JPH04139144A - 大環状ケトン類の製造法 - Google Patents
大環状ケトン類の製造法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/56—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds
- C07C45/57—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds with oxygen as the only heteroatom
- C07C45/59—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds with oxygen as the only heteroatom in five-membered rings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、大環状ケトン類の製造法に関するものであ
る。さらに詳しくは、この発明は、安価で入手容易な原
料を用い、高効率で、選択性よく大環状ケトン類を製造
することのできる新しい方法に関するものである。
る。さらに詳しくは、この発明は、安価で入手容易な原
料を用い、高効率で、選択性よく大環状ケトン類を製造
することのできる新しい方法に関するものである。
(従来の技術とその課題)
従来より、医薬品、香料等の中間体や製品として大環状
ケトン類が注目されてきており、これまでにも様々な製
造法が開発されてきている。
ケトン類が注目されてきており、これまでにも様々な製
造法が開発されてきている。
しかしながら、これらの大環状ケトン類については、そ
の化学構造上の特徴から合成が困難なものが多く、工業
的製造法として確立しているのは数少いのが実情である
。
の化学構造上の特徴から合成が困難なものが多く、工業
的製造法として確立しているのは数少いのが実情である
。
たとえば次式(1)
で示されるムスコンは、ヒマラヤからアジアにかけて生
息しているジャコウジカの雄の腹部分泌線より得られる
ジャ香の香気成分であり、古来より宝石や金より高価で
あり、アロマ(芳香)のなかでも最高のものとして尊ば
れてきた。このムスコンは、1926年に(−)−3−
メチルシクロペンタデカノンであることか明らかにされ
、それ以降、貴重な香気を持つ化合物として、また、大
環状化合物の合成上の興味から数多くのムスコンの合成
の報告がなされてきている。
息しているジャコウジカの雄の腹部分泌線より得られる
ジャ香の香気成分であり、古来より宝石や金より高価で
あり、アロマ(芳香)のなかでも最高のものとして尊ば
れてきた。このムスコンは、1926年に(−)−3−
メチルシクロペンタデカノンであることか明らかにされ
、それ以降、貴重な香気を持つ化合物として、また、大
環状化合物の合成上の興味から数多くのムスコンの合成
の報告がなされてきている。
しかしながら、15個の炭素原子の結合によって環を形
成し、しかもカルボニル基とともに3位にメチルを有す
るこのムスコンの合成は困難を極め、いまだに工業的に
は生産されていない。
成し、しかもカルボニル基とともに3位にメチルを有す
るこのムスコンの合成は困難を極め、いまだに工業的に
は生産されていない。
この化合物を製造する上で問題となるのは、大環状構造
の構築とメチル基の位置選択的導入にあり、工業的に高
効率、低コストで、選択性よく製造することはいまだ実
現されてきていない。
の構築とメチル基の位置選択的導入にあり、工業的に高
効率、低コストで、選択性よく製造することはいまだ実
現されてきていない。
この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、上記のムスコンをはじめとする大環状ケトン類の
製造上の困難さを克服し、高効率、かつ低コストで、し
かも選択性よく大環状ケトン類を製造することのできる
新しい製造法を提供することを目的としている。
あり、上記のムスコンをはじめとする大環状ケトン類の
製造上の困難さを克服し、高効率、かつ低コストで、し
かも選択性よく大環状ケトン類を製造することのできる
新しい製造法を提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段)
この発明は、上記の課題を解決するものとして、次の工
程; 〈a〉 長鎖のジカルボン酸ジエステルのアシロイン縮
合による大環状アシロイン化合物の製造、 <d> 大環状アシロイン化合物のカルボニル基の保
護および水酸基の脱離基への変換、<(> 脱離基の
脱離による炭素−炭素二重結合の形成、 <d> カルボニル基の脱保護 からなることを特徴とするα、β−不飽和大環状ケトン
類の製造法を提供する。
程; 〈a〉 長鎖のジカルボン酸ジエステルのアシロイン縮
合による大環状アシロイン化合物の製造、 <d> 大環状アシロイン化合物のカルボニル基の保
護および水酸基の脱離基への変換、<(> 脱離基の
脱離による炭素−炭素二重結合の形成、 <d> カルボニル基の脱保護 からなることを特徴とするα、β−不飽和大環状ケトン
類の製造法を提供する。
また、この発明は、上記<d>の工程に続いて、α、β
−不飽和大環状ケトンの3位にアルキル基を導入する工
程を加えてなることを特徴とする3位にアルキル基を有
する大環状ケトン類の製造法をも提供する。
−不飽和大環状ケトンの3位にアルキル基を導入する工
程を加えてなることを特徴とする3位にアルキル基を有
する大環状ケトン類の製造法をも提供する。
以下、詳しくこの発明の大環状ケトン類の製造法につい
て説明する。
て説明する。
<a> 大環状アシロイン化合物の製造まず、この発
明の製造法においては、長鎖のジカルボン酸ジエステル
のアシロイン縮合を行う。
明の製造法においては、長鎖のジカルボン酸ジエステル
のアシロイン縮合を行う。
原料としての長鎖のジカルボン酸ジエステルは、たとえ
ば、次式(2) %式%(2) (R,およびR2は、同一もしくは異なるアルキル基等
の炭化水素基、あるいは置換基を有するそれらの炭化水
素基を示し、またAは、直鎖または分枝状のアルキレン
基、あるいは置換基を有するそれらのアルキレン基を示
す) て表されるものであり、式(2)のAに相当するアルキ
レン基としては、たとえば炭素数10程度以上の長鎖の
ものがその対象となる。
ば、次式(2) %式%(2) (R,およびR2は、同一もしくは異なるアルキル基等
の炭化水素基、あるいは置換基を有するそれらの炭化水
素基を示し、またAは、直鎖または分枝状のアルキレン
基、あるいは置換基を有するそれらのアルキレン基を示
す) て表されるものであり、式(2)のAに相当するアルキ
レン基としては、たとえば炭素数10程度以上の長鎖の
ものがその対象となる。
その具体例としては、ドデカンニ酸、ペンタデカンニ酸
、ヘキサデカンニ酸、ヘプタデカンニ酸等の長鎖のジカ
ルボン酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピル
エステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、シ
クロヘキシルエステル、クロルメチルエステル、等を挙
げることかできる。
、ヘキサデカンニ酸、ヘプタデカンニ酸等の長鎖のジカ
ルボン酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピル
エステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、シ
クロヘキシルエステル、クロルメチルエステル、等を挙
げることかできる。
これらの長鎖のジカルボン酸ジエステルを原料としてア
シロイン縮合を行うには、適当な溶媒の存在下にNa、
になどのアルカリ金属やNaとKとの合金等と作用させ
る。これら金属、合金の使用量は、原料ジエステル1モ
ルに対して1〜15モル程度、反応温度は10〜180
°C1好ましくは50〜150℃程度、また反応時間は
1〜12時間、より好ましくは1.5〜10時間程度と
する。
シロイン縮合を行うには、適当な溶媒の存在下にNa、
になどのアルカリ金属やNaとKとの合金等と作用させ
る。これら金属、合金の使用量は、原料ジエステル1モ
ルに対して1〜15モル程度、反応温度は10〜180
°C1好ましくは50〜150℃程度、また反応時間は
1〜12時間、より好ましくは1.5〜10時間程度と
する。
また、反応に使用する溶媒としては、キシレン、ベンゼ
ン、トルエン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、
エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ジ−
n−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒を具体例として
例示することができ、その使用量は、原料ジエステルに
対して重量基準で5〜50倍とするのが好ましい。
ン、トルエン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、
エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ジ−
n−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒を具体例として
例示することができ、その使用量は、原料ジエステルに
対して重量基準で5〜50倍とするのが好ましい。
このアシロイン縮合反応によって、
次式
の大環状アシロイン化合物、すなわち大環状αヒドロキ
シケトン類が生成する。
シケトン類が生成する。
<b> カルボニル基の保護と水酸基の脱離基への変
換、 次いで、生成した上記(3)で示される大環状α−ヒド
ロキシケトン類のカルボニル基を保護し、また、ヒドロ
キシ基の脱離容易な脱離基への変換を行う。
換、 次いで、生成した上記(3)で示される大環状α−ヒド
ロキシケトン類のカルボニル基を保護し、また、ヒドロ
キシ基の脱離容易な脱離基への変換を行う。
カルボニル基の保護基としては各種のものが採用できる
。たとえば、エチレンジオキシル基、トリメチレンジオ
キシル基、それらのメチル置換体としてのメチルエチレ
ンジオキシル基、ジメチルトリメチレンジオキシ基等の
アルキレンジオキシル基、二つのアルコキシ基で、その
各々が、メトキシル基、エトキシル基、n−プロポオキ
シル基、i−プロポオキシル基、n−ブチロキシル基、
1ブチロキシル基、n−アミロキシル基、i−アミロキ
シル基、n−へキシロキシル基、i−へキシロキシル基
などのアルコキシ基であるものを例示する゛ことができ
る。
。たとえば、エチレンジオキシル基、トリメチレンジオ
キシル基、それらのメチル置換体としてのメチルエチレ
ンジオキシル基、ジメチルトリメチレンジオキシ基等の
アルキレンジオキシル基、二つのアルコキシ基で、その
各々が、メトキシル基、エトキシル基、n−プロポオキ
シル基、i−プロポオキシル基、n−ブチロキシル基、
1ブチロキシル基、n−アミロキシル基、i−アミロキ
シル基、n−へキシロキシル基、i−へキシロキシル基
などのアルコキシ基であるものを例示する゛ことができ
る。
これらの保護基によるカルボニル基の保護は常法によっ
て行うことができ、通常は、上記式(3)のアシロイン
縮合生成物である大環状α−ヒドロキシケトン類を酸の
存在下に、上記保護基に対応するアルコールを反応させ
る。たとえば保護基としてエチレンジオキシル基を使用
する場合には、エチレングリコールを反応させる。
て行うことができ、通常は、上記式(3)のアシロイン
縮合生成物である大環状α−ヒドロキシケトン類を酸の
存在下に、上記保護基に対応するアルコールを反応させ
る。たとえば保護基としてエチレンジオキシル基を使用
する場合には、エチレングリコールを反応させる。
また、大環状α−ヒドロキシケトン類を酸の存在下に2
−メトキシ−1,3−ジオキソランや2エチル−2−メ
チル−1,3ジオキソランなどのジオキソラン化合物を
用いて、ケタール交換させる方法でもよい。
−メトキシ−1,3−ジオキソランや2エチル−2−メ
チル−1,3ジオキソランなどのジオキソラン化合物を
用いて、ケタール交換させる方法でもよい。
反応系に存在させる酸としては、p−トルエンスルホン
酸、ピリジニウム−P−トルエンスルホナート、メタン
スルホン酸等の適宜なものを用いることかでき、溶媒と
してもベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素溶媒、脂
肪族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒等を使用すること
も好ましい。
酸、ピリジニウム−P−トルエンスルホナート、メタン
スルホン酸等の適宜なものを用いることかでき、溶媒と
してもベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素溶媒、脂
肪族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒等を使用すること
も好ましい。
この際の反応温度は、反応か還流下で進行するように、
適宜に選択するのか好ましい。
適宜に選択するのか好ましい。
ヒドロキシル基の脱離基への変換については、脱離基と
して、たとえばトシルオキシ基、メシルオキシ基などの
スルホン酸エステル基、あるいはハロゲン等を採用する
ことができる。スルホン酸エステル基を導入する場合に
は、上記した通りのアシロイン縮合生成物のカルボニル
基を保護した後に導入する。より具体的には、スルホン
酸エステル基を脱離基として導入する場合には、p −
1ルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸
、もしくはそれらの酸塩化物を、ピリジン等の溶媒の存
在下に作用させることができる。また、ハロゲンを脱離
基として導入する場合には、あらかじめ上記式(3)で
示されるアシロイン縮合生成物のヒドロキシル基をスル
ホン酸エステル化した後にこれを NaBr、KBr、KClなどのハロゲン化アルカリ金
属によってハロゲン化し、その後、上記した通りのカル
ボニル基の保護を行う。これは、カルボニル基の保護の
後ではハロゲンの導入ができないことによる。
して、たとえばトシルオキシ基、メシルオキシ基などの
スルホン酸エステル基、あるいはハロゲン等を採用する
ことができる。スルホン酸エステル基を導入する場合に
は、上記した通りのアシロイン縮合生成物のカルボニル
基を保護した後に導入する。より具体的には、スルホン
酸エステル基を脱離基として導入する場合には、p −
1ルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸
、もしくはそれらの酸塩化物を、ピリジン等の溶媒の存
在下に作用させることができる。また、ハロゲンを脱離
基として導入する場合には、あらかじめ上記式(3)で
示されるアシロイン縮合生成物のヒドロキシル基をスル
ホン酸エステル化した後にこれを NaBr、KBr、KClなどのハロゲン化アルカリ金
属によってハロゲン化し、その後、上記した通りのカル
ボニル基の保護を行う。これは、カルボニル基の保護の
後ではハロゲンの導入ができないことによる。
<C> 脱離基の脱離による炭素−炭素二重結合の形
成 次いで、脱離基を脱離して炭素−炭素二重結合を形成す
るが、この場合には、通常、溶媒の存在下に強アルカリ
を作用させる。強アルカリとしては、アルカリ金属アル
コラード、1.5−ジアザビシクロ〔4,3,0) −
ノナ−5−エン、18ジアザビシクロ(5,4,0〕−
ウンデカ−7エン、1.4−ジアザビシクロ〔2,2,
2)−オクタンなどが例示される。
成 次いで、脱離基を脱離して炭素−炭素二重結合を形成す
るが、この場合には、通常、溶媒の存在下に強アルカリ
を作用させる。強アルカリとしては、アルカリ金属アル
コラード、1.5−ジアザビシクロ〔4,3,0) −
ノナ−5−エン、18ジアザビシクロ(5,4,0〕−
ウンデカ−7エン、1.4−ジアザビシクロ〔2,2,
2)−オクタンなどが例示される。
溶媒としては、たとえば、ベンセン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン(T
HF) 、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF)
、N−メチルピロリジノン(NMP)等の極性溶媒を使
用することができる。
ン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン(T
HF) 、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF)
、N−メチルピロリジノン(NMP)等の極性溶媒を使
用することができる。
より好ましくは、非プロトン性極性溶媒を使用する。
反応温度は20〜150℃、反応時間は0.5〜3時間
程度である。
程度である。
<d> カルボニル基の脱保護
保護基によって保護したカルボニル基は次いで脱保護す
るが、この脱保護は様々な方法で実施することができる
。
るが、この脱保護は様々な方法で実施することができる
。
たとえば、塩酸、硫酸、酢酸等の酸を用いる方法、アセ
トン等の溶媒中で、硫酸、p−トルエンスルホン酸、ピ
リジニウム−p−トルエンスルホナートを用いてケター
ル変換を行う方法、塩化メチレン等の溶媒中で、トリチ
ルテトラフルオロボラートにより酸化的分解を行う方法
などが採用できる。
トン等の溶媒中で、硫酸、p−トルエンスルホン酸、ピ
リジニウム−p−トルエンスルホナートを用いてケター
ル変換を行う方法、塩化メチレン等の溶媒中で、トリチ
ルテトラフルオロボラートにより酸化的分解を行う方法
などが採用できる。
以上の<a>〜<d>の工程によって、α、β−、β−
大環状ケトン類が生成される。安価で入手容易な長鎖の
ジカルボン酸ジエステルを原料とし、高効率で、このα
、β−、β−大環状ケトン類が得られる。このα、β−
、β−大環状ケトン類は、それ自体として医薬品、香料
等の合成中間体等として有用であり、この発明の目的と
するムスコンをはじめとする、その3位にアルキル基を
導入した大環状ケトン類に変換することができる。
大環状ケトン類が生成される。安価で入手容易な長鎖の
ジカルボン酸ジエステルを原料とし、高効率で、このα
、β−、β−大環状ケトン類が得られる。このα、β−
、β−大環状ケトン類は、それ自体として医薬品、香料
等の合成中間体等として有用であり、この発明の目的と
するムスコンをはじめとする、その3位にアルキル基を
導入した大環状ケトン類に変換することができる。
この3位へのアルキル基の導入は、■、4−付加反応と
して行われるものであり、この発明においては、好まし
くは、アルキル金属化合物を、金属触媒の存在下にこの
反応を実施する。
して行われるものであり、この発明においては、好まし
くは、アルキル金属化合物を、金属触媒の存在下にこの
反応を実施する。
アルキル金属化合物は、アルキル基の炭素原子と金属原
子との結合を有する広い範囲の化合物を用いることがで
き、好ましくは、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、
スズ、チタン、ジルコニウム、銅等の多原子価金属のア
ルキル金属化合物を使用する。その具体例としては、ト
リメチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、臭化メチルマグ
ネシウム、テトラメチルスズ、テトラメチルチタン、ト
リエチルアルミニウム、ジエチル亜鉛、トリプロピルア
ルミニウム、ジプロピル亜鉛、ジメチルアルミニウムク
ロライド、トリメチルスズクロライド、ジメチルスズジ
クロライド、トリメチルジルコニウムクロライド、メチ
ルリチウム銅等を例示することかできる。
子との結合を有する広い範囲の化合物を用いることがで
き、好ましくは、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、
スズ、チタン、ジルコニウム、銅等の多原子価金属のア
ルキル金属化合物を使用する。その具体例としては、ト
リメチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、臭化メチルマグ
ネシウム、テトラメチルスズ、テトラメチルチタン、ト
リエチルアルミニウム、ジエチル亜鉛、トリプロピルア
ルミニウム、ジプロピル亜鉛、ジメチルアルミニウムク
ロライド、トリメチルスズクロライド、ジメチルスズジ
クロライド、トリメチルジルコニウムクロライド、メチ
ルリチウム銅等を例示することかできる。
これらのアルキル金属化合物は、配位子を結合している
ものでもよい。アセチルアセトナート、トリフェニルホ
スフィン、その他の配位子を適宜に有していてもよい。
ものでもよい。アセチルアセトナート、トリフェニルホ
スフィン、その他の配位子を適宜に有していてもよい。
また、アルキル基としても、直鎖または分岐鎖、さらに
は、脂環構造を有しているもの、■、4−付加反応を阻
害することのない適宜な有機基を有するものであっても
よい。これらの有機基としては、たとえばアルコキシ基
、アルキルチオ基、ニトロ基、エステル基、アシルオキ
シ基、シアノ基等が例示される。
は、脂環構造を有しているもの、■、4−付加反応を阻
害することのない適宜な有機基を有するものであっても
よい。これらの有機基としては、たとえばアルコキシ基
、アルキルチオ基、ニトロ基、エステル基、アシルオキ
シ基、シアノ基等が例示される。
反応に使用する金属触媒としては、ニッケル、コバルト
、パラジウム、白金、ルテニウム、オスミウム等の遷移
金属、あるいは貴金属の塩、錯体化合物、有機金属化合
物等を使用することかできる。より好ましくは、ニッケ
ル、コバルト等のアセチルアセトナート錯体化合物、ト
リフェニルホスイン錯体化合物等を使用する。
、パラジウム、白金、ルテニウム、オスミウム等の遷移
金属、あるいは貴金属の塩、錯体化合物、有機金属化合
物等を使用することかできる。より好ましくは、ニッケ
ル、コバルト等のアセチルアセトナート錯体化合物、ト
リフェニルホスイン錯体化合物等を使用する。
■、4−付加反応は、通常、−30〜50℃程度の温度
条件において、α、β−不飽和不飽和大環状ケト上類1
モル、1〜3モル程度のアルキル金属化合物と、0.0
01〜0.1モル程度の触媒を用い、溶媒の存在下に、
5分〜30時間程度反応させる。
条件において、α、β−不飽和不飽和大環状ケト上類1
モル、1〜3モル程度のアルキル金属化合物と、0.0
01〜0.1モル程度の触媒を用い、溶媒の存在下に、
5分〜30時間程度反応させる。
溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香
族炭化水素溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族
炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などが用いられる。
族炭化水素溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族
炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などが用いられる。
この反応方法によって、アルキル基の位置選択性良く3
位にアルキル基を有する大環状ケトン類を製造すること
ができる。
位にアルキル基を有する大環状ケトン類を製造すること
ができる。
以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明の大環状ケ
トン類の製造法について説明する。
トン類の製造法について説明する。
実施例 1
(2−シクロドブセノンの製造)
別記反応式(A)に沿って2−シクロドブセノンの製造
を行った。
を行った。
<1−1>2−ヒドロキシクロドデカノントルエン10
0m1にナトリウム2.3g(10当量)を加えて、窒
素下で還流下激しく撹拌し、ナトリウムを分散させた。
0m1にナトリウム2.3g(10当量)を加えて、窒
素下で還流下激しく撹拌し、ナトリウムを分散させた。
そこにドデカンニ酸ンメチルエステル(11) 2.5
8g (10mmol)をトルエン30m1に溶解した
ものを2時間かけて滴下した。2時間還流下撹拌した後
冷却し、メタノールを加えて過剰のナトリウムを後処理
し、反応液に1M塩酸を加えて中和し、エーテル抽出、
洗浄、乾燥(Mg S 04 ) した後減圧濃縮し粗
生成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、目的物の2−ヒドロキシシクロドデ
カノン(12)を1.38g (収率69%)を得た。
8g (10mmol)をトルエン30m1に溶解した
ものを2時間かけて滴下した。2時間還流下撹拌した後
冷却し、メタノールを加えて過剰のナトリウムを後処理
し、反応液に1M塩酸を加えて中和し、エーテル抽出、
洗浄、乾燥(Mg S 04 ) した後減圧濃縮し粗
生成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、目的物の2−ヒドロキシシクロドデ
カノン(12)を1.38g (収率69%)を得た。
<1−2>2−ヒドロキシクロドデカノンエチレンアセ
クール(13) 上記<1−1>の生成物である2−ヒドロキシシクロド
デカノン(12) 0.991 g (5mmol)、
エチレングリコール0.83m1 (3当量)、p−ト
ルエンスルホン酸(1水和物) 5mg (0,5mo
1% )をベンゼン20m1に溶かし、1晩還流下撹拌
した。
クール(13) 上記<1−1>の生成物である2−ヒドロキシシクロド
デカノン(12) 0.991 g (5mmol)、
エチレングリコール0.83m1 (3当量)、p−ト
ルエンスルホン酸(1水和物) 5mg (0,5mo
1% )をベンゼン20m1に溶かし、1晩還流下撹拌
した。
反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥(Mg
S 04 ) した後減圧濃縮し粗生成物を得た。
S 04 ) した後減圧濃縮し粗生成物を得た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、目的物の2−ヒドロキシクロドデカノンエチレンア
セタール(13)を0.856 g (収率71%)得
た。
し、目的物の2−ヒドロキシクロドデカノンエチレンア
セタール(13)を0.856 g (収率71%)得
た。
<1−3>2−ヒドロキシシクロドデカノンエチレンア
セタールp −トルエンスルホネート(14) 上記<1−2>の生成物(13) 0.49g (2m
mol)をピリジン5mlに溶かし、0°Cに冷却した
後塩化1)−トルエンスルホニル0.46g (1,2
当量)を加え、30分撹拌した後、冷蔵庫中に3日間放
置した。反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥
、(Mg S 04 ) シた後減圧濃縮し粗生成物を
得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフノーによ
り精製し、目的物の2〜ヒドロキシシクロドデカノンエ
チレンアセタールp−トルエンスルホネート(14)を
0.79g(収率:100%)を得た。
セタールp −トルエンスルホネート(14) 上記<1−2>の生成物(13) 0.49g (2m
mol)をピリジン5mlに溶かし、0°Cに冷却した
後塩化1)−トルエンスルホニル0.46g (1,2
当量)を加え、30分撹拌した後、冷蔵庫中に3日間放
置した。反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥
、(Mg S 04 ) シた後減圧濃縮し粗生成物を
得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフノーによ
り精製し、目的物の2〜ヒドロキシシクロドデカノンエ
チレンアセタールp−トルエンスルホネート(14)を
0.79g(収率:100%)を得た。
<1−4>2−シクロドブセノンエチレンアセタール(
15) 上記<1−3>の生成物(4) 0.172g (0,
434mmol)をN−メチル−2−ピロリジノン1.
5mlに溶かし、′100℃に加熱した後にカリウムt
−ブトキシド0.17gを加え、1時間撹拌した。反応
液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥 (Mg S 04 ) した後減圧濃縮し粗生成物を得
た。
15) 上記<1−3>の生成物(4) 0.172g (0,
434mmol)をN−メチル−2−ピロリジノン1.
5mlに溶かし、′100℃に加熱した後にカリウムt
−ブトキシド0.17gを加え、1時間撹拌した。反応
液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄、乾燥 (Mg S 04 ) した後減圧濃縮し粗生成物を得
た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、目的物の2−シクロドブセノンエチレンアセタール
(15)を0.0575g (収率59%)得た。
し、目的物の2−シクロドブセノンエチレンアセタール
(15)を0.0575g (収率59%)得た。
<1−5>2−シクロドブセノン(16)上記<1−4
>の生成物(15) 0.136 g(0,605mm
ol)を、テトラヒドロフランに溶解し、IMHCfo
、211Tlと反応させ、目的物の2−シクロドブセノ
ン(16) 0.102g (収率94%)得た。
>の生成物(15) 0.136 g(0,605mm
ol)を、テトラヒドロフランに溶解し、IMHCfo
、211Tlと反応させ、目的物の2−シクロドブセノ
ン(16) 0.102g (収率94%)得た。
反
応
式
反
応
式
実施例1の工程<1−4>において、溶媒をNメチル−
2−ピロリジノンからジメチルホルムアミド(DMF)
に変更して90℃の温度で4時間反応さ゛せた。実施例
1の工程<1−4>と同様にして精製し、その結果、目
的物の2−シクロドブセノンエチレンアセタール(15
)を収率51%で得た。
2−ピロリジノンからジメチルホルムアミド(DMF)
に変更して90℃の温度で4時間反応さ゛せた。実施例
1の工程<1−4>と同様にして精製し、その結果、目
的物の2−シクロドブセノンエチレンアセタール(15
)を収率51%で得た。
実施例 3
(2−シクロベンタデセノンの製造)
別記反応式(B)に沿って、2−シクロベンタデセノン
の製造を行った。
の製造を行った。
<3−1>2−ヒドロキシシクロペンタデカノンp−ト
ルエンスルホネート(19) 実施例1の工程<1−1>と同様にしてペンタデカンニ
酸ジメチルエステル(17)をアシロイン縮合し、2−
ヒドロキシクロペンタデカノン(18)を取得し、この
アシロイン生成物(18) 1.50g (6,2mm
ol)を実施例1の工程<1−3>と同様に塩化p−ト
ルエンスルホニルと反応させ、目的物の2−ヒドロキシ
シクロペンタデカノンp−トルエンスルホネート(19
)を2.34g(収率95%)得た。
ルエンスルホネート(19) 実施例1の工程<1−1>と同様にしてペンタデカンニ
酸ジメチルエステル(17)をアシロイン縮合し、2−
ヒドロキシクロペンタデカノン(18)を取得し、この
アシロイン生成物(18) 1.50g (6,2mm
ol)を実施例1の工程<1−3>と同様に塩化p−ト
ルエンスルホニルと反応させ、目的物の2−ヒドロキシ
シクロペンタデカノンp−トルエンスルホネート(19
)を2.34g(収率95%)得た。
< 3−2 > 2−ブロモシクロペンタデカノン上記
<3−1>の反応工程からの生成物(19) 1.97
g (5mmol) 、NaB rl、03g(2当量
)をジメチルホルムアミド5mlに溶かし、60°Cで
一晩撹拌した。反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄
、乾燥(MgSO4)した後減圧濃縮し粗生成物を得た
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、目的物の2ブロモシクロペンタデカノン(20)
を1.26g(収率83%)得た。
<3−1>の反応工程からの生成物(19) 1.97
g (5mmol) 、NaB rl、03g(2当量
)をジメチルホルムアミド5mlに溶かし、60°Cで
一晩撹拌した。反応液は水にあけ、エーテル抽出、洗浄
、乾燥(MgSO4)した後減圧濃縮し粗生成物を得た
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、目的物の2ブロモシクロペンタデカノン(20)
を1.26g(収率83%)得た。
<3−3>2−ブロモシクロペンタデカノンエチレンア
セタール(21) 上記<3−2>からの生成物(20)を、実施例1の工
程<1−2>と同様にエチレングリコールと反応させ目
的物の2−ブロモシクロペンタデカノンエチレンアセタ
ール(21)を1.05g (収率73%)得た。
セタール(21) 上記<3−2>からの生成物(20)を、実施例1の工
程<1−2>と同様にエチレングリコールと反応させ目
的物の2−ブロモシクロペンタデカノンエチレンアセタ
ール(21)を1.05g (収率73%)得た。
<3−4> 2−シクロベンタデセノンエチレンアセ
タール(22) 上記<3−3>の生成物(21)を、
実施例 1の工程<1−4>と同様にして、目的物の2
−シクロベンタデセノンエチレンアセタール(22)(
収率71%)を得た。
タール(22) 上記<3−3>の生成物(21)を、
実施例 1の工程<1−4>と同様にして、目的物の2
−シクロベンタデセノンエチレンアセタール(22)(
収率71%)を得た。
<3−5>2−シクロベンタデセノン(23)上記<3
−4>の生成物(22)を、実施例1の工程<1−5>
と同様にして、目的物の2−シクロベンタデセノン(2
3)(収率98%)を得た。
−4>の生成物(22)を、実施例1の工程<1−5>
と同様にして、目的物の2−シクロベンタデセノン(2
3)(収率98%)を得た。
実施例 4
(3−メチルシクロドデカノンの製造)実施例1および
実施例2によって得た2−シクロドブセノン0.105
g(0,580mm o l )をトルエン1−に溶解
し、これに8■のニッケルアセチルアセトナートを攪拌
溶解し、得られた溶液に、1.5当量のトリメチルアル
ミニウムを0℃の温度で5分間かけて滴下し、次いで5
時間攪拌した。
実施例2によって得た2−シクロドブセノン0.105
g(0,580mm o l )をトルエン1−に溶解
し、これに8■のニッケルアセチルアセトナートを攪拌
溶解し、得られた溶液に、1.5当量のトリメチルアル
ミニウムを0℃の温度で5分間かけて滴下し、次いで5
時間攪拌した。
反応液を水に注ぎ、エーテル抽出、洗浄、乾燥(MgS
04)、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、その結果、3−メチルシクロドデカ
ノンを収率27%で得た。
04)、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、その結果、3−メチルシクロドデカ
ノンを収率27%で得た。
実施例 5
(3−メチルシクロドデカノンの製造)0.5Mジメチ
ル亜鉛を溶解したテトラヒドロフラン(THF)2.5
−をトルエン10m1に溶解し、これに2−シクロドブ
セノン1.14aun o lとニッケルアセチルアセ
トナート8■をトルエン2−に溶かしたものを5分間か
けて室温下に滴下した。
ル亜鉛を溶解したテトラヒドロフラン(THF)2.5
−をトルエン10m1に溶解し、これに2−シクロドブ
セノン1.14aun o lとニッケルアセチルアセ
トナート8■をトルエン2−に溶かしたものを5分間か
けて室温下に滴下した。
5分間攪拌後反応液を水に注ぎ、エーテル抽出、洗浄、
乾燥(MgSO< )した後に、減圧濃縮し、粗生成物
を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製したところ、3−メチルシクロドデカノンを収
率70%で得た。
乾燥(MgSO< )した後に、減圧濃縮し、粗生成物
を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製したところ、3−メチルシクロドデカノンを収
率70%で得た。
実施例 6
(3−メチルシクロペンタデカノンの製造)窒素下、1
Mジエチル亜鉛のTHF溶液0.7dをトルエン3.5
−に溶かし、2−シクロベンタデセノン79.8mg
(0,359mmol )とニッケルアセチルアセトナ
ート4■をトルエン2.5−に溶かしたものを5分間か
けて滴下した。5分間攪拌した後、反応液を水に注ぎ、
エーテル抽出、洗浄、乾燥(MgSO,)シた後、減圧
濃縮し、粗生成物を得□た。これをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製したところ、3−メチルシ
クロペンタデカノン(ムスコン)73.4■(収率86
%)を得た。
Mジエチル亜鉛のTHF溶液0.7dをトルエン3.5
−に溶かし、2−シクロベンタデセノン79.8mg
(0,359mmol )とニッケルアセチルアセトナ
ート4■をトルエン2.5−に溶かしたものを5分間か
けて滴下した。5分間攪拌した後、反応液を水に注ぎ、
エーテル抽出、洗浄、乾燥(MgSO,)シた後、減圧
濃縮し、粗生成物を得□た。これをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製したところ、3−メチルシ
クロペンタデカノン(ムスコン)73.4■(収率86
%)を得た。
Claims (2)
- (1)次の工程; <a>長鎖のジカルボン酸ジエステルのアシロイン縮合
による大環状アシロイン化合物の製造、 <b>大環状アシロイン化合物のカルボニル基の保護お
よび水酸基の脱離基への変換、 <c>脱離基の脱離による炭素−炭素二重結合の形成、 <d>カルボニル基の脱保護 からなることを特徴とするα,β−不飽和大環状ケトン
類の製造方法。 - (2)請求項(1)記載の工程に続いて、α,β−不飽
和大環状ケトンの3位にアルキル基を導入する工程を加
えてなることを特徴とする3位にアルキル基を有する大
環状ケトン類の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26113590A JPH07108876B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 大環状ケトン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26113590A JPH07108876B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 大環状ケトン類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04139144A true JPH04139144A (ja) | 1992-05-13 |
JPH07108876B2 JPH07108876B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=17357581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26113590A Expired - Lifetime JPH07108876B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 大環状ケトン類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07108876B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002220361A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Japan Energy Corp | 大環状ケトン化合物の製造方法 |
JP2008100951A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Kawaguchi Yakuhin Kk | 2−シクロペンタデセノンの製造方法 |
-
1990
- 1990-09-29 JP JP26113590A patent/JPH07108876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002220361A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Japan Energy Corp | 大環状ケトン化合物の製造方法 |
JP4649743B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2011-03-16 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 大環状ケトン化合物の製造方法 |
JP2008100951A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Kawaguchi Yakuhin Kk | 2−シクロペンタデセノンの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07108876B2 (ja) | 1995-11-22 |
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