JPH04139753A - 伝熱キャップ - Google Patents
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- JPH04139753A JPH04139753A JP2262090A JP26209090A JPH04139753A JP H04139753 A JPH04139753 A JP H04139753A JP 2262090 A JP2262090 A JP 2262090A JP 26209090 A JP26209090 A JP 26209090A JP H04139753 A JPH04139753 A JP H04139753A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体チップ等の発熱体から発せられる熱を
冷却装置に伝える伝熱キャップに関する。
冷却装置に伝える伝熱キャップに関する。
（従来の技術）
第５図は、複数個の半導体チップを内蔵したモジュール
の冷却装置の一例を示す断面図である。
の冷却装置の一例を示す断面図である。
この図に示すように、半導体チップ１０１は基板１０２
と伝熱ブロック１０３とて形成される空間内に配設され
ており、半導体チップ１０１の一方の面（図では下側の
面）はバンプ１０４（あるいはワイヤボンディング）を
介して基板１０２に接続されており、他方の面（図では
上側の面）にはスタッド１０５が接続されている。また
、基板１０２と伝熱ブロック１０３間で形成される空間
には、Ｈｅガスが充填されている。スタッド１０５は、
伝熱ブロック１０３に形成した穴１０３ａ内にほぼ接す
るようにして配設されており、穴１０３ａ内に設けたバ
ネ１０６によってスタッド１０５が半導体チップ１０１
に押圧されている。また、伝熱ブロック１０３の基板１
０２と反対側（図では上側）の面には、冷媒１０７が流
れる流路１０８が形成されている冷却板１０９が接続さ
れている。
と伝熱ブロック１０３とて形成される空間内に配設され
ており、半導体チップ１０１の一方の面（図では下側の
面）はバンプ１０４（あるいはワイヤボンディング）を
介して基板１０２に接続されており、他方の面（図では
上側の面）にはスタッド１０５が接続されている。また
、基板１０２と伝熱ブロック１０３間で形成される空間
には、Ｈｅガスが充填されている。スタッド１０５は、
伝熱ブロック１０３に形成した穴１０３ａ内にほぼ接す
るようにして配設されており、穴１０３ａ内に設けたバ
ネ１０６によってスタッド１０５が半導体チップ１０１
に押圧されている。また、伝熱ブロック１０３の基板１
０２と反対側（図では上側）の面には、冷媒１０７が流
れる流路１０８が形成されている冷却板１０９が接続さ
れている。
従来の冷却装置は上記のように構成されており、半導体
チップ１０１て発熱か生しると、この熱はスタッド１０
５に伝わり、Ｈｅガスを通して伝熱ブロック１０３に伝
熱される。そして、この伝熱ブロック１０３を、冷却板
１０９内を流れる冷媒によって冷却することにより、半
導体チップ１０１の冷却が行われる。
チップ１０１て発熱か生しると、この熱はスタッド１０
５に伝わり、Ｈｅガスを通して伝熱ブロック１０３に伝
熱される。そして、この伝熱ブロック１０３を、冷却板
１０９内を流れる冷媒によって冷却することにより、半
導体チップ１０１の冷却が行われる。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記した従来の冷却装置は、上部に冷却手段
（伝熱ブロック１０３、冷媒１０７、冷却板１０９）を
具備したスタッド１０５を、半導体チップ１０１にバネ
圧で押し当てて冷却を行うため、半導体チップ】０１の
表面に直接外力が加わるので、組立て精度不良等によっ
てスタッド１０５が半導体チップ１０１に片当たりして
接触している場合は、熱抵抗が大きくなって冷却効果が
低下し、また半導体チップ１０１に集中した応力が働く
という問題点があった。
（伝熱ブロック１０３、冷媒１０７、冷却板１０９）を
具備したスタッド１０５を、半導体チップ１０１にバネ
圧で押し当てて冷却を行うため、半導体チップ】０１の
表面に直接外力が加わるので、組立て精度不良等によっ
てスタッド１０５が半導体チップ１０１に片当たりして
接触している場合は、熱抵抗が大きくなって冷却効果が
低下し、また半導体チップ１０１に集中した応力が働く
という問題点があった。
本発明は上記した課題を解決する目的でなされ、発熱体
から発せられる熱を発熱体を冷却する冷却手段に効率よ
く伝えることができる伝熱キャップを提供しようとする
ものである。
から発せられる熱を発熱体を冷却する冷却手段に効率よ
く伝えることができる伝熱キャップを提供しようとする
ものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
前記した課題を解決するために第１の本発明に係る伝熱
チャシブは、発熱体側に接触する第１の接触面と、前記
発熱体を冷却する冷却手段側に接触する第２の接触面と
を有し、前記第２の接触面を、前記発熱体の前記第１の
接触面と接触する面より表面積を広く形成したことを特
徴としている。
チャシブは、発熱体側に接触する第１の接触面と、前記
発熱体を冷却する冷却手段側に接触する第２の接触面と
を有し、前記第２の接触面を、前記発熱体の前記第１の
接触面と接触する面より表面積を広く形成したことを特
徴としている。
また、第２発明に係る伝熱ブロックは、発熱体側に接触
する第１の接触面と、前記発熱体を冷却する冷却手段側
に接触する第２の接触面とを有し、前記第２の接触面に
凹凸部を形成してこの凹凸部に合わせて前記冷却手段を
接触させたことを特徴としている。
する第１の接触面と、前記発熱体を冷却する冷却手段側
に接触する第２の接触面とを有し、前記第２の接触面に
凹凸部を形成してこの凹凸部に合わせて前記冷却手段を
接触させたことを特徴としている。
（作用）
本発明によれば、冷却手段側に接触する第２の接触面の
方を発熱体と接触する第１の接触面より広く形成し、ま
た、冷却手段側に接する第２の接触面に凸部または凹部
を形成してこの凸部または凹部に合わせて冷却手段を接
触させることによって、冷却手段側に発熱体の熱を効率
よく伝えることができる。また、凹凸部により発熱体に
片当りすることが防止でき、集中応力を緩和できる。
方を発熱体と接触する第１の接触面より広く形成し、ま
た、冷却手段側に接する第２の接触面に凸部または凹部
を形成してこの凸部または凹部に合わせて冷却手段を接
触させることによって、冷却手段側に発熱体の熱を効率
よく伝えることができる。また、凹凸部により発熱体に
片当りすることが防止でき、集中応力を緩和できる。
（実施例）
以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の第１実施例に係る伝熱ブロックを具
備した半導体チップの冷却装置を示す断面図である。
備した半導体チップの冷却装置を示す断面図である。
この図に示すように、発熱体である半導体チップ１は、
基板２と伝熱ブロック３で形成される空間内に配設され
ており、半導体チップ１の一方の面（図では下側の面）
はバンブ４を介して基板２に接続されている。
基板２と伝熱ブロック３で形成される空間内に配設され
ており、半導体チップ１の一方の面（図では下側の面）
はバンブ４を介して基板２に接続されている。
また、半導体チップ１の他方の面（図では上側の伝熱面
）には、本発明に係る熱伝導性の良い物体から成る伝熱
キャップ５の第１の接触面５ａが接触している。伝熱キ
ャップ５は、半導体チップ１と接触する第１の接触面５
ａと、半導体チップ１と反対側（図では上側）の面に配
設される冷却スタッド６に接触する凸部５ｃを形成した
第２の接触面５ｂとを有しており、第２の接触面５ｂの
凸Ｈ５ｃには、この凸部５ｃに合わせて凹部６ａが形成
されている冷却スタッド５が摺動可能に接触している。
）には、本発明に係る熱伝導性の良い物体から成る伝熱
キャップ５の第１の接触面５ａが接触している。伝熱キ
ャップ５は、半導体チップ１と接触する第１の接触面５
ａと、半導体チップ１と反対側（図では上側）の面に配
設される冷却スタッド６に接触する凸部５ｃを形成した
第２の接触面５ｂとを有しており、第２の接触面５ｂの
凸Ｈ５ｃには、この凸部５ｃに合わせて凹部６ａが形成
されている冷却スタッド５が摺動可能に接触している。
また、伝熱キャップ５の第１および第２の接触面５ａ、
５ｂはともに、第１の接触面５ａと接触する半導体チッ
プ１の伝熱面よりも表面積が広く形成されている。ただ
じ、第１の接触面５ａは必ずしも半導体チップ１０１の
伝熱面より広い必要はない。
５ｂはともに、第１の接触面５ａと接触する半導体チッ
プ１の伝熱面よりも表面積が広く形成されている。ただ
じ、第１の接触面５ａは必ずしも半導体チップ１０１の
伝熱面より広い必要はない。
冷却スタッド６は、伝熱ブロック３に形成した孔３ａ内
にほぼ接するようにして配設されており、孔３ａ内に設
けたバネ７によって冷却スタッド６か伝熱キャップ５に
押圧されている。また、伝熱ブロック３の半導体チップ
１と反対側（図では上側）の面には、冷媒８が流れる流
路９が形成されている冷却板１０が接続されており、基
板２と伝熱ブロック３間で形成される空間には、Ｈｅガ
スが充填されている。
にほぼ接するようにして配設されており、孔３ａ内に設
けたバネ７によって冷却スタッド６か伝熱キャップ５に
押圧されている。また、伝熱ブロック３の半導体チップ
１と反対側（図では上側）の面には、冷媒８が流れる流
路９が形成されている冷却板１０が接続されており、基
板２と伝熱ブロック３間で形成される空間には、Ｈｅガ
スが充填されている。
次に、本発明に係る伝熱キャップ５の作用について説明
する。
する。
半導体チップ１で発熱が生じると、この熱は伝熱キャッ
プ５を通して伝熱キャップ５の凸部５Ｃに接触している
冷却スタッド６に伝わり、更に、冷却スタッド６に接触
していない伝熱キャップ５の第２の接触面５ｂからは、
Ｈｅガスを通して伝熱ブロック３に伝熱される。このよ
うに、広い表面積の第２の接触面５ｂは有効な放熱面と
して作用する。そして、伝熱ブロック３に伝熱された半
導体チップ１の熱は、伝熱ブロック３に接続されている
冷却板１０内に流れる冷媒８によって外部へ発散される
。
プ５を通して伝熱キャップ５の凸部５Ｃに接触している
冷却スタッド６に伝わり、更に、冷却スタッド６に接触
していない伝熱キャップ５の第２の接触面５ｂからは、
Ｈｅガスを通して伝熱ブロック３に伝熱される。このよ
うに、広い表面積の第２の接触面５ｂは有効な放熱面と
して作用する。そして、伝熱ブロック３に伝熱された半
導体チップ１の熱は、伝熱ブロック３に接続されている
冷却板１０内に流れる冷媒８によって外部へ発散される
。
この時、半導体チップ１の実装や冷却スタッド６等の組
立て時に生しる半導体チップ１と冷却スタッド６のずれ
によって冷却スタッド６が傾斜しても、伝熱キャップ５
の凹部５ｃに冷却スタッド６の凹部６ａが摺動可能に接
触しているので、冷却スタッド６が伝熱キャップ５に片
当たりすることなく密着し、熱抵抗の低減を図ることが
できる。
立て時に生しる半導体チップ１と冷却スタッド６のずれ
によって冷却スタッド６が傾斜しても、伝熱キャップ５
の凹部５ｃに冷却スタッド６の凹部６ａが摺動可能に接
触しているので、冷却スタッド６が伝熱キャップ５に片
当たりすることなく密着し、熱抵抗の低減を図ることが
できる。
また、伝熱キャップ５の第２の接触面５ｂの方か、第１
の接触面５ａに接触する半導体チップ１の伝熱面より広
いので、半導体チップ１の熱を、伝熱キャップ５を通し
て冷却スタッド６およびＨｅガスへ効率よく伝えること
ができ、冷却能力の向上を図ることができる。
の接触面５ａに接触する半導体チップ１の伝熱面より広
いので、半導体チップ１の熱を、伝熱キャップ５を通し
て冷却スタッド６およびＨｅガスへ効率よく伝えること
ができ、冷却能力の向上を図ることができる。
第２図は、本発明の第２実施例に係る伝熱キャップを示
す断面図である。
す断面図である。
本実施例においては、伝熱キャップ５の第２の接触面５
ｂに凹部５ｄを形成すると共に、冷却スタッド６に前記
接触面５ｂの凹部５ｄに合わせて凸部６ｂを形成し、伝
熱キャップ５の第２の接触面５ｂの凹部５ｄに冷却スタ
ッド６の凸部６ｂを摺動可能に接触させた構成である。
ｂに凹部５ｄを形成すると共に、冷却スタッド６に前記
接触面５ｂの凹部５ｄに合わせて凸部６ｂを形成し、伝
熱キャップ５の第２の接触面５ｂの凹部５ｄに冷却スタ
ッド６の凸部６ｂを摺動可能に接触させた構成である。
他の構成および作用は前記した第１実施例と同様であり
、本実施例においても第１実施例の場合と同様の効果を
得ることができる。
、本実施例においても第１実施例の場合と同様の効果を
得ることができる。
第３図は、本発明の第３実施例に係る伝熱キャップを示
す断面図である。
す断面図である。
本実施例においては、基板２上に載置された半導体チッ
プ１はボンディングワイヤ１２によって配線されており
、半導体チップ１上に接触する熱伝導性の良い物体から
成る伝熱キャップ１１の第１の接触面１１Ｈには、ボン
ディングワイヤ１２との干渉を避けるためと、ボンデイ
ンクワイヤ１２を保護するために凹部１１ｂが形成され
ている。
プ１はボンディングワイヤ１２によって配線されており
、半導体チップ１上に接触する熱伝導性の良い物体から
成る伝熱キャップ１１の第１の接触面１１Ｈには、ボン
ディングワイヤ１２との干渉を避けるためと、ボンデイ
ンクワイヤ１２を保護するために凹部１１ｂが形成され
ている。
また、伝熱キャップ１１の冷却手段側の第２の接触面１
１ｃには冷却スタッド６が接触している。
１ｃには冷却スタッド６が接触している。
そして、第２の接触面１１ｃは先の実施例同様表面積が
広く形成されている。他の構成は前記した第１実施例と
同様である。
広く形成されている。他の構成は前記した第１実施例と
同様である。
本実施例においても半導体チップ１て発熱が生じると、
この熱は、広い表面積の第２の接触面１１Ｃを有する伝
熱キャップ１１を通して冷却手段の冷却スタッド６、お
よびＨｅガス、伝熱ブロック（不図示）、冷媒が流れる
冷却板（不図示）に伝わり外部へ発散される。また、伝
熱キャップ１１の第１の接触面１１ａに形成した凹部１
１ｂによってボンディングワイヤ１２を保護することが
できるので、ボンディングワイヤ１２の破損等を防止す
ることができる。更に、半導体チップ１にボンディング
ワイヤ１２が配線されている場合でも、冷却スタッド６
がボンディングワイヤ１２に接触することはないので、
直径の比較的大きな冷却スタッド６を位置決め精度を緩
和して用いることができる。
この熱は、広い表面積の第２の接触面１１Ｃを有する伝
熱キャップ１１を通して冷却手段の冷却スタッド６、お
よびＨｅガス、伝熱ブロック（不図示）、冷媒が流れる
冷却板（不図示）に伝わり外部へ発散される。また、伝
熱キャップ１１の第１の接触面１１ａに形成した凹部１
１ｂによってボンディングワイヤ１２を保護することが
できるので、ボンディングワイヤ１２の破損等を防止す
ることができる。更に、半導体チップ１にボンディング
ワイヤ１２が配線されている場合でも、冷却スタッド６
がボンディングワイヤ１２に接触することはないので、
直径の比較的大きな冷却スタッド６を位置決め精度を緩
和して用いることができる。
また、本実施例においても、前記した第１．第２実施例
同様、伝熱チップ１１の第２の接触面１１ｃと、この接
触面１１ｃに接触する冷却スタッド６に凹部あるいは凸
部をそれぞれ形成して、この凹部と凸部を摺動可能に接
触させてもよい。
同様、伝熱チップ１１の第２の接触面１１ｃと、この接
触面１１ｃに接触する冷却スタッド６に凹部あるいは凸
部をそれぞれ形成して、この凹部と凸部を摺動可能に接
触させてもよい。
第４図は、本発明の第４実施例に係る伝熱キャップを具
備した半導体チップの冷却装置を示す断面図である。
備した半導体チップの冷却装置を示す断面図である。
この図に示すように、ボンディングワイヤ１２によって
基板２上に配線された半導体チップ１は、冷媒８が流れ
る流路壁１３内に配置されており、半導体チップ１の上
側の伝熱面には、熱伝導性の良い物体から成る伝熱キャ
ップ１４の第１の接触１４ｇが接触している。伝熱キャ
ップ１４の第１の接触面１．４ Ｈには、ボンディング
ワイヤ１２との干渉を避けるためと、ボンディングワイ
ヤ１２を保護するために凹部１４ｂか成形されており、
この凹部１．４ ｂの先端部は封止材１５を介して基板
２上に固着され、半導体チップ１が直接冷媒８に液浸し
ないようにしている。また、伝熱キャップ１４の冷媒８
の接する第２の接触面１４ｃには、冷却効果を高めるた
めにフィン１４ｄが形成されている。
基板２上に配線された半導体チップ１は、冷媒８が流れ
る流路壁１３内に配置されており、半導体チップ１の上
側の伝熱面には、熱伝導性の良い物体から成る伝熱キャ
ップ１４の第１の接触１４ｇが接触している。伝熱キャ
ップ１４の第１の接触面１．４ Ｈには、ボンディング
ワイヤ１２との干渉を避けるためと、ボンディングワイ
ヤ１２を保護するために凹部１４ｂか成形されており、
この凹部１．４ ｂの先端部は封止材１５を介して基板
２上に固着され、半導体チップ１が直接冷媒８に液浸し
ないようにしている。また、伝熱キャップ１４の冷媒８
の接する第２の接触面１４ｃには、冷却効果を高めるた
めにフィン１４ｄが形成されている。
本実施例では、半導体チップ１て発熱か生じると、この
熱は伝熱キャップ１４の広い表面積の第２の接触面１４
ｃを通して冷媒８に効率良く伝わって半導体チップ１が
冷却される。また、フィン１４ｄを設けたことによって
冷却効果が向上し、更に、伝熱キャップ１４の冷媒８に
接する第２の接触面１４ｃの接触面積を調整（例えば第
２の接触面１４ｃの形状や大きさを変化させる）するこ
とによって、半導体チップ１の発熱に応して最適な冷却
を行うことができる。
熱は伝熱キャップ１４の広い表面積の第２の接触面１４
ｃを通して冷媒８に効率良く伝わって半導体チップ１が
冷却される。また、フィン１４ｄを設けたことによって
冷却効果が向上し、更に、伝熱キャップ１４の冷媒８に
接する第２の接触面１４ｃの接触面積を調整（例えば第
２の接触面１４ｃの形状や大きさを変化させる）するこ
とによって、半導体チップ１の発熱に応して最適な冷却
を行うことができる。
このように、本実施例では、伝熱キャップ１４によって
半導体チップ１か冷媒８内に直接液浸しないので、半導
体チップ１には、冷媒８の流れや沸騰による力が作用す
ることもなく、また、冷媒８によって腐食か生しること
もなく、信頼性の向上を図ることができる。
半導体チップ１か冷媒８内に直接液浸しないので、半導
体チップ１には、冷媒８の流れや沸騰による力が作用す
ることもなく、また、冷媒８によって腐食か生しること
もなく、信頼性の向上を図ることができる。
また、前記した各実施例において、伝熱キャップ５．１
１．１４の第１の接触面５ａ、１１．ａ。
１．１４の第１の接触面５ａ、１１．ａ。
１４ａまたは第２の接触面５ｂ、ｌｌｃ、１４ｃまたは
その両方の面に絶縁層を設けてもよい。
その両方の面に絶縁層を設けてもよい。
［発明の効果コ
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
によれば、発熱体から発せられる熱を効率よく冷却手段
に伝えることができるので、冷却効果の向上を図ること
かできる。
によれば、発熱体から発せられる熱を効率よく冷却手段
に伝えることができるので、冷却効果の向上を図ること
かできる。
第１図は、本発明の第１の実施例に係る伝熱キャップを
具備した半導体チップの冷却装置を示す断面図、第２図
、第３図および第４図は、それぞれ本発明の他の実施例
に係る伝熱キャップを具備した半導体チップの冷却装置
の要部を示す断面図、第５図は、従来の半導体チップの
冷却装置を示す断面図である。 １・・・半導体チップ ２・・・基板 ３・・・伝熱ブロック ４・・・バンブ５．１１．１４
・・伝熱キャップ ５ａ、ｌｌａ、１４ａ・・・第１の接触面５ｂ、ｌｌｃ
、１４ｃｍ・・第２の接触面５ｃ、 ６ｂ・・・凸部
５ｄ、 ６ａ・・・凹部５ｅ、１４ｂ・・・凹部 ６・
・・冷却スタッド８・・・冷媒 １２・・・ボンディン
グワイヤ代雇人弁理士三好秀和 第 図 第３図 １４ｃ ４ｄ 第４図 第５図
具備した半導体チップの冷却装置を示す断面図、第２図
、第３図および第４図は、それぞれ本発明の他の実施例
に係る伝熱キャップを具備した半導体チップの冷却装置
の要部を示す断面図、第５図は、従来の半導体チップの
冷却装置を示す断面図である。 １・・・半導体チップ ２・・・基板 ３・・・伝熱ブロック ４・・・バンブ５．１１．１４
・・伝熱キャップ ５ａ、ｌｌａ、１４ａ・・・第１の接触面５ｂ、ｌｌｃ
、１４ｃｍ・・第２の接触面５ｃ、 ６ｂ・・・凸部
５ｄ、 ６ａ・・・凹部５ｅ、１４ｂ・・・凹部 ６・
・・冷却スタッド８・・・冷媒 １２・・・ボンディン
グワイヤ代雇人弁理士三好秀和 第 図 第３図 １４ｃ ４ｄ 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）発熱体側に接触する第１の接触面と、前記発熱体
を冷却する冷却手段側に接触する第２の接触面とを有し
、前記第２の接触面を、前記発熱体の前記第１の接触面
と接触する面より表面積を広く形成したことを特徴とす
る伝熱キャップ。 - （２）発熱体側に接触する第１の接触面と、前記発熱体
を冷却する冷却手段側に接触する第２の接触面とを有し
、前記第２の接触面に凸部または凹部を形成してこの凸
部または凹部に合わせて前記冷却手段を接触させたこと
を特徴とする伝熱キャップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262090A JPH04139753A (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 伝熱キャップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262090A JPH04139753A (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 伝熱キャップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139753A true JPH04139753A (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17370896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2262090A Pending JPH04139753A (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 伝熱キャップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04139753A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1072180A1 (en) * | 1998-04-17 | 2001-01-31 | Advanced Interconnections Corporation | Integrated circuit intercoupling component with heat sink |
| EP1708262A2 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-04 | Delphi Technologies, Inc. | Thermal conductor and use thereof |
| JP2012028703A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Denso Corp | 電力変換装置 |
-
1990
- 1990-09-29 JP JP2262090A patent/JPH04139753A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1072180A1 (en) * | 1998-04-17 | 2001-01-31 | Advanced Interconnections Corporation | Integrated circuit intercoupling component with heat sink |
| EP1072180A4 (en) * | 1998-04-17 | 2002-05-02 | Advanced Interconnections | INTERCOUPLING COMPONENT OF INTEGRATED THERMAL WELL CIRCUITS |
| EP1708262A2 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-04 | Delphi Technologies, Inc. | Thermal conductor and use thereof |
| EP1708262A3 (en) * | 2005-03-30 | 2009-09-16 | Delphi Technologies, Inc. | Thermal conductor and use thereof |
| JP2012028703A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Denso Corp | 電力変換装置 |
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