JPH04139144A - 大環状ケトン類の製造法 - Google Patents

大環状ケトン類の製造法

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JPH04139144A
JPH04139144A JP26113590A JP26113590A JPH04139144A JP H04139144 A JPH04139144 A JP H04139144A JP 26113590 A JP26113590 A JP 26113590A JP 26113590 A JP26113590 A JP 26113590A JP H04139144 A JPH04139144 A JP H04139144A
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    • C07C45/56Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、大環状ケトン類の製造法に関するものであ
る。さらに詳しくは、この発明は、安価で入手容易な原
料を用い、高効率で、選択性よく大環状ケトン類を製造
することのできる新しい方法に関するものである。
(従来の技術とその課題) 従来より、医薬品、香料等の中間体や製品として大環状
ケトン類が注目されてきており、これまでにも様々な製
造法が開発されてきている。
しかしながら、これらの大環状ケトン類については、そ
の化学構造上の特徴から合成が困難なものが多く、工業
的製造法として確立しているのは数少いのが実情である
たとえば次式(1) で示されるムスコンは、ヒマラヤからアジアにかけて生
息しているジャコウジカの雄の腹部分泌線より得られる
ジャ香の香気成分であり、古来より宝石や金より高価で
あり、アロマ(芳香)のなかでも最高のものとして尊ば
れてきた。このムスコンは、1926年に(−)−3−
メチルシクロペンタデカノンであることか明らかにされ
、それ以降、貴重な香気を持つ化合物として、また、大
環状化合物の合成上の興味から数多くのムスコンの合成
の報告がなされてきている。
しかしながら、15個の炭素原子の結合によって環を形
成し、しかもカルボニル基とともに3位にメチルを有す
るこのムスコンの合成は困難を極め、いまだに工業的に
は生産されていない。
この化合物を製造する上で問題となるのは、大環状構造
の構築とメチル基の位置選択的導入にあり、工業的に高
効率、低コストで、選択性よく製造することはいまだ実
現されてきていない。
この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、上記のムスコンをはじめとする大環状ケトン類の
製造上の困難さを克服し、高効率、かつ低コストで、し
かも選択性よく大環状ケトン類を製造することのできる
新しい製造法を提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段) この発明は、上記の課題を解決するものとして、次の工
程; 〈a〉 長鎖のジカルボン酸ジエステルのアシロイン縮
合による大環状アシロイン化合物の製造、 <d>  大環状アシロイン化合物のカルボニル基の保
護および水酸基の脱離基への変換、<(>  脱離基の
脱離による炭素−炭素二重結合の形成、 <d>  カルボニル基の脱保護 からなることを特徴とするα、β−不飽和大環状ケトン
類の製造法を提供する。
また、この発明は、上記<d>の工程に続いて、α、β
−不飽和大環状ケトンの3位にアルキル基を導入する工
程を加えてなることを特徴とする3位にアルキル基を有
する大環状ケトン類の製造法をも提供する。
以下、詳しくこの発明の大環状ケトン類の製造法につい
て説明する。
<a>  大環状アシロイン化合物の製造まず、この発
明の製造法においては、長鎖のジカルボン酸ジエステル
のアシロイン縮合を行う。
原料としての長鎖のジカルボン酸ジエステルは、たとえ
ば、次式(2) %式%(2) (R,およびR2は、同一もしくは異なるアルキル基等
の炭化水素基、あるいは置換基を有するそれらの炭化水
素基を示し、またAは、直鎖または分枝状のアルキレン
基、あるいは置換基を有するそれらのアルキレン基を示
す) て表されるものであり、式(2)のAに相当するアルキ
レン基としては、たとえば炭素数10程度以上の長鎖の
ものがその対象となる。
その具体例としては、ドデカンニ酸、ペンタデカンニ酸
、ヘキサデカンニ酸、ヘプタデカンニ酸等の長鎖のジカ
ルボン酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピル
エステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、シ
クロヘキシルエステル、クロルメチルエステル、等を挙
げることかできる。
これらの長鎖のジカルボン酸ジエステルを原料としてア
シロイン縮合を行うには、適当な溶媒の存在下にNa、
になどのアルカリ金属やNaとKとの合金等と作用させ
る。これら金属、合金の使用量は、原料ジエステル1モ
ルに対して1〜15モル程度、反応温度は10〜180
°C1好ましくは50〜150℃程度、また反応時間は
1〜12時間、より好ましくは1.5〜10時間程度と
する。
また、反応に使用する溶媒としては、キシレン、ベンゼ
ン、トルエン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、
エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ジ−
n−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒を具体例として
例示することができ、その使用量は、原料ジエステルに
対して重量基準で5〜50倍とするのが好ましい。
このアシロイン縮合反応によって、 次式 の大環状アシロイン化合物、すなわち大環状αヒドロキ
シケトン類が生成する。
<b>  カルボニル基の保護と水酸基の脱離基への変
換、 次いで、生成した上記(3)で示される大環状α−ヒド
ロキシケトン類のカルボニル基を保護し、また、ヒドロ
キシ基の脱離容易な脱離基への変換を行う。
カルボニル基の保護基としては各種のものが採用できる
。たとえば、エチレンジオキシル基、トリメチレンジオ
キシル基、それらのメチル置換体としてのメチルエチレ
ンジオキシル基、ジメチルトリメチレンジオキシ基等の
アルキレンジオキシル基、二つのアルコキシ基で、その
各々が、メトキシル基、エトキシル基、n−プロポオキ
シル基、i−プロポオキシル基、n−ブチロキシル基、
1ブチロキシル基、n−アミロキシル基、i−アミロキ
シル基、n−へキシロキシル基、i−へキシロキシル基
などのアルコキシ基であるものを例示する゛ことができ
る。
これらの保護基によるカルボニル基の保護は常法によっ
て行うことができ、通常は、上記式(3)のアシロイン
縮合生成物である大環状α−ヒドロキシケトン類を酸の
存在下に、上記保護基に対応するアルコールを反応させ
る。たとえば保護基としてエチレンジオキシル基を使用
する場合には、エチレングリコールを反応させる。
また、大環状α−ヒドロキシケトン類を酸の存在下に2
−メトキシ−1,3−ジオキソランや2エチル−2−メ
チル−1,3ジオキソランなどのジオキソラン化合物を
用いて、ケタール交換させる方法でもよい。
反応系に存在させる酸としては、p−トルエンスルホン
酸、ピリジニウム−P−トルエンスルホナート、メタン
スルホン酸等の適宜なものを用いることかでき、溶媒と
してもベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素溶媒、脂
肪族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒等を使用すること
も好ましい。
この際の反応温度は、反応か還流下で進行するように、
適宜に選択するのか好ましい。
ヒドロキシル基の脱離基への変換については、脱離基と
して、たとえばトシルオキシ基、メシルオキシ基などの
スルホン酸エステル基、あるいはハロゲン等を採用する
ことができる。スルホン酸エステル基を導入する場合に
は、上記した通りのアシロイン縮合生成物のカルボニル
基を保護した後に導入する。より具体的には、スルホン
酸エステル基を脱離基として導入する場合には、p −
1ルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸
、もしくはそれらの酸塩化物を、ピリジン等の溶媒の存
在下に作用させることができる。また、ハロゲンを脱離
基として導入する場合には、あらかじめ上記式(3)で
示されるアシロイン縮合生成物のヒドロキシル基をスル
ホン酸エステル化した後にこれを NaBr、KBr、KClなどのハロゲン化アルカリ金
属によってハロゲン化し、その後、上記した通りのカル
ボニル基の保護を行う。これは、カルボニル基の保護の
後ではハロゲンの導入ができないことによる。
<C>  脱離基の脱離による炭素−炭素二重結合の形
成 次いで、脱離基を脱離して炭素−炭素二重結合を形成す
るが、この場合には、通常、溶媒の存在下に強アルカリ
を作用させる。強アルカリとしては、アルカリ金属アル
コラード、1.5−ジアザビシクロ〔4,3,0) −
ノナ−5−エン、18ジアザビシクロ(5,4,0〕−
ウンデカ−7エン、1.4−ジアザビシクロ〔2,2,
2)−オクタンなどが例示される。
溶媒としては、たとえば、ベンセン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン(T
HF) 、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF) 
、N−メチルピロリジノン(NMP)等の極性溶媒を使
用することができる。
より好ましくは、非プロトン性極性溶媒を使用する。
反応温度は20〜150℃、反応時間は0.5〜3時間
程度である。
<d>  カルボニル基の脱保護 保護基によって保護したカルボニル基は次いで脱保護す
るが、この脱保護は様々な方法で実施することができる
たとえば、塩酸、硫酸、酢酸等の酸を用いる方法、アセ
トン等の溶媒中で、硫酸、p−トルエンスルホン酸、ピ
リジニウム−p−トルエンスルホナートを用いてケター
ル変換を行う方法、塩化メチレン等の溶媒中で、トリチ
ルテトラフルオロボラートにより酸化的分解を行う方法
などが採用できる。
以上の<a>〜<d>の工程によって、α、β−、β−
大環状ケトン類が生成される。安価で入手容易な長鎖の
ジカルボン酸ジエステルを原料とし、高効率で、このα
、β−、β−大環状ケトン類が得られる。このα、β−
、β−大環状ケトン類は、それ自体として医薬品、香料
等の合成中間体等として有用であり、この発明の目的と
するムスコンをはじめとする、その3位にアルキル基を
導入した大環状ケトン類に変換することができる。
この3位へのアルキル基の導入は、■、4−付加反応と
して行われるものであり、この発明においては、好まし
くは、アルキル金属化合物を、金属触媒の存在下にこの
反応を実施する。
アルキル金属化合物は、アルキル基の炭素原子と金属原
子との結合を有する広い範囲の化合物を用いることがで
き、好ましくは、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、
スズ、チタン、ジルコニウム、銅等の多原子価金属のア
ルキル金属化合物を使用する。その具体例としては、ト
リメチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、臭化メチルマグ
ネシウム、テトラメチルスズ、テトラメチルチタン、ト
リエチルアルミニウム、ジエチル亜鉛、トリプロピルア
ルミニウム、ジプロピル亜鉛、ジメチルアルミニウムク
ロライド、トリメチルスズクロライド、ジメチルスズジ
クロライド、トリメチルジルコニウムクロライド、メチ
ルリチウム銅等を例示することかできる。
これらのアルキル金属化合物は、配位子を結合している
ものでもよい。アセチルアセトナート、トリフェニルホ
スフィン、その他の配位子を適宜に有していてもよい。
また、アルキル基としても、直鎖または分岐鎖、さらに
は、脂環構造を有しているもの、■、4−付加反応を阻
害することのない適宜な有機基を有するものであっても
よい。これらの有機基としては、たとえばアルコキシ基
、アルキルチオ基、ニトロ基、エステル基、アシルオキ
シ基、シアノ基等が例示される。
反応に使用する金属触媒としては、ニッケル、コバルト
、パラジウム、白金、ルテニウム、オスミウム等の遷移
金属、あるいは貴金属の塩、錯体化合物、有機金属化合
物等を使用することかできる。より好ましくは、ニッケ
ル、コバルト等のアセチルアセトナート錯体化合物、ト
リフェニルホスイン錯体化合物等を使用する。
■、4−付加反応は、通常、−30〜50℃程度の温度
条件において、α、β−不飽和不飽和大環状ケト上類1
モル、1〜3モル程度のアルキル金属化合物と、0.0
01〜0.1モル程度の触媒を用い、溶媒の存在下に、
5分〜30時間程度反応させる。
溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香
族炭化水素溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族
炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などが用いられる。
この反応方法によって、アルキル基の位置選択性良く3
位にアルキル基を有する大環状ケトン類を製造すること
ができる。
以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明の大環状ケ
トン類の製造法について説明する。
実施例 1 (2−シクロドブセノンの製造) 別記反応式(A)に沿って2−シクロドブセノンの製造
を行った。
<1−1>2−ヒドロキシクロドデカノントルエン10
0m1にナトリウム2.3g(10当量)を加えて、窒
素下で還流下激しく撹拌し、ナトリウムを分散させた。
そこにドデカンニ酸ンメチルエステル(11) 2.5
8g (10mmol)をトルエン30m1に溶解した
ものを2時間かけて滴下した。2時間還流下撹拌した後
冷却し、メタノールを加えて過剰のナトリウムを後処理
し、反応液に1M塩酸を加えて中和し、エーテル抽出、
洗浄、乾燥(Mg S 04 ) した後減圧濃縮し粗
生成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、目的物の2−ヒドロキシシクロドデ
カノン(12)を1.38g (収率69%)を得た。
<1−2>2−ヒドロキシクロドデカノンエチレンアセ
クール(13) 上記<1−1>の生成物である2−ヒドロキシシクロド
デカノン(12) 0.991 g (5mmol)、
エチレングリコール0.83m1 (3当量)、p−ト
ルエンスルホン酸(1水和物) 5mg (0,5mo
1% )をベンゼン20m1に溶かし、1晩還流下撹拌
した。
反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥(Mg 
S 04 ) した後減圧濃縮し粗生成物を得た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、目的物の2−ヒドロキシクロドデカノンエチレンア
セタール(13)を0.856 g (収率71%)得
た。
<1−3>2−ヒドロキシシクロドデカノンエチレンア
セタールp −トルエンスルホネート(14) 上記<1−2>の生成物(13) 0.49g (2m
mol)をピリジン5mlに溶かし、0°Cに冷却した
後塩化1)−トルエンスルホニル0.46g (1,2
当量)を加え、30分撹拌した後、冷蔵庫中に3日間放
置した。反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥
、(Mg S 04 ) シた後減圧濃縮し粗生成物を
得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフノーによ
り精製し、目的物の2〜ヒドロキシシクロドデカノンエ
チレンアセタールp−トルエンスルホネート(14)を
0.79g(収率:100%)を得た。
<1−4>2−シクロドブセノンエチレンアセタール(
15) 上記<1−3>の生成物(4) 0.172g (0,
434mmol)をN−メチル−2−ピロリジノン1.
5mlに溶かし、′100℃に加熱した後にカリウムt
−ブトキシド0.17gを加え、1時間撹拌した。反応
液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥 (Mg S 04 ) した後減圧濃縮し粗生成物を得
た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、目的物の2−シクロドブセノンエチレンアセタール
(15)を0.0575g (収率59%)得た。
<1−5>2−シクロドブセノン(16)上記<1−4
>の生成物(15) 0.136 g(0,605mm
ol)を、テトラヒドロフランに溶解し、IMHCfo
、211Tlと反応させ、目的物の2−シクロドブセノ
ン(16) 0.102g (収率94%)得た。
反 応 式 反 応 式 実施例1の工程<1−4>において、溶媒をNメチル−
2−ピロリジノンからジメチルホルムアミド(DMF)
に変更して90℃の温度で4時間反応さ゛せた。実施例
1の工程<1−4>と同様にして精製し、その結果、目
的物の2−シクロドブセノンエチレンアセタール(15
)を収率51%で得た。
実施例 3 (2−シクロベンタデセノンの製造) 別記反応式(B)に沿って、2−シクロベンタデセノン
の製造を行った。
<3−1>2−ヒドロキシシクロペンタデカノンp−ト
ルエンスルホネート(19) 実施例1の工程<1−1>と同様にしてペンタデカンニ
酸ジメチルエステル(17)をアシロイン縮合し、2−
ヒドロキシクロペンタデカノン(18)を取得し、この
アシロイン生成物(18) 1.50g (6,2mm
ol)を実施例1の工程<1−3>と同様に塩化p−ト
ルエンスルホニルと反応させ、目的物の2−ヒドロキシ
シクロペンタデカノンp−トルエンスルホネート(19
)を2.34g(収率95%)得た。
< 3−2 > 2−ブロモシクロペンタデカノン上記
<3−1>の反応工程からの生成物(19) 1.97
g (5mmol) 、NaB rl、03g(2当量
)をジメチルホルムアミド5mlに溶かし、60°Cで
一晩撹拌した。反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄
、乾燥(MgSO4)した後減圧濃縮し粗生成物を得た
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、目的物の2ブロモシクロペンタデカノン(20)
を1.26g(収率83%)得た。
<3−3>2−ブロモシクロペンタデカノンエチレンア
セタール(21) 上記<3−2>からの生成物(20)を、実施例1の工
程<1−2>と同様にエチレングリコールと反応させ目
的物の2−ブロモシクロペンタデカノンエチレンアセタ
ール(21)を1.05g (収率73%)得た。
<3−4>  2−シクロベンタデセノンエチレンアセ
タール(22) 上記<3−3>の生成物(21)を、
実施例 1の工程<1−4>と同様にして、目的物の2
−シクロベンタデセノンエチレンアセタール(22)(
収率71%)を得た。
<3−5>2−シクロベンタデセノン(23)上記<3
−4>の生成物(22)を、実施例1の工程<1−5>
と同様にして、目的物の2−シクロベンタデセノン(2
3)(収率98%)を得た。
実施例 4 (3−メチルシクロドデカノンの製造)実施例1および
実施例2によって得た2−シクロドブセノン0.105
g(0,580mm o l )をトルエン1−に溶解
し、これに8■のニッケルアセチルアセトナートを攪拌
溶解し、得られた溶液に、1.5当量のトリメチルアル
ミニウムを0℃の温度で5分間かけて滴下し、次いで5
時間攪拌した。
反応液を水に注ぎ、エーテル抽出、洗浄、乾燥(MgS
04)、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、その結果、3−メチルシクロドデカ
ノンを収率27%で得た。
実施例 5 (3−メチルシクロドデカノンの製造)0.5Mジメチ
ル亜鉛を溶解したテトラヒドロフラン(THF)2.5
−をトルエン10m1に溶解し、これに2−シクロドブ
セノン1.14aun o lとニッケルアセチルアセ
トナート8■をトルエン2−に溶かしたものを5分間か
けて室温下に滴下した。
5分間攪拌後反応液を水に注ぎ、エーテル抽出、洗浄、
乾燥(MgSO< )した後に、減圧濃縮し、粗生成物
を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製したところ、3−メチルシクロドデカノンを収
率70%で得た。
実施例 6 (3−メチルシクロペンタデカノンの製造)窒素下、1
Mジエチル亜鉛のTHF溶液0.7dをトルエン3.5
−に溶かし、2−シクロベンタデセノン79.8mg 
(0,359mmol )とニッケルアセチルアセトナ
ート4■をトルエン2.5−に溶かしたものを5分間か
けて滴下した。5分間攪拌した後、反応液を水に注ぎ、
エーテル抽出、洗浄、乾燥(MgSO,)シた後、減圧
濃縮し、粗生成物を得□た。これをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製したところ、3−メチルシ
クロペンタデカノン(ムスコン)73.4■(収率86
%)を得た。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)次の工程; <a>長鎖のジカルボン酸ジエステルのアシロイン縮合
    による大環状アシロイン化合物の製造、 <b>大環状アシロイン化合物のカルボニル基の保護お
    よび水酸基の脱離基への変換、 <c>脱離基の脱離による炭素−炭素二重結合の形成、 <d>カルボニル基の脱保護 からなることを特徴とするα,β−不飽和大環状ケトン
    類の製造方法。
  2. (2)請求項(1)記載の工程に続いて、α,β−不飽
    和大環状ケトンの3位にアルキル基を導入する工程を加
    えてなることを特徴とする3位にアルキル基を有する大
    環状ケトン類の製造法。
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