JPH04130300A - 放射光源 - Google Patents
放射光源Info
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- JPH04130300A JPH04130300A JP25102990A JP25102990A JPH04130300A JP H04130300 A JPH04130300 A JP H04130300A JP 25102990 A JP25102990 A JP 25102990A JP 25102990 A JP25102990 A JP 25102990A JP H04130300 A JPH04130300 A JP H04130300A
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- electron beam
- temperature superconductor
- superconductor
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Links
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Landscapes
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高温超伝導体を用いた放射光源に関する。
[従来の技術]
自由電子レーザーは、電子ビームを蛇行させるために、
永久磁石から成るアンジュレータ−を用いる場合が多い
。
永久磁石から成るアンジュレータ−を用いる場合が多い
。
従来のアンジュレータ−の基本構造(第4図)では、極
性の異なる永久磁石1を交互に配置して生ずる縦磁場2
によって、電子ビーム3を蛇行させている。電子ビーム
は偏向を受ける毎に電磁波4をZ軸方向に放射する。Z
軸と角度θをなす方向に放射される電磁波の第n次高調
波の波長λnは、次式によって与えられる(北村英男:
日本物理学会誌、 Vol、44 (1989)pp
、574−580) 。
性の異なる永久磁石1を交互に配置して生ずる縦磁場2
によって、電子ビーム3を蛇行させている。電子ビーム
は偏向を受ける毎に電磁波4をZ軸方向に放射する。Z
軸と角度θをなす方向に放射される電磁波の第n次高調
波の波長λnは、次式によって与えられる(北村英男:
日本物理学会誌、 Vol、44 (1989)pp
、574−580) 。
二こで、γ()l)は電子ビームのエネルギーには偏向
定数で、K=φ、 7 =93.4X B、λU。
定数で、K=φ、 7 =93.4X B、λU。
B、は磁場強度、φ、およびλUは第5図に示すような
蛇行角度およびアンジュレータ−の−周期長である。
蛇行角度およびアンジュレータ−の−周期長である。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、強力な永久磁石は重く、高価であり、構成する
際に機械的強度も高いことが要求される。
際に機械的強度も高いことが要求される。
本発明は、これらの諸問題を解決するものである。
[課運を解決するための手段]
本発明は、アンジュレータ−として永久磁石の代わりに
高温超伝導体を使用するものであり、高温超伝導体を用
いて電子ビームを偏向し電磁波を発生することを特徴と
する放射光源である。
高温超伝導体を使用するものであり、高温超伝導体を用
いて電子ビームを偏向し電磁波を発生することを特徴と
する放射光源である。
本発明において、高温超伝導体の少なくとも一部の表面
に凹凸の形状を設けて、電子ビームを一回以上局期的に
蛇行させることができる。
に凹凸の形状を設けて、電子ビームを一回以上局期的に
蛇行させることができる。
また、複数回の電子ビームの蛇行の際に、放射された電
磁波を重畳してレーザー作用を持たせて自由電子レーザ
ーとすることができる。
磁波を重畳してレーザー作用を持たせて自由電子レーザ
ーとすることができる。
[実施例]
以下本発明を実施例に基づき説明する。
第1図(a)または(b)に示すように凹凸面を有する
高温超伝導体を対向配置して、その間隔7の中心線近傍
に電子ビームを伝搬させるか、あるいは、第1図(c)
のように、平面超伝導体6と凹凸超伝導体5とを組み合
わせる。
高温超伝導体を対向配置して、その間隔7の中心線近傍
に電子ビームを伝搬させるか、あるいは、第1図(c)
のように、平面超伝導体6と凹凸超伝導体5とを組み合
わせる。
第1図の偏向法において、超伝導体の軸長として半周期
の長さを採用すれば、放射電磁波は一回限り放射される
ので、シンクロトロン放射光源と同等の働きをなす。
の長さを採用すれば、放射電磁波は一回限り放射される
ので、シンクロトロン放射光源と同等の働きをなす。
第1図の偏向法を多数回繰り返すことによって、自由電
子レーザーを実現できる。自由電子レーザー動作におい
ては、電子ビームの運動エネルギーは、電子の進行に伴
って放射電磁波へとエネルギー変換されるために、徐々
に低減する。従って、その減少による影響を補完するた
めに、超伝導体の凹凸の周期長(アンジュレータ−の周
期長)と超伝導体の対向間隔7とをZ軸方向の進行に伴
って変化させると、より良い自由電子レーザー動作を期
待できる。
子レーザーを実現できる。自由電子レーザー動作におい
ては、電子ビームの運動エネルギーは、電子の進行に伴
って放射電磁波へとエネルギー変換されるために、徐々
に低減する。従って、その減少による影響を補完するた
めに、超伝導体の凹凸の周期長(アンジュレータ−の周
期長)と超伝導体の対向間隔7とをZ軸方向の進行に伴
って変化させると、より良い自由電子レーザー動作を期
待できる。
本発明で使用する高温超伝導体としては、高周波特性に
優れているバルク超伝導体が適している。
優れているバルク超伝導体が適している。
また、超伝導体はすべてが一体成形されている必要はな
く、複数個の超伝導体を導電性接着剤によって一体化し
たものでもよい。また、第2図のように、巨視的には相
互に分離している超伝導体5を電気的良導体8によって
互いに緊結すれば、同様の機能を得る。
く、複数個の超伝導体を導電性接着剤によって一体化し
たものでもよい。また、第2図のように、巨視的には相
互に分離している超伝導体5を電気的良導体8によって
互いに緊結すれば、同様の機能を得る。
現在、使用可能な高温超伝導体として、イツトリウム系
、ビスマス系、そしてタリウム系の3種類ある。その中
で、無毒で強耐水性を有するビスマス系超伝導体(臨界
温度約105K)が最も使い易い、高温超伝導体は液体
窒素で冷却することが多く、その際に超伝導体の壁の厚
さが冷却効果に大きい影響を及ぼす、従って、使用バル
ク超伝導体は可能な限り薄い形状にすることが望ましい
。
、ビスマス系、そしてタリウム系の3種類ある。その中
で、無毒で強耐水性を有するビスマス系超伝導体(臨界
温度約105K)が最も使い易い、高温超伝導体は液体
窒素で冷却することが多く、その際に超伝導体の壁の厚
さが冷却効果に大きい影響を及ぼす、従って、使用バル
ク超伝導体は可能な限り薄い形状にすることが望ましい
。
円筒状超伝導体は、荷電粒子ビーム用レンズとして機能
することがすでに実証されている(tl、Matsuz
awa et al : Journal of Ap
pliedPhysics、 Vol、65 (198
9) pp、2596−2603゜H,Matsuza
wa et al : Japanese Journ
al ofApplied Physics、 Vol
、28 (1989) pp、L717−L719゜H
,Matsuzawa et al : Japane
se Journal ofApplied Phys
ics、 Vol、29 (1990) pp、785
−791゜Y、IshibasM et al : J
apanese Jpurnal ofApplied
Physics、 Vol、29 (1990) p
p、L1120−L1123)。
することがすでに実証されている(tl、Matsuz
awa et al : Journal of Ap
pliedPhysics、 Vol、65 (198
9) pp、2596−2603゜H,Matsuza
wa et al : Japanese Journ
al ofApplied Physics、 Vol
、28 (1989) pp、L717−L719゜H
,Matsuzawa et al : Japane
se Journal ofApplied Phys
ics、 Vol、29 (1990) pp、785
−791゜Y、IshibasM et al : J
apanese Jpurnal ofApplied
Physics、 Vol、29 (1990) p
p、L1120−L1123)。
において、紙面に平行な平面もしくは湾曲した面を有す
る超伝導体側壁9を電子ビームの進路の両側に配置すれ
ば(第3図参照)、本発明装置のレンズ効果は更に高く
なる。
る超伝導体側壁9を電子ビームの進路の両側に配置すれ
ば(第3図参照)、本発明装置のレンズ効果は更に高く
なる。
第1図は本発明の偏向用高温超伝導体による電子ビーム
偏向法の実施例、第2図は分割された偏向用高温超伝導
体の実施例、第3図は電子ビーム偏向用高温超伝導体の
側面を平面もしくは湾曲高温超伝導体で囲み、電子ビー
ム集束効果を高めた実施例を示す図、第4図は永久磁石
製アンジュレータ−によって電子ビームを蛇行させる、
従来の自由電子レーザーの原理図、第5図は蛇行する電
子ビームの物理量を定義する図である。 1・・・永久磁石、2・・・磁力線、3・・・電子ビー
ム、4・・・放射光、5・・・電子ビーム偏向用凹凸形
高温超伝導体、6・・・電子ビーム偏向用事面形高温超
伝導体、7・・・偏向用高温超伝導体の間隔、8・・・
分割された偏向用高温超伝導体を緊結する電気的良導体
、9・・・高温第 図 (a) (b) 第 図 (Q) (b) 第 図 第 図
偏向法の実施例、第2図は分割された偏向用高温超伝導
体の実施例、第3図は電子ビーム偏向用高温超伝導体の
側面を平面もしくは湾曲高温超伝導体で囲み、電子ビー
ム集束効果を高めた実施例を示す図、第4図は永久磁石
製アンジュレータ−によって電子ビームを蛇行させる、
従来の自由電子レーザーの原理図、第5図は蛇行する電
子ビームの物理量を定義する図である。 1・・・永久磁石、2・・・磁力線、3・・・電子ビー
ム、4・・・放射光、5・・・電子ビーム偏向用凹凸形
高温超伝導体、6・・・電子ビーム偏向用事面形高温超
伝導体、7・・・偏向用高温超伝導体の間隔、8・・・
分割された偏向用高温超伝導体を緊結する電気的良導体
、9・・・高温第 図 (a) (b) 第 図 (Q) (b) 第 図 第 図
Claims (3)
- (1)高温超伝導体を用いて電子ビームを偏向し電磁波
を発生することを特徴とする放射光源。 - (2)高温超伝導体の少なくとも一部の表面に凹凸の形
状を設けて、電子ビームを一回以上周期的に蛇行させる
ことを特徴とする請求項(1)に記載の放射光源。 - (3)複数回の電子ビームの蛇行の際に、放射された電
磁波を重畳してレーザー作用を持たせて自由電子レーザ
ーとすることを特徴とする請求項(1)または(2)に
記載の放射光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25102990A JPH04130300A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 放射光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25102990A JPH04130300A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 放射光源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04130300A true JPH04130300A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17216557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25102990A Pending JPH04130300A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 放射光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04130300A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006228500A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Institute Of Physical & Chemical Research | 磁場発生方法および磁場発生装置 |
WO2013112226A2 (en) * | 2011-11-11 | 2013-08-01 | The Regents Of The University Of California | Surface-micromachined micro-magnetic undulator |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP25102990A patent/JPH04130300A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006228500A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Institute Of Physical & Chemical Research | 磁場発生方法および磁場発生装置 |
WO2013112226A2 (en) * | 2011-11-11 | 2013-08-01 | The Regents Of The University Of California | Surface-micromachined micro-magnetic undulator |
WO2013112226A3 (en) * | 2011-11-11 | 2013-11-07 | The Regents Of The University Of California | Surface-micromachined micro-magnetic undulator |
US9247630B2 (en) | 2011-11-11 | 2016-01-26 | The Regents Of The University Of California | Surface-micromachined micro-magnetic undulator |
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