間的推移を示し
ている。
3 and 4 are diagrams for explaining the operating principle shown to explain the technical idea of the present invention and time charts showing the state of waveforms of each part, and are 14, 15, 17.
is a capacitor, 16 is a diode, and 18 is a resistor. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate parts having the same function. Here, FIG. 4 shows the temporal transition of the waveform due to the turn-on of the turn-on switch 8 and the turn-on switch 9 based on FIG. 2.

すなわち、第3図aに示される回路構成におい
て、まずターンオン用スイツチ8とターンオフ用
スイツチ9をオフさせてスイツチ4をオンさせる
ことにより主電源2の電圧ESをSIサイリスタ1の
アノード、カソード間に印加すると、コンデンサ
14はダイオード16を通して電圧ESにまで充電
される。つぎにターンオン用スイツチ8をオンさ
せると、抵抗18を経由してコンデンサ17が充
電され、コンデンサ17の電圧が増加してSIサイ
リスタ1のゲート、カソード間の電圧VGKが正バ
イアスされた時点でSIサイリスタ1を導通させる
ことができる。これより、コンデンサ14→SIサ
イリスタ1(アノード電極〜カソード電極)→コ
ンデンサ15→コンデンサ14よりなる閉回路が
形成され、コンデンサ14の放電電流が通流され
る。これは第3図bの如くである。したがつて、
コンデンサ15は図示のような極性に充電される
ものとなり、さらには放電後のコンデンサ14の
電圧VSC1はコンデンサ15の電圧VSC2と等しくな
りその値は(1)式で表される。ただし、C1、C2
コンデンサ14,15の容量(μF)である。
That is, in the circuit configuration shown in FIG. 3a, by first turning off the turn-on switch 8 and the turn-off switch 9 and turning on the switch 4, the voltage E S of the main power supply 2 is applied between the anode and cathode of the SI thyristor 1. , capacitor 14 is charged through diode 16 to voltage E S . Next, when the turn-on switch 8 is turned on, the capacitor 17 is charged via the resistor 18, the voltage of the capacitor 17 increases, and the voltage V GK between the gate and cathode of the SI thyristor 1 becomes positively biased. The SI thyristor 1 can be made conductive. As a result, a closed circuit consisting of capacitor 14 -> SI thyristor 1 (anode electrode to cathode electrode) -> capacitor 15 -> capacitor 14 is formed, and the discharge current of capacitor 14 is passed through. This is as shown in Figure 3b. Therefore,
The capacitor 15 is charged with the polarity shown, and the voltage V SC1 of the capacitor 14 after discharge is equal to the voltage V SC2 of the capacitor 15, and its value is expressed by equation (1). However, C 1 and C 2 are the capacitances (μF) of the capacitors 14 and 15.

VSC2=ES・(C1/C1+C2) ……(1) そして、かような関係の各部波形は第4図aのよ
うに示される。
V SC2 = E S ·(C 1 /C 1 +C 2 )...(1) The waveforms of each part of this relationship are shown as shown in FIG. 4a.

さらに、ターンオン用スイツチ8をオフしてタ
ーンオフ用スイツチ9をオンさせると、第3図c
にて一点鎖線に示す如くコンデンサ15→SIサイ
リスタ1(カソード電極〜ゲート電極)→ターン
オフ用スイツチ9→コンデンサ15の閉回路が形
成され、SIサイリスタ1のゲートに逆電流が流れ
てSIサイリスタ1はターンオフを開始する。この
ときSIサイリスタ1の過剰キヤリアが掃き出さ
れ、SIサイリスタ1のカソード、ゲート間の逆電
圧が回復するに、コンデンサ17が第3図cにて
二点鎖線で表される如く図示の極性でコンデンサ
15と等しい電圧になるまで充電されるものとな
る。そして、SIサイリスタ1のターンオフが進み
アノード、カソード間の電圧が回復し始めると、
第3図dに示す如くに主電源2→抵抗3→スイツ
チ4→コンデンサ14→コンデンサ15→主電源
2の経路で電流が流れるので、このときターンオ
フ用スイツチ9をオフにすればコンデンサ14は
図示の極性に充電され、コンデンサ17には図示
の極性の電荷が残ることによつてSIサイリスタ1
のゲート、カソード間が逆バイアスされるものと
なる。またコンデンサ15の放電が進みその充電
電圧が反転すると、ダイオード16への導通より
コンデンサ14の電圧VSC1は電圧Sにまで充電さ
れて当初の状態に戻るものとなる。これらの関係
の各部波形は第4図bの如くである。
Furthermore, when the turn-on switch 8 is turned off and the turn-off switch 9 is turned on, as shown in FIG.
As shown by the dashed line, a closed circuit of capacitor 15 → SI thyristor 1 (cathode electrode to gate electrode) → turn-off switch 9 → capacitor 15 is formed, and a reverse current flows to the gate of SI thyristor 1, and SI thyristor 1 Begin turn-off. At this time, when the excess carrier of the SI thyristor 1 is swept out and the reverse voltage between the cathode and the gate of the SI thyristor 1 is restored, the capacitor 17 has the polarity shown by the two-dot chain line in Figure 3c. It is charged until the voltage reaches the same voltage as that of the capacitor 15. Then, as the SI thyristor 1 turns off and the voltage between the anode and cathode begins to recover,
As shown in Figure 3d, current flows through the path of main power supply 2 -> resistor 3 -> switch 4 -> capacitor 14 -> capacitor 15 -> main power supply 2, so if turn-off switch 9 is turned off at this time, capacitor 14 will be turned off (as shown in the figure). Since the capacitor 17 is charged with the polarity shown in the figure, the SI thyristor 1
The gate and cathode of the transistor are reverse biased. Further, when the capacitor 15 is discharged and its charging voltage is reversed, the voltage V SC1 of the capacitor 14 is charged to the voltage S due to conduction to the diode 16, and returns to the original state. The waveforms of each part of these relationships are as shown in FIG. 4b.

したがつて、かかる技術思想によるものは、タ
ーンオフ時にスナバーコンデンサ14に蓄えられ
た電荷が次のターンオフ時に素子の過剰キヤリア
の掃き出しに利用され、従来方式に比べてターン
オフ時にゲート制後回路部で必要とされるパワー
が少なくすみ、さらにターンオフ時にスナバ抵抗
部分で消費されていたコンデンサ電荷を有効に他
に移すことによつてスナバ回路部の発熱を効果的
に低減させることができる。つぎに、かくの如き
本発明を具体的な実施例図面を参照して詳述す
る。
Therefore, in the technology based on this technical idea, the charge stored in the snubber capacitor 14 at turn-off is used to sweep out excess carriers of the element at the next turn-off, and compared to the conventional method, the charge stored in the snubber capacitor 14 at turn-off is used to sweep away excess carriers from the element, and the amount of charge required in the gate control circuit section at turn-off is reduced compared to the conventional method. In addition, by effectively transferring the capacitor charge consumed in the snubber resistor at turn-off to another location, heat generation in the snubber circuit can be effectively reduced. Next, the present invention will be described in detail with reference to specific embodiment drawings.

第5図は第3図aに類する本発明の一実施例を
示す回路図で、19,20は従来形のサイリスタ
である。図中第3図aと同一符号のものは同じ構
成部分を示す。すなわち、第5図に示す回路にて
第3図aの回路構成のターンオン用スイツチ8と
ターンオフ用スイツチ9がサイリスタ19,20
で構成されてなり、次の機能を有するものであ
る。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention similar to FIG. 3a, in which 19 and 20 are conventional thyristors. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 3a indicate the same components. That is, in the circuit shown in FIG. 5, the turn-on switch 8 and turn-off switch 9 of the circuit configuration of FIG. 3a are replaced by thyristors 19 and 20.
It consists of: and has the following functions:

第5図において、ターンオン時にはサイリスタ
19を図示しないオン信号により導通させてコン
デンサ17を充電させるが、ここでSIサイリスタ
1が導通状態になるとサイリスタ19の順電圧が
零になるためサイリスタ19をオフさせることが
できる。またターンオフ時にはこれも図示しない
オフ信号によりサイリスタ20をオンさせてSIサ
イリスタ1のゲートに逆電流を流すのだが、その
SIサイリスタ1がターンオフしてコンデンサ1
4,15に充電電流が流れ、コンデンサ15の電
荷が放電されるとサイリスタ20に逆バイアスが
印加されるためにこれをオフさせることができ
る。
In FIG. 5, when turning on, the thyristor 19 is made conductive by an on signal (not shown) to charge the capacitor 17, but when the SI thyristor 1 becomes conductive, the forward voltage of the thyristor 19 becomes zero, so the thyristor 19 is turned off. be able to. Also, at turn-off, the thyristor 20 is turned on by an off signal (not shown) and a reverse current flows through the gate of the SI thyristor 1.
SI thyristor 1 turns off and capacitor 1
A charging current flows through the capacitors 4 and 15, and when the charge in the capacitor 15 is discharged, a reverse bias is applied to the thyristor 20, so that it can be turned off.

かくの如き実施例の回路構成のものを、さらに
SIサイリスタのオンの瞬間に流れるスナバコンデ
ンサの放電電流を制限するため、第6図または第
7図に示す如く構成させたものであつてもよい。
すなわち、第6図と第7図は第5図に示されるコ
ンデンサ回路部分の変形例を示す部分接続図であ
り、23,23′は抵抗、24はダイオード、2
5,25′はリアクトルである。図中第5図と同
一符号は同じ機能を有する部分を示す。かように
して、例えば第6図a,bに示す如くコンデンサ
14に直列に抵抗23またはリアクトル25とダ
イオード24からなる並列回路を接続する如き電
流抑制回路を付加したものであり、あるいはコン
デンサ15側に付加したものである。なお、実施
例図面ではコンデンサ15に並列にダイオード1
6を付加したもので示したが、ダイオード16を
除去しても本発明の機能を損うことなく効用でき
ることは明らかであり、さらにはダイオード16
の付加によつてさらに効果が向上して奏されるも
のとなることを付言する。
Further, the circuit configuration of the embodiment as described above is
In order to limit the discharge current of the snubber capacitor flowing at the moment when the SI thyristor is turned on, it may be configured as shown in FIG. 6 or FIG. 7.
That is, FIGS. 6 and 7 are partial connection diagrams showing modifications of the capacitor circuit shown in FIG. 5, in which 23 and 23' are resistors, 24 is a diode, and
5 and 25' are reactors. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 5 indicate parts having the same functions. In this way, for example, as shown in FIGS. 6a and 6b, a current suppressing circuit is added such as connecting a parallel circuit consisting of a resistor 23 or a reactor 25 and a diode 24 in series with the capacitor 14, or the capacitor 15 side It is added to. In addition, in the embodiment drawing, a diode 1 is connected in parallel to the capacitor 15.
However, it is clear that even if the diode 16 is removed, the present invention can be effectively used without impairing the function of the present invention.
It should be added that the effect will be further improved by adding the above.

以上説明したように本発明によれば、特にター
ンオフ時のゲートパワーを主回路から供給するよ
うにした格別な制御装置を提供できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide an exceptional control device in which gate power is supplied from the main circuit, especially during turn-off.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図はSIサイリスタを採用した直流
スイツチ回路の構成例を示す回路図、各部波形の
状態を示すタイムチヤート、第3図と第4図は本
発明の技術思想を説明するため示した動作原理図
とその各部波形の状態を示すタイムチヤート、第
5図は本発明の一実施例を示す回路図、第6図、
第7図はコンデンサ回路部分の変形例を示す部分
接続図である。 1……静電誘導サイリスタ(SIサイリスタ)、
2……主電源、5,12,14,15,17……
コンデンサ、7,13,16……ダイオード、8
……ターンオン用スイツチ、9……ターンオフ用
スイツチ、19,20……サイリスタ。
Figures 1 and 2 are circuit diagrams showing a configuration example of a DC switch circuit using SI thyristors, time charts showing waveform states of each part, and Figures 3 and 4 are for explaining the technical idea of the present invention. FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 7 is a partial connection diagram showing a modification of the capacitor circuit portion. 1... Electrostatic induction thyristor (SI thyristor),
2... Main power supply, 5, 12, 14, 15, 17...
Capacitor, 7, 13, 16...Diode, 8
... Turn-on switch, 9... Turn-off switch, 19,20... Thyristor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ゲート端子とカソード端子の間にコンデンサ
を並列接続した自己消弧形サイリスタのアノード
端子に第1のコンデンサの一端を接続し、かつカ
ソード端子に第2のコンデンサの一端とダイオー
ドのカソード端子を接続するとともに、ゲート端
子にターンオフ用スイツチの一端とターンオフ用
スイツチの一端とを共通に接続し、前記第1のコ
ンデンサの他端と第2のコンデンサの他端とダイ
オードのアノード端子とターンオフ用スイツチの
他端とを共通に接続し、前記ターンオン用スイツ
チの他端を抵抗を介して前記自己消弧形サイリス
タのアノード端子に接続して構成した自己消弧形
サイリスタのターンオフ制御回路。
1 Connect one end of the first capacitor to the anode terminal of a self-extinguishing thyristor with a capacitor connected in parallel between the gate terminal and cathode terminal, and connect one end of the second capacitor and the cathode terminal of the diode to the cathode terminal. At the same time, one end of the turn-off switch and one end of the turn-off switch are commonly connected to the gate terminal, and the other end of the first capacitor, the other end of the second capacitor, the anode terminal of the diode, and the turn-off switch are connected in common. and the other end of the turn-on switch is connected to the anode terminal of the self-arc-extinguishing thyristor via a resistor.
JP57144788A 1982-08-23 1982-08-23 Method and device for controlling self-extinguishing type thyristor Granted JPS5935561A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57144788A JPS5935561A (en) 1982-08-23 1982-08-23 Method and device for controlling self-extinguishing type thyristor

Applications Claiming Priority (1)

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JP57144788A JPS5935561A (en) 1982-08-23 1982-08-23 Method and device for controlling self-extinguishing type thyristor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5935561A JPS5935561A (en) 1984-02-27
JPH041581B2 true JPH041581B2 (en) 1992-01-13

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JPS5488057A (en) * 1977-12-26 1979-07-12 Hitachi Ltd Turn-off circuit of gate turn-off thyristor

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