JPH0414340B2 - - Google Patents
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- JPH0414340B2 JPH0414340B2 JP1181785A JP1181785A JPH0414340B2 JP H0414340 B2 JPH0414340 B2 JP H0414340B2 JP 1181785 A JP1181785 A JP 1181785A JP 1181785 A JP1181785 A JP 1181785A JP H0414340 B2 JPH0414340 B2 JP H0414340B2
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- chromium nitride
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、スパツタリングにより透明基板上に
窒化クロムの強固な薄膜層を形成するシースルー
マスクブランクの製造方法にかかる。
窒化クロムの強固な薄膜層を形成するシースルー
マスクブランクの製造方法にかかる。
（従来の技術）
ICやLSI等の半導体集積回路装置の製造など、
種々の広範囲な用途に用いられているフオトマス
クの中で、マスクパターンを半透明膜で形成した
シースルーマスクと呼ばれるものがある。このシ
ースルーマスクは、通常の遮光パターンと位置合
わせマークとが重なつた場合に位置合わせが困難
となることから、遮光パターンとして、可視光線
は通すがレジストを硬化させる近紫外線は通さな
い半透明膜を用いたものである。
種々の広範囲な用途に用いられているフオトマス
クの中で、マスクパターンを半透明膜で形成した
シースルーマスクと呼ばれるものがある。このシ
ースルーマスクは、通常の遮光パターンと位置合
わせマークとが重なつた場合に位置合わせが困難
となることから、遮光パターンとして、可視光線
は通すがレジストを硬化させる近紫外線は通さな
い半透明膜を用いたものである。
上述のシースルーマスクブランクとしては特開
昭57−147634号によつて提案されているように、
透明基板上に窒素を含む雰囲気中でスパツタリン
グ等の手段により、クロム窒化物からなる薄膜を
形成したものが知られている。
昭57−147634号によつて提案されているように、
透明基板上に窒素を含む雰囲気中でスパツタリン
グ等の手段により、クロム窒化物からなる薄膜を
形成したものが知られている。
（発明が解決しようとする課題）
然しながら、この提案によつて形成された遮光
膜は、ある程度可視光線の透過率は良くなるが、
膜の品質は不安定であり、例えば透明基板に対す
る膜の密着強度が弱く、膜の脱落が起こるなどの
問題があつた。
膜は、ある程度可視光線の透過率は良くなるが、
膜の品質は不安定であり、例えば透明基板に対す
る膜の密着強度が弱く、膜の脱落が起こるなどの
問題があつた。
本発明は上記の事象に鑑みて成されたもので、
安定した強固な遮光膜を形成できるシースルーマ
スクブランクの製造法を提供することを目的とし
ている。
安定した強固な遮光膜を形成できるシースルーマ
スクブランクの製造法を提供することを目的とし
ている。
（課題を解決する手段）
透明基板上にスパツタリングにより遮光膜を形
成するシースルーマスクブランクの製造法におい
て、窒化クロムをターゲツトとすることでシース
ルーマスクブランクを製造する。
成するシースルーマスクブランクの製造法におい
て、窒化クロムをターゲツトとすることでシース
ルーマスクブランクを製造する。
なお、このときのスパツタリングの条件は、
Arガス等の不活性ガスを真空室内に導入して
10-2〜10-3Torr程度の真空条件で行なうもので
ある。
Arガス等の不活性ガスを真空室内に導入して
10-2〜10-3Torr程度の真空条件で行なうもので
ある。
（作用）
上述の製造法を用いることにより、ターゲツト
は一定の原子比を持つ窒化クロム化合物を用いる
ことになるので、蒸着途中でクロムを窒素と化合
させる従来方式と比べて、操作者による操作ミス
や操作条件の微妙な差異を生じることが少なく、
故に得られる遮光膜の品質は安定したものとな
る。
は一定の原子比を持つ窒化クロム化合物を用いる
ことになるので、蒸着途中でクロムを窒素と化合
させる従来方式と比べて、操作者による操作ミス
や操作条件の微妙な差異を生じることが少なく、
故に得られる遮光膜の品質は安定したものとな
る。
（実施例）
以下、本発明にかかるシースルーマスクブラン
クの製造法の一実施例につき説明する。
クの製造法の一実施例につき説明する。
直流マグネトロンまたは高周波電源により、フ
オトマスク用ガラス基板にアルゴンガス雰囲気中
で窒化クロムをターゲツトとして種々の条件でス
パツターした結果、下表に示す条件においてガラ
ス基板上に形成された窒化クロム膜が非常に安定
し強固になることを見いだいた。
オトマスク用ガラス基板にアルゴンガス雰囲気中
で窒化クロムをターゲツトとして種々の条件でス
パツターした結果、下表に示す条件においてガラ
ス基板上に形成された窒化クロム膜が非常に安定
し強固になることを見いだいた。
全圧：２×10-3Torr
放電電流：3A
放電電圧：470V
上記のスパツター条件によつてアルゴンガスの
雰囲気中でガラス基板上に窒化クロムをスパツタ
ーすると、窒化クロムの薄膜が形成され、この薄
膜は安定した強固なものである。然も酸化クロム
の薄膜と比較して可視光線の透過率も高い良好な
シースルーマスクブランクが得られる。このシー
スルーマスクブランクによつてパターンをエツチ
ングすると、均一でシヤープな、欠けや割れのな
いパターンが得られる。
雰囲気中でガラス基板上に窒化クロムをスパツタ
ーすると、窒化クロムの薄膜が形成され、この薄
膜は安定した強固なものである。然も酸化クロム
の薄膜と比較して可視光線の透過率も高い良好な
シースルーマスクブランクが得られる。このシー
スルーマスクブランクによつてパターンをエツチ
ングすると、均一でシヤープな、欠けや割れのな
いパターンが得られる。
（発明の効果）
上述のような本発明によれば、ターゲツトを窒
化クロムの一定した原子比の化合物を用いるか
ら、スパツターして得られるシースルーマスクブ
ランクの遮光膜は品質的に安定して密着強度の高
いものとなり、取り扱いし易い物とすることがで
きる。
化クロムの一定した原子比の化合物を用いるか
ら、スパツターして得られるシースルーマスクブ
ランクの遮光膜は品質的に安定して密着強度の高
いものとなり、取り扱いし易い物とすることがで
きる。
Claims (1)
- １ 透明基板上にスパツタリングにより窒化クロ
ムの遮光膜を形成するシースルーマスクブランク
の製造法において、窒化クロムをターゲツトとし
てスパツタリングすることを特徴とするシースル
ーマスクブランクの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011817A JPS61170743A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | フオトマスクブランクの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011817A JPS61170743A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | フオトマスクブランクの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170743A JPS61170743A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0414340B2 true JPH0414340B2 (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=11788345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60011817A Granted JPS61170743A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | フオトマスクブランクの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61170743A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05297570A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
| JPH083737A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-09 | Tosoh Corp | 窒化クロムスパッタリングターゲット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | |
| JPS57151945A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Hoya Corp | Photomask blank and its manufacture |
-
1985
- 1985-01-25 JP JP60011817A patent/JPS61170743A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | |
| JPS57151945A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Hoya Corp | Photomask blank and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61170743A (ja) | 1986-08-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |