JPH04130661A - Method of estimating power consumed by semiconductor integrated circuit - Google Patents

Method of estimating power consumed by semiconductor integrated circuit

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JPH04130661A
JPH04130661A JP2252529A JP25252990A JPH04130661A JP H04130661 A JPH04130661 A JP H04130661A JP 2252529 A JP2252529 A JP 2252529A JP 25252990 A JP25252990 A JP 25252990A JP H04130661 A JPH04130661 A JP H04130661A
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JP
Japan
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power consumption
data
mos logic
input
voltage
Prior art date
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JP2252529A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Fujiwara
章 藤原
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • G06F2119/06Power analysis or power optimisation

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To estimate the power consumed by a semidoncutor integrated circuit in conformity with the actual operation, and contrive to shorten a turn around time of the semiconductor integrated circuit and reduce consts thereof, by a method wherein the power consumed by a MOS LSI is estimated at an earlier stage of manufacturing it. CONSTITUTION:By line-coupling data 5 of various MOS logic circuits, consumed power data 6 containing average consumed power of various MOS logic circuits operating at a specific cycle and consumed power for each voltage of output signals, various input signal data 7 to be inputted into various MOS logic circuits, and external setting conditions data 8 showing an input voltage to be inputted from a circuit added to the outside of the MOS logic circuit and/or a transition period of time of the input voltage, a timewise change of the output signal voltage of the MOS logic circuit based on the line-coupling data 5 and the input signal data 7 is demanded. Next, by calculating the timewise change of the output signal voltage and the consumed power data, the power consumed by the MOS logic circuit itself at a specific time is calculated. Lastly, the consumed power is calculated at a specific time based on the consumed power data 6 and the external setting conditions data 8.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、MOS論理回路を含む半導体集積回路の消費
電力を求めるための消費電力見積り方法に関し、 MOSLSIの消費電力を製作時のより早い段階で見積
もる事ができ、より実際の動作に則した消費電力見積り
方法の提供を目的とし、各種のMOS論理回路の結線デ
ータと、特定周期で動作する各種のMOS論理回路の平
均消費電力及び出力信号の電圧毎に対する消費電力を含
む消費電力データと、各種のMOS論理回路に入力する
種々の入力信号データと、MOS論理回路外部に付加さ
れた回路から入力される入力電圧及び又は入力電圧の遷
移期間を示す外部設定条件データとを備え、結線データ
と入力信号データとに基いてMOS論理回路の出力信号
電圧の時間的変化を求めた後、出力信号電圧の時間的変
化と消費電力データとを計算してMOS論理回路自体の
所定時間における消費電力を算出すると共に、消費電力
データと外部設定条件データに基いて所定時間における
消費電力を計算する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a power consumption estimation method for determining the power consumption of a semiconductor integrated circuit including a MOS logic circuit. With the aim of providing a method for estimating power consumption that is more consistent with actual operation, we have compiled the wiring data of various MOS logic circuits, the average power consumption of various MOS logic circuits that operate in a specific cycle, and the voltage of each output signal. Power consumption data including power consumption, various input signal data input to various MOS logic circuits, input voltage input from a circuit added outside the MOS logic circuit, and/or external setting indicating the transition period of the input voltage After determining the temporal change in the output signal voltage of the MOS logic circuit based on the connection data and input signal data, the temporal change in the output signal voltage and the power consumption data are calculated to determine the MOS logic circuit. The power consumption of the circuit itself in a predetermined time is calculated, and the power consumption in a predetermined time is calculated based on the power consumption data and external setting condition data.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、MOS論理回路を含む半導体集積回路の消費
電力を求めるための消費電力見積り方法に関するもので
ある。
The present invention relates to a power consumption estimation method for determining power consumption of a semiconductor integrated circuit including a MOS logic circuit.

近年、MOS論理回路をBi−CMOS回路を含むMO
S型半導体集積回路(MOSLSI)は高集積化、納期
の短縮化に伴いCA D (ComputerAide
d Design ) L S I設計の自動化が行わ
れている。MOSLSIの消費電力についても、より早
い段階、即ちLSIの製造前のCAD等の設計段階で、
より実際の動作に合ったものが得られれば、納期の短縮
や製造時のロスの低減が可能となる。
In recent years, MOS logic circuits have been changed to MO including Bi-CMOS circuits.
As S-type semiconductor integrated circuits (MOSLSI) become more highly integrated and have shorter delivery times, CAD (Computer Aided)
d Design) LSI design is being automated. Regarding the power consumption of MOSLSI, it is important to check the power consumption at an earlier stage, that is, at the design stage such as CAD before manufacturing the LSI.
If we can obtain something that better matches actual operations, it will be possible to shorten delivery times and reduce losses during manufacturing.

〔従来の技術] 従来、MOS論理回路やBi−CMOS回路を含むMO
SLSIの消費電力の見積りは、ノ゛・イボーラ論理回
路を含むノλイボーラLSI!こ比べてその特性上難し
い。
[Prior art] Conventionally, MOs including MOS logic circuits and Bi-CMOS circuits
The estimation of the power consumption of SLSI is based on the λ Ibora LSI which includes the Nordic Ibora logic circuit! Compared to this, it is difficult due to its characteristics.

バイポーラ論理回路は、所定の動作状態のときに常に電
流を流し続けることでその動作状態を保持することから
、その電流値を測定することによって消費電力は容易に
求められる。けれども、MO8論理回路、特にCMOS
インノ\−夕等では、出力が反転する(スイッチング)
際に、出力端に形成された容量の充放電による瞬時の電
流しか流れない。従って、消費電力の測定はスイ・ノチ
ング時の電流値をアナログメータによる目視で確認しな
がらその結果を求めていた。
Since a bipolar logic circuit maintains its operating state by constantly flowing current when in a predetermined operating state, power consumption can be easily determined by measuring the current value. However, MO8 logic circuits, especially CMOS
Inno/evening, etc., the output is reversed (switching)
At this time, only instantaneous current flows due to charging and discharging of the capacitor formed at the output terminal. Therefore, the power consumption was measured while visually checking the current value during switch notching using an analog meter.

〔発明が解決しようとする課題] そこで、MOSLSI全体の消費電力の見積りについて
は、まず、各種のMOS論理回路について基準となるM
OS論理回路を想定し、基準となる人出力の単位周波数
及び単位容量を決めて単位時間当たりの消費電力を上述
の従来の手段で求めてMOSLSr全3L消費電力値を
算出し、最大の動作周波数時の実動作率を加味すること
によりおおよの消費電力を求める事ができる。
[Problems to be Solved by the Invention] Therefore, in order to estimate the power consumption of the entire MOSLSI, first, the M
Assuming an OS logic circuit, determine the unit frequency and unit capacity of human output as a reference, calculate the power consumption per unit time using the conventional means described above, calculate the power consumption value of all 3L MOSLSr, and calculate the maximum operating frequency. Approximate power consumption can be determined by taking into account the actual operating rate.

しかしながら、今日のMOSLSIでは、一つの種類の
MOS論理回路においても種々設計条件の異なるものが
あり、また動作周波数、実動作率もまちまちである。こ
のように、各種基本的なMO5論理回路及び基本的な動
作条件のみからMOSLSI全体の消費電力値を算出す
るのでは、MOSLS I全体のおおよその消費電力値
しか得られない。ユーザから依願されたICが低消費電
力を条件とする場合、上述の消費電力見積りの方法では
、試作品の消費電力値が規格外のときは再試作をせねば
ならず、LSIの製作時間の長期化、製造コスト高とな
ってしまう。
However, in today's MOSLSI, even one type of MOS logic circuit has various different design conditions, and the operating frequency and actual operating rate also vary. In this way, if the power consumption value of the entire MOSLSI is calculated only from various basic MO5 logic circuits and basic operating conditions, only the approximate power consumption value of the entire MOSLSI can be obtained. If the IC requested by the user requires low power consumption, the power consumption estimation method described above will require re-prototyping if the power consumption value of the prototype is outside the standard, reducing the LSI production time. It will take a long time and increase manufacturing costs.

よって、本発明は、MOSLSIの消費電力を製作時の
より早い段階で見積もる事ができ、より実際の動作に則
した半導体集積回路の消費電力見積方法の旋供を目的と
する。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a method for estimating the power consumption of a semiconductor integrated circuit that can estimate the power consumption of a MOSLSI at an earlier stage of manufacturing and is more in line with actual operation.

[課題を解決するための手段] 本発明の目的は、各種のMOS論理回路の結線データと
、特定周期で動作する各種のMOS論理回路の平均消費
電力及び出力信号の電圧毎に対する消費電力を含む消費
電力データと、各種のMOS論理回路に入力する種々の
入力信号データと、MOS論理回路外部に付加された回
路から入力される入力電圧及び又は入力電圧の遷移期間
を示す外部設定条件データとを備え、結線データと入力
信号データとに基いてMOS論理回路の出力信号電圧の
時間的変化を求めた後、出力信号電圧の時間的変化と消
費電力データとを計算してMOS論理回路自体の所定時
間における消費電力を算出すると共に、消費電力データ
と外部設定条件データに基いて所定時間における消費電
力を計算することで達成される。
[Means for Solving the Problems] An object of the present invention is to provide connection data of various MOS logic circuits, average power consumption of various MOS logic circuits operating in a specific cycle, and power consumption for each output signal voltage. Power consumption data, various input signal data input to various MOS logic circuits, input voltage input from a circuit added outside the MOS logic circuit, and external setting condition data indicating the transition period of the input voltage. In preparation, after determining the temporal change in the output signal voltage of the MOS logic circuit based on the connection data and input signal data, the temporal change in the output signal voltage and the power consumption data are calculated to determine the predetermined value of the MOS logic circuit itself. This is achieved by calculating the power consumption over time and also calculating the power consumption over a predetermined time based on power consumption data and external setting condition data.

〔作用〕[Effect]

本発明では、MOS論理回路に対して、結線関係を示す
データ、種々の人力信号のデータ、特定周期での平均消
費電力データ、出力信号の電圧のデータ、外部設定条件
データを備えている。つまり、MOS論理回路の動作状
態を示すデータの種類が多く、しかもMOS論理回路自
体の動作による平均消費電力データと、特定のMO5論
理回路における外部条件による外部設定条件データとか
ら消費電力値を求めているので、より実際の動作に則し
た消費電力の見積りができる。
In the present invention, the MOS logic circuit is provided with data indicating wiring relationships, data on various human input signals, average power consumption data in a specific cycle, data on voltage of output signals, and external setting condition data. In other words, there are many types of data that indicate the operating state of the MOS logic circuit, and the power consumption value is calculated from the average power consumption data due to the operation of the MOS logic circuit itself and the external setting condition data based on the external conditions of a specific MO5 logic circuit. Therefore, it is possible to estimate power consumption more closely based on actual operation.

また、MOS論理回路の動作状態がデータとして存在す
る事から、CADや論理シミュレーション装置にも通用
でき、より早い段階で消費電力を見積る事ができる。
Furthermore, since the operating state of the MOS logic circuit exists as data, it can be used in CAD and logic simulation devices, and power consumption can be estimated at an earlier stage.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を具体化した一実施例を図面を用いて説明
する。第1図は本発明を実施するための装置の概略構成
図である。
An embodiment embodying the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus for carrying out the present invention.

本実施例の消費電力見積り装置lはCAD装置からなり
、データ格納部2、論理シミュレータ3及び消費電力算
出部4等で構成されている。データ格納部2は、入力及
び出力バッファ、インバータ回路、抵抗等の各種MOS
論理回路の結線データ5と、その各種MOS論理回路の
消費電力を示す関数、データを持つ消費電力データ6と
、MOS論理回路に入力する入力信号の信号データ7と
、MOS論理回路外部の設定条件による外部設定条件デ
ータ8と、論理シミュレータ3からの結果を格納する論
理シミュレータ実行結果9とを含んでいる。
The power consumption estimating device 1 of this embodiment is composed of a CAD device, and includes a data storage section 2, a logic simulator 3, a power consumption calculation section 4, and the like. The data storage section 2 includes various MOSs such as input and output buffers, inverter circuits, and resistors.
Connection data 5 of the logic circuit, power consumption data 6 having functions and data indicating the power consumption of various MOS logic circuits, signal data 7 of input signals input to the MOS logic circuit, and setting conditions outside the MOS logic circuit. external setting condition data 8 and logic simulator execution results 9 that store results from the logic simulator 3.

そして、本実施例の消費電力見積り方法は、データ格納
部2に格納されたMOS論理回路の結線データ5と、信
号データフの入力信号とを基にして、論理シミュレータ
3において所定時間における入出力信号データ等の電圧
レベルの変化回数等を論理シミュレータ実行結果9に記
憶させ、そして、消費電力算出部4において、論理シミ
ュレータの実行結果と、消費電力データ6に格納された
MOS論理回路における単位時間当たりの平均消費電力
データとからMOS論理回路の消費電力を算出すると共
に、消費電力データ外部設定条件データ8からも消費電
力の計算結果を算出することが行われる。
The power consumption estimation method of this embodiment is based on the connection data 5 of the MOS logic circuit stored in the data storage section 2 and the input signal of the signal data, and the logic simulator 3 calculates input/output signals at a predetermined time. The number of changes in the voltage level of data, etc. is stored in the logic simulator execution result 9, and the power consumption calculation unit 4 calculates the execution result of the logic simulator and the per unit time in the MOS logic circuit stored in the power consumption data 6. The power consumption of the MOS logic circuit is calculated from the average power consumption data of , and the calculation result of the power consumption is also calculated from the power consumption data external setting condition data 8.

以下に、各構成毎に説明する。Each configuration will be explained below.

一′−について 結線データ5は、MOS論理回路又はバッファ等の種類
、ファンイン数、配線容量等のデータを格納している。
Regarding 1'-, the connection data 5 stores data such as the type of MOS logic circuit or buffer, the number of fan-ins, and the wiring capacity.

信号データ7は、MOS論理回路に入力される人力信号
の周波数、入力電圧等の各種信号に相当するデータを格
納している。
The signal data 7 stores data corresponding to various signals such as the frequency of the human input signal input to the MOS logic circuit, and the input voltage.

消費電力データ6は、各種のMOS論理回路又はバッフ
ァ等に対して、動作時の平均消費電力データ及び入力信
号に対する電力消費の関数等のデータを格納している。
The power consumption data 6 stores data such as average power consumption data during operation and functions of power consumption with respect to input signals for various MOS logic circuits or buffers.

例えば、CMOSインバータの特定周期の信号の入力に
対する平均消費電力データPI、各入力及び出力バッフ
ァの出力信号の電圧毎の平均消費電力データPC、プル
アンプ回路及びプルダウン回路として使用される抵抗素
子の消費電力データPR、バスドライバ回路や双方向性
バッファのバスコンフリクト時の平均消費電力PB、C
MOSインバータ及びCMOSバッファのスイッチイン
グ動作でなく定常的な貫通電流による平均消費電力PP
等を含んでいる。
For example, average power consumption data PI for input signals of a specific period of a CMOS inverter, average power consumption data PC for each voltage of output signals of each input and output buffer, power consumption of resistive elements used as pull amplifier circuits and pull-down circuits. Data PR, average power consumption during bus conflict in bus driver circuits and bidirectional buffers PB, C
Average power consumption PP due to steady through current rather than switching operation of MOS inverter and CMOS buffer
etc.

消費電力データ6に格納された消費電力データは、例え
ば次に示すようなものが格納されている。
The power consumption data stored in the power consumption data 6 includes, for example, the following.

■ CMOSインバータ回路に対して、人力信号が電源
電圧間をフルスイングする所定周波数のクロックである
場合の単位時間当たりの平均消費電力データPI。
■ Average power consumption data PI per unit time for a CMOS inverter circuit when the human input signal is a clock with a predetermined frequency that swings between power supply voltages.

特定周波数当たりの平均消費電力データPiは、所定時
間TA内の周期回数Mと、1周期内の出力信号の“H”
レベル期間の瞬間電力P及び“H”レベルの出力時間T
Hとすると、 P i=P*TH*M/TA      ・・・ (1
)で表される。
The average power consumption data Pi per specific frequency is based on the number of cycles M within a predetermined time TA and the “H” level of the output signal within one cycle.
Instantaneous power P during level period and “H” level output time T
When H, P i=P*TH*M/TA... (1
).

入力if号として、出力時間THが同じであるが、周波
数が異なる場合の所定時間TB内の周期回数Nとすれば
、平均消費電力データPIは、P I=P i * (
TA/M)* (N/TB)・・・(2)で表され、格
納される。
Assuming that the input if signal is the number of cycles within a predetermined time TB when the output time TH is the same but the frequency is different, the average power consumption data PI is P I = P i * (
TA/M)*(N/TB)...(2) is expressed and stored.

■ 入力又は出力バッファに使用されるCMOSインバ
ータ回路であり、人力信号が電源電圧間をフルスイング
せずに所定のバイアス電圧で周期性を持たないものであ
る場合の平均消費電力データPC。
(2) Average power consumption data PC for a CMOS inverter circuit used as an input or output buffer when the human input signal does not have periodicity at a predetermined bias voltage without making a full swing between power supply voltages.

単位時間当たりの平均消費電力PCは、出力電圧“H”
レベル時の消費電力PH1所定時間TA内における出力
電圧”H″レベル送出時間(THl、TH2,=−、T
Hm)の総時間TH1出力電圧“L”レベル時(バイア
ス電圧印加状態)の消費電力PL、所定時間TA内にお
ける出力電圧“H”レベル送出時間(TLI、TL2.
・・・、TLm)の総時間TLとすると、′ PC=PH* (ΣTHm/TA) +PL* (ΣTLm/TA)−(3)で表され、格納
される。
The average power consumption PC per unit time is the output voltage “H”
Power consumption at level PH1 Output voltage “H” level sending time within predetermined time TA (THl, TH2, =-, T
Hm) total time TH1 Power consumption PL when the output voltage is "L" level (bias voltage applied state), output voltage "H" level sending time within a predetermined time TA (TLI, TL2.
..., TLm), then it is expressed as 'PC=PH*(ΣTHm/TA)+PL*(ΣTLm/TA)-(3) and is stored.

■ プルアンプ用、プルダウン用の抵抗であり、その一
端に入力電圧が入力されるたときの消費電力データr。
■ Power consumption data r when the input voltage is input to one end of the resistor for pull amplifier and pull down.

第3図(a)、(b)4こ示されるように、プルアップ
、プルダウン回路付入力バッファでは、入力端子10に
印加される電圧VINと、電源電圧VDD、接地電圧G
 N Dとの間に電圧差があると、抵抗rを介して電流
IPU、IPDが流れて電力を消費する。このときの消
費電力は、入力電圧■INと抵抗値rの関数であるから
、この抵抗値rを消費電力データとして格納する。
As shown in FIGS. 3(a) and 4(b), in the input buffer with pull-up and pull-down circuits, the voltage VIN applied to the input terminal 10, the power supply voltage VDD, and the ground voltage G
If there is a voltage difference between N and D, currents IPU and IPD flow through resistor r, consuming power. Since the power consumption at this time is a function of the input voltage IN and the resistance value r, this resistance value r is stored as power consumption data.

■ バスドライバ回路や双方向性バッファであり、バス
コンフリクトが生じるような出力電圧状態にある場合の
平均消費電力データPB。
■ Average power consumption data PB for bus driver circuits and bidirectional buffers when the output voltage is in a state where a bus conflict occurs.

第4図(a)のバスドライバ回路では、その出力電圧状
態により、VDD→バスドライバ回路→出力端子13→
バスドライバ回路→GNDとハスコンフリクトが生じ、
電流IBが流れて電力を消費する。また、第4図(b)
の双方向性バッファでは、出力用インバータ回路から外
部の出力電圧状態によりバスコンフリクトが生じ、外部
に電流1Bが流れて電力を消費する。このときの各バス
ドライバ回路、双方向性バッファ毎に単位時間当たりの
消費電力値(平均消費電力値)PBを格納する。
In the bus driver circuit of FIG. 4(a), VDD→bus driver circuit→output terminal 13→
A lotus conflict occurs between the bus driver circuit and GND.
Current IB flows and consumes power. Also, Fig. 4(b)
In the bidirectional buffer, a bus conflict occurs due to the external output voltage state from the output inverter circuit, and a current of 1 B flows externally, consuming power. At this time, the power consumption value per unit time (average power consumption value) PB is stored for each bus driver circuit and bidirectional buffer.

■ CMOSインバータ、CMOSパンフ7回路であり
、VDD→GND間に貫通電流が生しる場合の消費電力
データPP。
■ Power consumption data PP for a CMOS inverter and CMOS Pamphlet 7 circuit where a through current occurs between VDD and GND.

第5図(a)の様なCMOSインバータ、CMOSバッ
ファでは、入力電圧がPチャネルMOSトランジスタ1
1、NチャネルMOSトランジスタ12のしきい値以上
になると共にトランジスタが導通して貫通電流IIが流
れ電力を消費する。
In a CMOS inverter or CMOS buffer as shown in Fig. 5(a), the input voltage is the P-channel MOS transistor 1.
1. When the voltage exceeds the threshold value of the N-channel MOS transistor 12, the transistor becomes conductive and a through current II flows, consuming power.

貫通電流に関して、スイッチイング動作でなく定常的な
貫通電流として見ると、この電力消費は、第5図(b)
に示されるように入力電圧が所定の電圧範囲で生じる。
Regarding the through current, when viewed as a steady through current rather than a switching operation, this power consumption is as shown in Figure 5 (b).
The input voltage occurs within a predetermined voltage range as shown in FIG.

よって、電力消費は、第5図(C)に示されるように、
第5図(b)の消費電力波形を複数の直線で近位して求
めることになるが、そのとき、近似した直線の曲折点の
入力電圧Vl、V2.・・・、Vnに対する直線の傾き
PI。
Therefore, the power consumption is as shown in FIG. 5(C).
The power consumption waveform shown in FIG. 5(b) is obtained using a plurality of straight lines proximal to each other, and at this time, the input voltages Vl, V2, . ..., the slope PI of the straight line with respect to Vn.

P2.・・・、Pn−1とを消費電力データPPとして
格納する。
P2. ..., Pn-1 are stored as power consumption data PP.

■ 人力信号の波形なまりによるMO5論理回路動作変
化の際の消費電力データPTH0MOS論理回路に入力
する特定周期のクロック入力信号は、第6図(a)に示
されるように、その入力信号の立ち上がり、立ち下がり
の遷移期間TR,TFが一定とされている。しかし、第
6図(b)に示されるように、第6図(a)の入力信号
波形よりも遷移期間TR,TFが長いときは、その入力
信号を受けるMOS論理回路の動作状態も変化し、消費
電力も変化する。その消費電力値変化には、第6図(C
)に示されるように、入力信号の動作周波数を一定のま
まで、入力信号の立ち上がり、立ち下がりの遷移期間T
R,TFの変化させたときの消費電力値の傾きPTHを
消費電力データとして格納する。
■ Power consumption data when MO5 logic circuit operation changes due to waveform rounding of human signal It is assumed that the falling transition periods TR and TF are constant. However, as shown in FIG. 6(b), when the transition periods TR and TF are longer than the input signal waveform of FIG. 6(a), the operating state of the MOS logic circuit receiving the input signal also changes. , power consumption also changes. Figure 6 (C
), while the operating frequency of the input signal remains constant, the transition period T between the rising and falling edges of the input signal
The slope PTH of the power consumption value when R and TF are changed is stored as power consumption data.

外部設定条件データ8は、MOS論理回路の外部に付加
される回路等による入出力電圧状態即ち大力バッファの
入力端に付加されるプルアップ回路又はプルダウン回路
の入力電圧、CMOSインバータ及びCMOSハ、ノコ
アに人力する入力端子、人力信号の立ち上がり、立ち下
がりのなまりを持つ入力電圧の遷移期間状態を示すデー
タを格納している。
External setting condition data 8 includes the input/output voltage state due to circuits added outside the MOS logic circuit, that is, the input voltage of the pull-up circuit or pull-down circuit added to the input terminal of the large-power buffer, the CMOS inverter, and the CMOS converter. It stores data indicating the transition period state of the input voltage, which has the accent of the rising and falling edges of the human input terminal and the human input signal.

具体的には、第3図(a)、(b)のプルアンプ プル
ダウン回路併入カバソファに入力する入力電圧VINの
”H”L/へ)Li電圧VIH1′L″レヘル電圧VI
Lを格納する。第5図(a)の様なCMOSインバータ
及びCMOSバッファにおいて、その入力電圧のH°“
レベル電圧VIH1“L“レベル電圧VILを格納する
。第6図(C)に示されるように、入力信号における立
ち上がり期間TR2立ち下がり期間TFにおける遷移状
態期間Trfを格納する。
Specifically, the input voltage VIN input to the pull amplifier pull-down circuit included cover sofa shown in FIGS.
Store L. In a CMOS inverter and a CMOS buffer as shown in Fig. 5(a), the input voltage is H°“
Level voltage VIH1 "L" level voltage VIL is stored. As shown in FIG. 6(C), the transition state period Trf in the rising period TR2 and the falling period TF of the input signal is stored.

論理シミュレータ実行結果9は、後述する論理シミュレ
ータ3の実行結果を記憶する。
The logic simulator execution result 9 stores the execution result of the logic simulator 3, which will be described later.

iA  シミニレ−36二ついて 論理シミュレータ3は、各種MOS論理回路の結線デー
タ5の中から求めるMOS論理回路の結線データを読み
出すと共に、信号データ6の中かう当iBMos論理回
路に入力する人力信号の信号データを読み出し、その読
み出した結線データと信号データとに基いて当該MOS
論理回路を模擬的に所定時間動作させ、入力及び出力信
号の電圧レベル、出力信号の変化回数等の算出を行うた
めに必要な基礎的なデータを論理シミュレータ実行結果
9に出力する。
The logic simulator 3, which has two iA Simini Relays 36, reads out the connection data of the MOS logic circuit to be obtained from the connection data 5 of various MOS logic circuits, and also reads the human input signal input to the iBMos logic circuit from the signal data 6. The data is read out, and based on the read connection data and signal data, the corresponding MOS
The logic circuit is operated in a simulated manner for a predetermined period of time, and basic data necessary for calculating the voltage levels of input and output signals, the number of changes in the output signal, etc. is output to the logic simulator execution result 9.

例えば、結線データが内部回路に使用されるCMOSイ
ンバータ回路であり、信号データ6中の入力信号がCM
OSインバータ回路に印加されている電源電圧間をフル
スイングする所定周期のクロックであるならば、CMO
Sインバータ回路の出力信号の電圧レベルと、その変化
回数を実行結果として出力する。又、結線データが入力
又は出力バッファに使用されるCMOSインバータ回路
であり、信号データ6中の入力信号が電源電圧間をフル
スイングせずに所定のバイアス電圧で周期性を持たない
ものであるならば、入力及び出力信号の電圧レベルと、
その時間的変化を実行結果として出力する。
For example, if the connection data is a CMOS inverter circuit used for an internal circuit, and the input signal in signal data 6 is a CM
If it is a clock with a predetermined period that fully swings between the power supply voltages applied to the OS inverter circuit, the CMO
The voltage level of the output signal of the S inverter circuit and the number of changes thereof are output as the execution results. Also, if the connection data is a CMOS inverter circuit used as an input or output buffer, and the input signal in signal data 6 does not have periodicity at a predetermined bias voltage without making a full swing between the power supply voltages, then For example, the voltage levels of the input and output signals,
The temporal change is output as the execution result.

ゞ″ ′   a4につい 消費電力算出部4は、論理シミュレータ3による実行結
果である出力信号レベルの変化回数Z及びシミュレーシ
ョン時間TT等と、消費電力データ6からのデータを基
にMOS論理回路の特定時間の消費電力を算出する。ま
た、消費電力算出部4は、外部設定条件データ8及び消
費電力データ6からMOS論理回路が外部設定条件によ
り消費する消費電力を算出する。そして、それら算出さ
れたMOS論理回路の消費電力からMO5LSI全体の
特定時間の消費電力を算出する。
Regarding a4, the power consumption calculation unit 4 calculates the specific time of the MOS logic circuit based on the number of changes in the output signal level Z and the simulation time TT, etc., which are the execution results by the logic simulator 3, and the data from the power consumption data 6. Further, the power consumption calculation unit 4 calculates the power consumption that the MOS logic circuit consumes according to the external setting conditions from the external setting condition data 8 and the power consumption data 6. The power consumption of the entire MO5LSI at a specific time is calculated from the power consumption of the logic circuit.

以下に、第2図を用いて、消費電力算出部4で行われる
平均消費電力の算出原理について説明する。ステップ3
1〜34は各MOS論理回路についての消費電力の算出
をするもの、ステップ35〜36は全てのMOS論理回
路の消費電力の算出をするものである。
The principle of calculating the average power consumption performed by the power consumption calculating section 4 will be described below with reference to FIG. Step 3
Steps 1 to 34 calculate the power consumption of each MOS logic circuit, and steps 35 to 36 calculate the power consumption of all MOS logic circuits.

ステップ31では、消費電力データを入力して解析し、
消費電力計算に使用できるようにする。
In step 31, power consumption data is input and analyzed.
Allows use in power consumption calculations.

ステップ32では、各MOS論理回路について、結線デ
ータ、シミニレ−ジョン実行結果、特定周期における平
均電力データ等をマツチングさせる。
In step 32, connection data, simulation results, average power data in a specific period, etc. are matched for each MOS logic circuit.

ステップ33では、各MOS論理回路の結線データを展
開する。ステップ34では、シミュレーション実行結果
を入力して、シミュレート時間TT、出力信号の反転回
数Z等を、ステップ33で展開した結線データに展開す
る。ステップ35では、MO5論理回路についてシミュ
レート時間TTにおける消費電力を計算する。また、特
定のMOS論理回路では、消費電力データ及び外部設定
条件データを基にして消費電力の算出が行われる。
In step 33, connection data for each MOS logic circuit is expanded. In step 34, the simulation execution results are input, and the simulation time TT, the number of inversions Z of the output signal, etc. are expanded into the connection data developed in step 33. In step 35, power consumption in the simulation time TT is calculated for the MO5 logic circuit. Further, in a specific MOS logic circuit, power consumption is calculated based on power consumption data and external setting condition data.

この消費電力の算出については、次に具体的に説明する
The calculation of this power consumption will be specifically explained next.

まず、論理シミュレータ3の結果から平均消費電力の算
出を行う場合について説明する。
First, a case will be described in which average power consumption is calculated from the results of the logic simulator 3.

(A)例えば、消費電力データが上述のであるとき、シ
ミュレート時間TTにおける消費電力PAO冨出を示す
。この消費電力PAは、前述の(2)の式を基に、シミ
ュレート時間TTと出力信号の反転回数Zとから、 PA=P i * (Z/2)/TT    ・・・ 
(4)で算出される(上式(4)で、Z/2としたのは
、1周期内に出力信号の反転回数が2回あるからである
)。よって、この回路に関するMOSLS!O3LSI
全体消費電力は、(4)式の消費電力PAのMOS論理
回路毎の総和で算出される。
(A) For example, when the power consumption data is as described above, it shows the power consumption PAO limit in the simulation time TT. This power consumption PA is calculated from the simulation time TT and the number of inversions Z of the output signal based on the above-mentioned formula (2): PA=P i * (Z/2)/TT . . .
(4) (The reason why Z/2 is used in the above equation (4) is that the output signal is inverted twice within one period). Therefore, MOSLS regarding this circuit! O3LSI
The overall power consumption is calculated by the sum of the power consumption PA of equation (4) for each MOS logic circuit.

(B)同様に、消費電力データが上述■であるときの消
費電力PDは、前述(3)の式を基に、PD= (PH
*ΣTHm +pL*ΣTLm)/TT−(5) で算出される。よって、MOSLSI全体について、こ
の回路の消費電力は、(5)式の消費電力PDのMOS
論理回路毎の総和で算出される。
(B) Similarly, the power consumption PD when the power consumption data is the above ■ is calculated based on the formula (3) above, PD = (PH
*ΣTHm +pL*ΣTLm)/TT-(5) Calculated as follows. Therefore, for the entire MOSLSI, the power consumption of this circuit is equal to the power consumption PD of the MOS in equation (5).
Calculated as a summation for each logic circuit.

次に、外部設定条件データ及び消費電力データを基にし
た場合の消費電力の算出の場合について説明する。
Next, a case in which power consumption is calculated based on external setting condition data and power consumption data will be described.

(C)例えば、第3図(a)、(b)のプルアップ。(C) For example, the pull-up shown in FIGS. 3(a) and (b).

プルダウン回路付入力ハノコアでは、単位時間当たりの
平均消費電力PPU (プルアンプ)、  PPD(プ
ルダウン)は、シミュレート結果による所定時間TT内
の゛H゛レヘレベ間TH1“L°゛レヘレベ間TL、消
費電力データr、外部設定条件データの入力電圧VIH
,VILとすると、PPU= ((VDD−VH)/r
) *VDD* (TL/TT)・・・ (6)PPD= 
((VL−GND)/r) ネVDD* (TI(/TT)・・・ (7)で算出さ
れる。よって、この回路に関するMO5LSI全体につ
いての消費電力は、(6)、 (7)式の各消費電力P
PU、PPDのMOS論理回路数の総和で算出される。
In the input Hano core with pull-down circuit, the average power consumption per unit time PPU (pull amplifier), PPD (pull-down) is the power consumption between ゛H゛ level TH1 ``L°゛ level TL, power consumption within the specified time TT according to the simulation result. Data r, input voltage VIH of external setting condition data
, VIL, then PPU= ((VDD-VH)/r
) *VDD* (TL/TT)... (6) PPD=
((VL-GND)/r) neVDD* (TI(/TT)... Calculated using (7). Therefore, the power consumption for the entire MO5LSI regarding this circuit is calculated using equations (6) and (7). Each power consumption P
It is calculated by the total number of MOS logic circuits of PU and PPD.

(D)第4図(a)、(b)のバスドライバ回路、双方
向性バッファ回路では、第4図(c)に示されるように
、シミュレート結果による所定時間TT内のバスコンフ
リクト状態時間(TBCI、TBC2,−、TBCn)
の総時間TBC1消費電力データPBとすると、バスコ
ンフリクトによる消費電力PBCは、 PBC=PB*TBC/TT     ・・・ (8)
で算出される。よって、この回路に関するMOSLSI
全体についての消費電力は、(8)式の消費電力PBC
のMOS論理回路数の総和で算出される。
(D) In the bus driver circuits and bidirectional buffer circuits of FIGS. 4(a) and (b), the bus conflict state time within the predetermined time TT according to the simulation results is as shown in FIG. 4(c). (TBCI, TBC2, -, TBCn)
Assuming that the total time TBC1 is the power consumption data PB, the power consumption PBC due to bus conflict is: PBC=PB*TBC/TT... (8)
It is calculated by Therefore, the MOSLSI for this circuit is
The overall power consumption is the power consumption PBC of equation (8)
It is calculated by the total number of MOS logic circuits.

(E)第5図(a)の様なCMOSインバータ及びCM
OSバッファでは、第5図(d)に示されるように、シ
ミュレート時間TT内の貫通電流が流れる期間、即ち入
力電圧が第5図(b)の入力電圧VA−VBにあって、
H”レベル電圧期間(THl、TH2,−、THn)の
乾期間TH1“Lルベル電圧期間(TLI、TL2.・
・・、TLn)の乾期間TL、消費電力データPP、外
部設定条件データの入力電圧VIH,VILとすると、
その消費電力PXは、 PX=PPk*VH* (TIH/TT)+pp j 
*VL* (T I L/TT)・・・ (9) で算出される(なお、PPkは入力電圧VI)1時、P
Pjは入力電圧VrL時の消費電力データPPに相当す
る)。よって、この回路に関するMOSLSI全体につ
いての消費電力は、(9)式の消費電力PXのMOS論
理回路数の総和で算出される。
(E) CMOS inverter and CM as shown in Figure 5(a)
In the OS buffer, as shown in FIG. 5(d), during the period during which the through current flows within the simulation time TT, that is, when the input voltage is at the input voltage VA-VB of FIG. 5(b),
Dry period TH1 of "H" level voltage period (THl, TH2, -, THn) "L level voltage period (TLI, TL2..
..., TLn), power consumption data PP, input voltages VIH and VIL of external setting condition data,
Its power consumption PX is: PX=PPk*VH* (TIH/TT)+pp j
*VL* (TI L/TT)... Calculated as follows (9) (PPk is input voltage VI) 1 o'clock, P
Pj corresponds to power consumption data PP at input voltage VrL). Therefore, the power consumption of the entire MOSLSI regarding this circuit is calculated by the sum of the number of MOS logic circuits of power consumption PX in equation (9).

(F)第6図(a)に示されるように、その入力信号の
立ち上がり、立ち下がりのなまりでは、第6図(d)に
示されるように、シミュレート時間TT内の動作周波数
(f/TT) 、消費電力データPTH1外部設定条件
データTrfとすると、その消費電力Prfは、 P r f=PTH*Tr f * (f/TT)・・
・ (10) で算出される。よって、この回路に関するMOSLSI
全体についての消費電力は、(1o)式の消費電力Pr
fのMOS論理回路数の総和で算出される。
(F) As shown in FIG. 6(a), the operating frequency (f/ TT), power consumption data PTH1 and external setting condition data Trf, the power consumption Prf is P r f = PTH * Tr f * (f/TT)...
・Calculated using (10). Therefore, the MOSLSI for this circuit is
The overall power consumption is the power consumption Pr of equation (1o)
It is calculated by the sum of the number of MOS logic circuits of f.

ステップ35の後、ステップ36では、MOS論理回路
について、各MOS論理回路毎、又は全てのMOS論理
回路の特定時間の消費電力の算出結果をプリンタ等に出
力して終わる。
After step 35, in step 36, the calculation result of the power consumption of each MOS logic circuit or all MOS logic circuits at a specific time is outputted to a printer or the like, and the process ends.

上述したように、本実施例では、各MOS論理回路につ
いて、結線データ及び信号データから特定時間における
動作時のシミュレーション実行結果を得、その結果を基
乙こして消費電力データから消費電力を算出し、さらに
、特定のMOS論理回路において外部設定条件データに
よる消費電力算出を行っている。その結果、MOSLS
I設計時に、より実際の動作に則した消費電力の見積り
かでき、また、MOS論理回路の動作状態がデータとし
て存在する事から、CADや論理シュミレーション装置
にも適用でき、より早い段階で消費電力を見積もる事が
できる。
As described above, in this embodiment, for each MOS logic circuit, the simulation execution results during operation at a specific time are obtained from the wiring data and signal data, and the power consumption is calculated from the power consumption data based on the results. Furthermore, power consumption is calculated in a specific MOS logic circuit using external setting condition data. As a result, MOSLS
At the time of design, power consumption can be estimated more closely to actual operation, and since the operating state of the MOS logic circuit exists as data, it can be applied to CAD and logic simulation equipment, and power consumption can be estimated at an earlier stage. can be estimated.

なお、本実施例では、消費電力算出部4、論理シミュレ
ータ3は、ソフトウェアにより制御するようにしている
が、これはハードウェア構成にしてもかまわない。
In this embodiment, the power consumption calculation unit 4 and the logic simulator 3 are controlled by software, but they may be configured by hardware.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上詳述したように、本発明によれば、MOSLSIの
消費電力を製作時のより早い段階で見積もる事ができ、
より実際の動作に則した半導体集積回路の消費電力見積
りができ、半導体集積回路の納期の短縮化及びコストの
低減を図ることができる効果がある。
As detailed above, according to the present invention, it is possible to estimate the power consumption of MOSLSI at an earlier stage of manufacturing.
It is possible to estimate the power consumption of a semiconductor integrated circuit in accordance with the actual operation, and there is an effect that the delivery time and cost of the semiconductor integrated circuit can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を実施するための装置概略構成図、 第2図は消費電力算出部の作用フローチャート、第3図
はプルアンプ、プルダウン回路付入力ハッコア回路図、 第4図はハスコンフリクトによる消費電力を説明するた
めの図、 第5図はCMOSインバータ回路の貫通電流による消費
電力を説明する図、 第6図は人力信号による波形なまりの消費電力を説明す
る図である。 図において、■は消費電力見積り装置、2はデータ格納
部、3は論理シミュレータ、4は消費電力算出部、5は
結線データ、6は消費電力データ、7は信号データ、8
は外部設定条件データ、9は論理シミュレータ実行結果
、IOは入力端子、llはPチャネルMOSトランジス
タ、12はNチャ矛ルMOSI−ランジスタ、13.3
0は出力端子、14.15はトランスミッションゲート
、rは抵抗、VDDは電a電圧、GNDは接地電圧であ
る。 (α) (b) 第3鳴 陳) し) lvスコア7リクト1sJリシ貞17叱ガtm明1汁め
め困 ′J!b4121 (良) (!、MO’S4ン八−II!]’に−の偶1打tj?
uにハシち費電1此明動圀 お5図 、v=6図
Fig. 1 is a schematic configuration diagram of a device for carrying out the present invention, Fig. 2 is a flowchart of the operation of the power consumption calculation section, Fig. 3 is a circuit diagram of a pull amplifier and an input circuit with a pull-down circuit, and Fig. 4 is a consumption due to lot conflict. FIG. 5 is a diagram for explaining power consumption due to through current of a CMOS inverter circuit. FIG. 6 is a diagram for explaining power consumption due to waveform rounding due to human input signals. In the figure, ■ is a power consumption estimation device, 2 is a data storage unit, 3 is a logic simulator, 4 is a power consumption calculation unit, 5 is connection data, 6 is power consumption data, 7 is signal data, 8
9 is the external setting condition data, 9 is the logic simulator execution result, IO is the input terminal, 11 is the P-channel MOS transistor, 12 is the N-channel MOSI-transistor, 13.3
0 is an output terminal, 14.15 is a transmission gate, r is a resistor, VDD is an electric voltage, and GND is a ground voltage. (α) (b) 3rd Meichen) shi) lv score 7 rict 1sJ Rishi Tei 17 scolding tm Ming 1 soup meme trouble'J! b4121 (Good) (!, MO'S4-8-II!] '-Even 1 stroke tj?
U hashishichi cost electricity 1 this Ming area O 5 diagram, v = 6 diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】 各種のMOS論理回路の結線データと、 特定周期で動作する前記各種のMOS論理回路の平均消
費電力及び出力信号の電圧毎に対する消費電力を含む消
費電力データと、 前記各種のMOS論理回路に入力する種々の入力信号デ
ータと、 前記MOS論理回路外部に付加された回路から入力され
る入力電圧及び又は入力電圧の遷移期間を示す外部設定
条件データとを備え、 前記結線データと前記入力信号データとに基いて前記M
OS論理回路の出力信号電圧の時間的変化を求めた後、
該出力信号電圧の時間的変化と前記消費電力データとを
計算して前記MOS論理回路自体の所定時間における消
費電力を算出すると共に、前記消費電力データと前記外
部設定条件データに基いて所定時間における消費電力を
計算することを特徴とする半導体集積回路の消費電力見
積り方法。
[Scope of Claims] Wiring data of various MOS logic circuits; Power consumption data including average power consumption of the various MOS logic circuits operating in specific cycles and power consumption for each output signal voltage; various input signal data input to the MOS logic circuit; and external setting condition data indicating an input voltage input from a circuit added outside the MOS logic circuit and/or a transition period of the input voltage; the M based on the input signal data;
After determining the temporal change in the output signal voltage of the OS logic circuit,
The temporal change in the output signal voltage and the power consumption data are calculated to calculate the power consumption of the MOS logic circuit itself at a predetermined time, and the power consumption at a predetermined time is calculated based on the power consumption data and the external setting condition data. A method for estimating power consumption of a semiconductor integrated circuit, characterized by calculating power consumption.
JP2252529A 1990-09-20 1990-09-20 Method of estimating power consumed by semiconductor integrated circuit Pending JPH04130661A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5602753A (en) * 1994-04-19 1997-02-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for estimating power dissipation and method and apparatus of determining layout/routing
US6094527A (en) * 1996-06-20 2000-07-25 Ricoh Company, Ltd. Method and apparatus for estimating IC power consumption

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US7343276B1 (en) 1996-06-20 2008-03-11 Ricoh Company, Ltd. Recording media including code for estimating IC power consumption

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