JPH0412884B2 - - Google Patents

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JPH0412884B2
JPH0412884B2 JP1133987A JP1133987A JPH0412884B2 JP H0412884 B2 JPH0412884 B2 JP H0412884B2 JP 1133987 A JP1133987 A JP 1133987A JP 1133987 A JP1133987 A JP 1133987A JP H0412884 B2 JPH0412884 B2 JP H0412884B2
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film
benzene
diethynylbenzene
solution
thin film
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JP1133987A
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Yukihiro Ikeda
Masaru Ozaki
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Agency of Industrial Science and Technology
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Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はジエチニルベンゼン誘導体をエネルギ
ー照射により重合させて得ることを特徴とする重
合体薄膜の製造方法に関する。また、本発明は、
ジエチニルベンゼン誘導体をラングミユアーブロ
ジエツト法により基板上に累積させ、エネルギー
照射により重合させて得ることを特徴とする重合
体薄膜の製造方法に関する。 (産業上の利用分野) ベンゼン環に2個のエチニル基が直接結合して
いるジエチニル化合物は、一般に、γ線、電子
線、X線、紫外線、可視光線、赤外線(熱)等の
エネルギー照射に対して極めて高感度であり、か
つエネルギー照射により得られる重合体は、耐エ
ツチング性に優れるため、電子線レジスト、X線
レジスト、フオトレジストのようなパターン形成
材料、または感熱材料として有用である。また、
前記のエネルギー照射により得られる重合体は、
三重結合が開いて共役二重結合を形成した共役高
分子となるため、有機半導体、導電性材料等の電
子材料として用いることもできる。 又、分子内に適当な数のメチレン基からなる長
鎖状態構造のような疎水性構造部分と、カルボキ
シル基のような親水性構造部分の両方を兼ねそな
えた両親媒性化合物は、水面上に単分子膜を形成
する。この単分子膜は、ラングミユアーブロジエ
ツト法(以下、“LB法”という。また、この方法
により製造した膜を“LB膜”という。)により、
適当な基板上に累積し、高配向性の分子累積膜を
形成することができる。 特に本発明の製造方法において用いるジエチニ
ルベンゼン誘導体は、分子内に9個以上21個以下
のメチレン基からなる疎水性構造部分と、カルボ
キシル基のような親水性構造部分の両方を兼ねそ
なえた両親媒性分子であり、水面上に単分子膜を
形成することができる。この単分子膜はLB法に
より、適当な基板上に累積し、高配合性の単分子
膜、又は分子累積膜を形成することができる。 こうして得られるLB膜を、エネルギー照射に
より重合させて得られる重合体薄膜の製造方法
は、レジストのようなパターン形成材料、有機半
導体、導電材料などの電子材料、非線形光学材料
などのオプトエレクトロニクス材料の開発に利用
することができる。 (従来技術及び問題点) これまで、一般式
【式】(n=1, 2,4,5,6,10)で表される化合物、または
一般式【式】(Rは メチル基、シクロヘキシル基またはフエニル基)
で表される化合物はすでに知られている(W.L.
OlsenS,Journal of Bacteriology,13 (3),
1443−6(1979);US4536515等)。しかし、特許
請求の範囲に示したジエチニルベンゼン誘導体の
ように、ベンゼン環の二つの水素がエチニル基で
置換され、その一方のエチニル基の水素が−
(CH2)n−COOH(nは9以上21以下の整数)
で置換された化合物は知られていない。 ジエチニルベンゼン化合物は、γ線、電子線、
紫外線、可視光線、赤外線(熱)等のエネルギー
照射に対して感受性を有しているが、分子量が小
さいため良質な薄膜の作製が困難であり、また昇
華性のため減圧下での取扱いが困難であつた。 ジエチニルベンゼン構造を有する化合物の薄膜
作製に、LB法の適 が考えられるが、LB膜作製
上必要な両親媒性を有するジエチニルベンゼン化
合物は知られておらず、その製造原料も知られて
いない。また、上記の両親媒性を有するジエチニ
ルベンゼン化合物を、エネルギー照射により重合
させる重合体薄膜の製造方法も知られていない。 (問題を解決するための手段) このような問題点に鑑み、本発明者らは鋭意検
討を重ねた結果、薄膜の作製が可能であり、非昇
華性のジエチニルベンゼン化合物であり、また
LB技術に適用可能な両親媒性化合物であるジエ
チニルベンゼン誘導体をエネルギー照射により重
合させる重合体薄膜の製造方法を発明するに至つ
た。 すなわち、本発明は分子内にジエチニルベンゼ
ン構造、及びメチレン鎖、及び一方の分子未端に
ビニル基、他方の分子末端に水素又はアルキルシ
リル基を有する下記の一般式で表される新規なジ
エチニルベンゼン誘導体を、エネルギー照射によ
り重合させて得ることを特徴とする重合体薄膜の
製造方法に関する。 〔式中のRは水素又は−SiX1X2X3で、X1,X2
X3はそれぞれ独立に水素又は炭素数が1〜7の
アルキル基(ただし、X1,X2,X3がすべて水素
の場合は除く)で、かつnは9以上21以下の整数
である。〕 本発明の製造方法におけるジエチニルベンゼン
誘導体は、蒸着、スパツタリング、プラズマコー
テイング又は溶液のスピンコーテイング等により
ガラス、石英、シリコンウエハー、フツ化カルシ
ウム等の基板上に薄膜を作製することができる。 また、前記のジエチニルベンゼン誘導体を用い
て、LB法により、ガラス、石英、シリコンウエ
ハー、フツ化カルシウム等の基板上にLB膜を作
製することもできる。以下、前記のジエチニルベ
ンゼンを用いて、LB膜を作製する方法を述べる。 まず、一般式(*)で表されるジエチニルベン
ゼン誘導体を、クロロホルム、ベンゼン、ヘキサ
ン、ヘプタン等の水に溶けない揮発性有機溶媒に
溶かし、濃度が1×10-4mol/l〜1×
10-2mol/lの溶液を調製する。この溶液を、清
浄な水面上に滴下して溶媒を蒸発させると、当該
ジエチニルベンゼン誘導体が水面上に展開されて
いく。このとき、水中には1×10-4mol/l〜1
×10-2mol/lの濃度で、Cd2+,Fe3+Al3+等の金
属イオンを含有させてもよい。次に、水面上に展
開した当該ジエチニルベンゼン誘導体の単分子膜
の表面積を減少させていくと表面圧が徐々に増大
し、水面上に単分子固体膜が形成される。この単
分子固体膜を、LB法に従つて、ガラス基板、石
英基板、シリコンウエハー、フツ化カルシウム基
板等に1〜500層の層数で累積させることにより、
LB膜を得ることができる。得られるLB膜の厚さ
は、20〜18000Å程度である。 上記のようにして得られたジエチニルベンゼン
誘導体の薄膜又はLB膜は、γ線、電子線、X線、
紫外線、可視光線、赤外線(熱)等のエネルギー
照射により、C≡C三重結合が重合し、重合体薄
膜が得られる。特にLB膜を用いた場合は、高配
向性の高分子重合体薄膜が得られる。 また、エネルギー照射の際にマスキングを施し
たり、照射するエネルギーを光束の形態にして走
査させることにより、任意の形状を有する重合体
薄膜を形成することができる。たとえば、電子線
走査、又はマスク上からの紫外線照射により、薄
膜の任意の部分を重合させることができる。エネ
ルギー照射射により重合したジエチニルベンゼン
誘導体の重合物は、溶媒に対する溶解度がもとの
低分子にくらべて低下している。従つて、エネル
ギー照射を任意の形状に施した薄膜をたとえば、
アセトン又はエタノールにひたして現像すること
により、ネガ型のパターンを形成することができ
る。これは、電子線レジスト、X線レジスト、フ
オトレジスト等のレジスト材料として使用しう
る。特にLB膜を用いたレジストは、極めて薄い
膜厚と高度な配向性のために高分解能かつ高感度
になりうる。 また、エネルギー照射によりC≡C構造が重合
して共役二重結合が形成され、かつベンゼン環や
他のC≡C結合とも共役しうるので、π電子系が
広がる。この場合、有機半導体、導電材料等の電
子材料、非線形光学材料等のオプトエレクトロニ
クス材料への応用が可能となる。 本発明の製造方法におけるジエチニルベンゼン
誘導体の一般式(*)において、置換基Rは水素
又は−SiX1X2X3であるが、−SiX1X2X3の例とし
て、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、
メチルジエチルシリル基、トリブチルシリル基、
トリヘプチルシリル基、ジエチルシリル基等を挙
げることができる。ただし、Rが水素の場合のジ
エチニルベンゼン誘導体化合物については、R=
−SiX1X2X3の場合の誘導体の脱シリル化反応に
よつて得ることができる。 又、ベンゼン環への二つのエチニル基の置換様
式は、オルト、メタ、パラのいずれであつてもよ
い。 次に、本発明の製造方法におけるジエチニルベ
ンゼン誘導体の合成法の一例を説明する。 まずジエチニルベンゼンを出発原料の一つと
して、グリニヤール法によりジエチニルベンゼン
の二つのエチニル基を金属ハロゲン化させ、化合
を得る。この化合物を、X1X2X3SiCl(X1
X2,X3はそれぞれ独立に水素又は炭素数が1〜
7のアルキル基のいずれかであり、X1,X2,X3
は同時にすべては水素ではない)と反応させて、
ビスアルキルシリル化エチニルベンゼン を合成する。 一方、アルケニルアルコールCH2=CH−
(CH2)m−OH(ただし、nは9以上21以下の整
数)をもう一つの出発原料として、トシルクロリ
ドと反応させて、アルケニルトシレートCH2
CH−(CH2)n−OTs(ただし、nは9以上21以
下の整数、Tsはトシル基)を合成する。上記の
ビスアルキルシリル化エチニルベンゼンとアル
ケニルトシレートを、メチルリチウム等を用い
て、一方のアルキルシリル基を脱シリル化して有
機金属化合物とし、アルケニルトシレート
反応させることにより、 〔式中のR′は、−SiX1X2X3で、X1,X2,X3
それぞれ独立に水素又は炭素数が1〜7のアルキ
ル基(ただし、X1,X2,X3がすべて水素の場合
は除く) で、かつnは9以上21以下の整数である〕で表さ
れるジエチニルベンゼン誘導体を合成すること
ができる。 また、R′が水素の場合の誘導体7′は、は、
R′がシリル基−SiX1X2X3の誘導体を、
R″4NF,KF,R″Li等(R″,Rは炭素数が1〜
5個のアルキル基又はフエニル基を表す)の脱シ
リル化剤の存在下で脱シリル化させることにより
得ることができる。 脱シリル化剤としてKFを用いる場合は、クラ
ウン化合物とともに使用することが好ましい。 次に、上記のジエチニルベンゼン誘導体又は
7′のビニル基の部分を、オゾン酸化等により、
酸化的分解を行い、カルボキシル基にすることに
より、本発明の製造方法におけるジエチニルベン
ゼン誘導体又は8′、即ち本発明の製造方法に
おける一般式(*)で表されるジエチニルベンゼ
ン誘導体が得られる。 以上、本発明のジエチニルベンゼン誘導体化合
物を与える方法の一例を述べたが、これにより製
造方法を限定するものではない。 本発明の製造方法におけるジエチニルベンゼン
誘導体又は8′は、その分子構造特性から、IR
スペクトルにおいて、ベンゼン環のC−H伸縮振
動、メチレン基のC−H伸縮振動、C≡C伸縮振
動がそれぞれ、3000〜3080cm-1,2850〜2960cm
-1,2100〜2260cm-1に観測される。また、ベンゼ
ン環特有の吸収が1600cm-1付近、1500cm-1付近
に、ベンゼン環のC−H面外変角振動が690〜860
cm-1に、カルボキシル基のC=0伸縮振動が1700
cm-1付近に観測される。 また、1H−NMRスペクトルにおいては、ベン
ゼン環のプロトンが6.9〜7.8ppmに、C≡Cに隣
接するメチレン基のプロトンが2.2〜25ppmに、
カルボキシル基に隣接するメチレン基のプロトン
が2.25〜2.5ppmに、その他のメチレン基のプロ
トンが0.6〜1.8ppmに観測される。 置換基Rの構造に帰因するIR吸収、1H−NMR
シグナルもそれぞれのスペクトルにおいて認めら
れる。 前記のジエチニルベンゼン誘導体は両親媒性化
合物であり、アセトン、メチルエチルケトン、エ
タノール、メタノール、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテル、酢酸エチル等に溶ける。さら
に、クロロホルム、ヘキサン、ベンゼン、ヘプタ
ン等の水に溶けない揮発性有機溶媒にも可溶であ
る。 次に本発明の重合体薄膜の製造方法を実施例に
より、さらに詳細に説明する。 実施例 1 パラ−ジエチニルベンゼン0.2モルを充分に脱
水したテトラヒドロフラン350mlに溶かし、−78℃
でエチルマグネシウムブロミド0.4モルを添加し
て25℃で1時間反応させた。次にこの反応液を再
び−78℃に冷却し、トリメチルシリルクロリド
0.4モルを添加して25℃で2時間反応させ、ビス
−(トリメチルシリルエチニル)−ベンゼンを得
た。 またω−ヘプタデセニルアルコール0.04モルを
ピリジン30mlに溶かし、反応容器を氷浴に浸しな
がら、トルエンスルホニルクロリド(トシルクロ
リド)0.045モルを加えて15℃で24時間反応させ
て、ヘプタデセニルトシレートを得た。 次にビス−(トリメチルシリル)−ベンゼン0.01
モルを充分に脱水したテトラヒドロフラン60mlに
溶かし、−78℃でメチルリチウム0.01モルを添加
して25℃で2時間反応させた。この反応液を再び
−78℃に冷却し、ヘキサメチルホスホルアミド35
mlとヘプタデセニルトシレート0.01モルを添加し
て、25℃で1時間反応させた。この反応液に、炭
酸水素ナトリウム飽和水溶液250mlとジエチルエ
ーテル180mlを加えて充分に振とうしエーテル相
に生成物を抽出した。エーテル相を塩化ナトリウ
ム飽和水溶液で洗浄した後、硫酸マグネシウムで
脱水した。このエーテル溶液を濃縮して白黄色結
晶を得た。GPCによる精製により、1−(18−ノ
ナデセン−1−イニル)−4−(トリメチルシリル
エチニル)−ベンゼン の白色結晶40mmolを得た。次に、上記の1−
(18−ノナデセン−1−イニル)−4−(トリメチ
ルシリルエチニル−ベンゼンのテトラヒドロフラ
ン溶液に、(C4H94NFのテトラヒドロフラン溶
液を、(C4H94NFがトリメチルシリル基の25当
量となるように加えて、25℃で20時間撹拌混合し
て脱シリル化反応を行つた。次に、この反応液中
に少量の水を加えて充分に振盪した後エーテル層
を分離した。この操作を繰り返してエーテル層を
合わせ、濃縮して1−エチニル−4−(18−ノナ
デセン−1−イニル)−ベンゼン の白色結晶30mmolを得た。 次に上記の1−エチニル−4−(18−ノナデセ
ン−1−イニル)−ベンゼンを、酢酸エチル300ml
に溶かし、−10℃に冷却した後オゾンを等モル量
吹き込んだ。冷媒をはずし、アルゴンガスを吹き
付けて溶媒を蒸散させた後、残渣物をアセトン60
mlに溶かし、反応容器を氷浴に浸した。この溶液
にジヨーンズ試薬を褐色が維持されるまで添加し
た後、25℃で15分間撹拌反応させた。反応液に
350mlの氷水を加え、ジエチルエーテルで有機物
を抽出し、このエーテル相を水酸化ナトリウム水
溶液とともに振盪し、水相を分離した。この水相
に塩酸水溶液を添加して酸性にした後、ジエチル
エーテルで目的物を抽出した。エーテル溶液を濃
縮して、18−(4−エチニルフエーニル)−17−オ
クタデシノイツクアシド
【式】の白色 結晶26mmolを得た。 こうして得た18−(4−エチニルフエニル)−17
−オクタデシノイツクアシドをクロロホルムに溶
かし、濃度2mMの溶液を調製した。 また、2度蒸留した水にCdCl2を溶かし、
KHCO3を加えて、Cd2+イオン濃度2mM、PH6.3
の水溶液を調製した。 LAUDA社製のラングミユアトラフ(フイルム
バランス)に上記のCd2+水溶液を注ぎ、その水
面上に濃度2mMのカルボン酸クロロホルム水溶
液0.1mlを滴下した。バリアを動かして単分子膜
を圧縮し、表面積と表面圧を測定した。第1図
に、横軸に単分子当りの占有面積、縦軸に表面圧
をとつて測定した表面圧−面積曲線(π−A曲
線)を示す。測定温度は19℃であつた。 π−A曲線からわかるように、単分子当りの占
有面積が25A2付近から表面圧曲線が急激に立ち
上がり、良質の単分子膜が形成されている。 単分子膜の表面圧を25dyn/cmの一定圧力に保
ち、充分に清浄なSiO2被覆シリコンウエハーを
水面に垂直に浸漬させ再び水面上に引き上げる操
作を繰返して59層の累積膜を作製した。累積比
は、0.995であつた。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間すすいだ結果、ネガ型のパターン状重
合体薄膜を得た。 実施例 2 実施例1において、ω−ヘプタデセニルアルコ
ールの代わりにω−ウンデシレニルアルコールを
用いて同様の反応を行い、まず1−(12−トリデ
セン−1−イニル)−4−トリメチルシリルエチ
ニル)−ベンゼン 46mmolを得た。この化合物を、実施例1におい
て、1−(18−ノナデセン−1−イニル)−4−
(トリメチルシリルエチニル)−ベンゼンの代わり
に用いて同様の反応を行い、1−エチニル−4−
(12−トリデセン−1−イニル)−ベンゼン
【式】34mmol を得た。この化合物を、実施例1において1−エ
チニル−4−(18−ノナデセン−1−イニル)−ベ
ンゼンの代わりに用いて同様のオゾン酸化を行
い、12−(4−エチニルフエニル)−11−ドデシノ
イツクアシド
【式】30mmolを 得た。 こうして得たカルボン酸の2mMクロロホルム
溶液を実施例1と同様に2mMのCdCl2水溶液(PH
6.3)の水面上に滴下してπ−A曲線を測定した。 第2図にそのπ−A曲線を示す。実施例1と同
様にしてSiO2被覆シリコンウエハー上に13層の
累積膜を作製した。測定及び累積時の水温は19℃
であつた。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で、1分間露光した後、エタノ
ールで1分間現像した結果、ネガ型のパターン状
重合体薄膜を得た。 実施例 3 実施例1において得られた1−(18−ノナデセ
ン−1−イニル)−4−(トリメチルシリルエチニ
ル)ベンゼン 40mmolを酢酸エチル300mlに溶かし、−10℃に冷
却した後オゾンを等モル量吹き込んだ。冷媒をは
ずし、アルゴンガスを吹き付けて溶媒を蒸散させ
た後、残渣物をアセトン60mlに溶かし、反応容器
を氷浴に浸した。この溶液にジヨーンズ試薬を褐
色が維持されるまで添加した後、25℃で15分間撹
拌反応させた。反応液に350mlの氷水を加え、ジ
エチルエーテルで有機物を抽出し、このエーテル
相を水酸化ナトリウム水溶液とともに振盪し、水
相を分離した。この水相に塩酸水溶液を添加して
酸性にした後、ジエチルエーテルで生成物を抽出
した。このエーテル溶液を濃縮して、18−(4−
トリメチルシリルエチニルフエニル)−17−オク
タデシノイツクアシド の白色結晶34mmolを得た。 こうして得た前記カルボン酸化合物を用いて、
実施例1と同様にして、SiO2被覆シリコンウエ
ハー上に13層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、ネガ型のパターン状重
合体薄膜を得た。 実施例 4 実施例1において、トリメチルシリルクロリド
の代わりにクロロトリエチルシランを用いて同様
の反応を行い、ビス−(トリエチルシリルエチニ
ル)−ベンゼンを得た。この化合物を実施例1に
おいて、ビス−(トリメチルシリルエチニル)−ベ
ンゼンの代わりに用いて同様の反応を行い、1−
(18−ノナデセン−1−イニル)−4−(トリエチ
ルシリルエチニル)−ベンゼンの白色結晶を得た。
この化合物を実施例1において、1−(18−ノナ
デセン−1−イニル)−4−(トリメチルシリルエ
チニル)−ベンゼンの代わりに用いて同様の反応
を行い、18−(4−トリエチルシリルエチニルフ
エニル)−17−オクタデシノイツクアシドの白色
結晶32mmolを得た。 こうして得たカルボン酸を用いて、実施例1と
同様にして、SiO2被覆シリコンウエハー上に13
層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、ネガ型のパターン状重
合体薄膜を得た。 実施例 5 実施例1において、トリメチルシリルクロリド
の代わりに、クロロトリヘプチルシランを用いて
同様の反応を行い、ビス−(トリヘプチルシリル
エチニル)−ベンゼンを得た。この化合物を実施
例1において、ビス−(トリメチルシリルエチニ
ル)−ベンゼンの代わりに用いて同様の反応を行
い、1−(18−ノナデセン−1−(イニル)−4−
(トリヘプチルシリルエチニル)−ベンゼンの白色
結晶を得た。この化合物を、実施例1において、
1−(18−ノナデセン−1−イニル)−4−(トリ
メチルシリルエチニル)−ベンゼンの代わりに用
いて同様の反応を行い、18−(4−エチニルフエ
ニル)−17−オクタデシノイツクアシドの白色結
晶28mmolを得た。 こうして得たカルボン酸を用いて、実施例1と
同様にして、SiO2被覆シリコンウエハー上に59
層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、ネガ型のパターン状重
合体薄膜を得た。 実施例 6 まず、ω−トリコセノイツクアシドCH2=CH
−(CH220−COOHをリチウムアルミニウムハイ
ドライドで還元して、ω−トリコセニルアルコー
ルCH2=CH−(CH221−OHを得た。このω−ト
リコセニルアルコールを、実施例1において、ω
−ヘプタデセニルアルコールの代わりに用いて同
様の反応を行い。まず1−(24−ペンタコセン−
1−イニル)−4−(トリメチルシリルエチニル)
−ベンゼン 40mmolを得た。この化合物を実施例1におい
て、1−(18−ノナデセン−1−イニル)−4−
(トリメチルシリルエチニル)−ベンゼンの代わり
に用いて同様の反応を行い、1−エチニル−4−
(24−ペンタコセン−1−イニル)−ベンゼン 30mmolを得た。この化合物を、実施例1におい
て1−エチニル−4−(18−ノナデセン−1−イ
ニル)−ベンゼンの代わりに用いて同様のオゾン
酸化を行い、24−(4−エチニルフエニル)−23−
テトラコシノイツクアシド の白色結晶22mmolを得た。 こうして得たカルボン酸を用いて、実施例1と
同様にして、SiO2被覆シリコンウエハー上に59
層の累積膜を作製した。 このLB膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、ネガ型のパターン状重
合体薄膜を得た。 実施例 7 18−(4−エチニルフエニル)−17−オクタデシ
ノイツクアシドの25wt%クロロホルム溶液を調
整した。レジスト評価用のスピンコーテイング装
置にシリコンウエハーを設け、回転数2000rpmで
回転させながら上記クロロホルム溶液を滴下し、
上記カルボン酸のスピンコーテイング膜を作製し
た。膜厚1μmの透明な薄膜が得られた。 この薄膜をフオトレジスト用のマスクで覆い、
100W低圧水銀灯で1分間露光した後、エタノー
ルで1分間現像した結果、ネガ型のパターン状重
合体薄膜を得た。 実施例 8 18−(4−エチニルフエニル)−17−オクタデシ
ノイツクアシドの25wt%クロロホルム溶液を調
製した。レジスト評価用のスピンコーテイング装
置にシリコンウエハーを設け、回転数2000rpmで
回転させながら上記クロロホルム溶液を滴下し、
上記カルボン酸のスピンコーテイング膜を作製し
た。膜厚1μmの透明な薄膜が得られた。 電子線描画装置を用いて、前記薄膜に加速電圧
20kVで、電子線を走査させた後、メチルエチル
ケトンで1分間現像した結果、ネガ型のパターン
状重合体薄膜を得た。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a method for producing a thin polymer film, characterized in that it is obtained by polymerizing a diethynylbenzene derivative by irradiating energy. Moreover, the present invention
The present invention relates to a method for producing a thin polymer film, which is obtained by accumulating a diethynylbenzene derivative on a substrate by Langmuir Blodget method and polymerizing it by irradiating energy. (Industrial Application Field) Diethynyl compounds, in which two ethynyl groups are directly bonded to a benzene ring, are generally resistant to energy irradiation such as gamma rays, electron beams, X-rays, ultraviolet rays, visible light, and infrared rays (heat). On the other hand, polymers which have extremely high sensitivity and can be obtained by energy irradiation have excellent etching resistance, and are therefore useful as pattern forming materials such as electron beam resists, X-ray resists, and photoresists, or as heat-sensitive materials. Also,
The polymer obtained by the above energy irradiation is
Since it becomes a conjugated polymer in which triple bonds open to form conjugated double bonds, it can also be used as electronic materials such as organic semiconductors and conductive materials. In addition, amphiphilic compounds, which have both a hydrophobic structural part such as a long-chain structure consisting of an appropriate number of methylene groups in the molecule and a hydrophilic structural part such as a carboxyl group, are Forms a monolayer. This monomolecular film is produced by the Langmuir Blosget method (hereinafter referred to as the "LB method". Also, the film produced by this method is referred to as the "LB film").
The molecules can be accumulated on a suitable substrate to form a highly oriented molecular accumulation film. In particular, the diethynylbenzene derivative used in the production method of the present invention is a parenteral compound that has both a hydrophobic structural part consisting of 9 to 21 methylene groups and a hydrophilic structural part such as a carboxyl group in the molecule. It is a medium molecule and can form a monolayer on the water surface. This monomolecular film can be accumulated on a suitable substrate by the LB method to form a highly blended monomolecular film or a molecular accumulation film. The LB film obtained in this way is polymerized by energy irradiation to produce a polymer thin film, which can be used for pattern forming materials such as resists, electronic materials such as organic semiconductors and conductive materials, and optoelectronic materials such as nonlinear optical materials. It can be used for development. (Prior art and problems) Until now, compounds represented by the general formula [Formula] (n = 1, 2, 4, 5, 6, 10) or the general formula [Formula] (R is a methyl group, a cyclohexyl group) or phenyl group)
The compound represented by is already known (WL
OlsenS, Journal of Bacteriology, 13 (3),
1443-6 (1979); US4536515, etc.). However, as in the diethynylbenzene derivative shown in the claims, two hydrogens in the benzene ring are replaced with ethynyl groups, and one of the hydrogens in the ethynyl group is -
(CH 2 )n-COOH (n is an integer between 9 and 21)
No compounds substituted with are known. Diethynylbenzene compounds are resistant to gamma rays, electron beams,
It is sensitive to energy irradiation such as ultraviolet rays, visible light, and infrared rays (heat), but its small molecular weight makes it difficult to produce high-quality thin films, and its sublimation property makes it difficult to handle under reduced pressure. It was hot. The LB method may be suitable for producing thin films of compounds with a diethynylbenzene structure, but no diethynylbenzene compounds are known that have the amphiphilic properties necessary for producing LB films, and the raw materials for their production are also unknown. do not have. Further, there is also no known method for producing a polymer thin film by polymerizing the above-mentioned amphiphilic diethynylbenzene compound by energy irradiation. (Means for Solving the Problems) In view of these problems, the present inventors have made extensive studies and found that it is possible to produce a thin film, that the compound is a non-sublimable diethynylbenzene compound, and that
We have invented a method for producing polymer thin films by polymerizing diethynylbenzene derivatives, which are amphiphilic compounds applicable to LB technology, by energy irradiation. That is, the present invention provides a novel diethynylbenzene structure and a methylene chain in the molecule, a vinyl group at one end of the molecule, and a hydrogen or alkylsilyl group at the other end of the molecule, represented by the following general formula. The present invention relates to a method for producing a thin polymer film, characterized in that it is obtained by polymerizing an ethynylbenzene derivative by irradiation with energy. [R in the formula is hydrogen or -SiX 1 X 2 X 3 , X 1 , X 2 ,
X 3 is each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms (except when X 1 , X 2 , and X 3 are all hydrogen), and n is an integer of 9 or more and 21 or less. ] The diethynylbenzene derivative in the production method of the present invention can be formed into a thin film on a substrate such as glass, quartz, silicon wafer, calcium fluoride, etc. by vapor deposition, sputtering, plasma coating, solution spin coating, or the like. Further, an LB film can also be produced on a substrate such as glass, quartz, silicon wafer, calcium fluoride, etc. by the LB method using the above-mentioned diethynylbenzene derivative. Hereinafter, a method for producing an LB film using the above-mentioned diethynylbenzene will be described. First, a diethynylbenzene derivative represented by the general formula (*) is dissolved in a water-insoluble volatile organic solvent such as chloroform, benzene, hexane, heptane, etc. to a concentration of 1×10 -4 mol/l to 1×
Prepare a solution of 10 -2 mol/l. When this solution is dropped onto a clean water surface and the solvent is evaporated, the diethynylbenzene derivative is spread out on the water surface. At this time, water contains 1×10 -4 mol/l ~ 1
Metal ions such as Cd 2+ and Fe 3+ Al 3+ may be contained at a concentration of ×10 −2 mol/l. Next, as the surface area of the monomolecular film of the diethynylbenzene derivative developed on the water surface is reduced, the surface pressure gradually increases, and a monomolecular solid film is formed on the water surface. By accumulating this monomolecular solid film in 1 to 500 layers on a glass substrate, quartz substrate, silicon wafer, calcium fluoride substrate, etc. according to the LB method,
LB film can be obtained. The thickness of the obtained LB film is about 20 to 18000 Å. The thin film or LB film of the diethynylbenzene derivative obtained as described above can be exposed to γ-rays, electron beams, X-rays,
By irradiating energy such as ultraviolet rays, visible light, and infrared rays (heat), the C≡C triple bond is polymerized to obtain a polymer thin film. In particular, when an LB film is used, a highly oriented polymer thin film can be obtained. In addition, a polymer thin film having an arbitrary shape can be formed by masking during energy irradiation or by scanning the irradiated energy in the form of a luminous flux. For example, arbitrary portions of the thin film can be polymerized by electron beam scanning or UV irradiation from above a mask. A diethynylbenzene derivative polymerized by energy irradiation has lower solubility in a solvent than the original low molecule. Therefore, for example, a thin film irradiated with energy in an arbitrary shape can be
By immersing it in acetone or ethanol and developing it, a negative pattern can be formed. This can be used as a resist material such as electron beam resist, X-ray resist, photoresist, etc. In particular, resists using LB films can have high resolution and high sensitivity due to their extremely thin film thickness and high degree of orientation. In addition, the C≡C structure is polymerized by energy irradiation to form a conjugated double bond, which can also be conjugated with a benzene ring or other C≡C bonds, thereby expanding the π-electron system. In this case, it becomes possible to apply it to electronic materials such as organic semiconductors and conductive materials, and optoelectronic materials such as nonlinear optical materials. In the general formula (*) of the diethynylbenzene derivative in the production method of the present invention, the substituent R is hydrogen or -SiX 1 X 2 X 3. Examples of -SiX 1 X 2 silyl group,
Methyldiethylsilyl group, tributylsilyl group,
Examples include triheptylsilyl group and diethylsilyl group. However, for diethynylbenzene derivative compounds where R is hydrogen, R=
-SiX 1 X 2 X 3 can be obtained by desilylation reaction of the derivative. Furthermore, the substitution mode of the two ethynyl groups on the benzene ring may be any of ortho, meta, and para. Next, an example of a method for synthesizing a diethynylbenzene derivative in the production method of the present invention will be explained. First, using diethynylbenzene 1 as one of the starting materials, two ethynyl groups of diethynylbenzene are metal-halogenated by the Grignard method to obtain compound 2 . This compound 2 is converted into X 1 X 2 X 3 SiCl (X 1 ,
X 2 and X 3 are each independently hydrogen or have a carbon number of 1 to
7 alkyl group, X 1 , X 2 , X 3
are not all hydrogen at the same time),
Bisalkylsilylated ethynylbenzene 3 Synthesize. On the other hand, alkenyl alcohol 4 CH 2 =CH−
(CH 2 ) m-OH (where n is an integer of 9 to 21) is used as another starting material and reacted with tosyl chloride to form alkenyl tosylate 5 CH 2 =
CH-( CH2 )n-OTs (where n is an integer of 9 or more and 21 or less, and Ts is a tosyl group) is synthesized. By desilylating one alkylsilyl group of the above bisalkylsilylated ethynylbenzene 3 and alkenyl tosylate 5 using methyllithium etc. to form an organometallic compound 6 , and reacting it with the alkenyl tosylate 5 , [R' in the formula is -SiX 1 X 2 X 3 , and X 1 , (except when all 3 are hydrogen), and n is an integer of 9 or more and 21 or less ] can be synthesized. In addition, when R′ is hydrogen, the derivative 7′ is:
R' is a silyl group - SiX 1 X 2 X 3 derivative 7 ,
R″ 4 NF, KF, R″Li, etc. (R″, R has 1 or more carbon atoms
(representing five alkyl groups or phenyl groups) in the presence of a desilylating agent. When KF is used as a desilylating agent, it is preferably used together with a crown compound. Next, the vinyl group portion of the above diethynylbenzene derivative 7 or 7' is removed by ozone oxidation or the like.
By performing oxidative decomposition to form a carboxyl group, the diethynylbenzene derivative 8 or 8' in the production method of the present invention, that is, the diethynylbenzene derivative represented by the general formula (*) in the production method of the present invention is obtained. It will be done. Although an example of the method for producing the diethynylbenzene derivative compound of the present invention has been described above, the production method is not limited thereto. The diethynylbenzene derivative 8 or 8' in the production method of the present invention is IR
In the spectrum, the C-H stretching vibration of the benzene ring, the C-H stretching vibration of the methylene group, and the C≡C stretching vibration are 3000 to 3080 cm -1 and 2850 to 2960 cm, respectively.
-1 , observed between 2100 and 2260 cm -1 . In addition, the absorption peculiar to the benzene ring is around 1600 cm -1 and around 1500 cm -1 , and the C-H out-of-plane bending vibration of the benzene ring is around 690 to 860 cm -1.
cm -1 , the C=0 stretching vibration of the carboxyl group is 1700
Observed around cm -1 . In addition, in the 1 H-NMR spectrum, the protons of the benzene ring are 6.9 to 7.8 ppm, the protons of the methylene group adjacent to C≡C are 2.2 to 25 ppm,
Protons of methylene groups adjacent to carboxyl groups are observed at 2.25 to 2.5 ppm, and protons of other methylene groups are observed at 0.6 to 1.8 ppm. IR absorption attributable to the structure of substituent R, 1 H-NMR
Signals are also seen in each spectrum. The aforementioned diethynylbenzene derivative is an amphipathic compound and is soluble in acetone, methyl ethyl ketone, ethanol, methanol, tetrahydrofuran, diethyl ether, ethyl acetate, and the like. Furthermore, it is soluble in volatile organic solvents that are not soluble in water, such as chloroform, hexane, benzene, and heptane. Next, the method for producing a polymer thin film of the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. Example 1 0.2 mol of para-diethynylbenzene was dissolved in 350 ml of sufficiently dehydrated tetrahydrofuran and heated to -78°C.
Then, 0.4 mol of ethylmagnesium bromide was added and reacted at 25°C for 1 hour. Next, this reaction solution was cooled again to -78℃, and trimethylsilyl chloride was added.
0.4 mol was added and reacted at 25°C for 2 hours to obtain bis-(trimethylsilylethynyl)-benzene. Additionally, 0.04 mol of ω-heptadecenyl alcohol was dissolved in 30 ml of pyridine, and while the reaction vessel was immersed in an ice bath, 0.045 mol of toluenesulfonyl chloride (tosyl chloride) was added and reacted at 15°C for 24 hours to form heptadecenyl toxin. Got the rate. Next, bis-(trimethylsilyl)-benzene 0.01
mol was dissolved in 60 ml of sufficiently dehydrated tetrahydrofuran, 0.01 mol of methyllithium was added at -78°C, and the mixture was reacted at 25°C for 2 hours. The reaction solution was cooled again to -78°C, and hexamethylphosphoramide 35
ml and 0.01 mol of heptadecenyl tosylate were added and reacted at 25°C for 1 hour. To this reaction solution were added 250 ml of a saturated aqueous solution of sodium bicarbonate and 180 ml of diethyl ether, and the mixture was thoroughly shaken to extract the product into the ether phase. The ether phase was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution and then dehydrated with magnesium sulfate. This ether solution was concentrated to give white yellow crystals. Purification by GPC yielded 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-benzene. 40 mmol of white crystals were obtained. Next, the above 1-
(18-nonadecen- 1 -ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl-benzene in tetrahydrofuran solution, (C4H9)4NF in tetrahydrofuran solution, (C4H9)4NF is 25 equivalents of trimethylsilyl group) The desilylation reaction was carried out by stirring and mixing at 25°C for 20 hours.Next, a small amount of water was added to this reaction solution, and after thorough shaking, the ether layer was separated.This procedure Repeat this step to combine the ether layers and concentrate to obtain 1-ethynyl-4-(18-nonadecen-1-ynyl)-benzene. 30 mmol of white crystals were obtained. Next, add the above 1-ethynyl-4-(18-nonadecen-1-ynyl)-benzene to 300 ml of ethyl acetate.
After cooling to -10°C, an equimolar amount of ozone was blown into the solution. After removing the refrigerant and evaporating the solvent by blowing argon gas, the residue was dissolved in acetone 60
ml and immersed the reaction vessel in an ice bath. John's reagent was added to this solution until the brown color was maintained, and the mixture was stirred and reacted at 25° C. for 15 minutes. to the reaction solution
350 ml of ice water was added, organic matter was extracted with diethyl ether, the ether phase was shaken with an aqueous sodium hydroxide solution, and the aqueous phase was separated. After making the aqueous phase acidic by adding an aqueous hydrochloric acid solution, the target product was extracted with diethyl ether. The ether solution was concentrated to obtain 26 mmol of white crystals of 18-(4-ethynyl phenyl)-17-octadecinoic acid [Formula]. Thus obtained 18-(4-ethynyl phenyl)-17
-Octadecinoic acid was dissolved in chloroform to prepare a solution with a concentration of 2mM. Also, dissolve CdCl 2 in double-distilled water,
Add KHCO3 , Cd2 + ion concentration 2mM, PH6.3
An aqueous solution was prepared. The above Cd 2+ aqueous solution was poured into a Langmieur trough (film balance) manufactured by LAUDA, and 0.1 ml of a 2 mM aqueous carboxylic acid chloroform aqueous solution was dropped onto the water surface. The barrier was moved to compress the monolayer, and the surface area and surface pressure were measured. FIG. 1 shows a surface pressure-area curve (π-A curve) measured with the horizontal axis representing the occupied area per single molecule and the vertical axis representing the surface pressure. The measurement temperature was 19°C. As can be seen from the π-A curve, the surface pressure curve rises sharply when the occupied area per monomolecule is around 25 A 2 , indicating that a high-quality monomolecular film is formed. The surface pressure of the monomolecular film was maintained at a constant pressure of 25 dyn/cm, and a sufficiently clean SiO 2 -coated silicon wafer was immersed perpendicularly into the water surface and then raised again to the water surface. This operation was repeated to produce a 59-layer cumulative film. The cumulative ratio was 0.995. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, rinsing with ethanol for 1 minute resulted in a negative patterned polymer thin film. Example 2 A similar reaction was carried out in Example 1 using ω-undecylenyl alcohol instead of ω-heptadecenyl alcohol, and first, 1-(12-tridecen-1-ynyl)-4-trimethylsilylethynyl ) - benzene Obtained 46 mmol. This compound was used in Example 1 as 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-
A similar reaction was carried out using (trimethylsilylethynyl)-benzene instead of 1-ethynyl-4-
34 mmol of (12-tridecen-1-ynyl)-benzene [formula] was obtained. This compound was used in place of 1-ethynyl-4-(18-nonadecen-1-ynyl)-benzene in Example 1 to perform ozone oxidation, and 12-(4-ethynylphenyl)-11- 30 mmol of decinoic acid [formula] was obtained. A 2mM chloroform solution of the carboxylic acid thus obtained was mixed with a 2mM CdCl 2 aqueous solution (PH
6.3) was dropped onto the water surface and the π-A curve was measured. FIG. 2 shows the π-A curve. A 13-layer cumulative film was produced on a SiO 2 -coated silicon wafer in the same manner as in Example 1. Water temperature during measurement and accumulation was 19℃
It was hot. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute to obtain a negative patterned polymer thin film. Example 3 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)benzene obtained in Example 1 40 mmol was dissolved in 300 ml of ethyl acetate, and after cooling to -10°C, an equimolar amount of ozone was blown into the solution. After removing the refrigerant and evaporating the solvent by blowing argon gas, the residue was dissolved in 60 ml of acetone, and the reaction vessel was immersed in an ice bath. John's reagent was added to this solution until the brown color was maintained, and the mixture was stirred and reacted at 25° C. for 15 minutes. 350 ml of ice water was added to the reaction solution, organic matter was extracted with diethyl ether, the ether phase was shaken with an aqueous sodium hydroxide solution, and the aqueous phase was separated. After making the aqueous phase acidic by adding an aqueous hydrochloric acid solution, the product was extracted with diethyl ether. This ether solution was concentrated and 18-(4-
Trimethylsilylethynylphenyl)-17-octadecinoic acid 34 mmol of white crystals were obtained. Using the carboxylic acid compound thus obtained,
In the same manner as in Example 1, a 13-layer cumulative film was produced on a SiO 2 -coated silicon wafer. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute to obtain a negative patterned polymer thin film. Example 4 The same reaction as in Example 1 was carried out using chlorotriethylsilane instead of trimethylsilyl chloride to obtain bis-(triethylsilylethynyl)-benzene. A similar reaction was carried out in Example 1 using this compound in place of bis-(trimethylsilylethynyl)-benzene, and 1-
White crystals of (18-nonadecen-1-ynyl)-4-(triethylsilylethynyl)-benzene were obtained.
A similar reaction was carried out in Example 1 using this compound in place of 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-benzene, resulting in 18-(4-triethylsilylethynylphenyl). 32 mmol of white crystals of -17-octadecinoic acid was obtained. Using the thus obtained carboxylic acid, 13
A cumulative film of layers was fabricated. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute to obtain a negative patterned polymer thin film. Example 5 The same reaction as in Example 1 was carried out using chlorotriheptylsilane instead of trimethylsilyl chloride to obtain bis-(triheptylsilylethynyl)-benzene. A similar reaction was carried out in Example 1 using this compound in place of bis-(trimethylsilylethynyl)-benzene, and 1-(18-nonadecen-1-(ynyl)-4-
White crystals of (triheptylsilylethynyl)-benzene were obtained. In Example 1, this compound was
A similar reaction was carried out using 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-benzene instead of 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)-benzene, and the white color of 18-(4-ethynyl phenyl)-17-octadecinoic acid was obtained. 28 mmol of crystals were obtained. Using the thus obtained carboxylic acid, 59 %
A cumulative film of layers was fabricated. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute to obtain a negative patterned polymer thin film. Example 6 First, ω-tricosenoic acid CH 2 =CH
-( CH2 ) 20 -COOH was reduced with lithium aluminum hydride to give the ω-tricosenyl alcohol CH2 =CH-( CH2 ) 21 -OH. In Example 1, this ω-tricosenyl alcohol was
- Carry out a similar reaction using heptadecenyl alcohol instead. First, 1-(24-pentacocene-
1-ynyl)-4-(trimethylsilylethynyl)
−Benzene Obtained 40 mmol. This compound was used in Example 1 as 1-(18-nonadecen-1-ynyl)-4-
A similar reaction was carried out using (trimethylsilylethynyl)-benzene instead of 1-ethynyl-4-
(24-pentacocen-1-ynyl)-benzene Obtained 30 mmol. Similar ozone oxidation was carried out using this compound in place of 1-ethynyl-4-(18-nonadecen-1-ynyl)-benzene in Example 1, and 24-(4-ethynylphenyl)-23-
Tetrachosinoic acid 22 mmol of white crystals were obtained. Using the thus obtained carboxylic acid, 59 %
A cumulative film of layers was fabricated. Cover this LB film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute to obtain a negative patterned polymer thin film. Example 7 A 25 wt% chloroform solution of 18-(4-ethynyl phenyl)-17-octadecinoic acid was prepared. A silicon wafer was placed in a spin coating device for resist evaluation, and the above chloroform solution was dropped while rotating at 2000 rpm.
A spin coating film of the above carboxylic acid was produced. A transparent thin film with a thickness of 1 μm was obtained. Cover this thin film with a photoresist mask,
After exposure for 1 minute with a 100W low-pressure mercury lamp, the film was developed with ethanol for 1 minute to obtain a negative patterned polymer thin film. Example 8 A 25 wt % chloroform solution of 18-(4-ethynyl phenyl)-17-octadecinoic acid was prepared. A silicon wafer was placed in a spin coating device for resist evaluation, and the above chloroform solution was dropped while rotating at 2000 rpm.
A spin coating film of the above carboxylic acid was produced. A transparent thin film with a thickness of 1 μm was obtained. An accelerating voltage is applied to the thin film using an electron beam drawing device.
After scanning with an electron beam at 20 kV, the film was developed with methyl ethyl ketone for 1 minute to obtain a negative patterned polymer thin film.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はCd2+イオン濃度2mM,PH6、温度19
℃の水面上で測定した18−(4−エチニルフエニ
ル)−17−オクタデシノイツクアシド単分子膜の
表面圧−面積曲線である。第2図はCd2+イオン
濃度2mM、PH6、温度19℃の水面上で測定した
12−(4−エチニルフエニル)−11−ドデシノイツ
クアシド単分子膜の表面圧−面積曲線である。
Figure 1 shows Cd 2+ ion concentration 2mM, pH 6, temperature 19
FIG. 2 is a surface pressure-area curve of a monomolecular film of 18-(4-ethynyl phenyl)-17-octadecinoic acid measured on a water surface at .degree. C.; FIG. Figure 2 shows measurements taken on the surface of water at a Cd 2+ ion concentration of 2mM, pH 6, and temperature of 19℃.
1 is a surface pressure-area curve of a 12-(4-ethynyl phenyl)-11-dodecinoic acid monolayer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一般式(*) 〔式中のRが水素又は−SiX1X2X3で、X1
X2,X3はそれぞれ独立に水素又は炭素数が1〜
7のアルキル基(ただし、X1,X2,X3がすべて
水素の場合は除く)で、かつnは9以上21以下の
整数である〕 で表されるジエチニルベンゼン誘導体を、エネル
ギー照射により重合させて得ることを特徴とする
重合体薄膜の製造方法。 2 一般式(*) 〔式中のRが水素又は−SiX1X2X3で、X1,X2
X3はそれぞれ独立に水素又は炭素数が1〜7の
アルキル基(ただし、X1,X2,X3がすべて水素
の場合は除く)で、かつnは9以上21以下の整数
である〕 で表されるジエチニルベンゼン誘導体を、ラング
ミユアーブロジエツト法により基板上に累積さ
せ、エネルギー照射により重合させて得ることを
特徴とする重合体薄膜の製造方法。
[Claims] 1 General formula (*) [R in the formula is hydrogen or -SiX 1 X 2 X 3 , X 1 ,
X 2 and X 3 are each independently hydrogen or have a carbon number of 1 to
7 alkyl group (excluding cases where X 1 , X 2 , and A method for producing a thin polymer film, characterized in that it is obtained by polymerization. 2 General formula (*) [R in the formula is hydrogen or -SiX 1 X 2 X 3 , X 1 , X 2 ,
Each of X 3 is independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms (excluding cases where X 1 , X 2 , and X 3 are all hydrogen), and n is an integer of 9 to 21.] 1. A method for producing a thin polymer film, which is obtained by accumulating a diethynylbenzene derivative represented by the formula above on a substrate by Langmuir-Blodget method and polymerizing it by irradiating energy.
JP1133987A 1987-01-22 1987-01-22 Production of polymer thin film Granted JPS63179909A (en)

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