JPH04143679A - Optical magnetic field sensor - Google Patents
Optical magnetic field sensorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気光学素子を用いて電流や磁石などから発
生する磁界を測定する光磁界センサ、特に微弱な磁界及
び微小な磁界の不均一さを検出し得る高感度な光磁界セ
ンサに関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical magnetic field sensor that uses a magneto-optical element to measure a magnetic field generated from an electric current or a magnet, and is particularly applicable to a weak magnetic field and a non-uniform magnetic field. The present invention relates to a highly sensitive optical magnetic field sensor that can detect
一般に光が有する電気絶縁性、無誘導性及び完全防爆性
等の特徴を生かし、光による各種の計測か行われている
。このうち磁気光学素子を用いて行なうものとして光磁
界センサがあるが、第3図は従来のかかる光磁界センサ
の構成例を示しており、図中、l、1−は偏光子で、通
常それらの偏光面は互いに45°傾いている。2は大き
い磁気光学効果(ファラデイ効果)を有している磁性ガ
ーネット膜から成る磁気光学素子、3は該磁気光学素子
2の磁性ガーネット膜の磁区による光回折の影響を除去
するために設けられた集光レンズ、4は光検出器で、上
記磁気光学素子2を透過した測定光の光量を測定するこ
とにより被測定磁界の強度を求めることができる。そし
て、この場合、被測定磁界Hに対応する光検出器4の測
定光量(以下、単に出力という)■は次式で与えられる
。In general, various measurements using light are performed by taking advantage of the characteristics of light, such as electrical insulation, non-induction, and complete explosion-proofness. Among these, there is an optical magnetic field sensor that uses magneto-optical elements, and Fig. 3 shows an example of the configuration of such a conventional optical magnetic field sensor. The planes of polarization of are tilted 45° to each other. 2 is a magneto-optical element made of a magnetic garnet film having a large magneto-optical effect (Faraday effect), and 3 is provided to remove the influence of light diffraction due to the magnetic domains of the magnetic garnet film of the magneto-optical element 2. A condenser lens 4 is a photodetector, and by measuring the amount of measurement light transmitted through the magneto-optical element 2, the intensity of the magnetic field to be measured can be determined. In this case, the measured light amount (hereinafter simply referred to as output) of the photodetector 4 corresponding to the magnetic field to be measured H is given by the following equation.
I=Io(1+H−sin (2θf −d)/Hs)
・・・(1)
但し、Ioは被測定磁界が零のときの出力、θfはファ
ラデイ回転係数、dは上記磁性ガーネット膜の膜厚、H
sは磁性ガーネット膜の飽和のために必要な磁界強度で
ある。従って、被測定磁界がΔHだけ変化したときの上
記出力の変化をΔ■とすると、光磁界センサの感度Δ■
/ΔHは次の(2)式により表される。I=Io(1+H-sin (2θf-d)/Hs)
...(1) However, Io is the output when the magnetic field to be measured is zero, θf is the Faraday rotation coefficient, d is the thickness of the magnetic garnet film, and H
s is the magnetic field strength required to saturate the magnetic garnet film. Therefore, if the change in the above output when the magnetic field to be measured changes by ΔH is Δ■, then the sensitivity of the optical magnetic field sensor Δ■
/ΔH is expressed by the following equation (2).
ΔI/ΔH= I o sin (2θf −d)
/H5・・・ (2)
かかる光磁界センサは、例えば電力分野において送電線
の電流測定や事故区間の判定などで実用化が進んで来て
いるが、ところで、従来の光磁界センサは環境の変化に
対して磁気光学特性が安定していることが要求される。ΔI/ΔH= I o sin (2θf −d)
/H5... (2) Such optical magnetic field sensors are being put into practical use, for example, in the electric power field, for measuring the current of power transmission lines and determining fault zones. The magneto-optical properties are required to be stable against changes.
即ち、(2)式で表される感度が例えば、−20〜+8
0℃の温度範囲で一定していなければならない。上記(
2)式においてその値が温度によって変化するのはθ[
及びHsであり、又、感度の温度変化は磁性ガーネット
膜のみに依存する。尚、電流センサとして用いられる磁
性ガーネット膜の感度sin (2θf−d)/Hsの
上記温度範囲一20〜+80℃における変動率は±2%
程度であるため、実用上一応は問題ない。That is, the sensitivity expressed by equation (2) is, for example, -20 to +8
It must be constant within the temperature range of 0°C. the above(
In equation 2), the value that changes depending on the temperature is θ[
and Hs, and the temperature change in sensitivity depends only on the magnetic garnet film. In addition, the fluctuation rate of the sensitivity sin (2θf-d)/Hs of the magnetic garnet film used as a current sensor in the above temperature range -20 to +80°C is ±2%.
Since it is only a small amount, there is no problem in practical use.
一方、上述した例の電流センサでは、被測定磁界の強度
は数百0e程度、又、それに用いる磁性ガーネット膜の
Hsは10000e程度であるため、その感度sin
(2θ[・d)/H5は、sin (2θf−d)≦1
であることから0.001程度になる。On the other hand, in the current sensor of the above example, the strength of the magnetic field to be measured is about several hundred e, and the Hs of the magnetic garnet film used therein is about 10,000 e, so its sensitivity sin
(2θ[・d)/H5 is sin (2θf-d)≦1
Therefore, it is about 0.001.
ところが、近年のデバイスの多様化に伴い例えば100
e以下の微弱な磁界を検出可能な高感度な光磁界センサ
、即ち微弱な磁界や微小な磁界の不均一さを検出し得る
ことが要求されるようになってきた。この例として永久
磁石の微細な欠陥に起因する微小な磁界の不均一さの検
出等の場合があげられるが、かかる高感度な光磁界セン
サに使用する磁性ガーネット膜の感度は高い程好ましい
(例えば、0.01以上)。そして、磁性ガーネット膜
の感度を高(するためにはそのHsを小さくする必要が
あるが、そのような高感度な磁性ガーネット膜の例とし
て(GdBi)3(FeAIGa)sO+ 2あるいは
(GaBi)s(FeAI)io+2等が知られている
(第13回、日本応用磁気学会学術講演会概要集、P2
S5)。However, with the diversification of devices in recent years, for example, 100
There is a growing demand for a highly sensitive optical magnetic field sensor capable of detecting weak magnetic fields of less than e, that is, capable of detecting weak magnetic fields and minute non-uniformities in magnetic fields. An example of this is the detection of minute inhomogeneities in a magnetic field caused by minute defects in permanent magnets, but the higher the sensitivity of the magnetic garnet film used in such a highly sensitive optical magnetic field sensor, the better (for example, , 0.01 or more). In order to increase the sensitivity of a magnetic garnet film, it is necessary to reduce its Hs. Examples of such a highly sensitive magnetic garnet film include (GdBi)3(FeAIGa)sO+2 or (GaBi)s (FeAI) io+2 etc. are known (13th Japanese Society of Applied Magnetics Academic Conference Abstracts, P2
S5).
しかしながら、従来の光磁界センサでは、磁性ガーネッ
ト膜のHsを小さくするためにはその飽和磁化を小さく
しなければならないにも拘わらず、飽和磁化を小さくす
るとキュリー温度の低下に伴いファラデイ回転係数θf
が温度に対して急激に変化してしまうという問題があり
、このため単に磁性ガーネット膜のHsを小さくしただ
けでは高感度な磁性ガーネット膜の前述した温度範囲一
10〜+60℃の温度変化に対する変動率が±30〜±
40%にまで大きくなってしまう。従って、従来の光磁
界センサはその使用許容範囲が恒温下に制限されざるを
得なかった。又、温度変化のある環境下で使用する場合
には別個に温度センサを付設して光磁界センサの出力を
校正するという方法で行わなければならなかった。However, in conventional optical magnetic field sensors, although the saturation magnetization must be reduced in order to reduce Hs of the magnetic garnet film, when the saturation magnetization is reduced, the Faraday rotation coefficient θf decreases as the Curie temperature decreases.
There is a problem in that the Hs of the magnetic garnet film changes rapidly with respect to temperature. Therefore, simply reducing the Hs of the magnetic garnet film will reduce the fluctuation of the highly sensitive magnetic garnet film with respect to temperature changes in the above-mentioned temperature range -10 to +60°C. Rate is ±30~±
This increases to 40%. Therefore, the allowable range of use of conventional optical magnetic field sensors has been limited to constant temperatures. Furthermore, when using the device in an environment with temperature changes, it is necessary to calibrate the output of the optical magnetic field sensor by attaching a separate temperature sensor.
本発明はかかる実情に鑑み、特に温度による感度の変動
を小さくすることができる高感度な光磁界センサを提供
することを目的とする。In view of these circumstances, it is an object of the present invention to provide a highly sensitive optical magnetic field sensor that can particularly reduce fluctuations in sensitivity due to temperature.
本発明による光磁界センサは、磁気光学素子に波長が異
なる二種類の測定光を透過せしめ、これらの測定光の出
力差から被測定磁界の強度を求め得るように構成されて
いる。The optical magnetic field sensor according to the present invention is configured to allow two types of measurement light having different wavelengths to pass through a magneto-optical element, and to determine the intensity of the magnetic field to be measured from the output difference between these measurement lights.
本発明によれば、波長が異なる測定光の出力差により被
測定磁界の強度をもとめるようにしたので、温度変化に
対する感度の変動を抑えることができ、これにより安定
し且つ高い精度で磁界強度を測定することができる。According to the present invention, since the strength of the magnetic field to be measured is determined by the output difference between measurement lights of different wavelengths, it is possible to suppress fluctuations in sensitivity to temperature changes, thereby stably and accurately measuring the magnetic field strength. can be measured.
以下、第1図及び第2図に基づき、従来例と同一の部材
には同一の符号を用いて、本発明による光磁界センサの
一実施例を説明する。先づ、この実施例では磁気光学素
子2を構成する磁性ガーネット膜には(GaBi)s(
FeAIGa)sO+ tを用いる。そして、図中、l
、1′は偏光子、2は磁気光学素子、3は集光レンズで
、これらの構成は基本的に従来例の場合と同様であるが
、更に、5,5′はそれぞれ波長λ1及び波長λ!の測
定光を発生する光源、6はこれらの光源5,5′から出
射した測定光を合成するためのグイクロイックミラーで
ある。Hereinafter, an embodiment of the optical magnetic field sensor according to the present invention will be described based on FIGS. 1 and 2, using the same reference numerals for the same members as in the conventional example. First, in this embodiment, (GaBi)s(
FeAIGa)sO+t is used. And in the figure, l
, 1' is a polarizer, 2 is a magneto-optical element, and 3 is a condensing lens, and these structures are basically the same as in the conventional example, but furthermore, 5 and 5' are wavelengths λ1 and λ, respectively. ! A light source 6 is a gicroic mirror for combining the measurement lights emitted from these light sources 5 and 5'.
そして、波長が異なる二種類の測定光は磁気光学素子2
を透過して偏光子1′から出射するが、これらの測定光
はダイクロイックミラー7によって再び波長λ1及び波
長λ2の測定光に分割される。The two types of measurement lights with different wavelengths are transmitted to the magneto-optical element 2.
These measurement lights are transmitted by the dichroic mirror 7 and are then split again into measurement lights of wavelength λ1 and wavelength λ2.
又、図において、8はダイクロイックミラー7によって
分割された波長λ1の測定光を検出する光検出器、9は
ダイクロイックミラー7によって分割された波長λ2の
測定光を検出する光検出器、lOは雨検出器8及び9の
出力11及びI2を入力されて二つの出力の差I=1.
−1.を求めるように構成された引算回路である。そし
て、この出力差がセンサ出力Iとして求められるが、か
かるセンサ出力■から被測定磁界の強度が換算される。In the figure, 8 is a photodetector for detecting the measurement light of wavelength λ1 divided by dichroic mirror 7, 9 is a photodetector for detecting the measurement light of wavelength λ2 divided by dichroic mirror 7, and lO is a rain detector. The outputs 11 and I2 of the detectors 8 and 9 are input, and the difference between the two outputs is I=1.
-1. This is a subtraction circuit configured to calculate . Then, this output difference is determined as the sensor output I, and the intensity of the magnetic field to be measured is converted from the sensor output ■.
尚、上記の場合、光源5及び5′には夫々の波長λ+
=1.30μm及びλ2=0.83μmの測定光を発生
するレーザダイオードを使用し、又、光検出器8及び9
には夫々ゲルマニウム・フォトダイオード及びシリコン
・フォトダイオード使用した。In the above case, the light sources 5 and 5' have respective wavelengths λ+
= 1.30 μm and λ2 = 0.83 μm, and photodetectors 8 and 9 are used.
A germanium photodiode and a silicon photodiode were used, respectively.
本発明による光磁界センサは上記のように構成されてお
り、次にその作用を説明する。先づここで、θLゎ=θ
、、+anTと置けるから、センサ感度Sは前記(2)
式より次の(3)式で表される。The optical magnetic field sensor according to the present invention is constructed as described above, and its operation will be explained next. First of all, θLゎ=θ
, ,+anT, the sensor sensitivity S is given by (2) above.
From the equation, it is expressed by the following equation (3).
・・・ (3)
但し、1.=及びI2−は磁界強度が零のときの波長λ
I及び波長λ2の測定光に対する光検出器8及び9の夫
々出力、0.1′及びθ、2′は波長λ1及び波長λ2
の測定光に対する磁性ガーネット膜の0℃におけるファ
ラデイ回転係数で、それぞれθz −= l 471d
eg、及びθT2=5135deg、である。又、a及
びbは前記温度範囲一20〜+60℃における磁性ガー
ネット膜の波長λ1及び波長λ2の測定光に対する温度
係数で、a =−3,81deg、 / ’C及びb
= −13,08deg、 /℃である。Hs−及びC
は磁性ガーネット膜の0℃における飽和に要する磁界強
度及びその温度係数でHs −=163.20 e及び
c = −2,180e / ’Cである。そして、T
は温度(℃)である。... (3) However, 1. = and I2- are the wavelength λ when the magnetic field strength is zero
The outputs of the photodetectors 8 and 9 for the measurement light of I and wavelength λ2, 0.1' and θ, 2' are the wavelength λ1 and wavelength λ2, respectively.
The Faraday rotation coefficient at 0°C of the magnetic garnet film for the measurement light is θz −= l 471d, respectively.
eg, and θT2=5135deg. Further, a and b are the temperature coefficients of the magnetic garnet film for the measurement light of wavelength λ1 and wavelength λ2 in the temperature range -20 to +60°C, a = -3,81 deg, / 'C and b
= -13.08 deg, /°C. Hs- and C
are the magnetic field strength and its temperature coefficient required for saturation of the magnetic garnet film at 0°C, and are Hs −=163.20 e and c = −2,180 e/′C. And T
is the temperature (°C).
ところで、上記(3)式中のaTとbTは各々θ。By the way, aT and bT in the above formula (3) are each θ.
とθ、2′に比べて極めて小さい値であるため、この(
3)式は温度Tで展開して1次の項でまとめることによ
り次の(4)式で近似することができる。Since this value is extremely small compared to θ and 2′, this (
Equation 3) can be approximated by the following equation (4) by expanding it at the temperature T and summarizing it using first-order terms.
S = C+ [2[12−b −cos2(θt2−
d)−I、 −a −cos2(θ++−a)ld[
1! −5in2(θI! −d)
!+ −5in2(θ、、 −d)l c/Hs −)
T・・・(4)
この(4)式においてCは定数であるから、温度変化に
対するセンサ感度Sの変動を小さくするためには上記(
4)式中の温度Tの項を0にすればよい。即ち、光検出
器8及び9の出力比1g−/I+−=αとするとき次の
(5)式を満足するようにすればよい。S = C+ [2[12-b -cos2(θt2-
d) −I, −a −cos2(θ++−a)ld[
1! -5in2(θI! -d)! + -5in2(θ,, -d)l c/Hs -)
T...(4) Since C is a constant in this equation (4), the above (
4) The term temperature T in the equation may be set to 0. That is, when the output ratio of the photodetectors 8 and 9 is 1g-/I+-=α, the following equation (5) may be satisfied.
・・・ (5)
さて、一般に使用する磁性ガーネット膜が決まればθf
1′、θf2−1 al bg HS−及びCは特定さ
れ、従って上記(5)式において変数はα及びdの二つ
である。これら以外のθ、1−2θ12+a及びbは通
常磁気光学測定によって、又、Hs及びCは磁気測定に
よって夫々求められ、その具体的数値は前述した通りで
ある。そこで、これらの数値を(5)式に代入して数値
計算することにより(5)式を最も満足するα及びdを
求めるが、この場合、波長λ1及び波長λ2の各測定光
の入射光量を調整するか、又は各測定光に対する光検出
器8,9のゲインを調整することにより、出力比αを調
節することが可能であり、これによりセンサ感度が温度
変化に殆ど影響されなくすることができる。... (5) Now, once the magnetic garnet film to be generally used is decided, θf
1', θf2-1 al bg HS- and C are specified, so in the above equation (5), there are two variables, α and d. Other than these, θ, 1-2θ12+a and b are usually determined by magneto-optical measurement, and Hs and C are determined by magnetic measurement, and their specific values are as described above. Therefore, by substituting these values into equation (5) and performing numerical calculations, we find α and d that most satisfy equation (5). In this case, the incident light intensity of each measurement light with wavelength λ1 and wavelength λ2 or by adjusting the gain of the photodetectors 8, 9 for each measurement light, it is possible to adjust the output ratio α, thereby making the sensor sensitivity almost unaffected by temperature changes. can.
本実施例で使用する磁性ガーネット膜の磁気特性及び磁
気光学特性の前記具体的数値を(5)式に代入してセン
サ感度Sの温度変化に対する変動が最小になる光検出器
8,9の出力比α及び磁性ガーネット膜の膜厚dを求め
るとα=0.25.d=200μmになる。そこで、磁
性ガーネット膜の膜厚を200μmにし、又、出力比α
=0.25となるように光源5.5′のレーザダイオー
ドの出力を調整して、−20〜±60℃の温度範囲にお
いて被測定磁界の強度を±400eだけ変化させたとき
の各測定光に対する光検出器8及び9の出力(L、Ig
)の変化及び引算回路10で求めたそれらの出力差、即
ち該引算回路IOの出力■の変化より感度ΔI、/ΔH
2Δ1./ΔH及びΔ1/ΔHを求めた結果を第2図に
示す。この第2図中、曲線a及び曲線すはそれぞれ光検
出器8及び9の出力を単独で用いた場合のセンサ感度の
変化を示し、図から明らかなように温度範囲一20〜+
60℃に対して±60%以上の変動がある。By substituting the above-described specific values of the magnetic properties and magneto-optical properties of the magnetic garnet film used in this example into equation (5), the output of the photodetectors 8 and 9 minimizes the fluctuation of the sensor sensitivity S with respect to temperature changes. Determining the ratio α and the film thickness d of the magnetic garnet film, α=0.25. d=200 μm. Therefore, the thickness of the magnetic garnet film was set to 200 μm, and the output ratio α
The output of the laser diode of the light source 5.5' was adjusted so that The outputs of photodetectors 8 and 9 (L, Ig
) and their output difference obtained by the subtraction circuit 10, that is, the change in the output ■ of the subtraction circuit IO, the sensitivity ΔI, /ΔH
2Δ1. The results of determining /ΔH and Δ1/ΔH are shown in FIG. In FIG. 2, curves a and 2 show changes in sensor sensitivity when the outputs of photodetectors 8 and 9 are used alone, and as is clear from the figure, the temperature range is -20 to +
There is a variation of ±60% or more with respect to 60°C.
一方、引算回路10の出力、センサ出力■の感度は曲線
Cで示すように温度範囲一20〜+60°Cにおいてほ
ぼ一定で、その変動量は±2%以内に抑えられ、しかも
感度の絶対値自体が0.015と極めて高感度になって
いる。On the other hand, the sensitivity of the output of the subtraction circuit 10 and the sensor output ■ is almost constant in the temperature range -20 to +60°C, as shown by curve C, and the amount of variation is suppressed within ±2%, and the absolute sensitivity The value itself is 0.015, which is extremely high sensitivity.
尚、上記実施例において測定光の波長がλ1.30μm
、λ2=0.83μmである例について説明したが、か
かる場合に限らず波長0. 78〜1.55μmの測定
光を用いた場合でも上記実施例と同様に温度範囲一20
〜+60℃に対する感度の変動量は±2%以内に抑える
ことができる。但し、二種類の測定光の波長の差が小さ
過ぎると(例えば0.78μm及び0.83μmの場合
)、感度の絶対値は小さくなる傾向があり、従って一方
の測定光の波長を0.8μmの帯域に、又、他方の測定
光の波長を1. 3〜1.5μmの帯域に夫々設定する
ことにより、感度の絶対値でも良好な結果が得られる。In addition, in the above example, the wavelength of the measurement light is λ1.30 μm.
, λ2=0.83 μm, but this is not limited to this case. Even when using a measuring light of 78 to 1.55 μm, the temperature range is 20 to 20 μm as in the above example.
The amount of variation in sensitivity for temperatures up to +60°C can be suppressed to within ±2%. However, if the difference in wavelength between the two types of measurement light is too small (for example, in the case of 0.78 μm and 0.83 μm), the absolute value of sensitivity tends to become small. In addition, the wavelength of the other measurement light is set to 1. By setting each band in the range of 3 to 1.5 μm, good results can be obtained even in terms of the absolute value of sensitivity.
そして、又、磁気光学素子を構成する磁性ガーネット膜
はストライプ磁区構造を持つものの他に単磁区構造を持
つ磁性材料を使用することもできる。Furthermore, for the magnetic garnet film constituting the magneto-optical element, a magnetic material having a single domain structure can be used instead of one having a stripe domain structure.
上述したように本発明によれば、磁気光学素子を用いて
磁界の強度を測定する光磁界センサにおいて波長が異な
る二種類の測定光を用い、それらが磁気光学素子を透過
した後の出力差とるようにしたことにより、広い温度範
囲で安定し且つ高い精度で被測定磁界の強度を測定する
ことができる。As described above, according to the present invention, an optical magnetic field sensor that measures the intensity of a magnetic field using a magneto-optical element uses two types of measurement lights with different wavelengths, and calculates the output difference after they pass through the magneto-optical element. By doing so, the strength of the magnetic field to be measured can be measured stably and with high accuracy over a wide temperature range.
又、磁界センサの信号処理部でセンサ感度の温度補償を
すべ(磁性ガーネット膜としてその感度の温度変化が小
さい材料を使用する必要はなくなり、これにより特に感
度の温度変化が大きい高感度磁性ガーネット膜を用いた
場合でも高感度で安定性に優れた光磁界センサを実現す
ることができた。In addition, temperature compensation for sensor sensitivity can be performed in the signal processing section of the magnetic field sensor. We were able to create an optical magnetic field sensor with high sensitivity and excellent stability even when using
第1図は本発明による光磁界センサの一実施例の概略全
体構成図、第2図は本発明による光磁界センサの温度変
化とセンサ感度との関係を従来の光磁界センサの場合と
比較して示すグラフ、第3図は従来の光磁界センサの概
略全体構成図である。
1.1′・・・偏光子、2・・・磁気光学素子、3・・
・集光レンズ、5,5′・・・光源、6,7・・・ダイ
クロイックミラー 8.9・・・検出器、IO・・・引
算回路。
手
続
補
正
書(自発)
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特願平2−267215号
2゜
発
明
の1名
称
光磁界センサ
4゜
代
理
人
〒105東京都港区新橋5の19
電話 東京(432)4576
5゜
補
正
の
対
象
6、補正の内容
(1)委任状を別紙の通り補正する。
(2)願書の特許出願人の欄の記載を別紙添付の通り訂
正する。
(3)明細書第3頁14行目の「又、」を1従って、」
と訂正する。
(4)同書第4頁12行目の「そして、」の前に「しか
しこの場合でも、−20〜60℃の温度範囲で感度の変
動が小さいことが望まれる。」を挿入する。
(5)同書第5頁7〜8行目の「−10〜+60」を「
−20〜+60Jと訂正する。
(6)同書第8頁7行目の「磁界強度」を「0°Cにお
ける磁界強度1と訂正する。
7、添付書類の目録
(1)委任状 2通FIG. 1 is a schematic overall configuration diagram of an embodiment of the magneto-optical sensor according to the present invention, and FIG. 2 is a comparison of the relationship between temperature change and sensor sensitivity of the magneto-optical sensor according to the present invention with that of a conventional magneto-optical sensor. The graph shown in FIG. 3 is a schematic overall configuration diagram of a conventional optical magnetic field sensor. 1.1'...Polarizer, 2...Magneto-optical element, 3...
- Condensing lens, 5, 5'... Light source, 6, 7... Dichroic mirror 8.9... Detector, IO... Subtraction circuit. Procedural amendment (spontaneous) 1-1゜ Indication of the case Patent application No. 2-267215 2゜ Name of the invention Optical magnetic field sensor 4゜ Agent 5-19 Shinbashi, Minato-ku, Tokyo 105 Telephone Tokyo (432) 4576 5゜Object of amendment 6, contents of amendment (1) Amend the power of attorney as shown in the attached sheet. (2) Correct the description in the patent applicant column of the application as attached. (3) "Also," on page 3, line 14 of the specification, "1, therefore,"
I am corrected. (4) Insert "However, even in this case, it is desirable that the fluctuation in sensitivity be small in the temperature range of -20 to 60° C." before "and" on page 4, line 12 of the same book. (5) Change “-10 to +60” from page 5, lines 7 to 8 of the same book to “
Corrected to -20 to +60J. (6) “Magnetic field strength” on page 8, line 7 of the same book is corrected to “Magnetic field strength at 0°C: 1.” 7. List of attached documents (1) Power of attorney (2 copies)
Claims (1)
ことにより被測定磁界の強度を測定するようにした光磁
界センサにおいて、上記磁気光学素子に波長が異なる二
種類の測定光を透過せしめ、これらの測定光の出力差か
ら被測定磁界の強度を求め得るように構成したことを特
徴とする光磁界センサ。In a magneto-optical field sensor that measures the intensity of a magnetic field to be measured by measuring measurement light from a light source transmitted through a magneto-optical element, two types of measurement light having different wavelengths are transmitted through the magneto-optical element, and these two types of measurement light are An optical magnetic field sensor characterized in that the intensity of a magnetic field to be measured can be determined from the difference in the output of the measuring light.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2267215A JPH04143679A (en) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | Optical magnetic field sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2267215A JPH04143679A (en) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | Optical magnetic field sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04143679A true JPH04143679A (en) | 1992-05-18 |
Family
ID=17441741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2267215A Pending JPH04143679A (en) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | Optical magnetic field sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04143679A (en) |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP2267215A patent/JPH04143679A/en active Pending
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