JPH04120265A

JPH04120265A - 窒化ホウ素被覆部材

Info

Publication number: JPH04120265A
Application number: JP30620490A
Authority: JP
Inventors: Tetsuyoshi Wada; 哲義和田; Nobuki Yamashita; 信樹山下; Shoji Morita; 章二森田; Makoto Ogawa; 真小川; Jinichi Shimoyama; 下山　仁一; Fukuji Yamada; 山田　福司; Toshiro Kobayashi; 敏郎小林; Satoshi Morimoto; 聡森本; Kenichi Yanagi; 謙一柳
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1990-05-16
Filing date: 1990-11-14
Publication date: 1992-04-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分針〉本発明は、立方晶窒化ホウ素被膜からなる若しくは立方
晶窒化ホウ素を含む硬質窒化ホウ素被膜を有する窒化ホ
ウ素被覆部材に関する。

〈従来の技術〉従来、例えば鉄鋼材料の歯切工具には、高速度鋼、ある
いは高速度鋼の表面に窒化チタンや炭・窒化チタン等の
硬質物質を被覆した工具部材が用いられている。特に、
硬質物質を被覆した工具部材は、未被覆の高速度鋼と比
べて耐摩耗性に優れており、広く利用されている。しか
し、近年、使用条件がより過酷になってきたため、窒化
チタン等を被覆した工具部材であっても耐摩耗性が十分
とはいえず、より優れた材料の開発が望まれている。

そこで、より優れた工具部材を得る方法としては、被覆
部材の高硬度化が挙げられる。

ここで、最も硬度の高い物質はダイヤモンドであるが、
ダイヤモンドは鉄系金属との反応性が高いので、鉄鋼材
料の加工には根本的に不向きである。この点、ダイヤモ
ンドに次ぐ硬度をもった立方晶窒化ホウ素（以下、ＣＢ
Ｎと記す）は鉄系金属との反応も少ないことから、鉄鋼
材料の加工に最も有効であると考えられる。

ところで、ＣＢＮは、従来は高温・高圧合成法でしか製
造できず、粒状のＣＢＮＬか合成できなかったため、そ
の利用範囲は焼結晶や砥粒等に限定されていた。そこで
、現在、利用範囲を拡大する目的でＣＢＮを被膜として
合成する方法が研究されており、イオンを利用するＰＶ
Ｄ　（物理的蒸着）法やプラズマＣＶＤ　（化学的蒸着
）法による合成が提案されている。

〈発明が解決しようとする課題〉前述したＰＶＤ法やＣＶＤ法により合成される窒化ホウ
素被膜は、何れも密着性が不良であるので、実用に耐え
うるものではない。

例えば、ドイツのバイスマンテル社の文献等で発表され
ている「イオン照射によって低温・低圧条件下で合成さ
れる窒化ホウ素被膜」も、ＣＢＮが零若しくは極僅かし
か含まれておらず、且つ密着力も低いため切削工具部材
等として使用に耐えうるものではない。

本発明はこのような事情に鑑み、密着性の高いＣＢＮ被
膜を有する窒化ホウ素被覆部材を提供することを目的と
する。

く課題を解決するための手段〉前記目的を達成する本発明に係る第一の窒化ホウ素被覆
部材は、基材上に設けられた被覆層の外層が窒化ホウ素
被膜であり該窒化ホウ素被膜と上記基材との間に一層以
上の中間層を施してある窒化ホウ素被覆部材において、
上記窒化ホウ素被膜の厚さが０．１〜１０ｕｍ。

上記中間層の厚さが０．０１〜１０μｍ１全被覆層の厚
さが０．５〜２０μｍであることを特徴とし、また、第二の窒化ホウ素被覆部材は基材上若しくは基材
上に形成された中間層上に窒化ホウ素被膜を有する窒化
ホウ素被覆部材において、上記基材若しくは上記中間層
と上記窒化ホウ素被膜との境界に基材若しくは中間層の
材料と窒化ホウ素との混合組成からなる境界層が形成し
てあり且つ該境界層の組成が上記基材若しくは中間層の
材料成分が基材側から窒化ホウ素被膜側へ順次減少して
いく傾斜組成であることを特徴とし、さらに、第三の窒化ホウ素被覆部材は基材上に設けられ
た被覆層の外層が窒化ホウ素被膜であり該窒化ホウ素被
膜と上記基材との間に一層以上の中間層を施してある窒
化ホウ素被覆部材において、上記中間層と上記窒化ホウ
素被膜との境界に該中間層と窒化ホウ素との混合組成か
らなる境界層が形成してあり且っ該境界層の組成が上記
中間層の材料成分が中間層側から窒化ホウ素被膜側へ順
次減少していく傾斜組成であり、上記窒化ホウ素被膜の
厚さが０．１〜１０μｍ１上記中間層の厚さが０．０１
〜１０μｍ１全被覆層の厚さがＯ，Ｓ〜２０μｍである
ことを特徴とする。

本発明の第一の窒化ホウ素被覆部材は、窒化ホウ素被膜
、中間層及び全被覆層の厚さを所定の範囲にすることに
より、例えば工具として用いた際の切削力に耐えうろ被
膜密着力を有している。

被膜の密着力は基材と被膜組成との親和性が強い程高め
られるが、窒化ホウ素と例えば高速度鋼などの金属物質
が主体の基材との親和性は低いので、本発明ではＴ　ｉ
　Ｎ　ＪｐＴ　ｉ　Ａ　Ｉ　Ｎなどの中間層を介在させ
ると共にその厚さを所定の範囲とすることにより、被覆
密着力の向上を図っている。

窒化ホウ素膜を０．１〜１０μｍとするのは、０．１μ
ｍ未満では所望の耐摩耗性を確保できず、１０μｍを越
えると窒化ホウ素膜自体の強度が低下するからである。

また、中間層を０．１〜１０μｍとするのは、０．１μ
ｍ未満では窒化ホウ素膜と基材との間の結合力が不足し
、１０μｍを越えると中間層自体の強度が低下するから
である。さらに、全被覆を０．５〜２０μｍとするのは
、０．５μｍ未満では所望の耐摩耗性、耐チッピング性
が得られず、２０μｍを越えると被膜自体が脆化するか
らである。

また、従来のＣＢＮ被膜の密着性不良の原因の一つは、
従来の何れの作製法も基本的には非平衡反応を利用した
ものであって合成されたＣＢＮ被覆が大きな内部応力を
有するためと考えられる。すなわち、基材と被膜との境
界部における密着力が、この内部応力に耐えきｆｉｆに
、ＣＢＮ被膜が剥離するものと考えられる。また、ＣＢ
Ｎ自身が反応性の低い物質であるため、基材との密着力
自体が他のセラミック被膜と比べて小さいということも
大きな原因の一つとなっている。

本発明の第二及び第三の窒化ホウ素被覆部材は、基材若
しくは中間層と被膜との境界に、いわゆる傾斜組成の境
界層を設けることにより、上述した原因を排除したもの
である。かかる境界層は、いわゆる傾斜組成となり材料
の組成及び構造が連続的に変化しているので、これによ
り、被膜の内部応力を被膜側から基材側へ次第に小さく
することが可能になる。

言い換えると、基材と被膜との明瞭な境界を無くすこと
により、被膜の内部応力が境界に集中するのを防止し、
内部応力をある範囲（境界層全体）に分散させている。

かくて、被膜の内部応力による剥離が防止される。また
、本発明では被膜材料の一部が基材中に入り込んだ形態
、つまり実質上、境界層は基材と被膜材料との反応層と
考えられ、結果的に被膜の密着性が向上する。なお、以
上の説明は基材と被膜との関係で行ったが、基材上に中
間層がある場合にも基本的には同じである。

本発明における境界層の作製方法は特に限定されず、種
々の方法を採用できるが、イオン注入、イオンビームミ
キシング、二元蒸着（イオンブレーティング）等が適し
ている。

また、境界層の厚みは、あまり薄いと上述した作用・効
果が顕著ではなく、逆に厚すぎると生産性が低下するた
め、１０〜５０００人が適当である。

なお、本発明の第三の窒化ホウ素被覆部材において、窒
化ホウ素被膜、中間層及び全被覆層を所定の範囲にして
いるのは、上述した第一の窒化ホウ素被覆部材と同じ理
由に基づく。

く実　施　例〉以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

（実施例１）まず、本発明の第二の窒化ホウ素被覆部材の一例を第１
図に示す。同図に示すように、高速工具鋼（Ｊ　Ｉ　Ｓ
規格５ＫＨ５５）からなる基材１上に、窒化チタンから
なる中間層２、いわゆる傾斜組成を有す、る境界層３及
びＣ８８層４を順次設けたものである。

ここで、中間層２は、例えばＨＣＤ　（本口カソード）
法によるイオンブレーティングによって厚さ３μｍに形
成されたものである。さらに具体的には、基材１に有機
溶剤（例えばフロン）による超音波洗浄で前処理を施し
た後、例えば０．１　ｔｏｒｒＡｒ中でＩ　ＫＶ　Ｘ　
Ｉ　Ａで１０分間イオンボンバードを行い、その後、Ｈ
ＣＤガン出カニ４５ｖＸ４００Ａ、基材温度＝　５００
℃２反応ガス：Ｎ２分圧５　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒの条
件でコーティングすることにより形成される。なお、中
間層２は必ず設ける必要はなく、基材１上に境界層３を
設けても同様な効果を得ることができる。

そこで、中間層２又は基材１の上へ境界層３を作製する
方法を説明する。

まず、イオン注入法での作製方法を示す。

この方法ではイオンの加速電圧を２００　ＫＶとし、イ
オン冒としてのホウ素及び窒素をそれぞれ８　Ｘ　１０
１７ｉｏｎｓ／　ａｌの数で上記中間層２若しくは基材
１に注入すればよい。

この結果、第１図に示すように、中間層２を形成するＴ
ｉＮ成分中にＢ及びＮがめり込み、これらのめり込み量
は深さ方向に自然と減少し、また、ＢＮの深さ方向に自
然と減少し、逆に、ＴｉＮは深さ方向に増加するという
傾斜組成を有する境界層３が形成される。なお、境界層
３は、このように中間層２上に形成した場合には１２０
０人の厚さとなり、また、基材１上に形成した場合には
１５００人となる。

次に、イオンビームミキシング法での作製方法を示す。

この方法は第２図に示すような装置を用いて行う。同図
に示す装置は、真空容＠１１内の上部の基材ホルダ１２
に取付けられた基材１３に対してイオン源１４から窒素
イオン照射を行うと同時に、真空容器１１の下部に配さ
れたルツボ１５内の金属ホウ素１６を電子ビーム１７で
蒸発させてこのホウ素１８を基材１３に蒸着させるもの
である。この装置により、基材１３のところへ、中間層
２を有する基材１又は基材１のみを設置し、例えばホウ
素の蒸着速度を２．０人／Ｓ、窒素イオンの加速電圧を
１００ＫＶ、単位時間当りのイオン照射量をＩ　Ｘ　１
０　！５ｉｏｎｓ／　ｔｘｌ−ｍ　、処理時間を１０分
とすれば第１図に示すものと同様な傾斜組成を有する境
界層３が得られる。この場合、Ｂがイオンでなく蒸気で
あるところが上述したものと異なり、上述した条件で形
成した境界層３の厚さは、中間層２に形成した場合には
１５００人、基材１に直接形成した場合には１０００人
であった。

また、二元蒸着（イオンブレーティング）法によって境
界層３を作製するには、例えば二元ＨＣＤ　（本口カソ
ード）法イオンブレーティングを用いればよい。具体的
には、中間層２上に形成する場合には、二元のルツボに
それぞれチタンとホウ素とを収納し、反応ガスである窒
素分圧は６　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒで一定とし、チタン
ルツボ側のＨＣＤガン出力を電圧４５Ｖとすると共に電
流を４０ＯＡからＯＡへと連続的に変化させ、一方、ホ
ウ素ルツボ側のＨＣＤガンの出力を電圧４５Ｖとすると
共に電流をＯＡから４５ＯＡへと連続的に変化させ、１
０分間処理すればよい。また、基材１上に形成する場合
には、二元のルツボにそれぞれ鉄とホウ素とを収納し、
鉄のルツボ側のＨＣＤガンの出力を電圧４５Ｖとすると
共に電流を３０ＯＡからＯＡへと連続的に変化させ、一
方、ホウ素ルツボ側のＨＣＤガンの出力を電圧４５Ｖと
すると共に電流をＯＡから４５０Ａへと連続的に変化さ
せ、同様に１０分間処理すればよい。このようにして伺
れも５０００Ａの境界層３が形成できる。

次に、このように種々の方法で形成した境界層３上にＣ
８８層４を形成する装置の−例を第３図を参照しながら
説明する。

図中、２１はガス導入管２２を有する反応室である。こ
の反応室２１の一端部には真空室２３が接続され、他端
部には導波管２４が接続されている。前記反応室２１及
びガス導入管２２の一部の外周には、磁界印加用コイル
２５が設けられている。前記真空室２３内には、その側
端部から反応室２１に向って基板ホルダ２６が突出して
いる。この基板ホルダ２６の先端部には、被処理物とし
ての表面に境界層３を形成した基材１が取付けられてい
る。前記基板ホルダ２６には、ヒータ電源２７に接続し
たヒータ２８が内蔵されている。また、基板ホルダ２６
には、マツチングボックス２９を介して高周波電源３０
に接続されている。

前記真空室２３内には、シールド３１が前記基板ホルダ
２６の回りに設けられている。

前記真空室２３内には、真空ゲージ３２が取付けられて
いる。

ここで、このような製電で、上記境界層３上へのＣＢＮ
層４を形成する方法を示す。

■　まず、境界層３を形成した基材１を、基板ホルダ２
６の先端部に取付ける。

次に、反応室２１及び真空室２３内を１０ｔｏｒｒ以下の減圧状態になるように予備排気した
後、ガス導入管２２から内部にジボラン（Ｂ２Ｈ６；　Ａｒベース１０％）を
１２．６　ｓｅｃｍ、Ｎ２ガスを１．５ｓｅｃｍの流量
で導入し、内部圧力を３．８Ｘ１０ｔｏｒｒに維持する
。次いで、前記基材１の温度が４００℃になるようにと−タ２８で加熱する。

■　次に、磁界印加用コイル２５により反応室２１内に
磁界を印加し、マイクロ波（２，４５ＧＨｚ　）を導波管２４を介して反応室
２１に導入し、電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させる。

また、基板ホルダ２６には高周波電源３０により高周波電力（１３，５６ＭＨｚ）を印加し、
セルフバイアス（−３０Ｖ）を発生させる。

次に、境界層３を設けたことによる効果を確認するため
、基材１上に直接又は中間層２上に上述した各種方法で
境界層３を形成し、その上に上述したようにＣＢＮ層４
を形成した場合の、ＣＢＮ層４の密着力を測定した。こ
の結果を第４図に示す。なお、密着力は、スクラッチ試
験の臨界荷重（スクラッチでＣＢＮ層４の剥離する荷重
）により評価した。また、比較のため境界層３を形成し
ない場合についても測定した。

第４図に示す結果から明らかなように、境界層３を形成
した場合には、何れも高い密着力を示し、優れた窒化ホ
ウ素被覆部材であることが認められた。

なお、以上の実施例はＣＢＮ層を形成する場合について
述べたが、当然これに限定されるものではなく、ＣＢＮ
を一部に含む硬質窒化ホウ素層などの窒化ホウ素被覆−
般に適用できるものである。

（実施例２）次に、本発明の窒化ホウ素被覆部材を切削工具部材とし
た例について説明する。

高速度＠ＪＩＳ　　５ＫＨ５５１Ｄ組成を有し且っＪＩ
Ｓ　　５ＮＰ−４３２に列した形状を有するスローアウ
ェイチップ（以下、チップと略す）を用意し、このチッ
プに公知のイオンブレーティング法でＴｉＮ被膜を被覆
した。次いで、上述した第２図に示す装置を用いて境界
層を形成した後、窒化ホウ素被膜を形成した。境界層は
、圧力ｌＸｌ０−’ｔｏｒｒ、基板温度４００℃とし、
イオン加速電圧及びホウ素蒸着速度をそれぞれ７０ＫＶ
から０．５Ｋｖへ１．２人／Ｓから０．４５人／１へ順
次調整しながら形成した。また、窒化ホウ素膜の形成は
境界層形成後イオン加速電圧０．５　ＫＶ、ホウ素蒸着
速度０．４５人／Ｓに保って行った。なお、窒化ホウ素
被膜の形成の場合には、−船釣にはイオン加速電圧を０
．５〜７０　ＫＶから、ホウ素蒸着過度を０．４５〜２
０人／Ｂから選択するのが好ましい。

切ｌＪ（糖以上のように製造した被覆チップについて次のような切
削試験を行った。

また、比較のため、上記チップにＴｉＮ１ｌのみを被覆
した比較被覆チップ、並びに被覆を全く形成しない無被
覆チップについても同様な切削試験を行っ、た。

・切削方式：中ぐりの断続切削・被削材　：　ＪＩＳＳＣＭ４１５ブリネル硬さＨＢ　１５０・切削速度：１３５ｍ／分各チップで各々切削を行い、各チップの逃げ摩耗幅が０
．２５−に至るまでの切削回数を比較評価した。この結
果は第５図に示す。

第５図に示すように、上記実施例に係る被覆チップは、
異常摩耗が全く見られず、比較被覆チップの約２倍、無
被覆チップの約１０倍の極めて高い耐摩耗性を示し、優
れた切削性能を発揮することが明らかである。

（実施例３）ＪＩＳ　　５ＫＨ５５からなる高速度鋼に中間層として
３μｍの厚さのＴｉＮを、さらにその上に厚さ１μｍの
ＣＢＮ被膜を形成した。

この被覆チップについて次の条件で切削試験を行った。

なお、比較のため、ＪＩＳＳＫＨ５５からなる無被覆チ
ップ及びこれにＴｉＮを被覆した比較被覆チップについ
ても同様に切削試験を実施した。

・切削方式：断続切削・被削材　：　ＪＩＳ　３０Ｍ４１５ブリネル硬さ１５０・切創速度：１３５ｍ／分逃げ面摩耗幅が０．２５閣になるまでの切削回数を比較
したところ、本実施例の被覆チップは比較被覆チップの
約２倍、無被覆チップの約１０倍の耐摩耗性を示した。

（実施例４）ｗｃ−１ｏ重量％〈以下、単に％と表示する）　Ｇｏか
らなる超硬合金に、中間層として厚さ４μｍのＴｉＮを
、さらにその上に厚さ１μｍのＣＢＮ被膜を形成した。

この被覆チップについて次の条件で切削試験を行った。

なお、比較のため、ＷＣ−１０％ＴｉＣ−５％ＴａＣ−
６％Ｃｏからなる超硬合金の上にＴｉＣ１さらにＡｊ、
０３を被覆したコーティング超硬合金からなる比較チッ
プについても同様に切削試験を実施した。

・切削方式二連続切削・被削材　：　ＪＩＳ　３０Ｍ４４０Ｑｌブリネル硬さ
３００・切削速度＝１５０ｍ／分逃げ面摩耗幅が０．２論に至るまでの切削時間を比較し
たところ、本実施例の被覆チップは７５分、比較チップ
は３０分であり、本実施例チップは、比較チップの約２
．５倍の耐摩耗性を示した。

（実施例５）Ａｔ２０３−１０％ＺｒＯ２からなるセラミックスに中
間層として厚さ２μｍのＴｉＡＩＮを、さらにその上に
厚さ２μｍのＣＢＮ被膜を形成した。

この被覆チップについて次の条件で切削試験を行った。

なお、比較のため、Ａｌ２０３１０％ＺｒＯ，からなる
セラミックスを比較チップとして、これに同様の切削試
験を施した。

・切削方式：連続切削・被削材　：　ＪＩＳ　５ＵＪ２０ツクウェルＣ硬さ６２・切削速度＝１００ｍ／分逃げ面摩耗幅が０．２ｗｍに至るまでの切削時間を比較
したところ、本実施例のチップは７０分、比較チップは
３５分であり、本実施例の被覆チップは、比較チップの
約２倍の耐摩耗性を示した。

（実施例６）ＪＩＳ　　５ＫＨ５５からなる高速度鋼に、中間層とし
てＴｉＣ１μｍ及びＴｉＮ　１μｍを順次形成し、さら
にその上に厚さ２μｍのＣＢＮ被膜を形成して本実施例
の被覆チップとした。

（実施例７）ＪＩＳ　　５ＫＨ５５からなる高速度鋼に、中間層とし
て厚さ１μｍのＨｆＮを形成し、さらにその上に厚さ３
μｍのＣＢＮ被膜を形成して本実施例の被覆チップとし
た。

（実施例８）ＷＣ−１０％ＴｉＣ−５％ＴａＣ−６％Ｃｏからなる超
硬合金に、中間層としてＴ　ｉ　Ｃ８μｍ及びＡｌ２Ｏ
，１μｍを順次形成し、さらにその上に厚さ２μｍのＣ
ＢＮ被膜を形成して本実施例の被覆チップとした。

（実施例９）ＷＣ−１０％Ｃｏからなる超硬合金に、中間層として、
Ｔｉｃ　２μｍ及びＴｉＮ　１μｍを順次形成し、さら
にその上に厚さ１０μｍのＣＢＮ被膜を形成して本実施
例の被覆チップとした。

（実施例１０）ＷＣ−１０％Ｃｏからなる超硬合金に、中間層としてＴ
ｉＣ１μｍ、　Ｔ１ＣＮ　１　μｍ及びＴｉＮ０．５μ
ｍを順次形成し、さらにこの上に厚さ１μｍのＣＢＮ被
膜を形成して本実施例の被覆チップとした。

（実施例１１）ＷＣ−１０％Ｃｏからなる超硬合金に、中間層としてＴ
ｉｃ　１　μｍ　、　ＡＺ２０，１μｍ及びＴｉＮ１μ
ｍを順次形成し、さらにその上に厚さ８μｍのＣＢＮ被
膜を形成して本実施例の被覆チップとした。

（実施例１２）Ａｔ２０３−１０％ｚｒＯ２からなるセラミックスに、
中間層としてＡ１２０３２　ｐｍ及びＴｉＡｌＮ３μｍ
　！　＠次形成し、さらにその上に厚さ２μｍのＣＢＮ
被膜を形成して本実施例の被覆チップとした。

実施例６〜１２の被覆チップについても上述したような
切削試験を実施したところ、切削力に耐えうる被膜密着
力があり、耐摩耗性の高いものであった。

〈発明の効果〉以上説明したように、本発明に係る窒化ホウ素被覆部材
は、従来のものに比べて優れた密着性を有しており、切
削工具や、各種回転機械の軸受やスライド等の摺動部材
など、他の耐摩耗性部材として実用に耐えうるものであ
り、工業的に利用価値の大きいものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は一実施例に係る窒化ホウ素被覆部材の一部拡大
断面図、第２図は実施例に用いたイオンビームミキシン
グ法の概要図、第３図は実施例に用いたＣＢＮ被膜の形
成装置の概要図、第４図は密着力の試験結果を示すグラ
フ、第５図は切削試験の結果を示すグラフである。図面中、１は基材、２は中間層、３は境界層、４はＣＢＮ層である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基材上に設けられた被覆層の外層が窒化ホウ素被
膜であり該窒化ホウ素被膜と上記基材との間に一層以上
の中間層を施してある窒化ホウ素被覆部材において、上
記窒化ホウ素被膜の厚さが０．１〜１０μｍ上記中間層
の厚さが０．０１〜１０μｍ、全被覆層の厚さが０．５
〜２０μｍであることを特徴とする窒化ホウ素被覆部材
。
（２）請求項１において、中間層がIVａ族、Ｖａ族、V
Iａ族の窒化物及び炭窒化物、並びにアルミ化合物から
選ばれた化合物からなる一層以上であることを特徴とす
る窒化ホウ素被覆部材。
（３）基材上若しくは基材上に形成された中間層上に窒
化ホウ素被膜を有する窒化ホウ素被覆部材において、上
記基材若しくは上記中間層と上記窒化ホウ素被膜との境
界に基材若しくは中間層の材料と窒化ホウ素との混合組
成からなる境界層が形成してあり且つ該境界層の組成が
上記基材若しくは中間層の材料成分が基材側から窒化ホ
ウ素被膜側へ順次減少していく傾斜組成であることを特
徴とする窒化ホウ素被覆部材。
（４）基材上に設けられた被覆層の外層が窒化ホウ素被
膜であり該窒化ホウ素被膜と上記基材との間に一層以上
の中間層を施してある窒化ホウ素被覆部材において、上
記中間層と上記窒化ホウ素被膜との境界に該中間層と窒
化ホウ素との混合組成からなる境界層が形成してあり且
つ該境界層の組成が上記中間層の材料成分が中間層側か
ら窒化ホウ素被膜側へ順次減少していく傾斜組成であり
、上記窒化ホウ素被膜の厚さが０．１〜１０μｍ、上記
中間層の厚さが０．０１〜１０μｍ、全被覆層の厚さが
０．５〜２０μｍであることを特徴とする窒化ホウ素被
覆部材。
（５）請求項３又は４において、境界層の厚みが１０〜
５０００Åの範囲にある窒化ホウ素被覆部材。