JPH04127714A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH04127714A
JPH04127714A JP2249302A JP24930290A JPH04127714A JP H04127714 A JPH04127714 A JP H04127714A JP 2249302 A JP2249302 A JP 2249302A JP 24930290 A JP24930290 A JP 24930290A JP H04127714 A JPH04127714 A JP H04127714A
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JP
Japan
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circuit
output
output transistor
transistor
semiconductor integrated
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Application number
JP2249302A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Hiraiwa
平岩 正幸
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent an output transistor from being destroyed due to flow of an over current into the output transistor by making the output transistor to OFF state even when an external output terminal is erroneously short- circuited. CONSTITUTION:When an external output terminal OUT is erroneously short- circuited to a -2.0V, the over current apt to flow to a resistor R6. In such case, however, a voltage V is made lower than a reference voltage Vs by the current flowing to the resistor R6, and the output of a buffer gate 24 is turned to a high level. This high level is held in a flip-flop 26, a transistor T6 is turned to an ON state, the base potential of an output transistor T4 is lowered, and the output transistor T4 is turned to the OFF state. Thus, the output transistor is prevented from being destroyed by the short-circuit accident of the external output terminal OUT.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【概要】【overview】

オープンエミッタ型又はオープンソース型等の出力トラ
ンジスタを出力バッファ回路に備えた半導体集積回路に
関し、 外部出力端子の短絡による半導体集積回路の不良化を防
止することを目的とし、 制御端子に加えられる電圧に応じた電流が一端と他端と
の間に流れ、該一端が外部出力端子に接続された出力ト
ランジスタと、該出力トランジスタの該他端と電源供給
線との間に接続された過大電流検出用抵抗と、該出力ト
ランジスタの該他端の電圧Vと基準電圧VsとをL比較
する比較回路と、該比較回路で電圧V<Vsが検出され
たことを記憶する記憶回路と、該記憶回路が該検出を記
憶している間のみ、該出力トランジスタのベース電位を
低くして該出力トランジスタをオフ状態にする制御回路
とを備えて構成する。
Regarding semiconductor integrated circuits equipped with open emitter type or open source type output transistors in their output buffer circuits, the voltage applied to the control terminals is An output transistor in which a corresponding current flows between one end and the other end, one end of which is connected to an external output terminal, and an overcurrent detection circuit that is connected between the other end of the output transistor and a power supply line. a resistor, a comparison circuit that compares the voltage V at the other end of the output transistor with a reference voltage Vs, a memory circuit that stores that the comparison circuit detects a voltage V<Vs; The control circuit lowers the base potential of the output transistor to turn off the output transistor only while the detection is stored.

【産業上の利用分野】[Industrial application field]

本発明は、オーブンエミッタ型又はオーブンソース型等
の出力トランジスタを出力バッファ回路に備えた半導体
集積回路に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit in which an output buffer circuit includes an output transistor of an oven emitter type or an oven source type.

【従来の技術】[Conventional technology]

E CL (Emitter [:oupled Lo
gic)及び5CFL (Source Couple
d FET Logic)は、高速の論理ゲートとして
用いられている。第3図は、ECLの出力バッファ回路
12を備えた半導体集積回路lOの要部を示す。 この出力バッファ回路12は、差動増幅回路の出力トラ
ンジスタをオーブンエミッタにしたものであり、一対の
NPN型トランジスタT1、T2のコレクタをそれぞれ
抵抗R1、R2を介して電源供給線VCCに接続し、ト
ランジスタT1、T2のエミッタを共通にして、NPN
型トランジスタT3、抵抗R3及びR4で構成した電流
源16を介し電源供給線v、、に接続している。例えば
、電源供給線■。0はOVであり、電源供給線V ee
はE、2Vである。トランジスタTl5T2のコレクタ
はまた、それぞれNPN型出力トランジスタ1′4、T
5のベースに接続され、出力トランジスタT4、T5の
コレクタは、共通に電源供給線V。、に接続されでいる
。出力トランジスタT4、T5のエミッタは、それぞれ
半導体集積回路10の外部出力端子OUT、0UTXに
接続されている。 トランジスタTI、T2のベースにはそれぞれ参照電圧
V9、入力端子■1が加えられ、両者の差が増幅されて
外部出力端子OUT、0UTXに取り出される。 外部出力端子○UTには、次段の回路とのインピーダン
スマツチングのため、抵抗R5が接続される。例えば、
抵抗R5は50オームであり、抵抗R5の一端には−2
,OVの電圧が加えられ、この場合、抵抗R5には最大
40mA程度の電流が流れる。出力バッファ回路12及
び抵抗R5はいずれも電流消費が比較的大きいので、半
導体集積回路10の電流消費を低減するために、抵抗R
5は外付けされる。また、出力バッファ回路12の出力
振幅を大きくするために、抵抗R5は次段の回路の近く
に配置される。 このような回路では、誤って抵抗R5の部分が短絡され
ると、出力トランジスタT4に過大電流が流れて出力ト
ランジスタT4が破壊され、半導体集積回路10が不良
になるという事故が発生している。。 外部出力端子0UTXについても上記同様である。 第4図は5CFLの出力バッファ回路121を備えた半
導体集積回路101の要部を示す。この出力バッファ回
路121の抵抗R1i、トランジスタTl i  (i
=1〜5)は第3図の抵抗Ri、トランジスタTiに対
応している。なお、抵抗R11、R12はダイオードD
を介して共通に電源供給線V。Cに接続されている。ま
た、トランジスタT11、T12、T14及び15はエ
ンハンスメント型GaΔ5FETであり、トランジスタ
T13はデプレッション型GaAsFETである。 この半導体集積回路101の場合、出力トランジスタT
14のソースが外部出力端子OUT 1に接続され、上
記と同一の理由により、外部出力端子OUT 1に抵抗
R15が外付けされ、かつ、抵抗R15が次段の回路付
近に配置されており、上記同様の問題が生ずる。
E CL (Emitter [:upled Lo
gic) and 5CFL (Source Couple
d FET Logic) is used as a high-speed logic gate. FIG. 3 shows a main part of a semiconductor integrated circuit 10 equipped with an ECL output buffer circuit 12. This output buffer circuit 12 has an oven emitter as an output transistor of a differential amplifier circuit, and connects the collectors of a pair of NPN transistors T1 and T2 to a power supply line VCC via resistors R1 and R2, respectively. By making the emitters of transistors T1 and T2 common, NPN
It is connected to power supply lines v, , through a current source 16 composed of a type transistor T3 and resistors R3 and R4. For example, the power supply line■. 0 is OV, power supply line V ee
is E, 2V. The collectors of transistors Tl5T2 are also connected to NPN output transistors 1'4 and T2, respectively.
The collectors of the output transistors T4 and T5 are connected to the power supply line V in common. , is connected to. The emitters of the output transistors T4 and T5 are connected to external output terminals OUT and 0UTX of the semiconductor integrated circuit 10, respectively. A reference voltage V9 and an input terminal 1 are applied to the bases of the transistors TI and T2, respectively, and the difference between them is amplified and taken out to external output terminals OUT and 0UTX. A resistor R5 is connected to the external output terminal UT for impedance matching with the next stage circuit. for example,
Resistor R5 is 50 ohms and -2 at one end of resistor R5.
, OV are applied, and in this case, a maximum current of about 40 mA flows through the resistor R5. Since both the output buffer circuit 12 and the resistor R5 have relatively large current consumption, in order to reduce the current consumption of the semiconductor integrated circuit 10, the resistor R5 is
5 is externally attached. Furthermore, in order to increase the output amplitude of the output buffer circuit 12, the resistor R5 is placed near the next stage circuit. In such a circuit, if the resistor R5 is accidentally short-circuited, an excessive current flows through the output transistor T4, destroying the output transistor T4 and causing the semiconductor integrated circuit 10 to become defective. . The same applies to the external output terminal 0UTX. FIG. 4 shows a main part of a semiconductor integrated circuit 101 equipped with a 5CFL output buffer circuit 121. This output buffer circuit 121 includes a resistor R1i and a transistor Tl i (i
=1 to 5) correspond to the resistor Ri and transistor Ti in FIG. Note that resistors R11 and R12 are diodes D
A common power supply line V. Connected to C. Further, the transistors T11, T12, T14, and 15 are enhancement type GaΔ5FETs, and the transistor T13 is a depletion type GaAsFET. In the case of this semiconductor integrated circuit 101, the output transistor T
14 is connected to the external output terminal OUT 1, and for the same reason as above, a resistor R15 is externally connected to the external output terminal OUT 1, and the resistor R15 is placed near the next stage circuit. A similar problem arises.

【発明が解決しようとする課題】[Problem to be solved by the invention]

本発明の目的は、このような問題点に鑑み、外部出力端
子の短絡による不良化を防止することができる半導体集
積回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of these problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit that can prevent defects due to short circuits of external output terminals.

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

第1図は本発明に係る半導体集積回路lの原理構成を示
す。この半導体集積回路1は次のような構成要素3〜6
を備えた出力バッファ回路2を有している。 図中、3は出力トランジスタ、例えばNPN型トランジ
スタ又はデプレッション型GaAsFETであり、制a
IJ端子に加えられる電圧に応じた電流が一端と他端と
の間に流れ、該一端が外部出力端子OUTに接続されて
いる。 4は過大電流検出用抵抗であり、出力トランジスタ3の
該他端と電源供給線vcCとの間に接続されている。 5は比較回路であり、出力トランジスタ3の該他端の電
圧Vと基準電圧■、とを比較する。 6は記憶回路であり、比較回路5でV<VSが検出され
たことを記憶する。 7は制御回路であり、記憶回路6が該検出を記憶してい
る開のみ、出力トランジスタ3のベース電位を低くして
出力トランジスタ3をオフ状態にする。
FIG. 1 shows the principle configuration of a semiconductor integrated circuit l according to the present invention. This semiconductor integrated circuit 1 includes the following components 3 to 6.
The output buffer circuit 2 has an output buffer circuit 2 equipped with the following. In the figure, 3 is an output transistor, for example an NPN transistor or a depletion type GaAsFET, and a
A current corresponding to the voltage applied to the IJ terminal flows between one end and the other end, and the one end is connected to the external output terminal OUT. Reference numeral 4 denotes an overcurrent detection resistor, which is connected between the other end of the output transistor 3 and the power supply line vcC. A comparison circuit 5 compares the voltage V at the other end of the output transistor 3 with a reference voltage (2). Reference numeral 6 denotes a storage circuit, which stores the fact that V<VS has been detected by the comparison circuit 5. Reference numeral 7 denotes a control circuit, which lowers the base potential of the output transistor 3 to turn off the output transistor 3 only when the memory circuit 6 stores the detection.

【作用】[Effect]

通常はV>Vsが成立し、出力トランジスタ3は、従来
同様に、制御端子に加えられる電圧に応じた電流が流れ
る。 誤って外部出力端子OUTを短絡した場合には、抵抗4
に過大電流が流れようとする。しかし、この際、抵抗4
に流れる電流により電圧Vが基準電圧Vsよりも低くな
り、制御回路7により出力トランジスタがオフ状態にな
る。 したがって、外部出力端子OUTの短絡による出力トラ
ンジスタ3の破壊が防止され、半導体集積回路の不良化
が防止される。
Normally, V>Vs holds true, and a current flows through the output transistor 3 in accordance with the voltage applied to the control terminal, as in the conventional case. If you accidentally short-circuit the external output terminal OUT, connect resistor 4.
An excessive current is about to flow. However, in this case, resistance 4
The current flowing in causes the voltage V to be lower than the reference voltage Vs, and the control circuit 7 turns off the output transistor. Therefore, destruction of the output transistor 3 due to a short circuit of the external output terminal OUT is prevented, and the semiconductor integrated circuit is prevented from becoming defective.

【実施例】【Example】

以下、第2図に基づいて本発明に係る半導体集積回路の
一実施例を説明する。第3図と同一構成要素には同一符
号を付してその説明を省略する。 この半導体集積回路10Aは、出力バッファ回路12A
の出力トランジスタT4、T5にそれぞれ過電流保護回
路18.20を付加している点で第3図の回路と異なっ
ている。過電流保護回路18と20とは同一構成であり
、過電流保護回路20の構成を図示省略している。 出力トランジスタT4のコレクタ・エミッタ間に流れる
電流を検出するたtに、出力トランジスタT4のコレク
タと電源供給線Vccとの間に抵抗R6を接続している
。抵抗R6は、外部出力端子OUTの出力振幅が小さく
ならないようにするために、抵抗R5の1/10程度、
例えば5Ωにする。出力トランジスタT4のコレクタと
抵抗R6との接続点の電圧Vは、差動アンプ22の反転
入力端子に供給され、差動アンプ22の非反転入力端子
に供給される基準電圧Vsと比較される。差動アンプ2
2の出力端子は、バッファゲート24を介してフリップ
70ツブ26の入力端子に接続されている。フリップフ
ロップ26の出力端子は、抵抗R8を介してトランジス
タT6のベースニ接続されている。トランジスタT6の
コレクタは抵抗R9を介して出力トランジスタT4のベ
ースに接続され、トランジスタT6のエミッタは電源供
給線V0.に接続されている。他の点は第3図と同一で
ある。 次に、上記の如く構成された本実施例の動作を説明する
。 通常は、入力端子Vsのレベル変化に関わらず、V>V
5が成立している。このため、バッファゲート24及び
フリップ70ツブ26の出力は低レベルとなり、トラン
ジスタT6がオフ状態になっている。したがって、出力
バッファ回路12Aの動作は、第3図の出力バッファ回
路12の動作と同一になる。 誤って外部出力端子0LITを−2,OVに短絡した場
合には、抵抗R6に過大電流が流れようとする。しかし
、この際、抵抗R6に流れる電流により電圧Vが基準電
圧■、よりも低くなり、バッファゲート24の出力が高
レベルになる。この高レベルがフリップフロップ26に
保持され、トランジスタT6がオン状態になって、出力
トランジスタT4のベース電位が下がり、出力トランジ
スタT4がオフ状態になる。 したがって、外部出力端子OUTの短絡事故による出力
トランジスタT4の破壊が防止される。 出力トランジスタT5、過電流保護回路20及び外部出
力端子0UTXについても上記同様である。 なお、過電流保護回路18.20を設けることにより出
力バッファ回路12Aが複雑になるが、半導体集積回路
10A全体に対する出力バッファ回路12Aのチップ面
積占有率は小さいので、半導体集積回路の複雑化は無視
できる。 また、上記実施例では、過電流保護回路I8及び20を
ECL回路に適用した場合を説明したが第4図に示すよ
うな5CFL回路にも同様に適用できることは勿論であ
る。
An embodiment of the semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described below with reference to FIG. Components that are the same as those in FIG. 3 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted. This semiconductor integrated circuit 10A has an output buffer circuit 12A.
This circuit differs from the circuit shown in FIG. 3 in that overcurrent protection circuits 18 and 20 are added to output transistors T4 and T5, respectively. The overcurrent protection circuits 18 and 20 have the same configuration, and the configuration of the overcurrent protection circuit 20 is not shown. In order to detect the current flowing between the collector and emitter of the output transistor T4, a resistor R6 is connected between the collector of the output transistor T4 and the power supply line Vcc. The resistor R6 is approximately 1/10 of the resistor R5 in order to prevent the output amplitude of the external output terminal OUT from becoming small.
For example, set it to 5Ω. The voltage V at the connection point between the collector of the output transistor T4 and the resistor R6 is supplied to the inverting input terminal of the differential amplifier 22, and is compared with the reference voltage Vs supplied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier 22. Differential amplifier 2
The output terminal of 2 is connected to the input terminal of the flip 70 tube 26 via a buffer gate 24. The output terminal of the flip-flop 26 is connected to the base of the transistor T6 via a resistor R8. The collector of transistor T6 is connected to the base of output transistor T4 via resistor R9, and the emitter of transistor T6 is connected to power supply line V0. It is connected to the. Other points are the same as in FIG. Next, the operation of this embodiment configured as described above will be explained. Normally, regardless of the level change of the input terminal Vs, V>V
5 is established. Therefore, the outputs of the buffer gate 24 and the flip 70 tube 26 are at a low level, and the transistor T6 is turned off. Therefore, the operation of the output buffer circuit 12A is the same as that of the output buffer circuit 12 in FIG. 3. If the external output terminal 0LIT is accidentally short-circuited to -2, OV, an excessive current will flow through the resistor R6. However, at this time, the voltage V becomes lower than the reference voltage (2) due to the current flowing through the resistor R6, and the output of the buffer gate 24 becomes high level. This high level is held in the flip-flop 26, turning on the transistor T6, lowering the base potential of the output transistor T4, and turning the output transistor T4 off. Therefore, destruction of the output transistor T4 due to a short-circuit accident at the external output terminal OUT is prevented. The same applies to the output transistor T5, the overcurrent protection circuit 20, and the external output terminal 0UTX. Note that the provision of the overcurrent protection circuits 18 and 20 complicates the output buffer circuit 12A, but since the chip area occupation rate of the output buffer circuit 12A with respect to the entire semiconductor integrated circuit 10A is small, the complication of the semiconductor integrated circuit can be ignored. can. Further, in the above embodiment, the overcurrent protection circuits I8 and 20 are applied to an ECL circuit, but it goes without saying that they can be similarly applied to a 5CFL circuit as shown in FIG.

【発明の効果】【Effect of the invention】

以上説明した如く、本発明に係る半導体集積回路では、
誤って外部出力端子を短絡しても、出力トランジスタが
オフ状態になるので、過大電流が出力トランジスタに流
れて出力トランジスタが破壊されるのを防止でき、した
がって、外部出力端子の短絡による半導体集積回路の不
良化を防止することができるという効果を奏し、半導体
集積回路の信頼性向上に寄与するところが大きい。
As explained above, in the semiconductor integrated circuit according to the present invention,
Even if the external output terminal is accidentally short-circuited, the output transistor is turned off, which prevents excessive current from flowing to the output transistor and destroying the output transistor. It has the effect of being able to prevent defects in semiconductor integrated circuits, and greatly contributes to improving the reliability of semiconductor integrated circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る半導体集積回路の原理構成を示す
ブロック図、 第2図は本発明の一実施例に係り、E CL出力バッフ
ァ回路を備えた半導体集積回路の要部回路図である。 第3図及び第4図は従来例に係り、 第3図はECL出力バッファ回路を備えた半導体集積回
路の要部回路図、 第4図は5CFL出力バッファ回路を備えた半導体集積
回路の要部回路図である。 図中、 l01IOA、IOBは半導体集積回路12.12A、
121は出力バッファ回路16は電流源 18.20は過電流保護回路 22は差動アンプ 24はバッファゲート 26はフリップフロップ OUT、○UTISOUTX、0UTIXは外1 半導
体集積回路 2:出力バッファ回路 第 図 UTX 第3図
FIG. 1 is a block diagram showing the principle configuration of a semiconductor integrated circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a main part circuit diagram of a semiconductor integrated circuit equipped with an ECL output buffer circuit according to an embodiment of the present invention. . 3 and 4 relate to conventional examples. FIG. 3 is a circuit diagram of a main part of a semiconductor integrated circuit equipped with an ECL output buffer circuit. FIG. 4 is a main part of a semiconductor integrated circuit equipped with a 5CFL output buffer circuit. It is a circuit diagram. In the figure, l01IOA and IOB are semiconductor integrated circuits 12.12A,
121 is the output buffer circuit 16 is the current source 18. 20 is the overcurrent protection circuit 22 is the differential amplifier 24 is the buffer gate 26 is the flip-flop OUT, ○UTISOOUTX, 0UTIX is the outside 1 Semiconductor integrated circuit 2: Output buffer circuit diagram UTX Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 制御端子に加えられる電圧に応じた電流が一端と他端と
の間に流れ、該一端が外部出力端子(OUT)に接続さ
れた出力トランジスタ(3)と、該出力トランジスタの
該他端と電源供給線との間に接続された過大電流検出用
抵抗(4)と、該出力トランジスタの該他端の電圧Vと
基準電圧V_sとを比較する比較回路(5)と、該比較
回路でV<V_sが検出されたことを記憶する記憶回路
(6)と、 該記憶回路が該検出を記憶している間のみ、該出力トラ
ンジスタのベース電位を低くして該出力トランジスタを
オフ状態にする制御回路(7)とを備えた出力バッファ
回路(2)を有することを特徴とする半導体集積回路。
[Claims] An output transistor (3) in which a current according to a voltage applied to a control terminal flows between one end and the other end, and one end of which is connected to an external output terminal (OUT), and the output transistor an overcurrent detection resistor (4) connected between the other end of the output transistor and the power supply line, and a comparison circuit (5) that compares the voltage V at the other end of the output transistor with a reference voltage V_s; a memory circuit (6) that stores that V<V_s has been detected in the comparison circuit; and a memory circuit (6) that lowers the base potential of the output transistor to reduce the output transistor only while the memory circuit stores the detection. 1. A semiconductor integrated circuit comprising: an output buffer circuit (2) having a control circuit (7) for turning off.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005017728A1 (en) * 2003-08-14 2005-02-24 Infineon Technologies Ag Modifying clock signals output by an integrated circuit

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