JPH04124083A - 半導体単結晶育成装置 - Google Patents
半導体単結晶育成装置Info
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- JPH04124083A JPH04124083A JP24121590A JP24121590A JPH04124083A JP H04124083 A JPH04124083 A JP H04124083A JP 24121590 A JP24121590 A JP 24121590A JP 24121590 A JP24121590 A JP 24121590A JP H04124083 A JPH04124083 A JP H04124083A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体単結晶の育成に用いて好適な結晶育成
装置に関わる。
装置に関わる。
［従来の技術］
半導体単結晶育成装置では単結晶の引上速度を高めると
共に引上単結晶を冷却すると、単結晶内に発生する欠陥
を防止するのに有効であることが知られており、引上単
結晶を冷却する技術が開示されている。しかし、例えば
特開昭６１−６８３８９号公報に示されているように単
に単結晶の周囲に冷却円筒を設置しただけでは、高速引
上は可能となっても、融液からの蒸発物例えばＳｉＯが
低温部で固化し、冷却筒に蒸発物が付着して堆積してゆ
き、やがては、融液表面に落下して、単結晶の育成を阻
害する。
共に引上単結晶を冷却すると、単結晶内に発生する欠陥
を防止するのに有効であることが知られており、引上単
結晶を冷却する技術が開示されている。しかし、例えば
特開昭６１−６８３８９号公報に示されているように単
に単結晶の周囲に冷却円筒を設置しただけでは、高速引
上は可能となっても、融液からの蒸発物例えばＳｉＯが
低温部で固化し、冷却筒に蒸発物が付着して堆積してゆ
き、やがては、融液表面に落下して、単結晶の育成を阻
害する。
この問題を解決するために、特開昭６３−５０３９１号
公報では冷却円筒の外側全体に断熱材を施し、冷却円筒
内側全体に輻射熱反射防止膜のコーティングを行う技術
を提案している。
公報では冷却円筒の外側全体に断熱材を施し、冷却円筒
内側全体に輻射熱反射防止膜のコーティングを行う技術
を提案している。
［発明が解決しようとする課題］
特開昭６３−５０３９１号公報の技術では、断熱材に例
えば繊維状グラファイトを用いるので、坩堝内に炭素が
混入しやすく、炉内の掃除、原料の装入等の取扱いに非
常に注意を要し、逆に炭素等の混入による結晶欠陥の発
生あるいは炉内の汚染や結晶の汚染のおそれが多分にあ
る。さらに水冷円筒内面全面にＳｉＣの塗膜を要する等
の経済的な問題がある。
えば繊維状グラファイトを用いるので、坩堝内に炭素が
混入しやすく、炉内の掃除、原料の装入等の取扱いに非
常に注意を要し、逆に炭素等の混入による結晶欠陥の発
生あるいは炉内の汚染や結晶の汚染のおそれが多分にあ
る。さらに水冷円筒内面全面にＳｉＣの塗膜を要する等
の経済的な問題がある。
本発明では、このような欠点がなく、簡易にかつ経済的
に冷却円筒への融液からの蒸発物の付着を防ぐことがで
きる装置を提供することを目的とするものである。
に冷却円筒への融液からの蒸発物の付着を防ぐことがで
きる装置を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は引上単結晶の周囲に冷却円筒を備えた半導体単
結晶引上装置において、冷却円筒の内外面に沿って不活
性ガスを導入する導入口を冷却円筒の上部に設けると共
に、この不活性ガスを予め加温する加温装置を設けたこ
とを特徴とする半導体単結晶育成装置である。
結晶引上装置において、冷却円筒の内外面に沿って不活
性ガスを導入する導入口を冷却円筒の上部に設けると共
に、この不活性ガスを予め加温する加温装置を設けたこ
とを特徴とする半導体単結晶育成装置である。
［作用］
本発明装置は、結晶に対する冷却手段として単結晶から
の輻射熱を抜熱する冷却円筒を炉内の９上単結晶の周囲
に垂下した装置において、冷却円筒の内外面に沿って加
温した不活性ガスを流すことにより、簡易に、また経済
的に、融液からの蒸発物が冷却円筒に付着しないように
することができる。したがって、結晶欠陥の少ない高品
位の結晶を高速で引上げることができる。引上単結晶と
冷却円筒間の輻射伝熱に対して不活性ガスは透過体であ
るから影響を与えない。
の輻射熱を抜熱する冷却円筒を炉内の９上単結晶の周囲
に垂下した装置において、冷却円筒の内外面に沿って加
温した不活性ガスを流すことにより、簡易に、また経済
的に、融液からの蒸発物が冷却円筒に付着しないように
することができる。したがって、結晶欠陥の少ない高品
位の結晶を高速で引上げることができる。引上単結晶と
冷却円筒間の輻射伝熱に対して不活性ガスは透過体であ
るから影響を与えない。
［実施例］
以下、実施例によって本発明の詳細な説明する。第１図
は本発明の実施例のシリコン単結晶引上装置の概要図で
ある。
は本発明の実施例のシリコン単結晶引上装置の概要図で
ある。
本実施例では、１６インチ（４０６ｍｍφ）のホットゾ
ーンに対し、１３インチ（３３０ｍｍφ）の水冷式冷却
円筒を融液表面上５０ｍｍまで垂下した。
ーンに対し、１３インチ（３３０ｍｍφ）の水冷式冷却
円筒を融液表面上５０ｍｍまで垂下した。
冷却円筒の内外面の最上部にそれぞれ円周方向８個所に
不活性ガスの導入口を設け、１．２０ Ｎ Ｉ２／ ｍ
ｉ ｎのＡｒガスを２００℃に加温して導入した。
不活性ガスの導入口を設け、１．２０ Ｎ Ｉ２／ ｍ
ｉ ｎのＡｒガスを２００℃に加温して導入した。
不活性ガスの導入口は、冷却筒との間に断熱材を施し１
表面側に輻射率の高い物質（例えば５ｉＣ）をコーティ
ングし、冷却円筒による不活性ガスの温度低下を防いだ
。
表面側に輻射率の高い物質（例えば５ｉＣ）をコーティ
ングし、冷却円筒による不活性ガスの温度低下を防いだ
。
この装置を用いて、６インチ（１５２ｍｍφ）の単結晶
を、原料チャージ４５ｋｇに対し、テール部まで、融液
のＳｉＯの落下等の問題なく成長させた。
を、原料チャージ４５ｋｇに対し、テール部まで、融液
のＳｉＯの落下等の問題なく成長させた。
この装置においては、第２図に示したよ”うに引上速度
も、冷却円筒を設けない場合に比べ、平均で２倍の引上
速度を得ることができ、ＳｉＯの落下もなく、また、引
き上げた単結晶中の欠陥もなかった。
も、冷却円筒を設けない場合に比べ、平均で２倍の引上
速度を得ることができ、ＳｉＯの落下もなく、また、引
き上げた単結晶中の欠陥もなかった。
本発明装置では、冷却円筒内外面に沿って加温した不活
性ガスを流し、真空ポンプでこれを吸弓する。この不活
性ガスは、冷却円筒表面にＳｉＯが凝結するのを防止し
てＳｉＯを系外に侍史るので、冷却円筒にＳｉＯが付着
することがない。したがって、結晶の後半部育成時にな
って冷却円筒表面に付着したＳｉＯが液面に落下して単
結晶を多結晶化することがない。本発明の装置は簡易な
手段ですぐれた効果を得ることができる。
性ガスを流し、真空ポンプでこれを吸弓する。この不活
性ガスは、冷却円筒表面にＳｉＯが凝結するのを防止し
てＳｉＯを系外に侍史るので、冷却円筒にＳｉＯが付着
することがない。したがって、結晶の後半部育成時にな
って冷却円筒表面に付着したＳｉＯが液面に落下して単
結晶を多結晶化することがない。本発明の装置は簡易な
手段ですぐれた効果を得ることができる。
第１図は本発明の実施例装置の模式的縦断面図、第２図
は本発明の効果を示すグラフである。 １・・・単結晶引上装置 ２・・・坩堝 ３・・・サセプタ ４・・・融液 ５・・・単結晶 ６・・・冷却円筒 ７・・・冷却水 １１・・・不活性ガス導入口 】２・・・加温装置 １３・・・不活性ガス流れ １４・・・ＳｉＯガス流れ １５・・・真空ポンプへの流れ １６・・・真空ポンプ
は本発明の効果を示すグラフである。 １・・・単結晶引上装置 ２・・・坩堝 ３・・・サセプタ ４・・・融液 ５・・・単結晶 ６・・・冷却円筒 ７・・・冷却水 １１・・・不活性ガス導入口 】２・・・加温装置 １３・・・不活性ガス流れ １４・・・ＳｉＯガス流れ １５・・・真空ポンプへの流れ １６・・・真空ポンプ
Claims (1)
- １ 引上単結晶の周囲に冷却円筒を備えた半導体単結晶
引上装置において、冷却円筒の内外面に沿って不活性ガ
スを導入する導入口を冷却円筒の上部に設けると共に該
不活性ガスを予め加温する加温装置を設けたことを特徴
とする半導体単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24121590A JPH04124083A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 半導体単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24121590A JPH04124083A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 半導体単結晶育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124083A true JPH04124083A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17070913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24121590A Pending JPH04124083A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 半導体単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04124083A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214109B1 (en) * | 1996-10-15 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for controlling the oxygen content in silicon wafers heavily doped with antimony or arsenic |
| KR100448923B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2004-09-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 단결정 제조장치와 단결정 제조방법 |
| CN105040094A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-11-11 | 中山兆龙光电科技有限公司 | 一种蓝宝石单晶炉用变温度气体充气系统及控制方法 |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP24121590A patent/JPH04124083A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214109B1 (en) * | 1996-10-15 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for controlling the oxygen content in silicon wafers heavily doped with antimony or arsenic |
| KR100448923B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2004-09-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 단결정 제조장치와 단결정 제조방법 |
| CN105040094A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-11-11 | 中山兆龙光电科技有限公司 | 一种蓝宝石单晶炉用变温度气体充气系统及控制方法 |
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