JPH04130435U - Semiconductor substrate dryer - Google Patents
Semiconductor substrate dryerInfo
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超微細パターンを有する半導体基板の表面か
ら水分を完全に除去する。
【構成】 乾燥機本体10のチャンバー11内でロータ
12を回転させ、ロータ12内に保持された半導体基板
の表面に付着する水分を遠心力で除去する。水分除去能
力を高めるために、乾燥機本体10に加熱乾燥手段20
および真空乾燥手段30を付設する。加熱乾燥手段20
は、エアを赤外線プレートヒータ21で加熱してチャン
バー11内に供給する。真空乾燥手段30は、乾燥機本
体10および加熱乾燥手段20の停止後、真空ポンプ3
1によりチャンバー11内を真空排気して分子レベルの
水分除去を行う。
(57) [Summary] [Purpose] To completely remove moisture from the surface of a semiconductor substrate having an ultra-fine pattern. [Structure] A rotor 12 is rotated within a chamber 11 of a dryer main body 10, and moisture adhering to the surface of a semiconductor substrate held within the rotor 12 is removed by centrifugal force. In order to increase the water removal ability, a heating drying means 20 is installed in the dryer main body 10.
and vacuum drying means 30. Heating drying means 20
The air is heated by an infrared plate heater 21 and then supplied into the chamber 11. After the dryer main body 10 and the heating drying means 20 are stopped, the vacuum drying means 30 starts operating the vacuum pump 3.
1, the inside of the chamber 11 is evacuated to remove moisture at the molecular level.
Description
【0001】0001
本考案は、スピンドライヤーと呼ばれる遠心力利用の半導体基板乾燥機に関す る。 This invention relates to a semiconductor substrate dryer called a spin dryer that uses centrifugal force. Ru.
【0002】0002
洗浄を終えた半導体基板を乾燥させる装置として、スピンドライヤーと呼ばれ る乾燥機がある。この乾燥機は、チャンバー内を高速で回転するロータに半導体 基板を載せ、ロータの回転に伴う遠心力で半導体基板表面の水分を除去するもの であり、現在の主流をなす乾燥機になっている。 A device called a spin dryer is used to dry semiconductor substrates after cleaning. There is a dryer. This dryer uses semiconductors in the rotor that rotates at high speed inside the chamber. A device that removes moisture from the surface of the semiconductor substrate by placing the substrate on it and using the centrifugal force generated by the rotation of the rotor. It has become the mainstream dryer today.
【0003】0003
しかしながら、この乾燥機を使用しても、半導体基板が超微細パターンを有す る場合には、その表面に極く僅かなウオーターマークが残るのを避け得ず、品質 低下、歩留低下を招くおそれがある。 However, even if this dryer is used, the semiconductor substrate may have ultra-fine patterns. When using a product, it is unavoidable that very slight water marks remain on the surface, resulting in poor quality. This may lead to a decrease in yield.
【0004】 本考案の目的は、超微細パターンを有する半導体基板も完全に乾燥できる半導 体基板乾燥機を提供することにある。0004 The purpose of this invention is to develop a semiconductor substrate that can completely dry even semiconductor substrates with ultra-fine patterns. An object of the present invention is to provide a body substrate dryer.
【0005】[0005]
本考案の半導体基板乾燥機は、チャンバー内のロータに半導体基板を装填し、 該ロータの回転に伴う遠心力で半導体基板表面の水分を除去する乾燥機本体と、 前記チャンバー内のロータに装填された半導体基板に接触するように、チャンバ ー内に加熱された乾燥清浄ガスを流通させる加熱乾燥手段と、前記チャンバー内 を真空排気する真空乾燥手段とを具備している。 The semiconductor substrate dryer of the present invention loads semiconductor substrates into a rotor in a chamber, a dryer body that removes moisture from the surface of the semiconductor substrate using centrifugal force caused by the rotation of the rotor; The chamber is in contact with the semiconductor substrate loaded on the rotor in the chamber. - heating drying means for circulating heated dry clean gas inside the chamber; and vacuum drying means for evacuating.
【0006】[0006]
チャンバー内のロータを回転させることにより、ロータ内に装填された半導体 基板の表面が遠心力により水切りされる。この水切りにおいて、チャンバー内に 乾燥加熱された洗浄ガスを流通させると、遠心力により除去できなかった超微細 パターン部の水分も蒸発する。そして更に、チャンバー内を真空排気すれば、加 熱乾燥で蒸発できなかった僅かの残留水分も比較的速く完全に除去される。かく して超微細パターンを有する半導体基板に対しても充分な乾燥が短時間で行われ る。 Semiconductors loaded into the rotor by rotating the rotor in the chamber The surface of the substrate is drained by centrifugal force. In this drainer, inside the chamber When dry heated cleaning gas is passed through, ultra-fine particles that could not be removed due to centrifugal force are removed. Moisture in the pattern area also evaporates. Furthermore, if the inside of the chamber is evacuated, the Even a small amount of residual moisture that could not be evaporated by heat drying is completely removed relatively quickly. write Even semiconductor substrates with ultra-fine patterns can be sufficiently dried in a short time. Ru.
【0007】 ちなみに、水切りと加熱乾燥との組み合せだけでは、乾燥時間が長くなり、処 理能率も低下させる。また、水切りと真空乾燥との組み合せだけでも、完全乾燥 に長時間を要し、処理能率が著しく低下する。[0007] By the way, if you only use a combination of draining and heat drying, the drying time will be longer and the processing time will be longer. It also reduces the efficiency. In addition, complete drying can be achieved by simply combining draining and vacuum drying. It takes a long time to process the process, and the processing efficiency decreases significantly.
【0008】[0008]
以下に本考案の実施例を図面に基づいて説明する。図1は本考案を実施した半 導体基板乾燥機の一例についてその構造を示す縦断側面図である。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings. Figure 1 shows the half in which the present invention was implemented. FIG. 2 is a longitudinal side view showing the structure of an example of a conductive substrate dryer.
【0009】 半導体基板乾燥機は、乾燥機本体10と、これに付設された加熱乾燥手段20 および真空乾燥手段30を備えている。[0009] The semiconductor substrate dryer includes a dryer main body 10 and a heating drying means 20 attached thereto. and vacuum drying means 30.
【0010】 乾燥機本体10は、円筒状のチャンバー11を有する。チャンバー11は、天 井中央部に吸気孔11aを有し、内部にロータ12を収容している。ロータ12 は、乾燥機本体10の下部内に設けられた駆動装置13により回転される。ロー タ12内には、半導体基板を収容するキャリア14が内周面に沿って環状に保持 される。0010 The dryer main body 10 has a cylindrical chamber 11. Chamber 11 is It has an intake hole 11a in the center of the well, and a rotor 12 is housed inside. Rotor 12 is rotated by a drive device 13 provided in the lower part of the dryer main body 10. Low A carrier 14 for accommodating a semiconductor substrate is held in an annular shape along the inner peripheral surface within the carrier 12. be done.
【0011】 加熱乾燥手段20は、チャンバー11の吸気孔11a内に配設された赤外線プ レートヒータ21を有する。赤外線プレートヒータ21は、バルブ22、フィル ター25を通じてチャンバー11内に導入される乾燥清浄エアを例えば100℃ 以上に加熱する。加熱された乾燥清浄エアは、ロータ12内を経由して排気管2 3からチャンバー11の外へ排出される。排気管23は、チャンバー11の側面 に接続され、バルブ24を備えている。[0011] The heating drying means 20 is an infrared ray printer disposed inside the intake hole 11a of the chamber 11. It has a rate heater 21. The infrared plate heater 21 includes a valve 22 and a filter. The dry clean air introduced into the chamber 11 through the filter 25 is heated to, for example, 100°C. Heat to above temperature. The heated dry clean air passes through the inside of the rotor 12 and enters the exhaust pipe 2. 3 to the outside of the chamber 11. The exhaust pipe 23 is located on the side of the chamber 11. and is equipped with a valve 24.
【0012】 真空乾燥手段30は、チャンバー11内を真空排気する真空ポンプ31を有す る。真空ポンプ31は、チャンバー11の底部から乾燥機本体10の外へ引き出 された排気管32に、バルブ33と共に介装されている。チャンバー11内の真 空到達度は、通常20Torr以下とされる。真空ポンプ31としては、クリー ンなドライポンプ、クライオポンプ、ターボ分子ポンプが望ましい。0012 The vacuum drying means 30 has a vacuum pump 31 that evacuates the inside of the chamber 11. Ru. The vacuum pump 31 is pulled out from the bottom of the chamber 11 to the outside of the dryer main body 10. The exhaust pipe 32 is interposed together with a valve 33. truth inside chamber 11 The degree of reaching the sky is usually 20 Torr or less. As the vacuum pump 31, A dry pump, cryopump, or turbomolecular pump is preferable.
【0013】 乾燥を行う場合は、まず、半導体基板を収容したキャリア14をロータ12に セットする。そして、バルブ33を閉、バルブ22および24を開とし、赤外線 プレートヒータ21をONにして、吸気孔11aからチャンバー11内へエアを 送り込みながら、ロータ12を回転させる。[0013] When drying, first the carrier 14 containing the semiconductor substrate is placed on the rotor 12. set. Then, the valve 33 is closed, the valves 22 and 24 are opened, and the infrared radiation Turn on the plate heater 21 and introduce air into the chamber 11 from the intake hole 11a. The rotor 12 is rotated while feeding.
【0014】 ロータ12の回転により、半導体基板の表面に付着する水分が遠心力で排除さ れる。また、吸気孔11aを通過する乾燥清浄空気が赤外線プレートヒータ21 により加熱されてチャンバー11内に供給される。この加熱空気は、ロータ12 内を通過する間にキャリア14内の半導体基板の表面と接触する。これにより、 超微細なスリット部の水分が蒸発する。[0014] As the rotor 12 rotates, moisture adhering to the surface of the semiconductor substrate is removed by centrifugal force. It will be done. In addition, the dry clean air passing through the intake hole 11a is heated to the infrared plate heater 21. is heated and supplied into the chamber 11. This heated air is supplied to the rotor 12 While passing through the carrier 14, it comes into contact with the surface of the semiconductor substrate within the carrier 14. This results in The water in the ultra-fine slits evaporates.
【0015】 加熱乾燥を組み合わせた水切りが終わると、ロータ12の回転を停止すると共 に、バルブ22および24を閉とし、バルブ33を開として真空ポンプ31を作 動させる。これにより、加熱エアで蒸発されなかった水分が低温でも蒸発して除 去される。かくして、半導体基板が超微細パターンを有する場合も、その表面が 比較的短時間で完全に乾燥される。[0015] When the water removal combined with heating and drying is completed, the rotation of the rotor 12 is stopped and the Then, valves 22 and 24 are closed and valve 33 is opened to operate the vacuum pump 31. make it move. This allows moisture that was not evaporated by heated air to evaporate and be removed even at low temperatures. be removed. Thus, even if the semiconductor substrate has an ultrafine pattern, the surface It dries completely in a relatively short time.
【0016】 図2は本考案の他の実施例を示している。本実施例では、加熱乾燥手段20の 赤外線プレートヒータ21が乾燥機本体10の外に別置されている。この赤外線 プレートヒータ21は、水分およびゴミを除去されたN2 ガスを加熱するように なっており、加熱されたN2 ガスは、ガス管26を通じてロータ12の中心部内 へ上方から吹き込まれる。このような加熱乾燥手段20を併用することによって も、超微細パターンを有する半導体基板の表面を完全に乾燥することができる。FIG. 2 shows another embodiment of the invention. In this embodiment, the infrared plate heater 21 of the heating and drying means 20 is separately placed outside the dryer main body 10. The infrared plate heater 21 is designed to heat N 2 gas from which moisture and dust have been removed, and the heated N 2 gas is blown into the center of the rotor 12 from above through the gas pipe 26 . Also by using such heating drying means 20 in combination, the surface of a semiconductor substrate having an ultra-fine pattern can be completely dried.
【0017】[0017]
以上の説明から明らかなように、本考案の半導体基板乾燥機は、遠心力による 水分除去に加えて、加熱ガスによる乾燥およびこれに続く真空乾燥を行うことよ り、半導体基板が超微細パターンを有する場合も、その表面の水分を比較的短時 間で完全に除去でき、高品質の半導体基板を歩留よく製造できる。 As is clear from the above explanation, the semiconductor substrate dryer of the present invention uses centrifugal force. In addition to moisture removal, drying with heated gas followed by vacuum drying is recommended. Even if a semiconductor substrate has an ultra-fine pattern, moisture on its surface can be removed in a relatively short period of time. It can be completely removed in between, and high-quality semiconductor substrates can be manufactured with high yield.
【図1】本考案の実施例にかかる半導体基板乾燥機の縦
断側面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional side view of a semiconductor substrate dryer according to an embodiment of the present invention.
【図2】本考案の他の実施例を示す縦断側面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional side view showing another embodiment of the present invention.
10 乾燥機本体 11 チャンバー 12 ロータ 20 加熱乾燥手段 21 赤外線プレートヒータ 30 真空乾燥手段 31 真空ポンプ 10 Dryer body 11 Chamber 12 Rotor 20 Heat drying means 21 Infrared plate heater 30 Vacuum drying means 31 Vacuum pump
Claims (1)
填し、該ロータの回転に伴う遠心力で半導体基板表面の
水分を除去する乾燥機本体と、前記チャンバー内のロー
タに装填された半導体基板に接触するように、チャンバ
ー内に加熱された乾燥清浄ガスを流通させる加熱乾燥手
段と、前記チャンバー内を真空排気する真空乾燥手段と
を具備したことを特徴とする半導体基板乾燥機。1. A dryer main body that loads a semiconductor substrate on a rotor in a chamber and removes moisture on the surface of the semiconductor substrate by centrifugal force as the rotor rotates; 1. A semiconductor substrate dryer comprising: a heating drying means for circulating a heated dry clean gas into a chamber so as to be in contact with each other; and a vacuum drying means for evacuating the inside of the chamber.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4428191U JPH04130435U (en) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | Semiconductor substrate dryer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4428191U JPH04130435U (en) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | Semiconductor substrate dryer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04130435U true JPH04130435U (en) | 1992-11-30 |
Family
ID=31924461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4428191U Pending JPH04130435U (en) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | Semiconductor substrate dryer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04130435U (en) |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP4428191U patent/JPH04130435U/en active Pending
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