JPH04127701A - Microstrip line attenuator - Google Patents
Microstrip line attenuatorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波回路のストリップ線路に電波吸
収体を有するマイクロストリップ線路減衰器に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a microstrip line attenuator having a radio wave absorber in a strip line of a microwave circuit.
第４図は例えば特開平２−４７９０１号公報に示された
従来のマイクロストリップ線路減衰器を示す斜視図であ
り、図において、１は板状の電波吸収体、２は誘電体か
らなるマイクロストリップ基板、３はマイクロストリッ
プ基板２上のマイクロストリップ線路で、これには上記
電波吸収体１が接触され、かつ動かないように固定され
ている。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional microstrip line attenuator disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-47901. A substrate 3 is a microstrip line on a microstrip substrate 2, to which the radio wave absorber 1 is contacted and fixed so as not to move.
また、マイクロストリップ線路３の途中には、幅ΔＱの
スリット３１が設けられている。Furthermore, a slit 31 having a width ΔQ is provided in the middle of the microstrip line 3.
次に動作について説明する。マイクロストリップ基板２
およびマイクロストリップ線路３により構成される不平
衡マイクロストリップ線路上を伝送される信号は、電波
吸収体１およびマイクロストリップ線路３の途中に設け
られたスリット３１により減衰される。Next, the operation will be explained. Microstrip board 2
A signal transmitted on the unbalanced microstrip line constituted by the microstrip line 3 is attenuated by the radio wave absorber 1 and the slit 31 provided in the middle of the microstrip line 3.
ここで、第５図（ａ）にスリット３１により得られる減
衰量の周波数特性を示し、第５図（ｂ）に電波吸収体１
により得られる減衰量の周波数特性を示す。すなわち、
スリット３１では容量結合により伝送されるインピーダ
ンスは。Here, FIG. 5(a) shows the frequency characteristics of the attenuation obtained by the slit 31, and FIG. 5(b) shows the frequency characteristics of the attenuation obtained by the radio wave absorber 1.
The frequency characteristics of the attenuation amount obtained by is shown below. That is,
The impedance transmitted by capacitive coupling in the slit 31 is:
Ｚ＝Ｒ−ｊ （ω＝２πｆ、ｆは周波数）であ
るため１周波数の低い帯域程インピーダンスＺが大きく
なり減衰量が増加し、また、電波吸収体１では減衰特性
（電波吸収量）が波長に反比例するところから、結局マ
イクロストリップ線路減衰器全体の周波数特性は概第５
図（ａ）と第５図（ｂ）との和である第５図（Ｑ）のよ
うになる。Since Z=R−j (ω=2πf, f is frequency), the lower the frequency band, the larger the impedance Z and the higher the amount of attenuation.In addition, in the radio wave absorber 1, the attenuation characteristic (amount of radio wave absorption) depends on the wavelength. As a result, the frequency characteristics of the entire microstrip line attenuator are approximately 5th.
The result is shown in FIG. 5(Q), which is the sum of FIG. 5(a) and FIG. 5(b).
従来のマイクロストリップ線路減衰器は以上のように構
成されているので、これを非常に高温の雰囲気中に保存
した場合には、マイクロストリップ基板２．マイクロス
トリップ線路３および電波吸収体１の熱膨張計数がそれ
ぞれ異なるため、第６図に示すように、電波吸収体１が
上記スリット３１の対応部位付近で折れ、上記のような
正規の減衰特性が損なわれるなどの課題があった。Since the conventional microstrip line attenuator is constructed as described above, if it is stored in a very high temperature atmosphere, the microstrip substrate 2. Since the microstrip line 3 and the radio wave absorber 1 have different thermal expansion coefficients, the radio wave absorber 1 breaks near the corresponding portion of the slit 31, as shown in FIG. 6, and the normal attenuation characteristics as described above are lost. There were issues such as damage.
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、高温保存した状態でも、電波吸収体が折れるこ
とがなく、しかも温度変化による減衰特性の変化をなく
することができるマイクロストリップ線路減衰器を得る
ことを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it provides a microstrip line in which the radio wave absorber does not break even when stored at high temperatures, and the attenuation characteristics do not change due to temperature changes. The purpose is to obtain an attenuator.
この発明に係るマイクロストリップ線路減衰器は、誘電
体により形成されたマイクロストリップ基板と、該マイ
クロストリップ基板上に＃Ｉ！Ｓ配置されて信号を伝送
するマイクロストリップ線路と、該マイクロストリップ
線路に接触するように、上記マイクロストリップ基板上
に設けられて、上記マイクロストリップ線路に伝送され
る信号を減衰する電波吸収体とを備え、上記マイクロス
トリップ線路にはこれよりも細い線路幅のマイクロスト
リップ線路を分岐連設し、上記電波吸収体を該分岐され
たマイクロストリップ線路上に接触するように配置した
ものである。The microstrip line attenuator according to the present invention includes a microstrip substrate formed of a dielectric material, and #I! A microstrip line that is arranged in an S configuration to transmit a signal, and a radio wave absorber that is provided on the microstrip substrate so as to be in contact with the microstrip line and that attenuates the signal transmitted to the microstrip line. The microstrip line is provided with a branched microstrip line having a line width narrower than the microstrip line, and the radio wave absorber is arranged so as to be in contact with the branched microstrip line.
この発明におけるマイクロストリップ線路は、これを主
線路として、別に副線としての細いマイクロストリップ
線路を分岐連設しており、この分岐されたマイクロスト
リップ線路に伝送信号の一部を伝送することにより、そ
の一部をこのマイクロストリップ線路上の電波吸収体に
て吸収減衰させるように機能する。The microstrip line in this invention has this main line as a main line, and thin microstrip lines as sub lines are branched and connected, and by transmitting a part of the transmission signal to this branched microstrip line, A part of the wave is absorbed and attenuated by the radio wave absorber on the microstrip line.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図において、１は板状の電波吸収体、２はマイクロ
ストリップ基板、３，４．５はマイクロストリップ基板
２上のマイクロストリップ線路であり、これらは連続一
体に設けられている。ここで、マイクロストリップ線路
３はａ部よりマイクロストリップ線路４とマイクロスト
リップ線路５に分岐した形態をなし、マイクロストリッ
プ線路４はｂ部で開放（オーブン）状態となっている。In FIG. 1, 1 is a plate-shaped radio wave absorber, 2 is a microstrip substrate, and 3, 4.5 are microstrip lines on the microstrip substrate 2, and these are provided continuously and integrally. Here, the microstrip line 3 is branched into a microstrip line 4 and a microstrip line 5 from a section a, and the microstrip line 4 is in an open (oven) state at a section b.
また、マイクロストリップ線路４はマイクロストリップ
線路５に比べ十分細い線路幅とされており、マイクロス
トリップ線路３，５は同一の線路幅となっている。なお
、電波吸収体１はマイクロストリップ線路４上に接触し
て、固定されている。また、上記電波吸収体１は伝送さ
れる信号の周波数および減衰させようとする電力量に応
じて、マイクロストリップ線路５の長さなどとともに、
その種類をａ部からｂ部に伝送される信号の電力を全て
吸収できるように決定しておく。Further, the microstrip line 4 has a sufficiently narrower line width than the microstrip line 5, and the microstrip lines 3 and 5 have the same line width. Note that the radio wave absorber 1 is fixed in contact with the microstrip line 4. In addition, the radio wave absorber 1 has a length depending on the frequency of the transmitted signal and the amount of power to be attenuated, as well as the length of the microstrip line 5.
Its type is determined in advance so that it can absorb all the power of the signal transmitted from part a to part b.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
まず、マイクロストリップ基板２およびマイクロストリ
ップ線路３により構成される不平衡マイクロストリップ
線路に伝送される信号は、ａ部よりマイクロストリップ
線路４およびマイクロストリップ線路５に分配される。First, a signal transmitted to the unbalanced microstrip line constituted by the microstrip substrate 2 and the microstrip line 3 is distributed to the microstrip line 4 and the microstrip line 5 from part a.
マイクロストリップ線路４側に分配された信号は、電波
吸収体１により吸収されつつ伝送され、ｂ部に達するま
でに電力が全て吸収される６また。マイクロストリップ
線路３，４．５上にスリットを設けていないので、高温
にした場合でも電波吸収体１が折れることが無く、減衰
特性は変化しない。一方、マイクロストリップ線路５に
は、マイクロストリップ線路３に伝送される電力のうち
、マイクロストリップ線路４側に分配されて残った分の
電力が伝送される。The signal distributed to the microstrip line 4 side is transmitted while being absorbed by the radio wave absorber 1, and all the power is absorbed by the time it reaches part b. Since no slits are provided on the microstrip lines 3, 4.5, the radio wave absorber 1 will not break even if the temperature is raised, and the attenuation characteristics will not change. On the other hand, out of the power transmitted to the microstrip line 3, the remaining power that is distributed to the microstrip line 4 side is transmitted to the microstrip line 5.
なお、マイクロストリップ線路４はマイクロストリップ
線路３，５に比べ十分細いので、特性インピーダンスが
高く、これに伝送される電力が少なくなって、マイクロ
ストリップ線路３，５間の伝送特性に殆ど影響しない。Note that since the microstrip line 4 is sufficiently thinner than the microstrip lines 3 and 5, its characteristic impedance is high and the power transmitted thereto is small, so that the transmission characteristics between the microstrip lines 3 and 5 are hardly affected.
第２図はマイクロストリップ線路減衰器を１７４波長イ
ンピーダンス変換線路を用いて構成した実施例を示し、
ここではマイクロストリップ線路４にこれより線路幅の
大きいマイクロストリップ線路６を一体に連設し、また
、マイクロストリップ線路５にはこれよりも線路幅が段
階的に大きくなる２つのマイクロストリップ線路７，８
を一体に連設したものからなる。いま、各マイクロスト
リップ線路３〜８の線路インピーダンスをそれぞれＺ３
〜Ｚ、とじ、マイクロストリップ線路３に入力される電
力をＰｌとし、マイクロストリップ線路６，８にそれぞ
れ出力される電力をＰ２．Ｐ、とすると、
ＰＪ／Ｐ２＝に２（Ｋ ：電圧分配比）Ｚ４” ｚ、
（Ｋ”’ （１＋に２） ｌ／４ ）ｚ、＝ｚ□〔（１
＋に２）１／４／ Ｋｓ／４〕Ｚ６＝Ｚ３ＪＫ
Ｚ７＝Ｚ、／Ｊ７
２、＝２゜
の関係を選択して、マイクロストリップ線路４゜５．６
．７の長さしを使用周波数の１７４波長（電気長）にす
れば、マイクロストリップ線路３より入力された信号を
このマイクロストリップ線路３側に反射させることのな
い（整合のとれた）、任意の減衰量を有するマイクロス
トリップ線路減衰器とすることができる。Figure 2 shows an example in which a microstrip line attenuator is constructed using a 174-wavelength impedance conversion line.
Here, the microstrip line 4 is integrally connected with a microstrip line 6 whose line width is larger than the microstrip line 4, and the microstrip line 5 is also provided with two microstrip lines 7 whose line widths are gradually larger than that of the microstrip line 4. 8
Consists of a series of integral parts. Now, the line impedance of each microstrip line 3 to 8 is Z3.
~Z, binding, the power input to the microstrip line 3 is Pl, and the power output to the microstrip lines 6 and 8, respectively, is P2. P, then PJ/P2 = 2 (K: voltage distribution ratio) Z4''z,
(K"' (1+2) l/4)z,=z□[(1
+2) 1/4/ Ks/4] Z6 = Z3JK Z7 = Z, /J7 Select the relationship 2, = 2° and connect the microstrip line 4° 5.6
．． If the length of 7 is set to 174 wavelengths (electrical length) of the frequency used, the signal input from the microstrip line 3 will not be reflected to the side of this microstrip line 3 (matched). It can be a microstrip line attenuator having an attenuation amount.
すなわち、マイクロストリップ線路３に入力された信号
電力Ｐ、は８部でＰ、／Ｐ、：１の比率でマイクロスト
リップ線路４とマイクロストリップ線路５に分配される
。マイクロストリップ線路４側に分配された信号は、電
波吸収体１に電力を吸収されつつ伝送され、マイクロス
トリップ線路６のｂ点に達するまでに、上記電力は全て
吸収される。なお、この場合にも、伝送される信号の周
波数電力量に応じ伝送される電力を全て吸収するように
、電波吸収体１の種類およびマイクロストリップ線路６
の長さが決定されている。That is, the signal power P, input to the microstrip line 3 is distributed in eight parts to the microstrip line 4 and the microstrip line 5 at a ratio of P, /P,:1. The signal distributed to the microstrip line 4 side is transmitted while having its power absorbed by the radio wave absorber 1, and by the time it reaches point b of the microstrip line 6, all of the above power has been absorbed. In this case as well, the type of radio wave absorber 1 and the microstrip line 6 are adjusted so as to absorb all the transmitted power according to the frequency power amount of the transmitted signal.
The length of has been determined.
一方、マイクロストリップ線路５側に分配された信号は
、マイクロストリップ線路７，８に伝送される。すなわ
ち、マイクロストリップ線路３に入力された電力から、
マイクロストリップ線路４゜６側で減衰されて残った分
の信号が伝送される。On the other hand, the signals distributed to the microstrip line 5 side are transmitted to the microstrip lines 7 and 8. That is, from the power input to the microstrip line 3,
The signal remaining after being attenuated on the 4°6 side of the microstrip line is transmitted.
なお、以上は、１／４波長インピーダンス変換線路を用
いた場合について説明したが、これ以外の、例えばテー
パ状インピーダンス変換によって連続的に線路幅を変化
させるようにしても、上記実施例と同様の効果を奏する
。In addition, although the case where a 1/4 wavelength impedance conversion line is used has been described above, even if the line width is continuously changed by using other than this, for example, by tapered impedance conversion, the same result as in the above embodiment can be obtained. be effective.
また、第３図は上記のような板状の電波吸収体１に代え
てマイクロストリップ線路４の端にこれの特性インピー
ダンスと同じ値を持つ電波吸収体としてのチップ抵抗９
を接続し、このチップ抵抗９のマイクロストリップ線路
４と接続されていない側の端子を、マイクロストリップ
基板２の地導体（基板裏側）に接続して短絡させたもの
を示す。In addition, in place of the plate-shaped radio wave absorber 1 as described above, FIG.
The terminal of the chip resistor 9 on the side not connected to the microstrip line 4 is connected to the ground conductor (back side of the substrate) of the microstrip substrate 2 to short-circuit it.
このような構成によれば、チップ抵抗９は終端抵抗とし
て作用し、マイクロストリップ線路４に入力された電力
をチップ抵抗９に吸収させることができる。According to such a configuration, the chip resistor 9 acts as a terminating resistor, and the chip resistor 9 can absorb the power input to the microstrip line 4.
以上のように、この発明によればマイクロストリップ線
路に対しこれよりも細いマイクロストリップ線路を分岐
連設し、この分岐されたマイクロストリップ上に、電波
吸収体を接続配置するように構成したので、高温保存の
場合にも電波吸収体が破損することがなくなり、温度変
化による減衰特性の変動を少なくすることができる効果
がある。As described above, according to the present invention, a microstrip line thinner than the microstrip line is branched and connected to the microstrip line, and a radio wave absorber is connected and arranged on the branched microstrip. Even when stored at high temperatures, the radio wave absorber is not damaged and has the effect of reducing fluctuations in attenuation characteristics due to temperature changes.
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロストリップ
線路減衰器を示す斜視図、第２図および第３図はこの発
明の他の実施例を示すマイクロストリップ線路減衰器を
示す正面図、第４図は従来のマイクロストリップ線路減
衰器を示す斜視図、第５図は第４図のマイクロストリッ
プ線路減衰器各部の減衰特性を示す特性図、第６図は従
来の電波吸収体の破損状態を示す断面図である。
１は電波吸収体、２はマイクロストリップ基板、３はマ
イクロストリップ線路、４は分岐されたマイクロストリ
ップ線路。
なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。FIG. 1 is a perspective view showing a microstrip line attenuator according to one embodiment of the invention, FIGS. 2 and 3 are front views showing a microstrip line attenuator according to another embodiment of the invention, and FIG. The figure is a perspective view showing a conventional microstrip line attenuator, Fig. 5 is a characteristic diagram showing the attenuation characteristics of each part of the microstrip line attenuator in Fig. 4, and Fig. 6 shows a damaged state of a conventional radio wave absorber. FIG. 1 is a radio wave absorber, 2 is a microstrip board, 3 is a microstrip line, and 4 is a branched microstrip line. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
マイクロストリップ基板上に絶縁配置されて信号を伝送
するマイクロストリップ線路と、該マイクロストリップ
線路に接触するように、上記マイクロストリップ基板上
に設けられて、上記マイクロストリップ線路に伝送され
る信号を減衰する電波吸収体とを備えたマイクロストリ
ップ線路減衰器において、上記マイクロストリップ線路
にはこれよりも細い線路幅のマイクロストリップ線路を
分岐連設し、上記電波吸収体を該分岐されたマイクロス
トリップ線路上に接触するように配置したことを特徴と
するマイクロストリップ線路減衰器。a microstrip substrate formed of a dielectric, a microstrip line insulated on the microstrip substrate for transmitting signals, and provided on the microstrip substrate so as to be in contact with the microstrip line, In the microstrip line attenuator comprising a radio wave absorber that attenuates the signal transmitted to the microstrip line, the microstrip line is branched and connected with a microstrip line having a narrower line width, and the radio wave A microstrip line attenuator characterized in that an absorber is placed on the branched microstrip line so as to be in contact with the branched microstrip line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249390A JPH04127701A (en) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | Microstrip line attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249390A JPH04127701A (en) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | Microstrip line attenuator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127701A true JPH04127701A (en) | 1992-04-28 |
Family
ID=17192287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2249390A Pending JPH04127701A (en) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | Microstrip line attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127701A (en) |
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-
1990
- 1990-09-19 JP JP2249390A patent/JPH04127701A/en active Pending
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