JPH04130288A - マイクロ波ドップラセンサ - Google Patents
マイクロ波ドップラセンサInfo
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- JPH04130288A JPH04130288A JP2250989A JP25098990A JPH04130288A JP H04130288 A JPH04130288 A JP H04130288A JP 2250989 A JP2250989 A JP 2250989A JP 25098990 A JP25098990 A JP 25098990A JP H04130288 A JPH04130288 A JP H04130288A
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
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- 101100119059 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ERG25 gene Proteins 0.000 description 3
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- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、移動体の存在の有無を検出するマイクロ波
ドツプラセンサに関する。
ドツプラセンサに関する。
(従来の技術)
一般に、自動ドアは、人がドアに近付いたのを検知して
、その検知信号によるモータ駆動により自動的にドアを
開けるように構成されている。
、その検知信号によるモータ駆動により自動的にドアを
開けるように構成されている。
人が近付いたのを検知するセンサには色々な種類がある
が、その一つに、予めドアの手前方向にマイクロ波を放
射し、その放射波と近付く人からの反射波との間にドツ
プラ信号が生成されることを利用したマイクロ波ドツプ
ラセンサがある。
が、その一つに、予めドアの手前方向にマイクロ波を放
射し、その放射波と近付く人からの反射波との間にドツ
プラ信号が生成されることを利用したマイクロ波ドツプ
ラセンサがある。
従来のマイクロ波ドツプラセンサは第3図に示すように
構成されていた。
構成されていた。
即ち、マイクロ波の信号源lにはガン(Gunn)ダイ
オードによるガン発振器が使用され、信号源lからのマ
イクロ波は矢印で示すようには分岐結合回路2を介して
、一部はミキサダイオードからなる混合器8に励振電力
として供給され、残りはアンテナ4を介して放射される
。
オードによるガン発振器が使用され、信号源lからのマ
イクロ波は矢印で示すようには分岐結合回路2を介して
、一部はミキサダイオードからなる混合器8に励振電力
として供給され、残りはアンテナ4を介して放射される
。
アンテナ4から放射され、人等の移動目標物でドツプラ
効果を受けた反射波は、そのドツプラ周波数だけ周波数
偏移を受けた後アンテナ4で受信され、分岐結合回路2
から混合器3に供給される。
効果を受けた反射波は、そのドツプラ周波数だけ周波数
偏移を受けた後アンテナ4で受信され、分岐結合回路2
から混合器3に供給される。
この混合器3では、信号源1からの先の放射波と混合さ
れ、両波の周波数差に対応した信号がドツプラ出力信号
として出力端子5から取出される。
れ、両波の周波数差に対応した信号がドツプラ出力信号
として出力端子5から取出される。
従って、人等の移動目標物が存在した場合は、それに対
応したドツプラ出力信号が出力端子5から取出されるの
で、この出力信号によって、モータ等を駆動しドアを開
閉操作させることができる。
応したドツプラ出力信号が出力端子5から取出されるの
で、この出力信号によって、モータ等を駆動しドアを開
閉操作させることができる。
しかしながら、上記従来のマイクロ波ドツプラセンサは
、混合器3が信号源1とアンテナ4との間の分岐結合回
路2に接続され、信号源lからのマイクロ波の励振電力
も目標からの反射波電力も、ともに分岐結合回路2での
変換損失を受けてから混合器3に供給されるから、混合
器3における受信感度を上げるには信号源lの出力を上
げる必要があった。
、混合器3が信号源1とアンテナ4との間の分岐結合回
路2に接続され、信号源lからのマイクロ波の励振電力
も目標からの反射波電力も、ともに分岐結合回路2での
変換損失を受けてから混合器3に供給されるから、混合
器3における受信感度を上げるには信号源lの出力を上
げる必要があった。
例えば、分岐結合回路2の変換損失が12dB程度であ
るとすれば、実用上動作可能なドツプラ出力信号を得よ
うとすると、信号源1の出力電力は7 dBm以上も必
要とする。しかしながら、信号源1の出力を大きくする
と、アンテナ4から放射した電波が他の通信機器や電子
機器への妨害波となることから、使用範囲や使用環境等
が制限されることとなり対策が要望されていた。
るとすれば、実用上動作可能なドツプラ出力信号を得よ
うとすると、信号源1の出力電力は7 dBm以上も必
要とする。しかしながら、信号源1の出力を大きくする
と、アンテナ4から放射した電波が他の通信機器や電子
機器への妨害波となることから、使用範囲や使用環境等
が制限されることとなり対策が要望されていた。
(発明が解決しようとする課題)
以上のように、従来のマイクロ波ドツプラセンサは、受
信側において所定の受信感度を得ようとするとアンテナ
から大きな出力電力を放射することとなるので、他の電
子通信機器等に障害電波を与える欠点があった。
信側において所定の受信感度を得ようとするとアンテナ
から大きな出力電力を放射することとなるので、他の電
子通信機器等に障害電波を与える欠点があった。
この発明は、上記従来の欠点を解消し、簡単な構成によ
り、高受信感度でしかもアンテナからの放射電力が少な
くし得るマイクロ波ドツプラセンサを提供することを目
的とする。
り、高受信感度でしかもアンテナからの放射電力が少な
くし得るマイクロ波ドツプラセンサを提供することを目
的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明によるマイクロ波ドツプラセンサは、マイクロ
波信号源がドレイン端子に接続された電界効果トランジ
スタ(FET)と、このFETのゲート端子に接続され
たアンテナとを具備し、前記FETのドレイン端子又は
ソース端子からドツプラ出力信号を導出することを特徴
とする。
波信号源がドレイン端子に接続された電界効果トランジ
スタ(FET)と、このFETのゲート端子に接続され
たアンテナとを具備し、前記FETのドレイン端子又は
ソース端子からドツプラ出力信号を導出することを特徴
とする。
(作用)
この発明によるマイクロ波ドツプラセンサは、移動目標
物へ放射するマイクロ波は、FETのドレイン端子側か
らゲート端子側への漏洩波を利用するので、信号源の出
力を上げても十分に減衰された微小電力となってアンテ
ナから放射される。
物へ放射するマイクロ波は、FETのドレイン端子側か
らゲート端子側への漏洩波を利用するので、信号源の出
力を上げても十分に減衰された微小電力となってアンテ
ナから放射される。
一方、移動目標物からのドツプラ効果を得た微小な反射
波は、FETのゲート端子に入力され、FETの変換増
幅作用によりドレイン又はソース端子から十分増幅され
て導出されるので、信号レベルの高いドツプラ出力信号
を取出すことができる。
波は、FETのゲート端子に入力され、FETの変換増
幅作用によりドレイン又はソース端子から十分増幅され
て導出されるので、信号レベルの高いドツプラ出力信号
を取出すことができる。
(実施例)
以下、この発明によるマイクロ波ドツプラセンサの実施
例を図面を参照し詳細に説明する。なお、第3図に示し
た従来の構成と同一構成には同一符号を付して詳細な説
明は省略する。
例を図面を参照し詳細に説明する。なお、第3図に示し
た従来の構成と同一構成には同一符号を付して詳細な説
明は省略する。
即ち、第1図はこの発明によるマイクロ波ドツプラセン
サの一実施例を示す回路図である。
サの一実施例を示す回路図である。
即ち、ガン発振器からなるマイクロ波信号源1はFET
8のドレイン端子6Dに接続される。
8のドレイン端子6Dに接続される。
FET6のドレイン・ゲート間はアイソレーション特性
を有し、ドレイン端子8Dからゲート端子6Gへ漏洩し
た微小マイクロ波はアンテナ4を介して放射される。ま
た、FET6のドレイン端子6Dには、マイクロ波を阻
止し、ドツプラ信号を通過する低域通過フィルタ(LP
P)7を介して出力端子5が接続されている。
を有し、ドレイン端子8Dからゲート端子6Gへ漏洩し
た微小マイクロ波はアンテナ4を介して放射される。ま
た、FET6のドレイン端子6Dには、マイクロ波を阻
止し、ドツプラ信号を通過する低域通過フィルタ(LP
P)7を介して出力端子5が接続されている。
61はFET8への直流バイアス供給端子であり、ドレ
インバイアス抵抗62、低域通過フィルタ7を順次介し
て、ドレイン端子8Dに接続される。
インバイアス抵抗62、低域通過フィルタ7を順次介し
て、ドレイン端子8Dに接続される。
また、FET6のソース端子BSには、マイクロ波及び
低周波のドツプラ出力信号を短絡接地するため、コンデ
ンサ63及び電界コンデンサ64が接続されており、6
5のソースバイアス抵抗、66のバイアスリターン抵抗
が夫々接続されていることと相俟って、FET6はバイ
アス供給端子61からの1電源で作動するように回路構
成されている。
低周波のドツプラ出力信号を短絡接地するため、コンデ
ンサ63及び電界コンデンサ64が接続されており、6
5のソースバイアス抵抗、66のバイアスリターン抵抗
が夫々接続されていることと相俟って、FET6はバイ
アス供給端子61からの1電源で作動するように回路構
成されている。
そこで、アンテナ4を介して送信された微小電力のマイ
クロ波は、移動目標物でドツプラ周波数だけ偏移して反
射波となり、再びアンテナ4を介してゲート端子6Gに
供給される。ゲート端子8Gに供給された反射波は、F
ET6で増幅されドレイン端子6Dに導出されるが、こ
のときFET6のドレイン電圧対ドレイン電流の非直線
特性によって信号源1からのマイクロ波と混合されるか
ら、送受信周波数の差の周波数成分、即ち、低周波のド
ツプラ出力信号のみがドレイン端子6Dから低域通過フ
ィルタ7を介して出力端子5に導出される。
クロ波は、移動目標物でドツプラ周波数だけ偏移して反
射波となり、再びアンテナ4を介してゲート端子6Gに
供給される。ゲート端子8Gに供給された反射波は、F
ET6で増幅されドレイン端子6Dに導出されるが、こ
のときFET6のドレイン電圧対ドレイン電流の非直線
特性によって信号源1からのマイクロ波と混合されるか
ら、送受信周波数の差の周波数成分、即ち、低周波のド
ツプラ出力信号のみがドレイン端子6Dから低域通過フ
ィルタ7を介して出力端子5に導出される。
なお、第1図では省略したが、FET6の信号入出力側
には夫々インピーダンス整合回路が接続される。
には夫々インピーダンス整合回路が接続される。
上記構成において、ゲート端子6Dからアンテナ4に向
は導出される送信波の電力は、FET6におけるドレイ
ン・ゲート間のアイソレーション特性により約15dB
程度の信号抑圧を受けるから、仮にドレイン端子6Dに
10dBmもの励振電力を供給した場合でも、ゲート端
子6Gでの出力電力は約−5dBmと十分に微小電力化
した放射波を得ることができる。
は導出される送信波の電力は、FET6におけるドレイ
ン・ゲート間のアイソレーション特性により約15dB
程度の信号抑圧を受けるから、仮にドレイン端子6Dに
10dBmもの励振電力を供給した場合でも、ゲート端
子6Gでの出力電力は約−5dBmと十分に微小電力化
した放射波を得ることができる。
アンテナ4を介してFET8のゲート端子6Gに供給さ
れる移動目標物からの微小な反射波は、FET8の変換
増幅作用を受はドレイン端子6Dでハ必要十分なレベル
のドツプラ出力信号として取出すことができる。
れる移動目標物からの微小な反射波は、FET8の変換
増幅作用を受はドレイン端子6Dでハ必要十分なレベル
のドツプラ出力信号として取出すことができる。
なお、第1図のFET6による回路は、ドレイン形FE
T混合器として機能するので、大きな周波数変換利得を
有し、周波数変換時の雑音指数も良好である。
T混合器として機能するので、大きな周波数変換利得を
有し、周波数変換時の雑音指数も良好である。
例えば、FET6単体での雑音指数が2dBであるとき
、ドレイン−接地間電圧を約IV、 ソース−接地間
を約0.5Vとなるように、各バイアス抵抗(62,6
5,66)値を設定したとすると、10.5GHzのと
き混合器としての変換利得は約5 dB、雑音指数は約
4dBと良好である。
、ドレイン−接地間電圧を約IV、 ソース−接地間
を約0.5Vとなるように、各バイアス抵抗(62,6
5,66)値を設定したとすると、10.5GHzのと
き混合器としての変換利得は約5 dB、雑音指数は約
4dBと良好である。
以上のように、この実施例のマイクロ波ドツプラセンサ
は、信号源1の出力を上げても、アンテナ4からは十分
に微小な電力で放射されるから、他の通信機器へ妨害波
として影響を与えるようなことなく、シかも良好な受信
感度が得られる。
は、信号源1の出力を上げても、アンテナ4からは十分
に微小な電力で放射されるから、他の通信機器へ妨害波
として影響を与えるようなことなく、シかも良好な受信
感度が得られる。
上記第1の実施例は、ドレイン端子6Dからドツプラ出
力信号を取出すように構成されたが、ソース端子BSか
らドツプラ出力信号を取出すように構成することもでき
る。
力信号を取出すように構成されたが、ソース端子BSか
らドツプラ出力信号を取出すように構成することもでき
る。
即ち、第2図はこの発明によるマイクロ波ドツプラセン
サの第2の実施例を示すもので、バイアス供給端子61
はマイクロ波及びドツプラ出力信号である低周波成分を
共に阻止する第1のチョークコイル67を介してドレイ
ン端子6Dに供給され、ソース端子6Sには出力端子5
が接続されるとともに、ドツプラ出力信号を阻止する第
2のチョークコイル68をソースバイアス抵抗B5と直
列接続して接地されている。
サの第2の実施例を示すもので、バイアス供給端子61
はマイクロ波及びドツプラ出力信号である低周波成分を
共に阻止する第1のチョークコイル67を介してドレイ
ン端子6Dに供給され、ソース端子6Sには出力端子5
が接続されるとともに、ドツプラ出力信号を阻止する第
2のチョークコイル68をソースバイアス抵抗B5と直
列接続して接地されている。
第2図のような回路構成でも、ドレイン端子6Dに信号
源1を接続し、ゲート端子6Gをアンテナ4に接続して
送受信するように構成したので、微小な放射波と必要十
分なレベルのドツプラ出力信号を得ることができる。
源1を接続し、ゲート端子6Gをアンテナ4に接続して
送受信するように構成したので、微小な放射波と必要十
分なレベルのドツプラ出力信号を得ることができる。
なお、上記各実施例では変換増幅素子として通常のFE
Tを使用した場合を説明したが、同じくFETの一種で
あるH E M T (High Electron
Mo−bility Transistor)をも使用
することができ、その場合、素子固有の特性上から混合
器としての変換利得が約7 dB、雑音指数が約2dB
の回路を構成することができる。また、信号源1として
は、ガン発振器のほかに通常のFET発振器や誘電体共
振器を使用したFET発振器をも使用することができる
。
Tを使用した場合を説明したが、同じくFETの一種で
あるH E M T (High Electron
Mo−bility Transistor)をも使用
することができ、その場合、素子固有の特性上から混合
器としての変換利得が約7 dB、雑音指数が約2dB
の回路を構成することができる。また、信号源1として
は、ガン発振器のほかに通常のFET発振器や誘電体共
振器を使用したFET発振器をも使用することができる
。
以上のように、この発明によるマイクロ波ドツプラセン
サは、簡単な構成で、他の通信機器等への妨害波を与え
ることなく、良好なドツプラ出力信号を得ることができ
るものであり、実用上の効果大である。
サは、簡単な構成で、他の通信機器等への妨害波を与え
ることなく、良好なドツプラ出力信号を得ることができ
るものであり、実用上の効果大である。
[発明の効果コ
この発明によるマイクロ波ドツプラセンサは、微小な放
射電力で動作するため、他の通信機器へ妨害電波を与え
ることなく、しがち高感度のため良好なドツプラ出力信
号を得ることができるものであり、自動ドア装置等に採
用して顕著な効果が得られる。
射電力で動作するため、他の通信機器へ妨害電波を与え
ることなく、しがち高感度のため良好なドツプラ出力信
号を得ることができるものであり、自動ドア装置等に採
用して顕著な効果が得られる。
第1図はこの発明によるマイクロ波ドツプラセンサの第
1の実施例を示す回路図、第2図はこの発明によるマイ
クロ波ドツプラセンサの第2の実施例を示す回路図、第
3図は従来のマイクロ波ドツプラセンサを示す回路図で
ある。 1・・・信号源、 2・・・分岐結合回路、3・・・混
合器、4・・・アンテナ、5・・・出力端子、 6・
・・FET。 7・・・低域通過フィルタ。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 1:信号漣 第 図 第 図
1の実施例を示す回路図、第2図はこの発明によるマイ
クロ波ドツプラセンサの第2の実施例を示す回路図、第
3図は従来のマイクロ波ドツプラセンサを示す回路図で
ある。 1・・・信号源、 2・・・分岐結合回路、3・・・混
合器、4・・・アンテナ、5・・・出力端子、 6・
・・FET。 7・・・低域通過フィルタ。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 1:信号漣 第 図 第 図
Claims (1)
- マイクロ波信号源がドレイン端子に接続された電界効果
トランジスタと、この電界効果トランジスタのゲート端
子に接続されたアンテナとを具備し、前記電界効果トラ
ンジスタのドレイン端子又はソース端子からドップラ出
力信号を導出することを特徴としたマイクロ波ドップラ
センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2250989A JPH04130288A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | マイクロ波ドップラセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2250989A JPH04130288A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | マイクロ波ドップラセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04130288A true JPH04130288A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17216013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2250989A Pending JPH04130288A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | マイクロ波ドップラセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04130288A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020169989A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 立積電子股▲ふん▼有限公司RichWave Technology Corp. | モーション検出、ドップラーシフト検出、自己エンベロープ変調による位置決めのための方法、回路及び装置 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2250989A patent/JPH04130288A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020169989A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 立積電子股▲ふん▼有限公司RichWave Technology Corp. | モーション検出、ドップラーシフト検出、自己エンベロープ変調による位置決めのための方法、回路及び装置 |
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